Terdapat beberapa jenis cacat Kristal pada susunan atom dalam Kristal.

Kita perlu ketahui bahwa

kehadiran cacat Kristal yang sedikit memiliki pengaruh yang sangat besar dalam menentukan
sifat suatu bahan dan pengaturan cacat sangat penting dalam pemrosesan bahan.

Contoh relevansi cacat Kristal dalam kehidupan pada umumnya dan dalam bahan pada
khususnya yaitu, ketika kita membeli cincin berlian, sebenarnya kita membayar untuk tipe cacat
pada Kristal pada cincin berlian tersebut. Pembuatan device semikonduktor tidak hanya
membutuhkan Silikon murni tetapi juga meliputi cacat Kristal tertentu pada sample. Menempa
suatu logam akan menghasilkan cacat pada logam tersebut dan meningkatkan kekuatan dan
kelenturan logam. Catatan, sifat-sifat tersebut dicapai tanpa mengubah komposisi penyusun
bahan tetapi hanya manipulasi cacat Kristal.

Berikut ini merupakan jenis-jenis cacat Kristal

 Cacat titik yaitu adanya atom yang hilang atau terdapat sisipan atom asing dalam kisi
(kekosongan, interstitial dan subtitutional , cacat Schottky dan cacat Frenkel)
 Cacat Linear yaitu sekelompok atom berada pada posisi yang menyimpang ( dislokasi tepi
dan dislokasi screw)
 Cacat interfacial yaitu interface antara daerah sejenis pada bahan (permukaan eksternal,
grain boundaries, dan twin boundaries)
 gambar disamping merupakan
representasi dua dimensi kristal sempurna dengan susunan atom yang benar. Namun
kenyataannya tidak ada yan sempurna

Gambar disamping merupakan skematik polikristal dengan berbagai macam cacat. Kita dapat
lihat bahwa ada beberapa grain Kristal yang dipisahkan oleh batas-batas dan juga terdapat atom-
atom yang hilang dan ada juga atom tambahan. Gambar diatas dari Helmut Föll, University of
Kiel, Germany
B. Jenis-Jenis Cacat Kristal

Berikut ini akan dijelaskan masing-masing cacat pada bahan padat.

1. Cacat Titik

Cacat titik terdiri dari kekosongan, interstisial dan subtitutional, cacat Schottky dan cacat Frenkel

a. Kekosongan

Di alam ini tidak terdapat Kristal yang sempurna dengan susunan atom yang teratur. Selalu
terdapat cacat dalam suatu Kristal, dan yang paling sering dijumpai adalah cacat titik. Hal ini
terutama ketika temperature Kristal cukup tinggi dimana atom-atom bergetar dengan frekuensi
tertentu dan secara acak dapat meninggalkan kisi, lokasi kisi yang ditinggalkan disebut vacancy
atau kekosongan. Dalam kebanyakan kasus difusi atau transportasi massa oleh gerak atom juga
dapat disebabkan oleh kekosongan.

Semakin tinggi suhu, semakin banyak atom yang dapat meninggalkan posisi kesetimbangannya
dan semakin banyak kekosongan yang dapat dijumpai pada Kristal. Banyaknya kekosongan yang
terjadi Nv meningkat dengan meningkatnya suhu Kristal dan banyaknya kekosongan ini dapat
diperoleh dengan persamaan berikut (distribusi Boltzman)

Rj=Ro exp(-Em/kT)

Dalam persamaan ini, N adalah banyaknya atom dalam Kristal, Qv adalah energy yang
dibutuhkan untuk membentuk vacancy atau kekosongan, T adalah suhu kristal dalam Kelvin, dan
k adalah konstanta Boltzman yang bernilai 1.38 x 10-23 J/atom-K, atau 8.62 x 10-5 eV/atom-K
bergantung pada satuan Qv. Dengan menggunakan persamaan tersebut kita dapat mengestimasi
bahwa pada suhu kamar terdapat satu kekosongan dalam 1015 kisi Kristal dan pada suhu tinggi
atau suhu mendekati titik leleh zat padat terdapat satu kekosongan dalam 10000 atom.
Pada Kristal,atom membutuhkan energy untuk bergerak ke posisi kekosongan (misalnya energi
termal) untuk lepas dari tetangga-tetangganya. Energi tersebut disebut energy aktivasi
kekosongan, Em. Energi termal rata-rata atom biasanya lebih kecil dari energy aktivasi Em dan
fluktuasi energy yang besar dibutuhkan untuk loncat. Peluang untuk fluktuasi atau frekuensi
loncatan atom Rj, tergantung secara eksponensial terhadap suhu dan dapat digambarkan oleh
persamaan yang ditemukan kimiawan Swedia Arrhenius:
Dimana R0 adalah frekuensi percobaan yang sebanding dengan frekuensi getaran atom

(kiri) Skema representasi kekosongan pada Kristal dalam 2 dimensi.

(kanan) Skema representasi difusi atom dari posisi asalnya ke posisi kosong. Energy aktivasi
Em telah diberikan pada atom sehingga atom dapat memutuskan ikatan antar atom dan pindah ke
posisi yang baru

b. Interstitial dan Subtitutional

Interstitial yaitu Penekanan atau penumpukan antara tempat kisi teratur. Jika atom interstitial
adalah atom yang sejenis dengan atom-atom pada kisi maka disebut self interstitial. Terciptanya
self-interstitial menyebabkan distorsi besar disekeliling kisi dan membutuhkan energy lebih
dibandingkan dengan energy yang dibutuhkan untuk membuat vacancy atau kekosongan (Ei>Ev),
dan dibawah kondisi kesetimbangan, self-interstitial hadir dengan konsentrasi lebih rendah dari
kekosongan. Jika atom-atom interstitial adalah atom asing, biasanya lebih kecil ukurannya
(karbon, nitrogen, hydrogen, oksigen) disebut interstitial impurities. Mereka memperkenalkan
distorsi kecil pada kisi dan banyak terdapat pada material nyata. Subtitutional yaitu Penggantian
atom pada matriks Kristal. Jika atom asing mengganti atau mensubtitusi matriks atom, maka
disebut subtitusional impurity

Gambar disamping menunjukan skema representasi macam-macam cacat titik dalam Kristal (1)
kekosongan, (2) self-interstitial, (3) Interstitial impurity, (4) (5) subtitutional impurities. Tanda
panah menunjukan tekanan local yang dihasilkan oleh cacat titik.

c. Cacat Schottky dan Cacat Frenkel

Dalam Kristal ionic (misalnya garam dapur- Na+Cl–), ikatannya disebabkan oleh gaya Coulomb
antara ion positif dan ion negatif. Cacat titik dalam Kristal ion adalah muatan itu sendiri. Gaya
Coulomb sangat besar dan setiap muatan yang tidak seimbang memiliki kecenderungan yang
kuat untuk menyeimbangkan diri. Untuk membuat muatan netral, beberapa cacat titik akan
terbentuk. Cacat Frenkel adalah kekosongan pasangan ion dan cation interstitial. Atau
kekosongan pasangan ion dan anion interstitial. Namun ukuran anion jauh lebih besar dari pada
kation maka sangat sulit untuk membentuk anion interstitial. Cacat Schottky adalah kekosongan
pasangan kation dan anion. Keduanya cacat Frenkel dan Schottky, pasangan cacat titik tetap
berdekatan satu sama lain karena tarikan coulomb yang kuat antara muatan yang berlawanan.

Gambar disamping merupakan skema representasi dari (1) cacat Frenkel (kekosongan dan
pasangan interstitial) dan cacat schottky (kekosongan pasangan kation dan anion) dalam Kristal
ionic
2. Cacat Linear

Mengapa logam dapat terdeformasi plastis dan mengapa sifat deformasi plastis dapat diubah
sangat besar dengan ditempa tanpa mengubah komposisi kimia adalah sebuah misteri pada
ribuan tahun yang lalu. Hal ini menjadi misteri yang sangat besar ketika awal tahun 1900an para
ilmuan memperkirakan bahwa logam mengalami deformasi plastis jika diberi gaya yang lebih
kecil dari gaya yang mengikat atom-atom logam bersama, .

Kejelasan muncul pada tahun 1934 ketika Taylor, Orowan dan Polyani menemukan dislokasi.
Dislokasi garis dapat dikenal dan dipikiran sebagai bidang kisi tambahan dimasukan kedalam
Kristal, tetapi tidak diperpanjang ke seluruh Kristal tapi berakhir di dislokasi garis.

Gambar tiga dimensi penyisipan setengah bidang tambahan melalui pusat gambar.

Dislokasi adalah cacat garis. Ikatan interatomik secara signifkan terdistorsi hanya dalam daerah
sekitar dislokasi garis yang cepat. Dislokasi juga membentuk deformasi elastic kecil kisi pada
jarak yang jauh. Untuk menggambarkan ukuran dan arah distorsi kisi utama disebabkan oleh
dislokasi, kita seharusnya memperkenalkan vector Burger b. Untuk menentukan vector burger ,
kita dapat membuat lintasan dari atom ke atom dan menghitung masing-masing jarak antar atom
dalam segala arah. Jika lintasan melingkupi dislokasi, lintasan tidak akan ditutup. Vektor yang
menutup loop merupakan vector Burger b.

Dislokasi dengan arah vector Burger tegak lurus dengan dislokasi disebut dislokasi tepi atau
dislokasi edge. Ada tipe dislokasi kedua yang disebut screw dislocation. Screw dislocation
sejajar dengan arah Kristal yang dipindahkan atau yang digeser (vector Burger sejajar dengan
dislokasi garis). Hampir seluruh dislokasi yang ditemukan pada Kristal bahan tidak terdiri daru
edge dislocation saja atau screw dislocation saja tetapi terdiri dari campuran keduanya atau
disebut mix dislocation.
edge dislocation screw dislocation

Gerak dislokasi mengikuti slip-deformasi plastis ketika ikatan interatomik patah dan
terbentuk kembali. Sebenarnya, slip selalu terjadi melalui gerak dislokasi

Lihatlah pada diagram diatas, kita akan mengerti mengapa dislokasi mengijinkan slip pada
tekanan yang kecil yang diberikan pada Kristal yang sempurna. Jika setengah bagian atas Kristal
di geser dan pada saat itu hanya fraksi kecil dari ikatan yang patah dan hal ini membutuhkan
gaya yang cukup kecil. Pada proses pergeseran ini dislokasi terbentuk dan menyebar melalui
Kristal. Penyebaran satu dislokasi melalui bidang menyebabkan setengah bidang atas tersebut
bergerak terhadap bagian bawahnya tetapi kita tidak memecah semua ikatan pada tengah bidang
secara simultan (dimana akan membutuhkan gaya yang sangat besar). Gerak dislokasi dapat
dianalogikan dengan perpindahan ulat bulu. Ulat bulu harus mengadakan gaya yang besar untuk
memindahkan seluruh tubuhnya pada waktu yang sama. Untuk itu bagian belakang tubuh akan
bergerak ke depan sedikit dan membentuk punggung bukit. Punggung bukit lalu menyebar terus
dan memindahkan ulat bulu. Cara yang sama digunakan untuk memindahkan karpet yang besar.
Daripada memindahkan seluruhnya pada waktu yang bersamaan, kita dapat membuat punggung
bukit pada karpet dan mendorongnya menyebarangi lantai.

3. Cacat interfacial

Kristal tunggal terkadang dapat ditemukan dalam material nyata yang tidak sedikit kondisi
pertumbuhannya secara khusus di desain dan di atur sebagai contoh ketika memproduksi Kristal
tunggal silicon untuk device mikroelektronik atau bilah untuk turbin yang terbuat dari super
alloy. Zat padat pada umumnya terdiri dari beberapa Kristal-kristal kecil atau grain. Grain dapat
berukuran dari ordo nanometer hingga millimeter dan orientasi bidang atom diputar terhadap
grain tetangganya. Material ini disebut polikristal. Grain-grain tunggal dipisahkan oleh batas
grain atau grain Boundaries, yaitu daerah yang berdensitas kecil dan twin boundaries.

a. Permukaan eksternal

Salah satu batas yang selalu ada adalah permukaan luar atau permukaan eksternal, dimana
permukaan ada disetiap ujung Kristal. Di permukaan, atom tidak memiliki jumlah tetangga
maksimum sehingga jumlah ikatanya lebih kecil dan memiliki keadaan energy yang lebih besar
dari atom atom yang berada dibagian dalam. Ikatan atom pada permukaan Kristal yang tidak
terikat memberikan energy permukaan yang diekspresikan dalam satuan energy persatuan luas
permukaan (J/m2 atau org/cm2). Untuk mengurangi energy tersebut, suatu bahan cenderung
untuk memperkecil permukaannya. Namun untuk zat padat hal ini sulit karena memiliki sifat
yang kaku.

b. Grain Boundaries

Jenis lain dari cacat interfacial adalah grain boundaries yaitu batas yang memisahkan dua grain
kecil atau Kristal yang memiliki struktur Kristal yang berbeda dalam bahan polikristalin.
Didalam daerah batas, dimana terdapat jarak cukup lebar diantara atom, terdapat beberapa atom
yang hilang dalam transisi dari orientasi Kristal dalam satu grain ke grain yang berdekatan.

Bermacam-macam ketidak sejajaran kristalografi diantara grain yang berdekatan merupakan hal
yang mungkin. Ketika orientasi yang tidak cocok ini diabaikan atau derajatnya kecil maka
bentuk sudut kecil grain boundaries digunakan.Batas ini dapat digambarkan dalam bentuk
susunan dislokasi. Salah satu contoh sederhana dari sudut kecil grain boundaries dibentuk ketika
dislokasi tepi disejajarkan seperti pada gambar 1. Jenis ini disebut tilt boundaries atau batas
kemiringan. Jika sudut kecil dibentuk dari susunan dislokasi screw maka disebut twist
boundaries.

Atom-atom disekitar batas diikat dengan jumlah kurang dari yang diperlukan dan
konsekuensinya terdapat energy grain boundary yang serupa dengan energy permukaan
eksternal. Besarnya energy ini merupakan fungsi dari derajat misorientasi dan menjadi besar jika
sudut batasnya besar. Grain boundaries sifat kimianya lebih reaktif dari grain-grain itu sendiri
sebagai akibat dari kehadiran energy tersebut. Lebih jauh lagi atom-atom yang tidak murni
terpisahkan secara khusus karena tingkat energinya yang lebih besar. Energi interfacial total
material bergrain kasar lebih kecil daripada material bergrain halus karena pada grain kasar
memiliki area batas grain total yang kecil. Jumlah grain meningkat dengan meningkatnya suhu
untuk mengurangi energy total batas.

Kita dapat membedakan antara sudut batas grain kecil dan sudut batas grain besar. Hal ini
mungkin untuk menjelaskan sudut batas kecil grain sebagai kesatuan dislokasi. Gambar
disamping merupakan transmisi mikroskop electron dari kemiringan sudut batas grain kecil
silicon. Garis merah menandakan dislokasi tepi atau edge dislocation dab garis biru
mengindikasikan kemiringan sudut. Jenis lain dari cacat permukaan dalam kisi adalah stacking
fault dimana rentetan bidang atom memiliki kesalahan.

Walaupun susunan atom tidak teratur dan ikatan yang seharusnya sangat kurang, material
polikristalin sangat kuat. Gaya kohesif didalam dan sepanjang batas terbentuk. Lebih jauh,
densitas polikristalin sebenarnya serupa dengan Kristal tunggal pada bahan yang sama

c. Twin Boundaries
Twin boundaries atau batas kembar merupakan jenis khusus dari grain boundaries dimana
terdapat cermin kisi yang simetri. Atom dalam satu sisi batas ditempatkan sebagai cermin atom
pada sisi yang lainnya. Daerah diantara dua sisi tersebut terbentuk bidang twin. Batas kembar
dihasilkan dari perpindahan atom yang diproduksi oleh gaya mekanik yang dikerjakan pada
bahan (mechanic twin) dan juga terbentuk selama proses annealing panas yang mengikuti
deformasi (annealing twins). Perkembaran terjadi pada bidang Kristal tertentu dan arah tertentu
juga dan keduannya tergantung pada struktur Kristal. Annealing twin adalah tipe yang
ditemukan dalam metal yang berstruktur FCC dan mechanic twin dapat di observasi pada logam
berstruktur BCC dan HCP.

4. Manfaat Cacat Kristal

Cacat pada Kristal dapat mengubah sifat listrik dan mekanik bahan. Kekosongan pada Kristal
dapat mengubah sifat listrik bahan. Sebagai contoh, kita memanfaatkan kekosongan pada Kristal
silicon untuk pendopingan oleh phospor sehingga terbentuk semikonduktor tipe n. Selain itu
cacat Kristal seperti kekosongan, dislokasi, dan boundaries dapat meingubah sifat mekanik
bahan. Grain Boundaries dapat menghambat difusi atom dan gerak dislokasi sehingga deformasi
bahan sulit terjadi. Semakin kecil grain, semakin kuat bahan tersebut.

Ukuran grain dapat diatur dengan laju pendinginan. Laju pendinginan yang cepat menghasilkan
grain-grain yang kecil sedangkan proses-proses pendinginan yang lambat menghasilkan grain-
gran yang besar

PEMBAHASAN

A. Cacat Kristal (Imperfection)

 Kristal yang sempurna adalah kristal yang susunan atomnya seluruhnya teratur mengikuti
susunan atom dalam krista pola tertentu. Cacat yang dimaksud disini adalah cacat/
ketidaksempurnaan susunan atom dalam kristal (lattice). Cacat dapat terjadi karena adanya
solidifikasi (pendinginan) ataupun akibat dari luar. Dalam kenyataan, kristal tidaklah selalu
merupakan susunan atom-atom identik yang tersusun secara berulang di seluruh volumenya.
Kristal biasanya mengandung ketidak-sempurnaan, yang kebanyakan terjadi pada kisi-kisi
kristalnya. Karena kisikisi kristal merupakan suatu konsep geometris, maka ketidak-sempurnaan
kristal juga diklasifikasikan secara geometris. Kita mengenal ketidak-sempurnaan berdimensi nol
(ketidak-sempurnaan titik), ketidak-sempurnaan berdimensi satu (ketidak-sempurnaan garis),
ketidak-sempurnaan berdimensi dua (ketidaksempurnaan bidang). Selain itu terjadi pula ketidak-
sempurnaan volume.

1. Cacat Titik (Point Defect)

Ketidak-sempurnaan titik terjadi karena beberapa sebab, seperti ketiadaan atom matriks
(yaitu atom yang seharusnya ada pada suatu posisi dalam kristal yang sempurna), hadirnya atom
asing, atau atom matriks yang berada pada posisi yang tidak semestinya. Ketidak-sempurnaan
yang umum terjadi pada kristal unsur murni adalah seperti digambarkan pada gambar.
Kekosongan: tidak ada atom pada tempat yang seharusnya terisi.
Interstisial: atom dari unsur yang sama (unsur sendiri) berada di antara atom
matriks yang seharusnya tidak terisi atom, atau atom asing yang menempati
tempat tersebut (pengotoran).
Substitusi: atom asing menempati tempat yang seharusnya ditempati oleh unsur
sendiri (pengotoran).
Dalam kristal ionik, kation dapat meninggalkan tempat di mana seharusnya ia
berada dan masuk ke tempat di antara anion; tempat kosong yang ditinggalkan
dan kation yang meninggalkannya disebut ketidak-sempurnaan Frenkel. Jika
kekosongan kation berpasangan dengan kekosongan anion, pasangan ini disebut
ketidak-sempurnaan Schottky. Ketidak-sempurnaan Schottky lebih umum terjadi
dibandingkan dengan ketidak-sempurnaan Frenkel.
 Gambar cacat titik pada kristal

2. Cacat garis (line defect)

Dislokasi merupakan ketidak-sempurnaan kristal karena penempatan atom yang tidak pada
tempat yang semestinya.
Dislokasi dinyatakan dengan vektor Burger yang menggambarkan baik besarmaupun arah
dislokasi. Suatu untaian atom ke atom mengelilingi sumbudislokasi akan terputus oleh vektor
Burger. Hal ini diperlihatkan pada gambar.
 G ambar dislokasi

Cacat yang menimbulkan distorsi pada lattice yang berpusat pada suatu garis. Sering pula
disebut dengan dislokasi. Secara umum ada 3 jenis dislokasi, yakni : dislokasi ulir, dislokasi
sisi/pinggir, dan dislokasi campuran. Dislokasi ulir terbentuk karena gaya geser yang diberikan
menghasilkan distorsi seperti yang ditunjukkan Gambar di bawah. Daerah depan bagian atas
kristal tergeser sebesar satu atom kekanan relatif terhadap bagian bawah. Dislokasi ini disimbolkan
dengan (.).

Dislokasi Ulir
Dislokasi sisi/pinggir adalah terdapatnya bidang atom ekstra atau setengah bidang, dimana
sisinya terputus di dalam kristal. Gambar di bawah memperlihatkan skematik dari dislokasi sisi.
Dislokasi sisi disimbolkan dengan ┴
 Gambar dislokasi Sisi/Pinggir
Jika pada material dijumpai kedua jenis dislokasi diatas maka disebut material mempunyai
dislokasi campuran. Contoh dislokasi campuran bisa dilihat pada gambar di bawah.

Gambar Dislokasi Campuran

3. Cacat bidang (interfacial defect)

Pada bahan polikristal, zat padat tersusun oleh kristal-kristal kecil yang disebut butir (grain).
Setiap butir dapat berukuran mulai dari nanometer hingga mikrometer. Pada setiap butir atom-
atom tersusun pada arah tertentu, dan arah keteraturan atom ini bervariasi dari satu butir ke butir
lain. Batasan antara 2 buah dimensi dan umumnya memisahkan daerah dari material yang
mempunyai struktur kristal berbeda dan atau arah kristalnya berbeda, misalnya : Batas Butir
(karena bagian batas butir inilah yang membeku paling akhir dan mempunyai orientasi serta arah
atom yang tidak sama. Semakin banyak batas butir maka akan semakin besar peluang
menghentikan dislokasi. Kemudian contoh yang berikutnya adalah Twin (Batas butir tapi special,
 maksudnya : antara butiran satu dengan butiran lainnya merupakan cerminan) dan ini
menimbulkan cacat pada daerah batas butir, sehingga disebut cacat batas butir.

4. Cacat Ruang (Bulk defect)

Perubahan bentuk secara permanen disebut dengan Deformasi Plastis, deformasi plastis terjadi
dengan mekanisme :
a. Slip, yaitu : Perubahan dari metallic material oleh pergerakan dari luar sepanjang Kristal. Bidang
slip dan arah slip terjadi pada bidang grafik dan arah atom yang paling padat karena dia butuh
energi yang paling ringan atau kecil.
b. Twinning terjadi bila satu bagian dari butir berubah orientasinya sedemikian rupa sehingga susunan
atom di bagian tersebut akan membentuk simetri dengan bagian kristal yang lain yang tidak
mengalami twinning.

B. Manfaat Cacat Kristal

Cacat pada Kristal dapat mengubah sifat listrik dan mekanik bahan. Kekosongan pada
Kristal dapat mengubah sifat listrik bahan. Sebagai contoh, pemanfaatan kekosongan pada Kristal
silicon untuk pendopingan oleh phospor sehingga terbentuk semikonduktor tipe n. Selain itu cacat
Kristal seperti kekosongan, dislokasi, dan boundaries dapat meingubah sifat mekanik bahan. Grain
Boundaries dapat menghambat difusi atom dan gerak dislokasi sehingga deformasi bahan sulit
terjadi. Semakin kecil grain, semakin kuat bahan tersebut.
Ukuran grain dapat diatur dengan laju pendinginan. Laju pendinginan yang cepat menghasilkan
grain-grain yang kecil sedangkan proses-proses pendinginan yang lambat menghasilkan grain-
gran yang besar.
Terdapat beberapa jenis cacat Kristal pada susunan atom dalam Kristal. Kita perlu
ketahui bahwa kehadiran cacat Kristal yang sedikit memiliki pengaruh yang sangat besar dalam
menentukan sifat suatu bahan dan pengaturan cacat sangat penting dalam pemrosesan bahan.
Contoh relevansi cacat Kristal dalam kehidupan pada umumnya dan dalam bahan pada
khususnya yaitu, ketika kita membeli cincin berlian, sebenarnya kita membayar banyak dan tipe
cacat pada Kristal pada cincin berlian tersebut. Pembuatan device semikonduktor tidak hanya
membutuhkan Silikon murni tetapi juga meliputi cacat Kristal tertentu pada sample. Menempa
suatu logam akan menghasilkan cacat pada logam tersebut dan meningkatkan kekuatan dan
kelenturan logam. Catatan, sifat-sifat tersebut dicapai tanpa mengubah komposisi penyusun
bahan tetapi hanya manipulasi cacat Kristal.
Kristal merupakan kumpulan dari sel satuan yang memiliki arah dan orientasi sama dalam 3
dimensi. Dalam suatu material yang terdapat di teknik mesin, ditemui beberapa keadaan cacat di
material tersebut, meski bahan tersebut terasa sangat halus akan tetapi jika tidak hanya kita amati
dengan kasat mata maka benda tersebut akan terlihat ada beberapa bagian yang cacat di dalam
partikelnya. Biasanya atom adalah hal yang sering diabaikan namun justru pada bagian tersebut
sering terjadi cacat material.

Cacat pada kristal

Cacat dapat terjadi karena adanya solidifikasi (pendinginan) ataupun akibat dari luar. Cacat
paling sederhana adalah kehilangan atom pada posisi tertentu dalam kristal (vacancy) yang sering
disebut cacat Schottky. Cacat kristal yang terjadi dalam suatu bahan padat dapat mempengaruhi
sifat fisis tertentu seperti sifat mekanik atau sifat listrik. Cara memodelkan cacat ini adalah dengan
menganggap terjadi perpindahan suatu atom (atau molekul) dari suatu titik dalam kristal ke
permukaan.

Perubahan ini adalah endoterm (tidak disukai) tetap diimbangi oleh penaikan entropi akibat
peningkatan ketakteraturan kristal. Kita gunakan anggapan (1) energi yang diperlukan untuk
memindahkan atom dari kisi ke permukaan adalah “v dan (2) kekosongan yang ada amatlah jarang
sehingga proses ini dianggap “independen”. Dengan asumsi ini, dapat dituliskan :
Dengan n adalah jumlah kekosongan, dan faktor kombinatorial adalah jumlah cara
mendistribusikan kekosongan dalam kristal. Keadaan setimbang adalah keadaan dengan nilai A(n)
minimum, yaitu :

Dimana kita mengabaikan nilai n dibandingkan dengan N. Cacat yang lain yang dikenal
adalah acat Frenkel, dimana kekosongan diimbangi dengan interstisi di tempat lain. Anggap energi
yang dibutuhkan untuk memindahkan atom dari kisi ke interstisi adalah “I , N adalah jumlah titik
dalam kisi dan N0 adalah jumlah titik yang mungkin disisipi.

Dengan cara yang sama (meminimalkan A), kita peroleh:

Secara umum, entropi dapat dituliskan sebagai S = k ln (N; V;E), dengan adalah jumlah susunan
yang mungkin dari suatu sistem.

Angka kesetimbangan vakansi, Nv untuk material tertentu tergantung atas kenaikan temperatur

sesuai dengan persamaan:

 Dimana,

N = jumlah total sisi

Qv = energi yang diperlukan untuk membentuk vakansi

T = emperature mutlak, K

-23 -5
k = konstanta Boltzmqan = 1,38 x 10 J/atom-K = 8,62 x 10 eV/atom-K

Adapun macam cacat Kristal ialah :

Cacat Titik

Cacat titik yaitu adanya atom yang hilang atau terdapat sisipan atom asing dalam kisi. Cacat
titik ini terdiri dari :

1. Kekosongan
Di alam ini tidak terdapat Kristal yang sempurna dengan susunan atom yang teratur. Selalu
terdapat cacat dalam suatu Kristal, dan yang paling sering dijumpai adalah cacat titik. Hal ini
terutama ketika temperature Kristal cukup tinggi dimana atom-atom bergetar dengan frekuensi
tertentu dan secara acak dapat meninggalkan kisi, lokasi kisi yang ditinggalkan disebut vacancy
atau kekosongan. Dalam kebanyakan kasus difusi atau transportasi massa oleh gerak atom juga
dapat disebabkan oleh kekosongan.

Semakin tinggi suhu, maka semakin banyak atom yang dapat meninggalkan posisi
kesetimbangannya dan jika semakin banyak atom yang dapat meninggalkan posisi
kesetimbanganya maka semakin banyak pula kekosongan yang dapat dijumpai pada Kristal.
Banyaknya kekosongan yang terjadi Nv meningkat dengan meningkatnya suhu Kristal dan
banyaknya kekosongan ini dapat diperoleh dengan persamaan berikut (distribusi Boltzman):
 [ Rj=Ro exp(-Em/kT) ]

Dalam persamaan ini, N adalah banyaknya atom dalam Kristal, Qv adalah energy yang
dibutuhkan untuk membentuk vacancy atau kekosongan, T adalah suhu kristal dalam Kelvin, dan
k adalah konstanta Boltzman yang bernilai 1.38 x 10-23J/atom-K, atau 8.62 x 10-5 eV/atom-K
bergantung pada satuan Qv. Dengan menggunakan persamaan tersebut kita dapat mengestimasi
bahwa pada suhu kamar terdapat satu kekosongan dalam 1015 kisi Kristal dan pada suhu tinggi
atau suhu mendekati titik leleh zat padat terdapat satu kekosongan dalam 10000 atom.

Pada Kristal,atom membutuhkan energy untuk bergerak ke posisi kekosongan (misalnya

energi termal) untuk lepas dari tetangga-tetangganya. Energi tersebut disebut energy aktivasi
kekosongan, Em. Energi termal rata-rata atom biasanya lebih kecil dari energy aktivasi Em dan
fluktuasi energy yang besar dibutuhkan untuk loncat. Peluang untuk fluktuasi atau frekuensi
loncatan atom Rj, tergantung secara eksponensial terhadap suhu dan dapat digambarkan oleh
persamaan yang ditemukan kimiawan Swedia Arrhenius:

Dimana R0 adalah frekuensi percobaan yang sebanding dengan frekuensi getaran atom

Ini adalah gambar atom yang telah berpindah dari titik kesetimbangan sehingga
mengsasilkan kekosongan dalam suatu material. Atau Skema representasi kekosongan pada
Kristal dalam 2 dimensi.
 Skema representasi difusi atom dari posisi asalnya ke posisi kosong. Energy aktivasi
Em telah diberikan pada atom sehingga atom dapat memutuskan ikatan antar atom dan pindah ke
posisi yang baru

2. Subtitutional
Cacat ini terjadi karena adanya pergantian atom pada susunan atom. Subtitusi menyebabkan strain
di sekitar tempat yang diduduki dengan kata lain, cacat titik menyebabkan meningkatnya energi
dalam material secara thermodinamik. Jika atom asing mengganti atau mensubtitusi matriks atom,
maka disebut subtitusional impurity.

3. Interstitial

Interstitial yaitu Penekanan atau penumpukan antara tempat kisi teratur. Jika atom interstitial
adalah atom yang sejenis dengan atom-atom pada kisi maka disebut self interstitial. Terciptanya
self-interstitial menyebabkan distorsi besar disekeliling kisi dan membutuhkan energy lebih
dibandingkan dengan energy yang dibutuhkan untuk membuat vacancy atau kekosongan (Ei>Ev),
dan dibawah kondisi kesetimbangan, self-interstitial hadir dengan konsentrasi lebih rendah dari
kekosongan. Jika atom-atom interstitial adalah atom asing, biasanya lebih kecil ukurannya
(karbon, nitrogen, hydrogen, oksigen) disebut interstitial impurities. Mereka memperkenalkan
distorsi kecil pada kisi dan banyak terdapat pada material nyata.
 Gambar disamping menunjukan skema representasi macam-macam cacat titik dalam
Kristal (1) kekosongan, (2) self-interstitial, (3) Interstitial impurity, (4) (5) subtitutional impurities.
Tanda panah menunjukan tekanan local yang dihasilkan oleh cacat titik.

4. Cacat Schottky dan Cacat Frenkel

Dalam Kristal ionic (misalnya garam dapur- Na+Cl–), ikatannya disebabkan oleh gaya
Coulomb antara ion positif dan ion negatif. Cacat titik dalam Kristal ion adalah muatan itu sendiri.
Gaya Coulomb sangat besar dan setiap muatan yang tidak seimbang memiliki kecenderungan yang
kuat untuk menyeimbangkan diri. Untuk membuat muatan netral, beberapa cacat titik akan
terbentuk. Cacat Frenkel adalah kekosongan pasangan ion dan cation interstitial. Atau kekosongan
pasangan ion dan anion interstitial. Namun ukuran anion jauh lebih besar dari pada kation maka
sangat sulit untuk membentuk anion interstitial. Cacat Schottky adalah kekosongan pasangan
kation dan anion. Keduanya cacat Frenkel dan Schottky, pasangan cacat titik tetap berdekatan satu
sama lain karena tarikan coulomb yang kuat antara muatan yang berlawanan.
 Gambar disamping merupakan skema representasi dari (1) cacat Frenkel (kekosongan dan
pasangan interstitial) dan cacat schottky (kekosongan pasangan kation dan anion) dalam Kristal
ionic.

CACAT GARIS / LINE DEFECT (DISLOCATION)

Dislokasi merupakan suatu pergeseran atau pegerakan atom – atom didalam sistem kristal
logam akibat tegangan mekanik yang dapat menciptakan deformasi plastis (perubahan dimensi
secara permanen). Ikatan interatomik secara signifkan terdistorsi hanya dalam daerah sekitar
dislokasi garis yang cepat. Dislokasi juga membentuk deformasi elastic kecil kisi pada jarak yang
jauh. Untuk menggambarkan ukuran dan arah distorsi kisi utama disebabkan oleh dislokasi, kita
seharusnya memperkenalkan vector Burger b. Untuk menentukan vector burger , kita dapat
membuat lintasan dari atom ke atom dan menghitung masing-masing jarak antar atom dalam
segala arah. Jika lintasan melingkupi dislokasi, lintasan tidak akan ditutup. Vektor yang menutup
loop merupakan vector Burger b.

Dislokasi dengan arah vector Burger tegak lurus dengan dislokasi disebut dislokasi tepi
atau dislokasi edge. Ada tipe dislokasi kedua yang disebut screw dislocation. Screw dislocation
sejajar dengan arah Kristal yang dipindahkan atau yang digeser (vector Burger sejajar dengan
dislokasi garis). Hampir seluruh dislokasi yang ditemukan pada Kristal bahan tidak terdiri daru
edge dislocation saja atau screw dislocation saja tetapi terdiri dari campuran keduanya atau disebut
mix dislocation.

edge dislocation screw dislocation

 Gerak dislokasi mengikuti slip-deformasi plastis ketika ikatan interatomik patah dan terbentuk
kembali. Sebenarnya, slip selalu terjadi melalui gerak dislokasi.

Lihatlah pada diagram diatas, kita akan mengerti mengapa dislokasi mengijinkan slip pada
tekanan yang kecil yang diberikan pada Kristal yang sempurna. Jika setengah bagian atas Kristal
di geser dan pada saat itu hanya fraksi kecil dari ikatan yang patah dan hal ini membutuhkan gaya
yang cukup kecil. Pada proses pergeseran ini dislokasi terbentuk dan menyebar melalui Kristal.
Penyebaran satu dislokasi melalui bidang menyebabkan setengah bidang atas tersebut bergerak
terhadap bagian bawahnya tetapi kita tidak memecah semua ikatan pada tengah bidang secara
simultan (dimana akan membutuhkan gaya yang sangat besar). Gerak dislokasi dapat dianalogikan
dengan perpindahan ulat bulu. Ulat bulu harus mengadakan gaya yang besar untuk memindahkan
seluruh tubuhnya pada waktu yang sama. Untuk itu bagian belakang tubuh akan bergerak ke depan
sedikit dan membentuk punggung bukit. Punggung bukit lalu menyebar terus dan memindahkan
ulat bulu. Cara yang sama digunakan untuk memindahkan karpet yang besar. Daripada
memindahkan seluruhnya pada waktu yang bersamaan, kita dapat membuat punggung bukit pada
karpet dan mendorongnya menyebarangi lantai.

Macam dislokasi:

a.) Dislokasi Ulir

Terjadinya dislokasi ulir akibat gerakan garis dislokasi yang saling tegak lurus dengan
tegangan geser.
b.) Dislokasi Tepi
Terjadinya dislokasi tepi ini akibat tegangan geser (τ) searah dengan garis dislokasi.

c.) Dislokasi Campuran

Di dalam material biasanya ditemukan gabungan antara edge dislocation dan screw diclocation
yang biasa disebut dislokasi campuran. Dislokasi dapat berpindah-pindah ataupun bergerak.
Proses dimana deformasi plastis di-karenakan gerakan gerakan dislokasi yang berpindah-pindah
tersebut biasanya dinamakan dengan SLIP.

Cacat Permukaan

Cacat permukaan akan memisahkan material tersebut atas beberapa bagian yang mana tiap-
tiap bagian akan memiliki struktur kristal yang sama tetapi berbeda arah kristalnya.

a. Permukaan Material
Salah satu batas yang selalu ada adalah permukaan luar atau permukaan eksternal,
dimana permukaan ada disetiap ujung Kristal. Di permukaan, atom tidak memiliki jumlah
 tetangga maksimum sehingga jumlah ikatanya lebih kecil dan memiliki keadaan energy yang
lebih besar dari atom atom yang berada dibagian dalam. Ikatan atom pada permukaan Kristal
yang tidak terikat memberikan energy permukaan yang diekspresikan dalam satuan energy
persatuan luas permukaan (J/m2 atau org/cm2). Untuk mengurangi energy tersebut, suatu bahan
cenderung untuk memperkecil permukaannya. Namun untuk zat padat hal ini sulit karena
memiliki sifat yang kaku.

Ketidak-sempurnaan kristal dalam dua dimensi merupakan suatu batas, dimana batas yang
nyata adalah permukaan luar. Permukaan dapat diilustrasikan sebagai batas struktur kristal
sehingga kita dapat melihat bahwa koordinasi atom pada permukaan tidak sama dengan koordinasi
atom dalam kristal. Dengan kata lain : Atom permukaan hanya mempunyai tetangga pada satu sisi
saja, sehingga memiliki energi yang lebih tinggi dimana ikatannya menjadi kurang kuat. Karena
atom-atom ini tidak seluruhnya dikekelingi oleh atom lainnya, maka energinya jadi lebih banyak
dibandingkan dengan atom di dalamnya.

b. Grain Boundaries

Jenis lain dari cacat interfacial adalah grain boundaries yaitu batas yang memisahkan dua
grain kecil atau Kristal yang memiliki struktur Kristal yang berbeda dalam bahan polikristalin.
Didalam daerah batas, dimana terdapat jarak cukup lebar diantara atom, terdapat beberapa atom
yang hilang dalam transisi dari orientasi Kristal dalam satu grain ke grain yang berdekatan.

Bermacam-macam ketidak sejajaran kristalografi diantara grain yang berdekatan merupakan hal
yang mungkin. Ketika orientasi yang tidak cocok ini diabaikan atau derajatnya kecil maka bentuk
sudut kecil grain boundaries digunakan.Batas ini dapat digambarkan dalam bentuk susunan
dislokasi. Salah satu contoh sederhana dari sudut kecil grain boundaries dibentuk ketika dislokasi
tepi disejajarkan seperti pada gambar 1. Jenis ini disebut tilt boundaries atau batas kemiringan.
Jika sudut kecil dibentuk dari susunan dislokasi screw maka disebut twist boundaries.

Atom-atom disekitar batas diikat dengan jumlah kurang dari yang diperlukan dan
konsekuensinya terdapat energy grain boundary yang serupa dengan energy permukaan eksternal.
Besarnya energy ini merupakan fungsi dari derajat misorientasi dan menjadi besar jika sudut
batasnya besar. Grain boundaries sifat kimianya lebih reaktif dari grain-grain itu sendiri sebagai
akibat dari kehadiran energy tersebut. Lebih jauh lagi atom-atom yang tidak murni terpisahkan
secara khusus karena tingkat energinya yang lebih besar. Energi interfacial total material bergrain
kasar lebih kecil daripada material bergrain halus karena pada grain kasar memiliki area batas
grain total yang kecil. Jumlah grain meningkat dengan meningkatnya suhu untuk mengurangi
energy total batas.

Kita dapat membedakan antara sudut batas grain kecil dan sudut batas grain besar. Hal ini
mungkin untuk menjelaskan sudut batas kecil grain sebagai kesatuan dislokasi. Gambar disamping
merupakan transmisi mikroskop electron dari kemiringan sudut batas grain kecil silicon. Garis
merah menandakan dislokasi tepi atau edge dislocation dab garis biru mengindikasikan kemiringan
sudut. Jenis lain dari cacat permukaan dalam kisi adalah stacking fault dimana rentetan bidang
atom memiliki kesalahan.

Walaupun susunan atom tidak teratur dan ikatan yang seharusnya sangat kurang, material
polikristalin sangat kuat. Gaya kohesif didalam dan sepanjang batas terbentuk. Lebih jauh,
densitas polikristalin sebenarnya serupa dengan Kristal tunggal pada bahan yang sama
c. Twin Boundaries

Twin boundaries atau batas kembar merupakan jenis khusus dari grain boundaries dimana
terdapat cermin kisi yang simetri. Atom dalam satu sisi batas ditempatkan sebagai cermin atom
pada sisi yang lainnya. Daerah diantara dua sisi tersebut terbentuk bidang twin. Batas kembar
dihasilkan dari perpindahan atom yang diproduksi oleh gaya mekanik yang dikerjakan pada bahan
(mechanic twin) dan juga terbentuk selama proses annealing panas yang mengikuti deformasi
(annealing twins). Perkembaran terjadi pada bidang Kristal tertentu dan arah tertentu juga dan
keduannya tergantung pada struktur Kristal. Annealing twin adalah tipe yang ditemukan dalam
metal yang berstruktur FCC dan mechanic twin dapat di observasi pada logam berstruktur BCC
dan HCP.

Cacat Ruang

Cacat ruang adalah ketidaksempurnaan kristal pada seruang atom yaitu timbulnya rongga
antara batas butir karena orientasi butir dan dapat dilihat secara langsung. Kehadiran volume
defect di dalam materiaal biasanya memberikan suatu implikasi (misalnya terhadap sifat material)
yang akan menyebabkan perubahan densitas material (terutama dengan adanya pori-pori ataupun
fasa kedua pada material). Cacat ruang pada material dapat berupa : crack (retak)/pori-pori,
inklusi, presipitat, fasa kedua, porositas , retak dan rongga.

Solusi Cacat Material

Cacat material dapat diatasi dengan perlakuan panas sampai mencapai temperatur rekristalisasi.
Temperatur rekristalisasi dalah temperatur di mana mulai terjadinya atau munculnya kristal -
kristal baru. Temperatur rekristalisasi ini dipengaruhi beberapa faktor, seperti derajat deformasi,
ukuran butir dan kemurnian unsur kimia dalam logam sehingga temperatur rekristalisasi tiap
material berbeda – beda.Berikut adalah data mengenai temperatur rekristalisasi pada beberapa
unsur logam :

Adapun contoh dari perlakuan panas yang dapat di pergunakan untuk mengatasi masalah
cacat material seperti, anneliing(pelunakan), Normalizing (menormalkan), hardening(pengerasan),
dan quenching(pencelupan).

Tujuan dari proses analisa cacat struktur material

Tujuan dari melakukan proses analisa cacat struktur material antaralain adalah sebagai
berikut :

-mengetahui struktur material bahan.

-mengetahui letak cacat pada material.

-memilih bahan yang tepat untuk sebuah komponen.

-membuat material dengan kegunaan yang lebih bermanfaat.

-mengetahui komponen penyusun material.

-mengetahui butiran penyusun material.

Manfaat Cacat Kristal

Cacat pada Kristal dapat mengubah sifat listrik dan mekanik bahan. Kekosongan pada
Kristal dapat mengubah sifat listrik bahan. Sebagai contoh, kita memanfaatkan kekosongan pada
Kristal silicon untuk pendopingan oleh phospor sehingga terbentuk semikonduktor tipe n. Selain
itu cacat Kristal seperti kekosongan, dislokasi, dan boundaries dapat meingubah sifat mekanik
bahan. Grain Boundaries dapat menghambat difusi atom dan gerak dislokasi sehingga deformasi
bahan sulit terjadi. Semakin kecil grain, semakin kuat bahan tersebut.

DECEMBER 14, 2012 ~ AKBAR

Cara pengujian cacat material

Uji Mikroskopik

Dalam pengujian struktur mikro ini, material difoto menggunakan mikroskop optik cahaya
perbesaran. Kemudian hasil uji dipakai untuk mengetahui wujud fasa sruktur mikro material pada
daerah permukaan tepi sampai daerah kedalaman mendekati inti. Data pengujian menunjukkan
daerah permukaan material dari tepi sampai daerah kedalaman memiliki sebaran fasa struktur
mikro yang berbeda. Hasil pengambilan gambar pada daerah permukaan tepi sampai kedalaman
mendekati inti terlihat sebaran mikro struktur dari material yang diuji.

Uji Kimia
1. Macam – macam Uji Kimia
Ada 3 macam uji kimia yang bias dilakukan pada suatu material, yaitu:

– Uji Analitis

– Uji Kekaratan

– Uji Penentuan Kadar Air

2. Tujuan Uji Kimia

Analisa kimia dilakukan dengan menggunakan metode OES (Optical Emission
Spectrometer). Tujuan dari pengujian komposisi kimia adalah untuk mengetahui apakah
komposisi material sesuai dengan standar material.

Metode utama Non Destructive Testing meliputi:

Visual Inspection

Sering kali metode ini merupakan langkah yang pertama kali diambil dalam NDT. Metode
ini bertujuan menemukan cacat atau retak permukaan dan korosi. Dalam hal ini tentu saja adalah
retak yang dapat terlihat oleh mata telanjang atau dengan bantuan lensa pembesar ataupun
boroskop.

Liquid Penetrant Test

Metode Liquid Penetrant Test merupakan metode NDT yang paling sederhana. Metode ini
digunakan untuk menemukan cacat di permukaan terbuka dari komponen solid, baik logam
maupun non logam, seperti keramik dan plastik fiber. Melalui metode ini, cacat pada material akan
terlihat lebih jelas. Caranya adalah dengan memberikan cairan berwarna terang pada permukaan
yang diinspeksi. Cairan ini harus memiliki daya penetrasi yang baik dan viskousitas yang rendah
agar dapat masuk pada cacat dipermukaan material. Selanjutnya, penetrant yang tersisa di
permukaan material disingkirkan. Cacat akan nampak jelas jika perbedaan warna penetrant dengan
latar belakang cukup kontras. Seusai inspeksi, penetrant yang tertinggal dibersihkan dengan
penerapan developer.
 Kelemahan dari metode ini antara lain adalah bahwa metode ini hanya bisa diterapkan pada
permukaan terbuka. Metode ini tidak dapat diterapkan pada komponen dengan permukaan kasar,
berpelapis, atau berpori.

Magnetic Particle Inspection

Dengan menggunakan metode ini, cacat permukaan (surface) dan bawah permukaan
(subsurface) suatu komponen dari bahan ferromagnetik dapat diketahui. Prinsipnya adalah dengan
memagnetisasi bahan yang akan diuji. Adanya cacat yang tegak lurus arah medan magnet akan
menyebabkan kebocoran medan magnet. Kebocoran medan magnet ini mengindikasikan adanya
cacat pada material. Cara yang digunakan untuk memdeteksi adanya kebocoran medan magnet
adalah dengan menaburkan partikel magnetik dipermukaan. Partikel-partikel tersebuat akan
berkumpul pada daerah kebocoran medan magnet.

Kelemahannya, metode ini hanya bisa diterapkan untuk material ferromagnetik. Selain itu, medan
magnet yang dibangkitkan harus tegak lurus atau memotong daerah retak serta diperlukan
demagnetisasi di akhir inspeksi.

Eddy Current Test

Inspeksi ini memanfaatkan prinsip elektromagnet. Prinsipnya, arus listrik dialirkan pada
kumparan untuk membangkitkan medan magnet didalamnya. Jika medan magnet ini dikenakan
pada benda logam yang akan diinspeksi, maka akan terbangkit arus Eddy. Arus Eddy kemudian
menginduksi adanya medan magnet. Medan magnet pada benda akan berinteraksi dengan medan
magnet pada kumparan dan mengubah impedansi bila ada cacat.

Keterbatasan dari metode ini yaitu hanya dapat diterapkan pada permukaan yang dapat dijangkau.
Selain itu metode ini juga hanya diterapkan pada bahan logam saja.

Ultrasonic Inspection

Prinsip yang digunakan adalah prinsip gelombang suara. Gelombang suara yang
dirambatkan pada spesimen uji dan sinyal yang ditransmisi atau dipantulkan diamati dan
interpretasikan. Gelombang ultrasonic yang digunakan memiliki frekuensi 0.5 – 20 MHz.
Gelombang suara akan terpengaruh jika ada void, retak, atau delaminasi pada material. Gelombang
 ultrasinic ini dibnagkitkan oleh tranducer dari bahan piezoelektri yang dapat menubah energi
listrik menjadi energi getaran mekanik kemudian menjadi energi listrik lagi.

Radiographic Inspection

Metode NDT ini dapat untuk menemukan cacat pada material dengan menggunakan sinar
X dan sinar gamma. Prinsipnya, sinar X dipancarkan menembus material yang diperiksa. Saat
menembus objek, sebagian sinar akan diserap sehingga intensitasnya berkurang. Intensitas akhir
kemudaian direkam pada film yang sensitif. Jika ada cacat pada material maka intensitas yang
terekam pada film tentu akan bervariasi. Hasil rekaman pada film ini lah yang akan
memeprlihatkan bagian material yang mengalami cacat.

Dan adapun jika kita melakukn pengecoran kita juga dapat menjumpai beberapa cacat
struktur material . Pada coran terdapat terjadi berbagai macam cacat tergantung pada bagaimana
keadaanya, sedangkan cacat-cacat tersebut boleh dikatakan jarang berbeda menkurut bahan dan
macam coran. Banyak cacat ditemukan dalam coran secara biasa. Seandainya sebab-sebab
dari cacat-cacat tersebut diketahui, maka pencegahan terjadinya cacat dapat dilakukan.

Memproduksi coran harus melalui banyak proses, dan dalam proses tersebut banyak faktor-
faktor yang menyebabkan terjadinya cacat, sehingga sukar untuk meyakinkan sebab-sebab dari
cacat tersebut. Dalam hal ini banyak pengalaman teknik yang diperlukan untuk meyakinkan sebab-
sebabnya. Untuk itu teknik dan proses perlu di standardkan sebelumnya, kemudian perlu
menemukan hubungan antara cacat dan standard tersebut. Sebab-sebab cacat diamati dengan
mempelajari apakah ada perbedaan antara Praktek dan standard. Dalam hal ini kalau perlu dapat
dilaksanakan percobaan yang direncanakan. Faktor-faktor pentng dari cacat coran dan
pencegahannya diuraikan sebagai berikut.

Cacat Titik
Cacat titik yaitu adanya atom yang hilang atau terdapat sisipan atom asing dalam kisi. Cacat titik
ini terdiri dari :
1. Vacancy
Hal ini terjadi ketika temperature Kristal cukup tinggi dimana atom-atom bergetar dengan
frekuensi tertentu dan secara acak dapat meninggalkan kisi, lokasi kisi yang ditinggalkan disebut
vacancy atau kekosongan. Dalam kebanyakan kasus difusi atau transportasi massa oleh gerak
 atom juga dapat disebabkan oleh kekosongan. Semakin tinggi suhu, semakin banyak atom yang
dapat meninggalkan posisi kesetimbangannya dan semakin banyak kekosongan yang dapat
dijumpai pada Kristal

2. Interstitial dan Subtitutional

Cacat ini terjadi karena adanya atom lain yang menyusup dan adanya pergantian atom pada
susunan atom. Intertisi dan subtitusi menyebabkan strain di sekitar tempat yang diduduki dengan
kata lain, cacat titik menyebabkan meningkatnya energi dalam material secara thermodinamik.

3. Cacat Frenkel dan Cacat Schottky

Cacat Frenkel adalah kekosongan pasangan ion dan cation interstitial atau kekosongan pasangan
ion dan anion interstitial. Cacat Schottky adalah kekosongan pasangan kation dan anion.
 CACAT GARIS / LINE DEFECT (DISLOCATION)
Dislokasi merupakan suatu pergeseran atau pegerakan atom – atom didalam sistem kristal logam
akibat tegangan mekanik yang dapat menciptakan deformasi plastis (perubahan dimensi secara
permanen)
1. Dislokasi Ulir
Terjadinya dislokasi ulir akibat gerakan garis dislokasi yang saling tegak lurus dengan tegangan
geser.
2. Dislokasi Tepi
Terjadinya dislokasi tepi ini akibat tegangan geser (τ) searah dengan garis dislokasi.

3. Dislokasi Campuran
Di dalam material biasanya ditemukan gabungan antara edge dislocation dan screw diclocation
yang biasa disebut dislokasi campuran. Dislokasi dapat berpindah-pindah ataupun bergerak.
Proses dimana deformasi plastis di-karenakan gerakan gerakan dislokasi yang berpindah-pindah
tersebut biasanya dinamakan dengan SLIP.

Cacat Permukaan
Cacat permukaan akan memisahkan material tersebut atas beberapa bagian yang mana tiap-tiap
bagian akan memiliki struktur kristal yang sama tetapi berbeda arah kristalnya.
1. Permukaan Material
Ketidak-sempurnaan kristal dalam dua dimensi merupakan suatu batas, dimana batas yang nyata
adalah permukaan luar. Permukaan dapat diilustrasikan sebagai batas struktur kristal sehingga
kita dapat melihat bahwa koordinasi atom pada permukaan tidak sama dengan koordinasi atom
dalam kristal. Dengan kata lain : Atom permukaan hanya mempunyai tetangga pada satu sisi
saja, sehingga memiliki energi yang lebih tinggi dimana ikatannya menjadi kurang kuat. Karena
atom-atom ini tidak seluruhnya dikekelingi oleh atom lainnya, maka energinya jadi lebih banyak
dibandingkan dengan atom di dalamnya.
2. Batas Butir
Bentuk butir dalam solid material biasanya diatur oleh adanya butir-butir lain di sekitarnya
dimana dalam setiap butir, semua selnya teratur dalam satu arah dan satu pola yang tertentu.
Pada grain boundary (batas butir), antara dua butir yang berdekatan terdapat daerah transisi yang
tidak searah dengan pola dalam kedua butir tersebut

Cacat Ruang
Cacat ruang adalah ketidaksempurnaan kristal pada seruang atom yaitu timbulnya rongga antara
batas butir karena orientasi butir dan dapat dilihat secara langsung. Kehadiran volume defect di
dalam materiaal biasanya memberikan suatu implikasi (misalnya terhadap sifat material) yang
akan menyebabkan perubahan densitas material (terutama dengan adanya pori-pori ataupun fasa
kedua pada material). Cacat ruang pada material dapat berupa : crack (retak)/pori-pori, inklusi,
presipitat, fasa kedua, porositas dan lain sebagainya.

2.2. Solusi Cacat Material

Cacat material dapat diatasi dengan perlakuan panas sampai mencapai temperatur rekristalisasi.
Temperatur rekristalisasi dalah temperatur di mana mulai terjadinya atau munculnya kristal -
kristal baru. Temperatur rekristalisasi ini dipengaruhi beberapa faktor, seperti derajat deformasi,
ukuran butir dan kemurnian unsur kimia dalam logam sehingga temperatur rekristalisasi tiap
material berbeda – beda. Berikut adalah data mengenai temperatur rekristalisasi pada beberapa
unsur logam :

Adapun contoh dari perlakuan panas adalah

Anneling
Proses anneling adalah prose pemanasan baja di atas temperature kritis ( 723 °C ) selanjutnya
dibiarkan bebrapa lama sampai temperature merata disusul dengan pendinginan secara perlahan-
lahan sambil dijaga agar temperature bagian luar dan dalam kira-kira sama hingga diperoleh
struktur mikro yang diinginkan dengan menggunakan media pendingin udara.
Normalizing
Normalizing adalah suatu proses pemanasan logam hingga mencapai fase austenit yang
kemudian diinginkan secara perlahan-lahan dalam media pendingin udara. Hasil pendingin ini
berupa perlit dan ferit namun hasilnya jauh lebih mulus dari anneling.
Hardening
Hardening merupakan proses pemanasan logam sampai atau lebih diatas temperatur kritisnya
(723°C) kemudian didinginkan dengan cepat dengan media pendingin yang telah disiapkan
 Quenching
Proses Quenching atau pengerasan baja adalah pemanasan di atas temperatur
kritis(723°C kemudian temperatur dipertahankan dalam waktu sampai suhu merata, selamjutnya
dengan cepat baja tersebut didinginkan dalam suatu media pendingin sehingga diperoleh
martensit yang halus.

Sumber

https://sites.google.com/site/metalurgifisikpart2/cacat-dalam-material

https://sites.google.com/site/metalurgifisikpart2/dislokasi

http://ciripo.wordpress.com/2011/11/11/cacat-kristal/

http://dhianmilanisty.blogspot.com/2012/10/dislokasi.html#axzz2uXKZCyba

http://wiwinwibowo.wordpress.com/tag/material-teknik-2/

http://fitransyah.wordpress.com/2013/10/28/perlakuan-panas-heat-treatment/

http://sefnath.blogspot.com/2013/09/perlakuan-panas-heat-treatment.html

http://id.wikipedia.org/wiki/Rekristalisasi

Daftar Pustaka

https://ciripo.wordpress.com/2011/11/11/cacat-kristal/

https://www.scribd.com/doc/218101103/cacat-kristal

http://aziscahyono.blogspot.com/2015/12/macam-macam-cacat-struktur-pada-material.html

http://myblogcobacoba.blogspot.com/2015/04/makalah-ilmu-logam-cacat-pada-kristal.html