Untuk kerja dari transistor ditentukan oleh length (L) dan width (W) dari transistor.
Length adalah jarak antara source dan drain. Sedangkan width adalah lebar dari gate.
Kanal (length) yang lebih pendek jaraknya akan memberikan operasi yang lebih cepat
dari transistor,karena arus akan mengalir dalam jarak yang lebih pendek. Transistor
yang lebih lebar menyediakan arus yang lebih besar, tapi juga memiliki nilai kapasitansi
yang lebih besar, oleh karena itu pilihan terbaik dari width ini tergantung aplikasinya.
sebagian besar berubah setelah chips sampai taraf produksi dan itu tidak
mungkin dirubah. Jadi dalam teknik disain chips banyak melibatkan parameter baik parameter teknik
maupun parameter non teknis dan komersial.
Sebuah disain chips yang umum dikenal dengan ASIC (ApplicationSpecifific Integrated Circuit).
Metode yang lain dari disain chips, diantaranya
cell telah digunakan untuk jumlah rangkaian yang terbatas dan disain yang
cepat. Kebanyakan chips dibuat untuk produk masal, diantarnya microprocessor dan memori.
Inverter memerlukan dua buah transistor NMOS dan PMOS, terhubung bersama satu
sama lain, dan terhubung pula ke sedemikian rupa dan terhubung pula ke VDD dan GND.
Pada NMOS memerlukan substrat type-p, sementara PMOS memerlukan substrat type-n.
Transistor dibangun dari subtrat tunggal, oleh karena itu diperlukan mekanisme
Pendekatan yang biasa dilakukan adalah dengan membuat ”sumur” (well). Ilustrasi ini
ditunjukkan pada gambar-3. Untuk membuat setiap lapisan pada inverter CMOS
Yang paling umum materi digunakan untuk body adalah keramik dan polimer ( plastik ). Yang terakhir
memiliki keuntungan dari jauh lebih murah, tetapi dampak sifat termalnya lebih rendah .Misalnya,
yang keramik ( alumina ) memiliki panas lebih baik dari SiO2 dan polyimide plastik, oleh faktor-faktor
dari 30 dan 100 masing-masing.Selain itu, yang koefisien ekspansi termal hendaknya lebih dekat
secara substansial dengan interconnect logam.Kerugian alumina dan lainnya keramik adalah tinggi,
mereka dielectric konstan, yang berakibat pada besar interconnect capacitances.
Tahap 2:
Difusi Isolasi Pada gambar di bawah ini, lapisan silikon dioksida sudah
dibuang dari permukaan wafer. Pembuangan lapisan silikon dioksida itu
dilakukan dengan menggunakan peralatan etching(pengikisan) dalam proses
fotolitografi. Silikon dioda yang tidak terkikis menjadi penutup/pelindung
dari difusi impuriti akseptor (dalam hal ini, impuriti boron).
Sekarang wafer itu dikenakan pada yang disebut isolation diffusion(difusi
isolasi) yang dilaksanakan pada suhu dan selama selang waktu yang
diperlukan oleh impuriti jenis-p untuk bisa merembes masuk ke dalam
lapisan epitaksial jenis-p dan bisa mencapai substrat jenis-p. Jadi,
menghasilkan bagian-bagian jenis-n seperti yang terlihat pada gambar di
bawah ini.
Difusi Isolasi
Bagian-bagian jenis-n itu dinamakan isolation island, atau isolated region, karena
bagian-bagian jenis-n itu terpisah oleh dua buah back-to-back pn junction. Tujuannya
agar di antara komponen-komponen IC yang berlainan itu terdapat elektrical
isolation (isolasi elektrik). Misalnya, akan menjadi jelas nanti bahwa sebuah isolation
region yang berlainan harus digunakan untuk collector dari setiap transistor yang
terpisah. Substrat jenis-p harus selalu dihubungkan pada sebuah potensial negatip
terhadap isolation island sehingga pn junction menjadi reverse-biased. Jika dioda-
dioda ini menjadi forward-biaseddalam IC yang sedang bekerja, maka, tentu saja,
isolasinya akan lenyap.
jauh lebih besar (dan karena itu diberi tanda p ) dibandingkan dengan yang di bagian
+
adanya kapasitansi itu dapat mempengaruhi bekerjanya IC. Karena, C itu hasil Ts
sampingan yang tidak diinginkan dari proses isolasi, sehingga C disebut kapasitansi
Ts
parasitis.
setelah bawah bagian jenis-n ke substrat, dan C dari sisi samping isolation island ke
2
bagian p .
+
Komponen sebelah bawah, C , timbul akibat dari step junction sehingga berubah
i
berbanding terbalik dengan akar kuadrat tegangan V antara isolation region dengan
substrat.
keliling isolation region kali ketebalan lapisan epitaksial jenis-n, y. Kapasitansi total
itu dalam orde beberapa pikofarad.
Tahap 3:
Difusi Base Di atas wafer dibuat lapisan silikon dioksida baru, dan digunakan lagi
proses fotolitografi untuk menggambar pola pembukaan lubang-lubang seperti
gambar berikut ini.
Difusi Base
Impuriti jenis-p (boron) didifusikan melalui lubang-lubang bukaan itu. Dengan cara
ini dibuat base dari transistor sekaligus membuat resistor, anoda dari dioda, dan
kapasitor junction (bila ada).
Difusi Emiter Sekali lagi di seluruh permukaan wafer dibuat lapisan silikon dioksida,
dilanjutkan proses pemasangan masker dan pengikisan dikerjakan lagi untuk
membuka yang dinamakan window pada bagian jenis-n seperti pada gambar di bawah
ini.
Difusi Emiter
Melalui lubang bukaan ini didifusikan impuriti jenis-n (fosfor) untuk membuat emitter
dari transister, dan bagian katoda dari dioda, serta kapasitor junction (kalau ada).
Window tambahan (seperti W1 dan W2 seperti pada gambar di atas ini) sering dibuat
pada bagian jenis-n, tempat menghubungkan sambungan dengan menggunakan
aluminium sebagai ohmic contact, atau logam interkoneksi.
Selama dikerjakan difusi fosfor pada titik-titik yang akan menjadi tempat-tempat
kontak dengan aluminium, terbentuk suatu konsentrasi yang pekat (yang disebut n . +
Aluminium merupakan impuriti jenis-p dalam silikon, dan konsentrasi fosfor yang
tinggi untuk menghindari terbentuknya pn-junction bila aluminium dicampur untuk
membentukohmic contact.
Metalisasi Aluminium Semua pn-junction dan resistor untuk IC telah selesai dibuat
pada tahap-tahap sebelum ini. Beberapa komponen IC itu sekarang tinggal
diinterkoneksikan sesuai dengan rangkaiannya. Untuk membuat sambungan itu
dilakukan pembuatan lubang-lubangwindow pada lapisan silikon oksida baru dibuat,
seperti pada gamabar di bawah ini, pada titik-titik tempat kontak akan dibuat.
Metalisasi Aluminium
Untuk memproduksi suatu IC yang identik seperti itu dalam jumlah besar (beberapa
ratus) dilakukan manufaktur secara simultan pada wafer tunggal.
Sessudah proses metalisasi selesai, wafer itu dipotong-potong dengan alat yang
berujung berlian, dipisahkan menjadi chip individual. Kemudian setiap chip
diletakkan pada sebuah wafer keeramik dan dipasang pada yang dinamakan header.
Sambungan-sambungan paket dihubungkan pada IC dengan stitch bonding berupa
kawat aluminium atau emas 1 mil dari terminal pad pada IC ke sambungan paket.
Fabrikasi IC Monolitik
Urutan Fabrikasi IC Silikon
5. Jelaskan apa yang dimaksud dengan Design Rule pada Desain IC! Berikan contohnya!
Aturan memberikan satu set desain pedoman untuk membangun berbagai masker dibutuhkan dalam
proses pola di .Mereka terdiri dari minimum-width dan minimum-spacing ikatan dan persyaratan
antara objek pada yang sama atau pada lapisan yang berbeda .
tentang aturan desain yang digunakan oleh MICROWIND. Anda akan menemukan semua nilai aturan
desain umum untuk semua Proses CMOS. Semua itu aturan, seperti serta parameter proses dan
parameter simulasi analog adalah dirinci di sini. Perangkat lunak MICROWIND berfungsi berdasarkan
grid lambda, bukan pada jaringan mikro.
Aturan desain layout mendefinisikan dimensi minimum dari fitur yang dapat
dimanufactur pada chip. Akan lebih mudah mengungkapkan aturan-aturan dalam sebuah
pembuatan chip. Lamdha didefinisikan sebagai separuh panjang minimum dari sebuah
gate transistor. Jika kita membangun layout yang berbasis pada lamdha, maka kita bisa
mengambil desain yang lama yang sudah kita rancang untuk proses yang lebih lama, dan
menskalanya terhadap proses yang lebih baru, hanya dengan mengubah nilai lamdhanya,