TUGAS 7

ELEKTRONIKA DASAR 2

NAMA : DINDA LARA PUTRI

NIM : 17033008

PRODI : PENDIDIKAN FISIKA B

DOSEN : Drs.HUFRI,M.Si

JADWAL : SELASA 07:00-09:40

JURUSAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS NEGERI PADANG

2019
A. RANGKAIAN PENGUAT DARLINGTON
Konfigurasi Dasar Transistor Darlington

Rangkaian Transistor yang ditemukan oleh Sidney Darlington pada tahun 1953 ini tersusun
khusus dari dua transistor Transistor Bipolar dengan kaki Emitor dari satu Transistor
dihubungkan ke kaki Basis Transistor yang lain sehingga penguatan atau gain pada transistor
pertama dikuatkan lagi lebih lanjut oleh Transistor keduanya. Konfigurasi dasar Transistor
Darlington dapat dilihat pada gambar dibawah ini:

Seperti terlihat pada gambar Transistor Darlington NPN diatas ini, kaki Kolektor kedua
transistor dihubungkan bersama sedangkan kaki Emitor TR1 dihubungkan ke kaki Basis TR2
agar dapat menggerakan TR2 tersebut. Konfigurasi ini menghasilkan perkalian β karena
untuk arus Basis ib, arus Kolektor β x Ib dimana penguatan atau gain lebih dari satu yang
dapat didefinisikan seperti pada rumus berikut ini :
IC = IC1 + IC2
IC = (β1 x IB) + (β2 x IB2)
Namun arus arus Basis Ib2 adalah sama dengan arus Emitor IE1 TR1, hal ini dikarenakan kaki
Emitor TR1 dihubungkan ke kaki Basis TR2.
IB2 = IE1 = IC1 + IB = (β1 x IB) + IB = (β1 + 1) x IB

Keseluruhan penguatan atau gain dapat dibuat persamaannya seperti pada rumus dibawah
ini :

IC = β1 x IB + β2 x (β1 + 1) x IB
IC = (β1 x IB) + (β2 x β1 x IB) + (β2 x IB)
IC = (β1 + (β2 x β1) + β2) x IB
Catatan : β1 dan β2 adalah penguatan atau gain dari masing-masing Transistor.

Dengan demikian, keseluruhan penguatan atau gain arus (β) berasal dari gain transistor
pertama yang dikalikan gain transistor kedua sehingga gain atau penguatannya menjadi lebih
tinggi. Dengan kata lain, sepasang transistor bipolar digabungkan bersama menjadi Transistor
Darlington dapat dianggap sebagai sebuah transistor tunggal dengan nilai β yang sangat
tinggi dan juga resistansi input yang tinggi.
Pasangan Darlington (Darlington-Pair) Karena penguatan tergantung pada harga β , maka
memproduksi transistor dengan β yang tinggi banyak memberi keuntungan. Tetapi untuk
maksud tersebut diperlukan lapisan yang sangat tipis pada daerah basis yang akan
mengakibatkan transistor mempunyai tegangan dadal (breakdown voltage) rendah. Untuk
mencapai maksud tersebut di atas bisa dilakukan dengan menghubungkan dua transistor yang
biasa disebut dengan pasangan Darlington seperti terlihat pada gambar 14.10.

Pasangan transistor tersebut terdapat di pasaran dalam paket dengan ujung-ujung kaki E’, B’
dan C’.

Jika kita berasumsi arus masukan i seperti diperlihatkan pada gambar 14.10 dan menghitung
arus yang mengalir, akan didapat penguatan efektif ( ' / ') C B β = I I adalah 1 2 1 2 1 2 β β β
β β β β ≈ = + + Pasangan Darlington sering juga digunakan dengan arus emitor yang relatif
tinggi, sehingga β 2 relatif kecil; jika tidak Q1 mempunyai berarus rendah sehingga β1 bisa
berharga kecil. Namun demikian dengan mudah kita mendapatkan β = 50 ×100 = 5000 Kita
mungkin berangan-angan dapat menghitung e r dari arus emitor dari Q2. Namun demikian
Q2 dikendalikan dari sumber (Q1) yang memiliki arus yang sangat rendah, karenanya
memiliki hambatan keluaran yang tinggi. Oleh sebab itu harga e r efektif pasangan
Darlington diberikan oleh 2 1 2 re = re + re / β Q B' Q2 1 E ' (β+ 1)i 1 ( β + 2 β + 1 i ) ( ) 1 β
1 1 β i β(β+ 1 ( β + C' )i 1 β 2 + β 2 ) i 1Namun 1 2 2 I E = I E / β dan juga e1 2 e2 r = β r ,
dengan demikian harga e r efektif diberikan oleh e 2 e2 r = r Transistor pasangan Darlington
banyak dimanfaatkan pada rangkaian pengikut emitor tenaga-tinggi, utamanya pada penguat
daya audio.

B. RANGKAIAN PENGUAT DENGAN DIFFERENSIAL

Untuk mengerti bagaimana penguat diferensial bekerja, perlu kita pelajari keadaan panjar DC
dari rangkaian dasarnya seperti ditunjukkan pada gambar 14.1. Masukan dapat diumpankan
pada ujung-ujung basis B1 dan B2. Perbedaan (difference) isyarat pada kedua ujung inilah
yang akan dikuatkan, sehingga kita menyebutnya sebagai penguat diferensial.

Cara menghitung keadaan panjar dari penguat tersebut tidak berbeda dengan pada penguat
transistor tunggal. Dengan kedua basis ditanahkan seperti pada gambar 14.1, kita mempunyai
VE ≈ -0,6 volt karena VBE ≈ -0,6 volt dengan salah satu atau kedua transistor yang bekerja

Permasalahannya adalah bagaimana membuat kedua transistor bekerja secara sama. Selama
keduanya mempunyai tegangan basis yang sama (0 volt) dan tegangan emitor yang sama (~
-0,6 volt), keduanya mempunyai karakteristik yang identik. Khususnya, karena

kita memerlukan transistor dengan harga Io yang hampir sama. Kenyataannya Io berharga
sangat variatif untuk satu transistor ke transistor lainnya dan juga terhadap temperatur
sehingga untuk mendapatkan pasanngan Io yang serasi terkadang menjadi masalah yang
serius. Namun demikian saat dua transistor dibuat bertetangga pada rangkaian terintegrasi,
maka mereka akan memiliki karakteristik dasar dan temperatur yang relatif sama dan secara
otomatis akan menjadi serasi. Salah satu ukuran keserasian tersebut adalah dengan melihat
harga “tegangan offset masukan”, yaitu selisih antara kedua harga VBE, diperlukan untuk
menjamin adanya kesamaan arus yang mengalir.

Biasanya selisih ini berharga dari 50 µV – 5 mV.

Arus total yang melewati kedua emitor adalah ( ( )) T VEE RE I = − 0,6 − − / (14.1)
karenanya untuk dua transistor yang identik kedua arus emitor adalah sebesar 1 2 / 2 E E T I
= I = I (14.2) Besarnya arus kolektor keduanya adalah hampir sama dengan harga arus emitor
di atas, sehingga kedua tegangan kolektor adalah sebesar C C CC E RL
 REFERENSI

http://ibemfisika.blogspot.com/2015/03/penguat-gandengan-dc.html

http://sudarmonorasyid.blogspot.com/2011/04/penguat-gandengan-dc.html