TUGAS AKHIR

STUDY PERBANDINGAN RANGKAIAN SWITCHING MODE

POWER SUPPLY PADA TELEVISI SANYO ANTARA
MENGGUNAKAN TRANSISTOR BIPOLAR, FIELD EFFECT
TRANSISTOR, DAN IC HYBRID

Diajukan untuk memenuhi salah satu syarat guna menyelesaikan program

pendidikan Strata 1 ( S1 )

Disusun Oleh :

AKBAR KUSUMA DANDI

0140311-008

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

FAKULTAS TEKNOLOGI INDUSTRI
UNIVERSITAS MERCU BUANA
JAKARTA
2005
 TUGAS AKHIR

STUDY PERBANDINGAN RANGKAIAN SWITCHING MODE

POWER SUPPLY PADA TELEVISI SANYO ANTARA
MENGGUNAKAN TRANSISTOR BIPOLAR, FIELD EFFECT
TRANSISTOR, DAN IC HYBRID

Oleh:

AKBAR KUSUMA DANDI

NIM : 0140311-008

Jakarta, 23 Oktober 2005

Menyetujui dan Mengesahkan,

Koordinator Tugas Akhir Dosen Pembimbing

Ir. Yudhi Gunardi, MT Jaja Kustija, M.Sc.

Mengetahui,

Ketua Jurusan Teknik Elektro Universitas Mercu Buana

Ir. Budi Yanto Husodo, M.Sc.

 ABSTRAKSI

Teknologi power suply terus berkembang. Dari regulator linier biasa menuju Switch
Mode Power Suply ( SMPS ). Dimana Switch Mode Power Supply ini menjadi power suply yang
efektif dan efisien. Diantaranya dalam hal ukuran dan variasi tegangan output. Ukuran SMPS lebih
kecil dari regulator linear biasa. Karena berbagai keuntungan yang terdapat pada SMPS, Sanyo
pun mengadopsi teknologi SMPS pada rangkaian powernya.
Sampai saat ini Sanyo telah mengalami perkembangan penggunaan komponen utama
pada SMPS-nya. Diawali dengan penggunaan transistor bipolar kemudian FET dan terakhir IC
hybrid. Ketiga komponen tersebut mempunyai kekurangan dan kelebihan masing – masing.
Kelebihan dan kekurangan tersebut dibahas di Tugas Akhir ini.
Tetapi sekalipun masing – masing punya kelebihan dan kekurangan, IC hybrid dalam hal
ini lebih unggul dibandingkan dengan transistor bipolar maupun FET.

Kata kunci – kata kunci : SMPS, transistor bipolar, Mosfet, IC hybrid, frekuensi kerja, Tegangan
output, EMI, Fault test

iii
 DAFTAR ISI

HALAMAN JUDUL.................................................................................................i

LEMBAR PENGESAHAN.....................................................................................ii

ABSTRAKSI..........................................................................................................iii

DAFTAR ISI...........................................................................................................iv

DAFTAR GAMBAR.............................................................................................vii

DAFTAR TABEL....................................................................................................x

KATA PENGANTAR............................................................................................xi

BAB I PENDAHULUAN.....................................................................................1

1.1 Latar Belakang...................................................................................1

1.2 Tujuan Penulisan...............................................................................2

1.3 Perumusan Masalah...........................................................................3

1.4 Batasan Masalah................................................................................3

1.5 Sistematika Penulisan........................................................................4

BAB II LANDASAN TEORI................................................................................5

2.1 Transistor Bipolar................................................................................5

2.1.1 Transistor Bipolar Sebagai Saklar...........................................7

2.2 MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor).......9

2.3 Konverter Transformer......................................................................12

2.4 Opto Coupler.....................................................................................13

2.5 Prinsip Dasar Switching....................................................................15

2.6 Catu Daya..........................................................................................18

2.6.1 Dioda Sebagai Penyerah (Rectifier).........................................19

iv
 2.6.2 Rangkaian Penyearah dengan Filter Kapasitor........................21

2.7 Topologi SMPS.................................................................................24

BAB III CARA KERJA RANGKAIAN SWITCH MODE POWER

SUPPLY..................................................................................................26

3.1 Prinsip Kerja Rangkaian SMPS dengan Menggunakan Transistor

Bipolar sebagai Switching.................................................................28

3.1.1 Rangkaian Penyearah Input……………………………………28

3.1.2 Rangkaian Switching...............................................................29

3.1.3 Rangkaian Kontrol SMPS........................................................32

3.1.4 Rangkaian Penyearah Output...................................................34

3.2 Prisip Kerja Rangkaian SMPS Dengan Menggunakan FET

sebagai Switching..............................................................................34

3.3 Prinsip Kerja Rangkaian SMPS dengan Menggunakan Hybrid

IC sebagai Switching.........................................................................38

3.4 Pertimbangan-Pertimbangan dalam Penggantian Komponen Utama

SMPS pada Televisi Sanyo...............................................................40

BAB IV PENGAMBILAN DATA DAN ANALISA...........................................46

4.1 Pengetesan Tegangan Switching.......................................................47

4.1.1 Frekuensi Kerja Switching.......................................................47

4.1.2 Waktu Gulir On/Off (Turn On/Off Time)................................49

4.2 Kestabilan Tegangan Output.............................................................50

4.3 Electromagnetic Interference (EMI).................................................52

4.3.1 Pengurangan Interferensi.........................................................53

v
 4.3.1.1 Line Filter.....................................................................53

4.3.1.2 X – Kapasitor...............................................................54

4.3.1.3 Y – Kapasitor...............................................................55

4.3.2 Standar yang Diperbolehkan....................................................56

4.3.3 Hasil Pengukuran.....................................................................56

4.4 Fault Test..............................................................................................59

4.5 Gambar Alat & Pengukuran.................................................................64

BAB V PENUTUP...............................................................................................66

5.1 Kesimpulan.......................................................................................66

5.2 Saran..................................................................................................67

DAFTAR PUSTAKA............................................................................................68

LAMPIRAN

vi
 DAFTAR TABEL

Tabel 3.1 Perbandingan Komponen Utama SMPS................................................45

Tabel 4.1 Tegangan Output SMPS dengan Transistor Bipolar..............................50

Tabel 4.2 Tegangan Output SMPS dengan FET....................................................51

Tabel 4.3 Tegangan Output SMPS dengan IC Hybrid...........................................51

Tabel 4.4 Standard EMI yang Diijinkan................................................................56

Tabel 4.5 Fault Test SMPS yang Menggunakan Transistor Bipolar.....................61

Tabel 4.6 Fault Test SMPS yang Menggunakan FET............................................62

Tabel 4.7 Fault Test SMPS yang Menggunakan IC Hybrid..................................63

x
 DAFTAR GAMBAR

Gambar 2.1 (a) Simbol PNP, (b) Simbol Transistor PNP........................................5

Gambar 2.2 (a) Sambungan NPN, (b) Simbol Transistor NPN.................………..6

Gambar 2.3 Transistor PNP dengan Bias Daerah Aktif....…………........…....6

Gambar 2.4 Karakteristil Transistor…………………………………………..8

Gambar 2.5 Karakteristik MOSFET……………………………..………….10

Gambar 2.6 Struktur MOSFET (a) n Channel, (b) p Channel..……………..11

Gambar 2.7 Simbol Circuit MOSFET…......……………………………......11

Gambar 2.8 Rangkaian Dalam Converter Transformer…...………………...12

Gambar 2.9 Simbol Kopling Elektronik Opto………………………………14

Gambar 2.10 Pengubah Tipe Linier.................................................................16

Gambar 2.11 Pengubah Tipe Peralihan.............................................................17

Gambar 2.12 Tegangan Switching....................................................................17

Gambar 2.13 Karakteristik Dioda.....................................................................19

Gambar 2.14 Rangkaian Penyearah Sederhana................................................20

Gambar 2.15 Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh...................................21

Gambar 2.16 Rangkaian Penyearah Sistem Jembatan.....................................21

Gambar 2.17 Rangkaian Penyearah Gelombang dengan Filter C....................23

Gambar 2.18 Gelombang Keluaran dengan Filter C.........................................23

Gambar 2.19 Blok Diagram Dasar SMPS........................................................24

Gambar 3.1 Blok Diagram SMPS...................................................................26

Gambar 3.2 Blok Diagram SMPS dengan FET sebagai Komponen Utama...27

vii
Gambar 3.3 Blok Diagram SMPS dengan IC Hybrid sebagai Komponen

Utama..........................................................................................27

Gambar 3.4 Rangkaian Keseluruhan SMPS dengan Transistor Bipolar........28

Gambar 3.5 Blok Diagram Penyearah Input...................................................28

Gambar 3.6 Blok Diagram Rangkaian Switching...........................................30

Gambar 3.7 Blok Diagram Rangkaian Kontrol SMPS...................................32

Gambar 3.8 Blok Diagram Penyearah Output................................................34

Gambar 3.9 Blok Diagram Rangkaian Switching...........................................34

Gambar 3.10 Rangkaian Keseluruhan SMPS dengan FET...............................35

Gambar 3.11 Blok Osilasi SMPS dengan Hybrid IC........................................38

Gambar 3.12 Rangkaian Keseluruhan SMPS dengan Hybrid IC.....................39

Gambar 3.13 Waktu Gulir Nyala dan Mati Trnsistor Bipolar..........................42

Gambar 3.14 Waktu Gulir Nyala dan Mati FET...............................................42

Gambar 4.1 Tegangan VCE pada Transistor Bipolar.....................................47

Gambar 4.2 Tegangan VDS pada FET...........................................................47

Gambar 4.3 Tegangan VDS pada (pin 1-3) pada IC Hybrid..........................47

Gambar 4.4 Waktu Gulir pada Transistor Bipolar..........................................49

Gambar 4.5 Waktu Gulir pada FET...............................................................49

Gambar 4.6 Waktu Gulir pada IC Hybrid.......................................................49

Gambar 4.7 Posisi Penempatan Line Filter.....................................................53

Gambar 4.8 Posisi Penempatan X-Kapasitor..................................................54

Gambar 4.9 Posisi Penempatan Y-Kapasitor..................................................55

Gambar 4.10 Grafik Standars EMI...................................................................57

Gambar 4.11 EMI pada SMPS yang menggunakan Transistor Bipolar...........57

viii
Gambar 4.12 EMI pada SMPS yang Menggunakan FET.................................58

Gambar 4.13 EMI pada SMPS yang menggunakan IC Hybrid........................58

Gambar 4.14 Chassis FC6-A............................................................................64

Gambar 4.15 Rangkaian SMPS yang Dipotong dari Chassis FC6-A...............65

Gambar 4.16 Pengukuran Tegangan Output dan Frekuensi Kerja...................65

ix
 BAB I

PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

Seiring dengan pesatnya perkembangan teknologi, semakin ketat pula

persaingan dunia industri khususnya industri elektronika. Berbagai macam produk

dengan berbagai keunggulan serta persaingan harga yang sangat ketat telah mulai

banyak ditawarkan di pasar. Tidak jauh beda pula dengan perkembangan

teknologi pada industri televisi. Agar bisa tetap exist para produsen televisi harus

extra hati-hati dalam melakukan peluncuran model baru. Harga yang mampu

bersaing di pasar dengan tanpa mengesampingkan pertahanan kwalitas produk

adalah merupakan prioritas utama yang harus diperhatikan agar produk dapat

diterima konsumen dan dapat merebut pangsa pasar.

Sebagaimana telah diketahui bahwa semua jenis produk elektronik pasti

memerlukan sebuah power supply sebagai pencatu kebutuhan daya listriknya.

Begitu juga dengan televisi. Dari sini seharusnya bisa dijadikan sebagai salah satu

prasyarat utama yaitu penggunaan power supply yang berkwalitas (stabil dan

efisien) agar produk yang dihasilkan bisa terjamin pula kwalitasnya. Sebab pada

sebuah televisi kualitas gambar dan suara, serta umur sangat bergantung pada

kwalitas rangkaian power supply-nya. Apalagi di dalam sebuah televisi selain

terdiri dari beberapa rangkaian yang membutuhkan catu daya yang berbeda,

terdapat pula beberapa rangkaian yang sangat peka terhadap perubahan tegangan.

Untuk itu perlu dirancang suatu power supply yang bisa menyediakan tegangan

1
 2

output dengan beberapa variasi tegangan serta memiliki tingkat kestabilan yang

tinggi.

Power supply yang paling tepat digunakan untuk mencatu kebutuhan daya

listrik pada televisi adalah Switch Mode Power Supply (SMPS). Begitu juga yang

terdapat pada televisi SANYO. Secara sederhana, suatu power supply mempunyai

metode mengkonversi tegangan dengan melalui satu tahapan saja, yaitu: AC →

DC. Sedangkan pada SMPS, proses penyearahan dilakukan melalui beberapa

tahapan, yaitu: AC → DC → AC → DC. Hal ini dimaksudkan untuk bisa

menghasilkan tegangan keluaran DC yang lebih stabil dan efisien.

Pada SMPS, sebagaimana juga pada rangkaian – rangkaian konverter

lainnya, proses switching memainkan peranan yang sangat penting dalam

merekayasa daya listrik sehingga memberikan output tegangan dan atau arus

seperti yang diinginkan. Maka penentuan komponen utama yang akan digunakan

dalam rangkaian switching sangatlah penting sekali. Untuk itu kiranya perlu

dilakukan suatu study banding atau semacam penelitian mengenai komponen-

komponen utama yang bisa digunakan dalam rangkaian SMPS. Sehingga

kelebihan dan kekurangan dari masing – masing komponen tersebut dapat

diketahui dengan pasti. Dengan begitu kesalahan dalam penentuan jenis

komponen mana yang akan dipakai dapat diminimalkan.

1.2 Tujuan Penulisan

Tujuan dari penulisan Tugas Akhir ini adalah sebagai berikut:

 3

Menganalisa perbandingan penggunaan transistor bipolar, FET (Field

Effect Transistor), dan IC HYBRID sebagai komponen utama rangkaian

Switching Mode Power Supply.

1.3 Perumusan Masalah

Dalam study perbandingan yang akan menggunakan televisi SANYO

sebagai medianya ini tidak hanya transistor bipolar saja yang akan

ditelaah, tetapi juga penggunaan FET serta IC HYBRID pada rangkaian

SMPS. Dari ketiga jenis komponen utama yang bisa dipakai pada

rangkaian Switching tersebut, manakah yang lebih baik . Apakah transistor

bipolar lebih baik dari FET ataukah sebaliknya, atau justru diantara ketiga

komponen itu IC hybrid lebih unggul.

1.4 Batasan Masalah

Pada study perbandingan mengenai rangkaian SMPS dengan tiga jenis

komponen utama yang berbeda ( Transistor Bipolar, FET, IC HYBRID)

ini akan terdapat beberapa sisi pembahasan masalah, yaitu:

Analisa Transistor Bipolar, FET, dan IC HYBRID sebagai switching

device pada rangkaian SMPS televisi.

Analisa perbandingan sistem kerja SMPS yang menggunakan Transistor

Bipolar, FET, dan IC HYBRID sebagai switching device-nya.

 4

1.5 Sistematika Penulisan

Pada Tugas Akhir ini dibahas dalam lima Bab yang berisi antara lain : Bab

Pendahuluan dengan latar belakang,tujuan penulisan, perumusan masalah, batasan

masalah dan sistematika penulisan.

Sementara Bab II Landasan teori Transistor Bipolar, FET (Field Efect

Transistor), Konverter Transformer, Opto Coupler, Prinsip Dasar Switching, Catu

Daya

Bab III berisi cara kerja rangkaian switching mode power supply yang

menngunakan transistor bipolar, FET maupun IC Hybrid sebagai perangkat utama

switchingnya.

Bab IV Pengambilan Data dan Analisa. Pada bab ini akan diukur frekuensi

tegangan switching, tegangan output dan diukur pula Electro Magnetic

Interferencenya. Selain itu disertai pula pengujian Fault Test.

Bab V berisi kesimpulan yang akan menegaskan diantara 3 komponen

switching itu mana yang lebih baik untuk digunakan.

 BAB II

LANDASAN TEORI

2.1 Transistor Bipolar (Bipolar Junction Transistor)

Transistor sambungan (junction transistor) atau transistor bipolar (bipolar

transistor) adalah sebuah alat yang dapat menyediakan sifat-sifat rangkaian dari

kedua-duanya sumber yang dikontrol atau kontak penghubung. Seperti

diperlihatkan pada gambar 2.1a transistor sambungan adalah sebuah alat

berelemen tiga yang dibentuk dari dua sambungan. Ada dua jenis transistor

sambungan, transistor pnp apabila terdiri dari dua bagian jenis p seperti yang

ditunjukkan pada gambar 2.1a dengan simbol elektronik pada gambar 2.1b. Yang

kedua adalah transistor npn, terdiri dari dua bagian jenis n seperti ditunjukkan

pada gambar 2.2a dan simbol elektronik 2.2b.

C
Pemancar Pengumpul
P N P
E C
B
Basis
B
E
(a) (b)

Gambar 2.1 (a ) Sambungan PNP, (b) Simbol Transistor PNP

5
 6

Pemancar Pengumpul
N P N
E C
B
Basis
B
E
(a) (b)

Gambar 2.2 (a ) Sambungan NPN, (b) Simbol Transistor NPN

Ketiga elemen tersebut disebut sebagai pemancar (emitor), basis (base) dan

pengumpul (collector). Pemancar bertindak sebagai sumber pengangkut yang

bergerak, dan pengumpul bertindak untuk menarik pengangkut. Kontrol aliran

pengangkut dari pemancar ke pengumpul dilakukan oleh basis.

Daerah penipisan Daerah penipisan

Basis Pemancar Basis Pengumpul

Pemancar Pengumpul
P N P
E C

Basis
+ - + -

VEB B VCB

Gambar 2.3 Transistor PNP dengan bias daerah aktif

Ragam operasi transistor yang menghasilkan sebuah sumber yang dikontrol

dinamakan daerah aktif. Seperti yang diperlihatkan dalam gambar 2.3, maka

tegangan melalui sambungan dalam daerah aktif menghasilkan bias depan untuk
 7

sambungan basis pemancar dan menghasilkan bias balik untuk sambungan basis

pengumpul. Aksi sumber yang dikontrol dihasilkan dari kontrol arus pengumpul

oleh tegangan sambungan basis pemancar. Karena bias basis pemancar depan,

maka pemancar menyuntikkan sejumlah besar pengangkut ke dalam daerah basis.

Kebanyakan pengangkut ini berdifusi melalui basis dan mencapai sambungan

basis pengumpul di mana bias balik pada sambungan ini menyapu pengangkut ke

dalam pengumpul. Karena penggabungan kembali dalam daerah basis

dipertahankan minimum, maka arus pengumpul dan arus pemancar hampir sama

besarnya. Perbedaan di antara arus pemancar dan arus pengumpul disebabkan oleh

arus basis yang menyatakan pengangkut yang hilang karena penggabungan

kembali. Sambungan basis pemancar berperilaku seperti dalam dioda sambungan.

Suatu perubahan tingkat bias depan sambungan basis pemancar akan

menghasilkan suatu perubahan arus pemancar. Sebagai konsekuensinya, maka

arus pengumpul juga berubah sebanyak jumlah yang sama yang menunjukkan

kontrol yang dikerahkan oleh tegangan basis pemancar.

2.1.1 Transistor Sebagai Saklar

Transistor sebagai saklar elektronik mampu untuk mengontrol beban

dengan melewatkan arus yang cukup besar. Hal ini tergantung dengan jenis dan

spesifikasi transistor yang digunakan. Gambar 2.4 di bawah ini menunjukkan

konfigurasi dan karakteristik transistor yang difungsikan sebagai saklar.

 8

Gambar 2.4 Karakteristik Transistor

Prinsip kerja transistor yang difungsikan sebagai saklar yaitu pada daerah

jenuh transistor seakan-akan berfungsi sebagai suatu saklar tertutup (ON), dan

berada pada daerah sumbat (cut off) akan berfungsi sebagai saklar yang terbuka

(OFF). Arus kolektor (IC) dan arus basis (IB) yang dibutuhkan dalam

pengoperasian transistor dapat dilihat pada persamaan berikut :

Vin - VBE
IB = -------------- (mA), VBE diabaikan …………………….. (2.1)
Rb

Vcc-VCE
IC = -------------- (mA) ……………………………………... (2.2)
RC

Saat Vin = 0 dan IE = 0, yang berarti tidak ada sinyal masukan, transistor

akan tersumbat karena tidak ada arus yang mengalir ke emitor. Kondisi ini

dikatakan sebagai saklar terbuka. Tegangan antara kolektor dan emitor mendekati

VCC dan arus kolektor mendekati nol, sehingga tegangan jatuh yang terjadi pada

RL diabaikan. Besarnya arus beban RL dan tegangan keluarannya adalah :

VCC – V(sat)CE
IRL = --------------------- (mA) ………………………….. (2.3)
RL
 9

Vout = VCC – IRL.RL (volt) …………………………………… (2.4)

Karena VCE = VCC maka :

VCC - VCC
IRL = ------------- (mA) …………………………………… (2.5)
RL

Sehingga : Vout = VCC – 0, RL = VCC …………………………… (2.6)

Pada saat Vin berlogika 1, transistor akan terbias karena ada arus basis

yang mengalir sehingga tercapai tegangan VBE. Transistor akan berubah keadaan

dari keadaan sumbat ke jenuh, sehingga IC maksimum. Kondisi ini dikatakan

sebagai saklar tertutup.

Besarnya arus yang mengalir ke RL adalah :

VCC – V(sat)CE
IRL = ---------------------- (mA)………………………… (2.7)
RL

Karena VCE = 0, maka :

VCC
IRL = IC = ----------- (mA) ………………………………… (2.8)
RL

Besarnya arus basis minimum untuk pengoperasian daerah kerja jenuh adalah

sebagai berikut :

IC
IB = --------- (mA) …………………………………………. (2.9)

2.2 MOSFET ( Metal Oxide Semiconductor Field Effect

Transistor)

Prinsip kerja Metal Oxide Semiconductor ( MOS ) ini dikontrol oleh

medan listrik yang ditimbulkan tegangan antara gate dan body dari semikonduktor
 10

yang dipancarkan melalui lapisan oxide. Ada 2 tipe dari MOS Transistor. Yang

pertama yaitu depletion MOSFET mempunyai sifat yang mirip dengan J-FET

yaitu pada saat tegangan gate adalah 0 (nol) dan tegangan drain tetap, maka

arusnya adalah maksimum dan kemudian berkurang karena adanya potensial gate.

n o n s a t u r a t io n c o ns ta nt c urre nt o r b rea kdo w n

r e g io n s a t u r a t io n r e g io n r e g io n

6
V G S = 0 .2 V

0
5
Drain Current ID , mA

4
- 0 .5

3
- 1 .0

2
- 1 .5

- 2 .0
1
- 2 .5
- 3 .0

0
10 20 30 40 50

D r a in - s o u r c e v o lta g e V D S ,V

Gambar 2.5 Karakteristik MOSFET

Piranti yang kedua disebut enhancement MOSFET, tidak ada arus pada

tegangan gate 0 (nol) dan besarnya arus output meningkat bersamaan dengan

meningkatnya potensial gate.

Kedua tipe tersebut dapat dibuat menjadi p-channel atau n-channel.

Bentuk sederhana dari struktur n-channel enhancement MOSFET ditunjukkan

pada gambar 2.6a, sedangkan untuk piranti p-channel ditunjukkan pada gambar

2.6b.
 11

Gate
Gate
(m etal)
(m etal)
S G D S G D
Source Drain
Source Drain

s ilicon dioxide (SiO 2 )

s ilicon dioxide (SiO 2 )

p-type regions
n-type regions

n-type s ubstrate
p-type s ubstrate

(a) (b)

Gambar 2.6 Struktur MOSFET: (a) n-channel ; (b) p-channel

Daerah antara source dan drain adalah channel, dimana dilindungi oleh

lapisan tipis silicon dioxide (SiO2). Sedangkan gate dibentuk oleh metal electode

yang diletakkan diatas lapisan oxide tersebut. Ada 4 simbol MOSFET untuk n-

channel MOSFET yang ditunjukkan pada gambar 2.7.

D r a in

D D

G a te +

G B G
V D S
+
S u b s tr a te
V G S

S S
S o u rc e

(a ) (b )

D
D

G B G

S
S

(c ) (d )

Gambar 2.7 Simbol circuit MOSFET

Gambar 2.7a dan 2.7b dapat digunakan untuk piranti enhancement ataupun

depletion. Gambar 2.7c hanya digunakan untuk piranti enhancement. Sedangkan

untuk piranti depletion dapat menggunakan simbol circuit yang ditunjukkan pada
 12

gambar 2.7d. Simbol-simbol di atas digunakan untuk NMOS transistor, sedangkan

simbol circuit PMOS transistor seperti pada NMOS tetapi arah panahnya dibalik.

2.3 Konverter Transformer

Transformator merupakan suatu alat yang digunakan untuk memindahkan

daya dari lilitan primer ke lilitan sekunder dengan cara induksi elektromagnetik.

Tranformator ini juga digunakan untuk memperoleh tegangan bolak-balik seperti

yang digunakan untuk memperoleh tegangan tertentu pada gulungan sekundernya.

Transformator mempunyai dua buah lilitan yaitu lilitan primer dan lilitan

sekunder, yang dililitkan pada suatu inti yang saling terisolasi antara satu dengan

yang lain. Gambar 2.8 merupakan rangkaian dalam Converter Transformer.

Gambar 2.8 Rangkaian dalam Converter Transformer

Besar tegangan yang muncul pada lilitan sekunder ini ditentukan oleh

jumlah lilitan yang terdapat pada bagian sekunder maupun primernya. Dari

pernyataan tersebut dapat dituliskan persamaan yang ditunjukkan oleh persamaan

dibawah ini.

Vp = Np ………………………………………………………….….. (2.10)
Vs Ns
 13

Untuk :

Vp = tegangan primer

Vs = tegangan sekunder

Np = lilitan primer

Ns = lilitan sekunder

Jika kerugian tegangan yang lain diabaikan maka daya yang diterima oleh

transformator akan sama besarnya dengan daya yang diberikan ke beban.

Persamaan tersebut dapat dilihat pada persamaan dibawah ini.

Vp = Is …………………………………...………………………… (2.11)
Vs Ip

Untuk :

Ip = arus primer

Is =arus sekunder

Jadi dengan persamaan-persamaan tersebut diatas dari jumlah lilitan,

tegangan, dan arus dapat dinyatakan dengan persamaan berikut

Vp = Np = Is ………………………………………..…………………… (2.12)
Vs Ns Ip

Dengan demikian dapat dilihat bahwa besarnya tegangan yang muncul

pada lilitan berbanding lurus dengan banyaknya lilitan. Sedangkan besarnya arus

berbanding terbalik dengan banyaknya lilitan .

2.4 Opto Coupler

Sebuah opto coupler pada dasarnya terdiri dari transistor foto dan dioda

emisi sinar (LED) yang digabung dalam satu paket. Bila arus mengalir pada

dioda, sinar yang dikeluarkan mengenai langsung transistor foto dan

 14

menyebabkan arus mengalir pada transistor. Kopling ini dapat bekerja sebagai

saklar, dalam hal ini LED dan transistor foto dalam keadaan normal-off (normally

off). Bila ada pulsa melalui LED menyebabkan transistor ON selama panjang

pulsa, karena koplingnya secara optik maka isolasi listrik antara terminal input

dan output sangat besar,

Gambar 2.9 Simbol Kopling Elektronik Opto

Tiga buah kopling optik yang lain yaitu :

a. tipe output darlington

b. tipe output SCR

c. tipe output triac

Pada (a) output darlington memberikan arus output besar (yaitu untuk suatu harga

arus LED), bila dibandingkan dengan output transistor. Tingkat output pada (b)

dan (c) menggunakan SCR dan TRIAC yang diaktifkan oleh cahaya. Ini

digunakan untuk pemakaian tertentu dimana diperlukan isolasi listrik yang besar

antara arus pentrigger (trigger current) dan komponen kontrol.

Daftar berikut memuat parameter terpenting dari kopling elektronik opto .

- tegangan isolasi antara input dan output (Viso), ini adalah beda tegangan

maksimum yang dapat diberikan pada terminal input dan output, harganya

berkisar hingga 7500 V.

 15

- Perbandingan transfer arus (current transfer ratio/CTR) yaitu

perbandingan antara arus output dengan arus input (LED) dinyatakan

dalam prosen. Untuk tipe output transistor foto, harganya berkisar dari

10% hingga 150%, untuk darlington foto, CTR berharga 500%. CTR tidak

diterapkan pada output SCR atau TRIAC pada kedua jenis ini

diperlihatkan besarnya arus trigger (melalui LED)

- Waktu respon, terdiri dari waktu (rise time) (tr) dan waktu jatuh (fall time)

(tf). Untuk output transistor foto tr dan tf sekitar 2 hingga 5μ detik.

Dengan output darlington tr = 1μ detik dan tf = 17μ detik.

2.5 Prinsip Dasar Switching

Pengubah daya DC-DC (DC-DC Converter) tipe peralihan atau dikenal

juga dengan sebutan DC Chopper dimanfaatkan terutama untuk penyediaan

tegangan keluaran DC yang bervariasi besarannya sesuai dengan permintaan pada

beban. Daya masukan dari proses DC-DC tersebut adalah berasal dari sumber

daya DC yang biasanya memiliki tegangan masukan yang tetap. Pada dasarnya,

penghasilan tegangan keluaran DC yang ingin dicapai adalah dengan cara

mengatur lamanya waktu penghubungan antara sisi keluaran dan sisi masukan

pada rangkaian yang sama. Komponen yang digunakan untuk menjalankan fungsi

penghubung tersebut tidak lain adalah switch (solid state electronic switch) seperti

misalnya Thyristor, BJT, MOSFET, IGBT, GTO. Secara umum ada dua fungsi

pengoperasian dari DC Chopper yaitu penaikan tegangan dimana tegangan

keluaran yang dihasilkan lebih tinggi dari tegangan masukan, dan penurunan

tegangan dimana tegangan keluaran lebih rendah dari tegangan masukan.

 16

Untuk lebih memahami keuntungan dari tipe peralihan, kita lihat kembali

prinsip pengubahan daya DC-DC tipe linier seperti terlihat pada Gambar 2.10.

Gambar 2.10 Pengubah Tipe Linier

Pada tipe linier, pengaturan tegangan keluaran dicapai dengan menyesuaikan arus

pada beban yang besarannya tergantung dari besar arus pada base-nya transistor:

V0 = IL . RL …………….………………………………………………….. (2.13)

Dengan demikian pada tipe linier, fungsi transistor menyerupai tahanan yang

dapat diubah ubah besarannya seperti yang juga terlihat dalam Gambar 2.10.

Lebih jauh lagi, transistor yang digunakan hanya dapat dioperasikan pada batasan

liniernya (linear region) dan tidak melebihi batasan cutoff dan selebihnya

(saturation region). Maka dari itu tipe ini dikenal dengan tipe linier. Walau tipe

linier merupakan cara termudah untuk mencapai tegangan keluaran yang

bervariasi, namun kurang diminati pada aplikasi daya karena tingginya daya yang

hilang (power loss) pada transistor (VCE*IL) sehingga berakibat rendahnya

efisiensi. Sebagai alternatif, maka muncul tipe peralihan yang pada prinsipnya

dapat dilihat pada Gambar 2.11.

 17

Gambar 2.11 Pengubah Tipe Peralihan

Pada tipe peralihan, terlihat fungsi transistor sebagai electronic switch

yang dapat dibuka (off) dan ditutup (on). Dengan asumsi bahwa switch tersebut

ideal, jika switch ditutup maka tegangan keluaran akan sama dengan tegangan

masukan, sedangkan jika switch dibuka maka tegangan keluaran akan menjadi

nol. Dengan demikian tegangan keluaran yang dihasilkan akan berbentuk pulsa

seperti pada Gambar 2.12.

Gambar 2.12 Tegangan Switching

Besaran rata - rata atau komponen DC dari tegangan keluaran dapat diturunkan

dari persamaan berikut:

 18

…...……………………………………(2.14)

Dari persamaan diatas terlihat bahwa tegangan keluaran DC dapat diatur

besarannya dengan menyesuaikan parameter D. Parameter D dikenal sebagai Duty

ratio yaitu rasio antara lamanya waktu switch ditutup (ton) dengan perioda T dari

pulsa tegangan keluaran, atau (lihat Gambar 2.13):

...……………………………………(2.15)

dengan 0 < D < 1. Parameter f adalah frekuensi peralihan (switching frequency)

yang digunakan dalam mengoperasikan switch. Berbeda dengan tipe linier, pada

tipe peralihan tidak ada daya yang diserap pada transistor sebagai switch. Ini

dimungkinkan karena pada waktu switch ditutup tidak ada tegangan yang jatuh

pada transistor, sedangkan pada waktu switch dibuka, tidak ada arus listrik

mengalir. Ini berarti semua daya terserap pada beban, sehingga efisiensi daya

menjadi 100%. Namun perlu diingat pada prakteknya, tidak ada switch yang ideal,

sehingga akan tetap ada daya yang hilang sekecil apapun pada komponen switch

dan efisiensinya walaupun sangat tinggi, tidak akan pernah mencapai 100%.

2.6 Catu Daya

Perangkat elektronika mestinya dicatu oleh suplai arus searah DC (Direct

Current) yang stabil. Baterai atau accu adalah sumber catu daya DC yang paling

baik. Namun untuk aplikasi yang membutuhkan catu daya lebih besar, sumber

dari baterai tidak cukup. Sumber catu daya yang besar adalah sumber bolak-balik

AC (Alternating Current) dari pembangkit tenaga listrik. Untuk itu diperlukan

 19

suatu perangkat catu daya yang dapat mengubah arus AC menjadi DC. Berikut ini

disajikan prinsip rangkaian catu daya (power supply) linier.

2.6.1 Dioda Sebagai Penyearah (Rectifier)

Penyearah berfungsi untuk mengubah tegangan AC menjadi tegangan DC.

Rangkaian ini terdiri dari satu atau beberapa buah dioda. Dioda merupakan

komponen elektronika yang paling sederhana, yang tersusun dari dua jenis

semikonduktor, semikonduktor jenis-p dan jenis-n. Prinsip dasar dari penyearah

adalah sifat dioda yang hanya menyearahkan arus pada satu arah tegangan (arah

maju) saja, sedangkan pada arah yang berlawanan (arah mundur) arus yang

dilewatkan sangat kecil. Sifat dioda tersebut dapat kita lihat dari karakteristik

dioda seperti gambar 2.13.

Gambar 2.13 Karakteristik Dioda

Dari gambar 2.13 terlihat bahwa arus dioda ID secara exponensial naik

dengan naiknya tegangan dioda VD pada arah maju (tegangan dioda positif).

Sedangkan pada arah tegangan sebaliknya atau pada tegangan dioda negatif, besar

arus dioda akan mendekati arus jenuh balik, yang nilainya kecil dan dapat

diabaikan, sehingga arus dioda hanya muncul pada tegangan dioda positif saja.
 20

Prinsip penyearah (rectifier) yang paling sederhana ditunjukkan pada

gambar 2.14 berikut ini. Trafo diperlukan untuk menurunkan tegangan AC dari

jala-jala listrik pada kumparan primernya menjadi tegangan AC yang lebih kecil

pada kumparan sekundernya.

π/ω 2π/ω
t

Gambar 2.14 Rangkaian Penyearah Sederhana

1 π/ω 2π/ω
Vav = ----- ∫Vm Sin ωt dt +∫0
2π/ω 0 0

 1 2π/ω Vm
= ----- Vm Cos ωt = ----- Cos π − Cos 0
2π 0 2π


Vm
= -----
2π

Pada rangkaian ini, dioda berperan untuk meneruskan tegangan positif ke

beban R1. Ini yang disebut dengan penyearah setengah gelombang (half wave).

Untuk mendapatkan penyearah gelombang penuh (full wave) diperlukan trafo

dengan center tap (CT) seperti pada gambar 2.15 berikut.

 21

Gambar 2.15 Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh

Tegangan positif phasa yang pertama diteruskan oleh D1 sedangkan phasa

yang berikutnya dilewatkan melalui D2 ke beban R1 dengan CT transformator

sebagai common ground. Dengan demikian beban R1 mendapat suplai tegangan

gelombang penuh seperti pada gambar 2.15 di atas.

Pada penggunaan Trafo tanpa center tap (CT) biasanya digunakan

penyearah gelombang penuh sistem jembatan. Penyearah ini membutuhkan empat

buah dioda dengan sistem kerja berpasangan sehingga sering disebut dioda

bridge.

Gambar 2.16 Rangkaian Penyearah Sistem Jembatan

2.6.2 Rangkaian Penyearah Dengan Filter Kapasitor

Untuk menyediakan keluaran DC yang stabil, harus dipergunakan

rangkaian filter untuk meratakan arus DC tersebut. Didalam diagram kerugian

 22

tegangan maju pada dioda-dioda dianggap sangat kecil dibandingkan dengan AC

puncak dari sekunder transformator. Pada prakteknya keluaran DC rangkaian

penyearah setengah gelombang dan gelombang penuh berkurang 0.7 V, dan

sekitar 1.4 V untuk rangkaian jembatan gelombang penuh. Rangkaian penyearah

yang saat ini hampir dipergunakan secara universal adalah penyearah jembatan

gelombang penuh karena dioda-dioda silikon dapat disediakan relatif murah

dalam satu paket (IC).Yang lebih penting trafo yang diperlukan hanya

menggunakan setengah jumlah lilitan sekunder dibandingkan dengan rangkaian

setengah gelombang. Penyearah setengah gelombang jarang dipergunakan karena

tidak efisien dan memerlukan kapasitor-kapasitor perata yang relatif besar. Ripple

tegangan AC yang tetap ada pada keluaran DC setelah perataan, mempunyai

frekuensi sebesar frekuensi kelipatan frekuensi input untuk rangkaian gelombang

penuh dan mempunyai frekuensi sama seperti frekuensi input untuk rangkaian

setengah gelombang. Amplituda ripple tersebut tergantung pada nilai-nilai

komponen filter terhadap beban. Nilai minimum dari kapasitor filter yang

diperlukan dapat dihitung dari :

C = I.T ……………………………………………… (2.17)

Vr
untuk :

C = Kapasitor yang diperlukan (Farad)

I = Arus (Amper)

T = Perioda Jala-jala (Penyearah gelombang penuh T=1/2T)

Vr = Tegangan ripple (Volt)

 23

Gambar 2.17 Rangkaian Penyearah Gelombang Dengah Filter C

Gambar 2.17 adalah rangkaian penyearah gelombang penuh dengan filter

kapasitor C yang paralel terhadap beban R. Ternyata dengan filter ini bentuk

gelombang tegangan keluarannya bisa menjadi rata. Gambar 2.18 menunjukkan

bentuk keluaran tegangan DC dari rangkaian penyearah gelombang penuh dengan

filter kapasitor. Garis b-c kira-kira adalah garis lurus dengan kemiringan tertentu,

dimana pada keadaan ini arus untuk beban R1 dicatu oleh tegangan kapasitor.

Sebenarnya garis b-c bukanlah garis lurus tetapi eksponensial sesuai dengan sifat

pengosongan kapasitor.

b
c

t(s)

Gambar 2.18 Gelombang Keluaran Dengan Filter C

 24

2.7 Topologi SMPS

Konversi yang efisien dari daya listrik menjadi suatu perhatian utama pada

perusahaan dan masyarakat pada umumnya. SMPS tidak hanya menawarkan

efisiensi tinggi tapi juga menawarkan fleksibilitas lebih besar untuk perancang.

Sebelum ditemukannya sistem SMPS, regulator linier merupakan metode utama

dari pembuatan sebuah output tegangan yang telah diregulasi. Beroperasi dengan

cara menurunkan sebuah tegangan input yang tinggi turun ke tegangan output

yang lebih rendah. Regulator linier hanya mempunyai efisiensi sekitar 30 hingga

50 persen. Rata-rata SMPS dapat menghasilkan efisiensi sekitar 70 hingga 90

persen, tanpa memperhatikan tegangan input.

Rangkaian SMPS terdiri 4 blok utama, yaitu rangkaian penyearah input,

rangkaian osilasi, rangkaian kontrol, dan rangkaian penyearah output.

Gambar 2.19 di bawah ini merupakan blok diagram dasar rangkaian SMPS.

Gambar 2.19 Blok Diagram Dasar SMPS

 25

Konfigurasi ini mengasumsikan input supply utama yang digunakan

adalah 50/60 Hz. AC supply disearahkan, dan kemudian di-filter oleh input

reservoir capacitor untuk membangkitkan DC input supply ( masih kasar ). DC

yang belum teregulasi ini langsung menuju blok utama dari SMPS ini yaitu bagian

power switching frekuensi tinggi.

Piranti semikonduktor switching power berkecepatan tinggi seperti

MOSFET dioperasikan ON dan OFF, dan men-switch tegangan input pada power

transformer. Drive pulsanya adalah frekuensi tetap normal (20 sampai 200 kHz)

dan duty cycle yang bervariasi. Pulsa tegangan switching mengendalikan jarak

(magnitude) dan duty ratio yang timbul pada transformer sekunder. Kemudian

tegangan yang timbul di bagian sekunder dari transformer disearahkan oleh dioda

dan dihaluskan oleh kapasitor. Untuk desain yang optimal sangat dibutuhkan

pemilihan semikonduktor power yang tepat.

Untuk menjaga kestabilan tegangan output, dirancang rangkaian kontrol

umpan balik atau feedback. Rangkaian kontrol tersebut mendeteksi perubahan

tegangan output untuk diinformasikan ke bagian switching sehingga duty ratio

disesuaikan. Pada umumnya, sebagian besar sistem S.M.P.S beroperasi

berdasarkan modulasi lebar pulsa frekuensi dimana durasi drive timing merupakan

perubahan dari tiap-tiap siklus.

 BAB III

CARA KERJA RANGKAIAN SWITCH MODE POWER SUPPLY

Sebelum ditemukannya rangkaian SMPS, peralatan elektronika menggunakan

regulator linier yang menjadi metode utama dalam pembuatan catu daya. Regulator

Liniear bekerja dengan cara menurunkan tegangan input yang tinggi menjadi

tegangan output yang rendah. Regulator linier hanya mempunyai efisiensi kerja

antara 30 sampai 50 % saja. Sementara itu, SMPS rata-rata menghasilkan efisiensi

antara 70 hingga 90 %, tanpa memeperhatikan tegangan input.

Blok diagram yang terlihat pada gambar 3.1 menunjukkan rangkaian SMPS

secara umum. Dalam Gambar itu terlihat bahwa rangkaian SMPS terdiri dari 4

bagian utama. Yaitu blok penyearah input ( Blok A ), blok rangkaian osilasi ( Blok B

), rangkaian penyearah tegangan output ( Blok C ) dan rangkaian umpan balik ( Blok

D ).

OUTPUT
FILTER MAIN CONVERTER SECONDARY
INPUT RECTIFICATION TRANS RECTIFICATION

BLOK A STRAT-UP
SUPPLY
BLOK B BLOK C

FEEDBACK
ATTENUATION

DRIVE
SMPS
CONTROL TAKE OVER SUPPLY

FEEDBACK ERROR V REF

AMPLIFIER

BLOK D ISOLATION

Gambar 3.1 Blok Diagram SMPS

26
 27

Yang membedakan antara rangkaian SMPS yang menggunakan transistor

bipolar dengan FET dan IC Hybrid hanya terletak pada blok B. Yaitu blok osilasi

atau bisa juga disebut sebagai blok switching (penyaklaran). Pada gambar 3.1,

rangkaian SMPS tersebut menggunakan transistor bipolar sebagai komponen

switchingnya. Sedangkan rangkaian SMPS yang menggunakan FET bisa dilihat di

gambar 3.2 dan SMPS yang menggunakan IC Hybrid bisa dilihat pada gambar 3.3.

OUTPUT
FILTER MAIN CONVERTER SECONDARY
INPUT RECTIFICATION TRANS RECTIFICATION

BLOK A STRAT-UP
SUPPLY
BLOK B BLOK C Gambar 3.2 Blok
Diagram SMPS dengan
FEEDBACK
ATTENUATION FET sebagai komponen
DRIVE
utama (lihat blok B )
SMPS
CONTROL TAKE OVER SUPPLY

FEEDBACK ERROR V REF

AMPLIFIER

BLOK D ISOLATION

OUTPUT
FILTER MAIN HYBRID CONVERTER SECONDARY
INPUT RECTIFICATION IC TRANS RECTIFICATION
Gambar 3.3 Blok
BLOK A STRAT-UP BLOK B BLOK C
Diagram SMPS dengan
SUPPLY
IC Hybrid sebagai
FEEDBACK
ATTENUATION
komponen utama (lihat
DRIVE
blok B )
SMPS
CONTROL TAKE OVER SUPPLY

FEEDBACK ERROR V REF

AMPLIFIER

BLOK D ISOLATION
 28

3.1 Prisip Kerja Rangkaian SMPS dengan menggunakan transistor

bipolar sebagai switching

Gambar 3.4 Rangkaian Keseluruhan SMPS dengan transistor bipolar

3.1.1 Rangkaian Penyearah Input

Gambar 3.5 Blok Diagram Penyarah Input

Seperti yang telah dijelaskan, Blok A merupakan rangkaian penyearah input.

Pada perancangan SMPS ini menggunakan rangkaian penyearah gelombang penuh

dengan memakai dioda bridge. Pada setengah gelombang pertama tegangan relatif

positif yang dapat mengalirkan arus melalui dioda D2, beban RL, dan dioda D3. Arus

ini tidak melewati 2 dioda lainnya, D1 dan D4, karena terhadap dioda-dioda tersebut
 29

tegangannya relatif negatif. Sebaliknya pada setengah gelombang berikutnya

tegangan relatif positif yang dapat mengalirkan arus melewati dioda D4, beban RL,

dan dioda D1 (gambar 3.6). Arus ini tidak melewati 2 dioda sebelumnya, karena

terhadap dioda-dioda tersebut tegangannya relatif negatif. Kedua arus searah hasil

penyearahan tersebut bergiliran melewati beban, sehingga arus searah total I RL

tersebut merupakan hasil penyearahan gelombang penuh.

Keluaran dari penyearah Dioda Bridge berupa gelombang arus searah (DC)

dengan gelombangnya masih belum rata. Untuk menyelesaikan masalah tersebut

agar gelombang menjadi lebih rata, pada rangkaian penyearah maka ditambahkan

kapasitor bipolar C1. Hal ini dapat terjadi karena sifat kapasitor yang menyimpan

muatan listrik untuk sementara waktu, dan muatan ini akan dikeluarkan secara

berangsur-angsur. Waktu yang dibutuhkan untuk mengeluarkan muatan listrik pada

kapasitor sangat tergantung pada besarnya kapasitansi. Pada saat arus yang lewat

rangkaian dioda bridge naik, muatan listrik disimpan pada kapasitor C1, pada saat

arus mulai turun dan lebih rendah dari muatan dalam kapasitor, muatan dari kapasitor

mulai mengalir keluar dan menambah besar arus yang keluar, sehingga arus dioda

tersebut tidak turun langsung, tetapi secara berangsur-angsur. Momen ini

berlangsung sampai gelombang berikutnya arus mulai naik lagi. Sehingga

menghasilkan bentuk gelombang yang lebih rata dibandingkan dengan bentuk

gelombang tanpa kapasitor.

3.1.2 Rangkaian Switching

Blok berikutnya yaitu Blok B merupakan rangkaian switching yang

terdiri dari Transistor dan Transformator sebagai komponen utamanya.

 30

Gambar 3.6 Blok Diagram Rangkaian Switching

Blok B merupakan rangkaian switching yang terdiri dari transistor dan transformator

sebagai komponen utamanya. Ada 4 kondisi dari transistor switching selama

rangkaian switching mode power supply ini bekerja, yaitu:

1. OFF operation

2. Selama kondisi off

3. ON operation

4. Selama kondisi on

Berikut akan diuraikan cara kerja transistor pada setiap kondisi.

3.1.2.1. OFF operation

Pada saat OFF operation ini terdapat 2 kondisi yaitu :

3.1.2.1.1 Tanpa beroperasinya rangkaian kontrol

Tegangan yang dihasilkan pada lilitan umpan balik (1)-(2) tergantung dari

rasio perbandingan lilitan input (4)-(7), sehingga pada saat tegangan pada C1

sudah tetap, tegangan pada lilitan umpan balik juga tetap. Kemudian basis

transistor (Q1) mendapat arus yang tetap yang dikontrol oleh resistor drive R4.

Arus kolektor meningkat secara linier terhadap waktu, ketika sudah mencapai

nilai hfe dari transistor, arus kolektor tidak dapat meningkat lagi. Sehingga
 31

mengakibatkan lilitan umpan balik tidak dapat menghasilkan tegangan dan

transistor Q1 OFF.

3.1.2.1.2. Dengan beroperasinya rangkaian kontrol

Selama transistor Q1 switch ON, dihasilkan pulsa positif pada lilitan

umpan balik (1)-(2), hal tersebut dapat terjadi karena adanya rangkaian

integral yang terdiri R8 dan transistor C4, dan dihasilkan juga gelombang gigi

gergaji. Tegangan ini ditambahkan ke basis transistor Q2, penambahan ini

sebagai response dari output transistor Q4, photo coupler dan transistor Q3.

Ketika ke-2 tegangan ini mencapai nilai tegangan drive basis-emiter transistor

Q2 (0,6 – 0,7V), transistor Q2 menjadi on, dan arus pada transistor switching

Q1 mengalir ke kolektor dan emitor transistor Q2 sehingga transistor Q1

menjadi OFF

3.1.2.2. Selama kondisi off

Pada saat transistor Q1 off, energi yang ada di lilitan input (4)-(7) di transfer

ke beban melalui lilitan output dan rangkaian penyearah output. Dalam hal ini arus

yang melalui lilitan output meningkat.

3.1.2.3. ON operation

Ketika arus yang melalui lilitan output menurun dan akhirnya 0, waktu t1

berakhir dan t2 dimulai, pada saat ini terjadi resonansi antara induktansi lilitan input

(4)-(7) dari konverter transformer T1 dan kapasitor pembagi dari konverter

transformer T1 yang dipasang paralel. Arah arus resonansi dari lilitan input terminal

(7) ke (4), kemudian transistor switching Q1 tetap dalam kondisi off untuk

menghasilkan arus dari terminal (1) ke (2) pada lilitan umpan balik. Setelah arus
 32

resonansi mencapai nilai maksimum pada akhir t2, koefisien arus slight menjadi 0

dan akhirnya polaritinya berbalik.

Akhirnya arus pada lilitan umpan balik mengalir melalui terminal (2) terminal (1)

D6//(C3, R6) R4 Q1 basis emitter terminal (2). Dan transistor switching Q1

menjadi ON kembali sesuai dengan umpan balik positip dari lilitan umpan balik.

3.1.2.4. Selama kondisi ON

Setelah transistor switching ON arus pada kolektor meningkat secara linier,

sehingga tegangan yang dihasilkan pada lilitan umpan balik bernilai tetap, dan

diumpanbalikkan positip ke transistor Q1 basis dan transistor Q1 tetap dalam kondisi

ON.

3.1.3 Rangkaian Kontrol SMPS

Gambar 3.7. Blok Diagram Rangkaian Kontrol SMPS

Rangkaian kontrol diperlukan untuk mendeteksi dan membuat stabil tegangan

+B (lihat gambar 3.4). Rangkaian ini mendeteksi tegangan output dari lilitan output

(12)-(15) melalui dioda D11 dan kapasitor C8. Anoda dari zener dioda D12 terhubung

ke emitter transistor Q4, sehingga transistor Q4 ini bekerja untuk membandingkan

tegangan referensi dari D12 dengan tegangan basis dari transistor Q4.
 33

Pada saat tegangan +B meningkat, transistor Q2 menjadi ON yang

mengakibatkan transistor Q1 OFF, dan waktu t3 menjadi singkat dan energi yang

ditransfer ke output berkurang dan tegangan +B turun.

Fungsi dari D7 dan R9 dapat dilihat dari ilustrasi berikut. Perubahan tegangan

imbas pada lilitan umpan balik (1)-(2) sebanding dengan perubahan tegangan AC

input, ketika tegangan input AC meningkat, tegangan imbas juga meningkat. Pada

saat tegangan imbas lebih dari tegangan zener D7, D7 menjadi ON, integral waktu

yang sebelumnya ditentukan oleh R8 dan C4 berubah sekarang ditentukan juga oleh

R9. ini berarti integral waktu menjadi lebih kecil dan tegangan basis transistor Q2

meningkat lebih cepat dan transistor Q2 ON dan transistor Q1 OFF, hal ini dapat

mencegah transistor Q1 swicth ON arus sesaat yang besar ketika tegangan input AC

lebih besar.

Selama Q1 off, tegangan yang dihasilkan pada lilitan umpan balik yang

mengalir melalui terminal (2) adalah (+) dan terminal (1) adalah (-), menyebabkan

tegangan pada kapasitor C4 discharge melalui terminal (2) → C4//R11 → R10 → D8

→ terminal (1).

Dioda D5 berfungsi untuk memberi arus yang cukup untuk membuat photo

coupler dan transistor Q3 bekerja, sehingga tegangan yang dihasilkan oleh lilitan

umpan balik disearahkan dan memberi arus yang cukup ke photo coupler dan

transistor Q3.
 34

3.1.4 Rangkaian Penyearah Output

Gambar 3.8. Blok diagram penyearah output

Rangkaian ini berfungsi sama dengan rangkaian penyearah input. Pulsa yang

dihasilkan oleh konverter transformer dirubah ke tegangan DC oleh dioda (D9, D10

dan D11). Setelah itu untuk menghilangkan sinyal-sinyal AC yang tersisa digunakan

filter capasitor (C6, C7, dan C8).

3.2 Prisip Kerja Rangkaian SMPS dengan menggunakan FET

sebagai switching

Untuk blok rectifier , blok kontrol dan blok penyearah tegangan sekunder,

prinsip kerjanya tidak begitu berbeda dengan prinsip kerja transistor bipolar. Yang

paling berbeda adalah blok osilasi. Dimana selain transformer, FET merupakan

komponen utama dalam blok osilasi seperti yang terdapat dalam gambar di bawah ini

Gambar 3.9 Blok Diagram Rangkaian Switching

 35

Untuk lebih memiliki gambaran prinsip kerja blok osilasi, berikut ini adalah

gambar rangkaian lengkapnya :

Gambar 3.10. Rangkaian keseluruhan SMPS dengan FET

 36

Apabila rangkaian diberi input AC dan relay RL1 dihubungkan, maka

tegangan AC disearahkan oleh dioda jembatan D1 dan kapasitor C1. Dan keluaran

dari C1 tersebut menghasilkan tegangan DC.

Kemudian arus akan mengalir dari C1 ke R2 dan C2 untuk mengisi (charge)

C2. Dan juga arus akan mengalir untuk membias drive transistor Q3 yang akan

menyebabkan Q3 bekerja (ON). Dan jika Q3 ON, arus akan mengalir ke gate dari Q1

melalui R5. Hal ini menyebabkan tegangan gate dari Q1 yang dihasilkan oleh

perbandingan antara R5 dan gate resistor R6 akan meningkat, jika peningkatannya

sampai melewati tegangan threshold, maka Q1 akan bekerja (ON).

Jika Q1 ON, arus mengalir dari C1 ke lilitan primer Np dari converter

transformer T1. Hasilnya, tegangan pada lilitan drive Nd meningkat. Tegangan ini

diumpankan ke basis Q3 melalui kapasitor kopling C3 dan R9. Oleh karena itu arus

Q3 akan semakin bertambah. Begitu juga dengan tegangan yang diberikan ke C2

malalui D3. Tegangan-tegangan tersebut akan digunakan sebagai tegangan kontrol

pada power circuit.

Dan jika : Vin adalah tegangan DC, Ip adalah arus primer dari T1, Lp adalah

induktansi primer dari T1, maka arus drain Id dari Q1 dapat diketahui dengan

menggunakan persamaan 3.2 dibawah ini:

Vin × Ton
Id = ……………………………………………………………………(3.2)
Lp

Untuk : Id = Arus drain (A)

Vin = Tegangan DC (V)

Lp = Induktansi lilitan primer (H)

Ton = Perbandingan tegangan peralihan ON terhadap perioda

 37

Ketika arus drain Id mengalir melalui source resistor R7, tegangan R7

meningkat seiring dengan perubahan waktu. Jika tegangan basis dari Q2 melewati

batas threshold, Q2 bekerja (ON) dan akan mem-bypass tegangan basis Q3. begitu

pula basis dari Q4 akan ON. Oleh sebab itu Q4 akan bekerja (ON) dan menyebabkan

Q1 tidak bekerja (OFF).

Jika Q1 OFF, energi dari lilitan primer T1 yang disimpan selama Q1 ON

akan diumpankan ke rangkaian yang telah disearahkan dan tiap-tiap beban melalui

lilitan sekunder. Dan arus pada lilitan sekunder berkurang seiring dengan waktu.

Ketika arus tersebut 0 (nol), maka waktu yang pertama telah selesai dan dilanjutkan

dengan perjalanan waktu yang kedua. Selama selang waktu yang kedua, induktansi

dari Np dan ekivalen kapasitansi paralel akan beresonansi. Ketika terjadi resonansi,

arah arus berubah, peningkatan tegangan Nd terjadi dan Q1 bekerja (ON) kembali.

Sedemikian hingga tegangan sekunder terus meningkat berdasarkan Q3 yang bekerja

secara kontinyu ON dan OFF.

Dari schematic diagram gambar 3.6, kestabilan tegangan output bergantung

pada deteksi dan kontrol dari tegangan lowB2 dan +B. Pada saat sinyal TV OFF,

mengakibatkan Q6 OFF dan Q5 bekerja (ON) karena mendapat tegangan dari lowB1

yang mengalir melewati RL2. Sedangkan anode dari diode zener D8 terhubung ke

ground. Jika demikian, arus mengalir dari C6 menuju ke photo coupler PH1 dan D8.

Jika tegangan lowB2 naik, maka arus dari photo diode pada coupler PH1 meningkat

sedemikian hingga arus photo transistor dari PH1 juga meningkat. Hal ini

mengakibatkan tegangan basis dari Q2 meningkat lebih cepat daripada feed back

yang melewati R7. Dan jika basis mencapai batas threshold maka Q2 ON sedangkan

Q1 OFF. Pada selang waktu berikutnya energi output menurun dan tegangan lowB2

akan menurun juga. Ketika sinyal TV ON, transistor Q6 ON dan Q5 OFF. Relay RL2
 38

ON, sehingga tegangan +B nyala. Kestabilan tegangan +B tersebut dikontrol oleh

IC1 yang memberikan informasi terhadap photo diode pada coupler PH1 seperti pada

kontrol tegangan lowB2.

3.3 Prisip Kerja Rangkaian SMPS dengan menggunakan Hybrid IC

sebagai switching

Prinsip kerja blok penyearah , blok kontrol feedback dan blok penyearah

tegangan sekunder, tidak banyak berbeda dengan SMPS yang menggunakan

transistor bipolar maupun FET. Yang memiliki perbedaan signifikan hanya pada blok

osilasi seperti yang tergambar di bawah ini :

HIC

Gambar 3.11. Blok osilasi SMPS dengan Hibrid IC

 39

R9

Z1

C2

R2
R1
R3

Gambar 3.12. Rangkaian keseluruhan SMPS dengan Hibrid IC

Pada gambar SMPS keseluruhan terlihat bahwa Hybrid IC ( yang seterusnya disebut

HIC ) memiliki 2 komponen utama yaitu FET dan blok control. Pada pembahasan

kali ini tidak dibahas bagaimana blok control bekerja melainkan hanya bagaimana

secara garis besar HIC ini bekerja.

Pada saat power mulai dinyalakan , C2 diisi melalui R9. Nilai R9 harus

disetting sedemikian rupa sehingga arus yang mengisi C2 bisa benar-benar sesuai

dengan kebutuhan. Jika nilai R9 terlalu tinggi maka arusnya kecil dan waktu yang
 40

digunakan untuk mengisi C2 lama. Akibatnya akan butuh waktu lebih lama untuk

mencapai tegangan start up. Dimana tegangan start up ini digunakan untuk mensuply

Vcc HIC agar bisa bekerja. Setelah mendapatkan Vcc yang dibutuhkan, HIC tersebut

mulai bekerja.

Selain itu, tegangan yang telah disearahkan akan mengalir melalui lilitan

primer menuju pin 1 yaitu kaki drain dari FET yang berada di dalam HIC. Ini

memicu timbulnya tegangan Vds. Tegangan Vds ini akan ON dan OFF berdasarkan

tegangan Vgs , dimana Vgs ini dibangkitkan oleh blok kontrol dari HIC.

Jika ada short circuit sehingga menimbulkan over current yang melewati

drain dan source dari FET, maka akan melewati pula Rocp ( Resistor Over Current

Protection ) yaitu R1+ R2 dan R3 ( Resistor Feedback ) yang kemudian diteruskan ke

pin 7 ( pin Over Curent protection ) dari HIC. Di pin 7 ini over current akan di-

protect oleh control blok dari HIC.

Jika pin 7 untuk mendeteksi dan mem-protect over current, maka pin 6 untuk

mendeteksi dan mem-protect over voltage. Jika ada tegangan yang naik terus-

menerus maka blok control melalui pin 6 akan mem-protect ragkaian sehingga

rangkaian berhenti bekerja dan rangkaian aman dari kerusakan.

3.4.Pertimbangan - pertimbangan dalam penggantian komponen

utama SMPS pada televisi SANYO

Televisi Sanyo telah mengalami perubahan komponen utama switching

sebanyak tiga kali. Yang pertama menggunakan transistor bipolar kemudian beralih

ke FET dan yang terakhir beralih ke IC Hybrid.

 41

Pada awalnya televisi Sanyo menggunakan transistor bipolar T2SK4429-

LYBN buatan SANYO Electric dengan harga US $ 0.8456 untuk televisi berukuran 21

“. Penggunaan transistor bipolar ini digunakan selama beberapa tahun dari tahun

1998 sampai 2001. Kemudian pada awal tahun 2002 Sanyo mulai melirik untuk

menggunakan FET sebagai komponen utama dalam rangkaian SMPS-nya.

Pada tahun yang sama Sanyo mengaplikasikan FET T2SK102-F—N dari Fuji

Electric dengan harga US $, 0.4601 untuk televisi berukuran 21”. Alasan Sanyo

menggunakan FET sebenarnya sudah jelas yaitu bahwa dengan menggunakan FET,

Sanyo mampu memangkas harga sampai kurang lebih 50 % jika dibandingkan ketika

menggunakan transistor bipolar. Tetapi selain permasalahan harga, ada beberapa

item penting yang turut menyumbang keputusan itu. Diantaranya :

1. Pensaklaran pada FET Lebih Cepat

Secara prinsip, hal ini disebabkan oleh waktu gulir nyala (turn-on time) dan

waktu gulir mati (turn-off time) transistor bipolar yang lebih panjang

dibanding FET. Transistor bipolar dikontrol oleh arus sehingga memerlukan

waktu yang relatif lama untuk stabil pada saat on dan off. Sedangkan FET

dikontrol oleh tegangan sehingga waktu gulir nyala dan waktu gulir matinya

lebih cepat. Pada rating yang setara waktu gulir nyala trasistor bipolar sekitar

500 nano detik, dan FET sekitar 40 nano detik. Sedangkan waktu gulir mati

trasistor bipolar sekitar 3.3 mikro detik, dan FET sekitar 120 nano detik.

Secara teori untuk perangkat switching FET yang memiliki waktu gulir nyala

dan waktu gulir mati kecil, lebih menguntungkan pada tegangan keluaran

suatu SMPS. Berikut perbandingan waktu gulir nyala dan waktu gulir mati

pada transistor bipolar dan FET:

 42

Vo

On Off

Turn-ON Turn-OFF
(500 nS) (3.3 μS)

Gambar 3.13 Waktu Gulir Nyala dan Mati Transistor Bipolar

Vo

On Off

Turn-ON Turn-OFF
(40 nS) (120 S )

Gambar 3.14 Waktu Gulir Nyala dan Mati FET

2. Pengemudi pada Pensaklaran FET Memerlukan Daya yang Relatif Kecil

Kontrol tegangan pada FET juga memiliki keuntungan dalam sistem

pengemudi switching. Kontrol tegangan pada FET memerlukan daya yang

cukup kecil untuk memicu kerja FET. Sedangkan untuk memicu transistor

bipolar memerlukan daya yang relatif lebih besar karena dikontrol oleh arus.
 43

Dari paparan di atas, terlihat bahwa FET lebih unggul dari pada transistor

bipolar. Tetapi setelah beberapa tahun penggunaan FET, terjadi kenaikan customer

complain sehubungan dengan performa dari FET. Yang banyak terjadi adalah

pelanggan mengeluh bahwa jika ada kegagalan fungsi power pada televisi Sanyo,

ternyata FET mudah rusak. Dan tidak hanya itu saja, ternyata pula bahwa jika FET

rusak maka pasti ada komponen di sekeliling FET tersebut yang ikut rusak. Jumlah

komponen yang rusak di sekitar FET itu bisa mencapai 8 komponen termasuk FET.

Sehingga untuk repair tidak mudah dan membutuhkan waktu yang lama. Bahkan jika

misalnya ada 6 komponen yang rusak, kemudian hanya ada lima yang terdeteksi oleh

teknisi, maka sudah dapat dipastikan rangkaian power akan rusak lagi. Ini berarti

teknisi harus me-repair ulang dan harus mendeteksi dengan tepat kira-kira ada berapa

komponen yang rusak, sehingga rangkaian power tidak rusak lagi. Kondisi ini bisa

berulang sampai 3 – 4 kali repair. Sementara itu keluhan seperti ini tidak pernah ada

ketika Sanyo menggunakan transistor bipolar.

Untuk itu Sanyo mulai memikirkan alternatif lain dari FET. Pada saat

memikirkan alternatif lain ternyata sudah ada maker company yaitu SANKEN yang

sudah mengembangkan komponen utama SMPS dalam bentuk IC hybrid. Pada

pertengahan tahun 2004, Sanyo memutuskan untuk menggunakan IC hybrid STR-

W6754 produksi SANKEN yang harganya US $, 0.764 untuk televisi ukuran 21”.

Memang dari segi harga IC hybrid ini lebih mahal dibandingkan dengan

transistor bipolar dan sedikit lebih murah dari FET. Tetapi ada beberapa kenggulan

yang dimiliki IC Hybrid ini. Diantaranya :

1. Mudah. Mendesain SMPS dengan IC hybrid lebih mudah. Ini karena

komponen tersebut sudah dalam bentuk IC dimana designer hanya perlu

 44

mengikuti petunjuk yang ada dalam manualnya. Sehingga tidak perlu

memikirkan rangkaian drivernya.

2. Karena lebih mudah otomatis waktu ( lead time ) yang dibutuhkan untuk

mendesain SMPS dengan menggunakan IC hybrid lebih cepat daripada waktu

yang dibutuhkan untuk mendesain SMPS dengan menggunakan transistor

bipolar maupun FET. Dengan menggunakan IC hybrid hanya perlu waktu 1-

1.5 bulan sementara dengan transitor bipolar atau FET bisa sampai 2-3 bulan.

3. Komponen utama IC hybrid ini adalah FET dan blok control. Artinya IC ini

memiliki keunggulan- keunggulan sebagaimana FET, sementara kelemahan-

kelemahannya diatasi dengan adanya blok kontrol. Dimana di kaki- kaki

blok control itu ada pin OCP ( Over Current Protection ) untuk melindungi

rangkaian dari kelebihan arus dan pin OLP ( Over Load Protection ) untuk

melindungi rangkaian dari kelebihan tegangan. Sehingga bila ada kegagalan

fungsi dari rangkaian tidak akan mengakibatkan rangkaian rusak tetapi akan

di-protect oleh IC hybrid ini. Dengan begitu diharapkan tidak ada lagi

keluhan –keluhan dari pelanggan tentang kerusakan yang terjadi pada

rangkaian power.

Untuk lebih memiliki gambaran sekilas tentang perbedaan masing – masing

komponen tersebut, akan dipaparkan dalam table 3.1 berikut ini.

 45

Tabel 3.1 Perbandingan Komponen Utama SMPS

.Item yang Komponen Utama SMPS

dibandingkan Transistor FET IC Hybrid Keterangan

Frekuensi Kerja 23.06 kH 39.84 kH 62.89 kH -

Gulir ON 500 ns 200 ns 265 ns -

Gulir OFF 3.9 μs 2.20 μs 420 ns -

Harga US $ 0.8456 US $, 0.4601 US $, 0.764 -

Rangkaian protect Tidak ada Tidak ada Ada -

Dari table di atas terlihat bahwa IC hybrid lebih unggul dibandingkan FET

maupun transistor bipolar. Hanya pada item harga IC hybrid lebih mahal dibanding

dengan FET walaupun sedikit lebih murah dibanding dengan transistor bipolar.

Tetapi untuk mrngetahui dengan pasti mana yang lebih unggul akan dibuktikan pada

bab berikutnya.
 BAB IV

DATA DAN ANALISA

Pengambilan data sangat diperlukan untuk memastikan komponen utama

mana yang lebih baik dalam aplikasinya pada rangkaian SMPS televisi Sanyo.

Untuk keperluan pengambilan data ini yang diukur adalah televisi 21 “. Untuk

transistor bipolar yang dipakai adalah chassis AC5C, sementara FET chassis

AC5G1 dan IC hybrid yang dipakai adalah chassis FC6A.

4.1 Pengukuran Tegangan Switching

Yang dimaksud dengan pengukuran tegangan switching di sini adalah

tegangan yang berbentuk pulsa dari komponen utama SMPS ( transistor bipolar,

FET dan IC hybrid ) yang kemudian diayunkan oleh transformer ke bagian

sekunder. Data diambil dari tegangan kerja yang sama pada televisi 21”.

Selanjutnya di bawah ini akan diterangkan frekuensi kerja komponen utama

SMPS.

46
 47

4.1.1 Frekuensi Kerja Switching

VCE

43.35 μs

ICE

Gambar 4.1 Tegangan VCE pada Transistor Bipolar

VDS

25.10 μs

IDS

Gambar 4.2 Tegangan VDS pada FET

VDS

15.90 μs

IDS

Gambar 4.3 Tegangan VDS ( pin 1-3 ) pada IC hybrid

 48

Pada gambar 4.1 di atas terlihat tegangan colector-emitor ( VCE ) pada

transistor bipolar. Tegangan VCE muncul pada saat transistor tidak bekerja. Ini

dapat dilihat pada gambar 4.1 bahwa saat colector-emitor tidak ada arus, justru

tegangan pada VCE muncul. Frekuensi kerja pada transistor dapat dilihat pada

perioda yang tercatat pada gambar 4.1 yaitu T=43.35 μs. Ini berarti frekuensinya 1

/ 43.35 μs atau sekitar 23.06 kHz.

Sementara pada gambar 4.2 di atas adalah tegangan drain-source (VDS)

pada FET. Tegangan pada drain-source muncul saat FET tidak bekerja. Hal

tersebut ditunjukkan pada gambar 4.2 bahwa saat drain-source tidak ada arus,

justru tegangan pada drain-source muncul. Frekuensi kerja FET dapat ditentukan

dari perioda yang tercatat pada gambar 4.2. Perioda tercatat T=25.10 μs, sehingga

frekuensi kerja FET sebesar 1/25.10 μS atau 39.84 kHz. Frekuensi kerja FET

tersebut lebih tinggi bila dibandingkan dengan frekuensi kerja transistor bipolar

yang kurang lebih 23.06 kHz.

Pada gambar 4.3 adalah gambar tegangan drain –source VDS pada IC

hybrid. Dari gambar terlihat bahwa T= 15.90 μS. Jadi frekuensi kerjanya adalah

1/15.9 μS atau sekitar 62.89 kHz. Ini berarti frekuensi kerja IC hybrid kurang

lebih sama atau lebih tinggi sedikit dari frekuensi kerja FET dan juga lebih tinggi

dari frekuensi kerja transistor bipolar.

 49

4.1.2 Waktu Gulir On/Off (Turn On/Off Time)

(a) (b)

Gambar 4.4 Waktu Gulir pada Transistor Bipolar

(a) (b)
Gambar 4.5 Waktu Gulir pada FET

265 ns 420 ns

(a) (b)

Gambar 4.6Waktu Gulir pada IC hybrid

 50

Waktu gulir adalah waktu yang diperlukan komponen utama SMPS

( transistor, FET atau IC hybrid ) untuk mencapai kondisi penuh saat on atau off.

Secara ideal seharusnya waktu gulir bernilai nol, tetapi kenyataannya tidak

demikian. Waktu gulir pada transistor bipolar waktu gulir ditunjukkan pada

gambar 4.4. Waktu gulir on tercatat 500 ns dan waktu gulir off-nya sekitar 3.9 μs.

Sedangkan pada FET dapat dilihat pada gambar 4.5 Dari gambar 4.5 a

ditunjukkan bahwa waktu gulir on pada FET sekitar 200 ns dan waktu gulir off-

nya sekitar 2.2 μs. Data tersebut membuktikan bahwa waktu gulir on dan off pada

FET lebih kecil daripada transistor bipolar.

Pada gambar 4.6 terlihat waktu gulir on IC hybrid adalah 265 ns

sedangkan waktu gulir off-nya 420 ns. Ini menunjukkan bahwa waktu gulir IC

hybrid lebih cepat dari FET tetapi bisa dikatakan hampir sama dengan FET karena

memang isi dari IC hybrid itu juga berisi FET.

4.2 Kestabilan Tegangan Output

Tabel 4.1 Tegangan Output SMPS dengan Transistor bipolar

Jenis Teg AC Input PerubahanTeg

Output 280V 220V 170V 90V (Vmax-Vmin) V

+B 129.58 129.58 129.60 129.42 0.18

V-Out 25.564 25.567 25.583 25.495 0.088

Low B 15.388 15.387 15.401 15.357 0.044

Audio 20.835 20.895 21.005 20.865 0.170

 51

Tabel 4.2 Tegangan Output SMPS dengan FET

Jenis Teg AC Input PerubahanTeg

Output 280V 220V 170V 90V (Vmax-Vmin) V

+B 130.00 130.02 130.02 130.03 0.03

V-Out 26.894 26.923 26.921 26.889 0.034

Low B 9.272 9.270 9.270 9.268 0.004

Audio 14.569 14.599 14.604 14.489 0.115

Tabel 4.3 Tegangan Output SMPS dengan IC hybrid

Jenis Teg AC Input PerubahanTeg

Output 280V 220V 170V 90V (Vmax-Vmin) V

+B 130.26 130.27 130.28 130.27 0.01

V-Out 27.44 27.54 26.96 27 0.58

Low B 12.06 12.06 12.06 12.03 0.03

Audio 15.53 15.54 15.53 15.49 0.05

Tegangan output merupakan point utama dalam perancangan SMPS.

Beberapa tegangan catu yang dibutuhkan dalam sebuah televisi) antara lain;

tegangan +B, tegangan catu vertical deflection (V-out ), tegangan Low B ,

tegangan catu Audio dan tegangan catu CPU sebesar 5V. Tegangan –tegangan

tersebut akan diukur mulai dari AC input maksimum 280V sampai AC input

minimum 90V. Perbandingan antara ketiganya tertera dalam tabel di atas:

 52

Pada televisi SANYO, pabrik telah memberikan standar toleransi

penyimpangan tegangan output sebesar ± 1% untuk +B dan ± 1V untuk V-Out,

Low B dan Audio. Data yang tercatat pada semua tabel di atas telah memenuhi

syarat standar toleransi penyimpangan tegangan.

Hal yang perlu diperhatikan dari ketiga tabel di atas adalah perbandingan

range perubahan tegangan output dari AC input minimum sampai AC input

maksimum pada SMPS yang menggunakan IC Hybrid lebih kecil atau lebih stabil

dari SMPS yang menggunakan transistor bipolar atau FET. Sebagai contoh range

perubahan tegangan +B pada SMPS yang menggunakan IC hybrid hanya 0.01 V,

sedangkan pada SMPS yang menggunakan transistor bipolar sebesar 0.18V dan

FET 0.03V. Begitu pula pada tegangan audio. IC hybrid jelas lebih baik daripada

transistor bipolar maupun FET.

4.3 Electromagnetic Interference ( EMI )

Yang dimaksud EMI di sini adalah gangguan elektromagnetik yang

disebabkan oleh rangkaian elektronik sehingga bisa menggangu perangkat

elektronik lainnya. Setiap perangkat elektronik hampir dapat dipastikan

mengeluarkan EMI. Tetapi EMI yang dipancarkan perangkat elektronik tersebut

harus memenuhi standard yang ada. Sebab jika tidak dapat dipastikan akan

mengganggu perangkat elektronik lainnya.

Rangkaian SMPS bisa menimbulkan EMI dimana salah satu sumbernya

adalah berasal dari transistor switching yang frekuensi kerjanya bisa mencapai

satuan kilohertz. Misalnya, dalam daya 80 watt, frekuensi kerja transistor bisa

mencapai lebih kurang 50 kHz. Dimana dengan tingginya frekuensi kerja dari
 53

transistor switching ini, maka seakan – akan rangkaian ini seperti rangkaian yang

bisa menimbulkan efek radio frekuensi. Sementara IC hybrid maupun FET

memiliki kecepatan peralihan lebih cepat dibanding transistor bipolar sehingga

sangat dimungkinkan menimbulkan interferensi yang cukup besar. Oleh karena itu

perlu diukur apakah interferensi yang ditimbulkan masih memenuhi syarat untuk

menghasilkan performance televisi yang baik dan aman terhadap peralatan

elektronik disekitarnya atau tidak.

EMI test meliputi pengukuran frekuensi dan amplitudo dari pancaran

sinyal yang tidak diinginkan (dalam hal ini adalah interferensi). Pada kondisi ini

yang diukur merupakan sinyal yang melalui AC cord atau koneksi kabel yang lain

yang disebut juga conducted emissions.

4.3.1 Pengurangan Interferensi

Interferensi dapat berkurang dengan cara penambahan Line Filter, X-

kapasitor dan Y-kapasitor. Komponen – komponen tersebut dapat diterangkan

sebagai berikut :

4.3.1.1 Line Filter

Line Filter merupakan komponen yang digunakan untuk mencegah

interferensi dari luar dan juga dari dalam rangkaian. Penempatan dari line filter ini

adalah seri dengan input AC.

Input AC
 54

Gambar 4.7 Posisi Penempatan Line Filter

Nilai induktansi dan nilai impedansinya semakin besar, maka hasil

yang didapatkan semakin baik, berarti akan didapat interferensi yang kecil.

Line filter mempunyai efek filter untuk kisaran frekuensi 150 kHz – 30 MHz

(spesial area antara 150 kHz – 300 kHz).

4.3.1.2 X - Kapasitor

X-kapasitor ditempatkan pada daerah input AC juga, dimana posisinya

berada diantara Line Filter, dan ditempatkan pada jalur input AC. Untuk X-

kapasitor ini, mempunyai efek yang berkisar antara 150 kHz – 300 kHz.

Input AC

X-Kapasitor

Gambar 4.8 Posisi Penempatan X-Kapasitor

Untuk nilai yang digunakan, apabila nilai kapasitansi yang digunakan terlalu

kecil, maka interferensi yang direduksi tidak terlalu besar, yang berarti masih

ada interferensi yang cukup mengganggu. Akan tetapi apabila nilai X-

kapasitor yang digunakan terlalu besar, maka akan berpengaruh banyak

 55

kepada unsur yang lain, dimana unsur tersebut dapat terlihat pada kondisi

Withdrawal of Mains Plug. Hasil yang didapat kurang begitu baik.

4.3.1.3 Y - Kapasitor

Y-kapasitor ditempatkan antara ground primer dan ground sekunder dari

Converter Transformer.

Primer area Sekunder area

Gambar 4.9 Posisi Penempatan Y-Kapasitor

Nilai kapasitansi dari Y-kapasitor berkisar antara 1000 pF – 3000 pF. Hal

ini dikarenakan apabila nilainya terlalu kecil, maka interferensi yang dihasilkan

oleh converter transformer ini masih cukup banyak. Akan tetapi apabila nilai dari

Y-Kapasitor ini terlalu besar, maka leakage current-nya menjadi kurang baik,

sehingga cukup diambil harga tengahnya. Untuk kisaran frekuensi, Y-Kapasitor

akan berefek pada area frekuensi 150 kHz – 5 MHz.

 56

4.3.2 Standar Yang diperbolehkan

Tabel 4.4 Standard EMI yang diijinkan

Limits
Frequency range
Equipment type dB (μV)
MHz
Quasi – peak Average

Television and sound 0,009 to 0,15 Under consideration

receivers and 0,15 to 0,5 66 to 56 1) 56 to 46 1)

associated equipment 0,5 to 5 56 46

5 to 30 60 50
1)
Decreasing linearly with the logarithm of the frequency

4.3.3 Hasil Pengukuran

Idealnya rangkaian elektronik tidak meng-interferensi perangkat elektronik

lain atau memiliki EMI nol. Akan tetapi hal ini tidak dimungkinkan, karena

rangkaian ini selalu menghasilkan interferensi yang cukup tinggi, sehingga

diperlukan penambahan line filter dan juga X-Kapasitor serta Y-Kapasitor.

Dimana kondisi yang diinginkan adalah tidak melebihi yang diperbolehkan dari

standart yang ada, seperti terlihat pada gambar 4.10. Garis horizontal yang terletak
 57

di tengah form merupakan batasan dari standar yang diperbolehkan dari

interferensi yang ada.

Nilai line filter, X-Kapasitor serta Y-Kapasitor pada ketiga televisi sama.

Line Filter yang digunakan sebesar 16 mH, X-Kapasitor bernilai 200 pF dan Y-

Kapasitor bernilai 2470 pF. Kecuali pada IC hybrid hanya Y-Kapasitor yang

berbeda yaitu 2900 pF.

Gambar 4. 10 Grafik standard EMI

 58

Gambar 4.11 EMI pada SMPS yang menggunakan transistor bipolar

Gambar 4.12 EMI pada SMPS yang Menggunakan FET

 59

Gambar 4.13 EMI pada SMPS yang Menggunakan IC hybrid

Dari gambar di atas dapat dilihat perbedaan EMI yang dipancarkan oleh

komponen utama SMPS antara transistor bipolar, FET maupun IC hybrid. Pada

gambar 4.11 terlihat bahwa EMI transistor bipolar berada jauh di bawah garis

standard yang dibolehkan. Amplitudo tertinggi terlihat pada fekuensi sekitar 28

Mh yaitu 39 dB. Sementara itu EMI FET yang terlihat pada frekuensi 15 Mh

berkisar kurang lebih 45 dB. Sedangkan EMI IC hybrid seperti yang terlihat pada

gambar 4.13 berkisar kurang lebih 46 dB pada frekuensi 29 Mh. Ini berarti semua

komponen utama SMPS tersebut masih memenuhi standard yang berlaku.

Dari data di atas terlihat transistor bipolar memilki EMI terbaik diantara

kedua komponen utama SMPS yang lainnya, kemudian setelah itu FET dan yang

terakhir IC hybrid.
 60

4.4 Fault Test

Setelah melalui serangkaian pengukuran, rangkaian SMPS juga perlu diuji

reliability dan keamanan berdasarkan standard safety international. Badan Safety

international yang mengatur bidang elektronik adalah International Electrotechnic

Comission 60065 atau yang disingkat IEC 60065. Dimana badan ini mengatur

semua produsen elektronik untuk memenuhi standard safety yang telah ditetapkan.

Salah satu aturannya adalah melakukan pengujian fault test atau yang lebih

dikenal dengan sebutan short / open test pada rangkaian yang memiliki potensi

menimbulkan api jika rangkaian gagal fungsi. Yang dimaksud gagal fungsi di sini

adalah jika ada komponen yang short dengan ground atau komponen yang rusak

sehingga komponen itu open secara elektronik.

Sampai saat ini tidak ada produk Sanyo yang gagal melewati pengujian

short / open test ini. Artinya pada saat dilakukan short / open test, memang ada

beberapa komponen yang rusak tetapi tidak sampai menimbulkan api. Dan ini

menurut standard IEC 60065 diperbolehkan. Tetapi sekalipun secara safety bisa

dikatakan aman dan memenuhi standard, jumlah part yang rusak pada saat short /

open test juga merupakan suatu hal yang sangat diperhatikan oleh Sanyo. Sebab

jumlah part yang rusak pada saat pengujian short / open test merupakan gambaran

yang kurang lebih sama dengan keadaan keluhan pelanggan. Artinya jika pada

saat short / open test banyak part yang rusak maka dapat dipastikan pada

pelanggan pun banyak keluhan tentang banyaknya part yang rusak.

Selanjutnya di bawah ini akan diperlihatkan data short / open dari ketiga

komponen utama rangkaian SMPS.

 61

Tabel 4.5 Fault test SMPS yang menggunakan transistor bipolar

R Lokasi Short / Kondisi Komponen Judgement

Rangkaian open rangkaian rusak

B+ C5 short No power - OK

( 130 V )

24 V C8 short No power - OK

( V-out )

15 V C7 Short No power - OK

( low B )

12 V C6 Short No power - OK

Primer Q1 Short C- No power R1 open OK

Short C- No power R1 open OK

Short B- No power - OK

Open B No power - OK

Open C No power - OK

Open E No power - OK
 62

Tabel 4.6 Fault test SMPS yang menggunakan FET

R Lokasi Short / Kondisi Komponen Judgement

Rangkaian open rangkaian rusak

B+ C7 short No power - OK

( 130 V )

24 V C8 short No power - OK

( V-out )

9V C lowB1 Short No power - OK

( low B )

12 V C Audio Short No power - OK

( Audio )

Primer Q1 Short G- No power Q1,Q2 Q3, OK

D Q4, R5,R7

Short G- No power - OK

Short No power Q1,Q2 Q3, OK

D-S Q4, R5,R7

Open G No power Q1,Q2 Q3, OK

Q4, R5,R7

Open D No power Q1, Q2, Q3 OK

Open S No power - OK
 63

Tabel 4.7 Fault test SMPS yang menggunakan IC hybrid

R Lokasi Short / Kondisi Komponen Judgement

Rangkaian open rangkaian rusak

B+ CB+ short No power - OK

( 130 V )

28 V C 28 V short No power - OK

( V-out )

12 V C 12 V Short No power - OK

(low B )

15 V C 12 V Short No power - OK

(Audio ) peak

Primer Z1 Short No power Z1, R1, R2, OK

1-3 R3

Short No power - OK

3-4

Open 1 No power - OK

Open 3 No power - OK

Open 4 No power - OK

Dari tabel di atas terlihat bahwa semua komponen utama SMPS baik

transistor bipolar, FET maupun IC hybrid ternyata semuanya memenuhi standard

safety IEC 60065. Memang ada beberapa komponen yang rusak tetapi tidak

sampai menimbulkan api. Tetapi data di atas pun memperlihatkan bahwa SMPS
 64

yang menggunakan FET pada saat pengujian fault test ternyata lebih banyak

menyebabkan komponen rusak dari pada SMPS yang menggunakan transistor

bipolar maupun IC hybrid. Data di atas bisa dibaca bahwa kelak jika rangkaian itu

dipasarkan, dapat dipastikan banyak keluhan pelanggan tentang mudah dan

banyaknya part rusak. Dimana banyaknya keluhan pelanggan berarti ada

penambahan biaya dan yang paling dikhawatirkan adalah turunnya penjualan.

Sehingga dari sisi ini ( faut test ), transistor bipolar dan IC hybrid lebih

baik daripada FET.

4.5 Gambar Alat dan Pengukuran

Gambar 4.14 Chassis FC6A

 65

Gambar 4.15 Rangkaian SMPS yang dipotong dari Chassis FC6A

Gambar 4.16 Pengukuran tegangan output dan frekuensi kerja

 BAB V

PENUTUP

5.1 Kesimpulan

Dari data dan analisa terlihat bahwa masing – masing komponen utama

SMPS memiliki kelebihan dan kekurangan sebagaimana berikut :

™ Frekuensi kerja IC hybrid tertinggi ( 62,89 kH ) dari kedua komponen

utama yang lainnya, diikuti FET ( 39,84 kH ) dan transistor bipolar ( 23,

06 kH ).

™ IC hybrid memiliki waktu peralihan atau gulir ON / OFF ( ON= 265 ns,

OFF= 420 ns ) tercepat diantara yang lainnya. Setelah itu baru FET ( ON=

200 ns, OFF= 2,2 μs ) dan yang paling lambat transistor bipolar( ON= 400

ns, OFF= 3,9 μs ).

™ IC hybrid memiliki tegangan output yang paling stabil dibanding yang

lainnya, kemudian FET dan terakhir transistor bipolar

™ Dari segi harga FET yang termurah dari yang lainnya. Tetapi jika dilihat

berdasarkan analisa fault test, FET merupakan potensi menjadi rangkaian

yang termahal karena harus mengeluarkan biaya tambahan untuk

menangani keluhan pelanggan.

™ Interferensi Elekromagnetik yang dihasilkan rangkaian SMPS yang

menggunakan transistor bipolar adalah yang terbaik. Setelah itu baru FET

dan yang terakhir adalah IC hybrid.

67
 67

™ Dari analisa Fault test terlihat bahwa IC hybrid lebih unggul dari yang

lainnya. Ini berarti bahwa IC hybrid memiliki potensi untuk menjadi

rangkaian terhandal di pasaran karena sedikit komponen yang rusak.

5.2 Saran

Dari kesimpulan di atas disarankan untuk pemakaian dan perancangan

SMPS, agar menggunakan IC hybrid sebagai switching, karena memiliki berbagai

keuntungan yang lebih baik baik dari segi teknis maupun ekonomis. Jika ada

beberapa alasan yang tidak memungkinkan pemakaian IC hybrid, maka transistor

bipolar menjadi pilihan kedua. Dan yang terakhir adalah FET.

 DAFTAR PUSTAKA

1. Krisnabayu, Jaim, Analisa Switch Mode Power Supply Dengan

menggunakan FET ( Field Effect Transistor ) Pada Televisi Sanyo,

Universitas Mercubuana, 2004

2. Malvino, Ph. D, Albert Paul, Prinsip – Prinsip Elektronika 1, Edisi kedua,

Penerbit Erlangga Jakarta, 1994.

3. Pantur Silaban, Ph.D, Arvin Grabel, Dasar-dasar Elektroteknik 1, Edisi

Kelima, Penerbit Erlangga Jakarta, 1981.

4. Power supply team, Switch Mode Power Supplies, Reference Manual and

Design Guide, Rev. 2, ON Semiconductor, Apr-2000

5. Switched Mode Power Supplies team, Power Semiconductor Applications,

Philips Semiconductor.

68