BAB I

PENDAHULUAN

1.1 Tujuan Pratikum

1. Memahami cara kerja dari Karakteristik FET
2. Mengukur karakteristik transfer Id = f(Vds) dan keluaran keluarga
karakteristik Id = f(Vgs) untuk sebuah N-Channel PN FET (tipe depletion) dan
menghitung transconductance gm

1.2 Landasan Teori

Keluarga FET yang penting adalah JFET (junction field-effect transistor) dan
MOSFET (metal-oxide semiconductor field-effect transistor). JFET terdiri atas kanal-
P dan kanal-N. JFET adalah komponen tiga terminal dimana salah satu terminal dapat
mengontrol arus antara dua terminal lainnya. JFET terdiri atas dua jenis, yakni kanal-
N dan kanal-P, sebagaimana transistor terdapat jenis NPN dan PNP. Pada umumnya
penjelasan tentang JFET (junction field-effect transistor) adalah kanal-N, karena
untuk kanal-P adalah kebalikannya.

Simbol JFET (Junction Field Effect Transistor)

Simbol JFET (junction field-effect transistor) untuk kanal-N dan kanal-P

ditunjukkan pada gambar diatas. Dalam simbol tersebut, arah tanda panah pada gate
merupakan arah arus pada persambungan seandainya diberi bias maju. Tetapi perlu
diingat bahwa daerah kerja JFET adalah bila persambungan tersebut diberi bias
mundur. Oleh karena itulah, maka arus gate IG adalah nol (sangat kecil) dan
akibatnya resistansi input dari JFET adalah tinggi sekali (dalam orde puluhan
megaohm).

1
Konstruksi JFET (Junction Field Effect Transistor) Kanal N

Konstruksi dasar komponen JFET (junction field-effect transistor) kanal-N adalah

seperti pada gambar diatas. Terlihat bahwa sebagian besar strukturnya terbuat dari
bahan tipe-N yang membentuk kanal. Bagian atas dari kanal dihubungkan ke terminal
yang disebut Drain (D) dan bagian bawah dihubungkan ke terminal yang disebut
Source (S). Pada sisi kiri dan kanan dari kanal-N dimasukkan bahan tipe P yang
dihubungkan bersama-sama ke terminal yang disebut dengan Gate (G).

2
 BAB II
PERCOBAAN

2.1 Alat dan Bahan

Alat dan bahan yang digunakan pada percobaan ini adalah:
a. Power supply DC 1 buah
b. Papan percobaan 1 buah
c. Potensiometer 1 K Ohm 1 buah
d. FET BF 244 1 buah
e. Potensiometer 200 Ohm 1 buah
f. Resistor R = 2.2 K Ohm 1 buah
g. Multitemer analog 2 buah
h. Jumper secukupnya
i. Kabel secukupnya

2.2 Gambar Rangkaian

3
2.3 Langkah Kerja
a. Menyiapkan alat dan bahan yang diperlukan
b. Merangkai rangkaian seperti pada gambar percobaan di atas
c. Menghidupkan power supply DC dan atur tegangan + 15 V , -15 V , 0 V
d. Mencari Nilai Id keluaran karakteristik dengan mengatur tegangan dengan
potensiometer
e. Mencari Nilai Id transfer karakteristik meset tegangan Vds = 7 V dengan
potensiometer
f. Memasukkan Data Percobaan Dalam Tabel dan Membuat Analisa dan
Kesimpulan dari hasil Percobaan

4
 B A B III
HASIL PERCOBAAN

3.1 Hasil percobaan

1. Karakteristik Keluaran
Uds Vgs=0V Vgs=-0.25V Vgs=-0.5V Vgs=-0.75V Vgs= -1V Vgs=-1.25V
(V) Id (mA) Id (mA) Id (mA) Id (mA) Id (mA) Id (mA)
15 4.4 2 1.94 1.24 0.53 0.19
10 4.3 1.99 1.40 1.19 0.51 0.17
5 4.2 1.82 1.35 1.15 0.5 0.16
3 4.1 1.80 1.30 1.10 0.47 0.15
2 4.0 1.75 1.25 1.05 0.45 0.15
1.5 3.4 1.7 1.15 1 0.45 0.15
1 2.22 1.49 0.9 0.8 0.41 0.14
0.5 1.26 0.8 0.73 0.65 0.35 0.1
0 0 0 0 0 0 0

2. Karakter Transfer
Vds = 7 V
Vgs (V) -0 -0.25 -0.5 -0.75 -1 -1.25 -1.50 -1.75 -2
Id (mA) 2.6 2.5 1.70 1.05 0.5 0.15 0.023 0 0

3.2 Analisa Data

Adapun analisa yang didapatkan berdasarkan percobaan ini sebagai berikut :
Pada percobaan pertama pratikan melakukan pengukuran ID untuk mengetahui
karakteristik output pada FET. Pada FET arus (ID) dikendalikan oleh tegangan input
(VGS), hal ini dikarenakan arus yang masuk sama dengan nol. Oleh karena itu FET
merupakan bias mundur, dimana nilai arus output yang didapatkan semakin kecil
sesuai dengan VGS yang telah ditentukan.
Data :
VDS = 15V VGS = 0V ID = 4,4mA
VDS = 15V VGS = -0,25V ID = 2 mA
VDS = 15V VGS = -0,5V ID = 1,94mA

5
 VDS = 15V VGS = -0,75V ID = 1,24mA
VDS = 15V VGS = -1V ID = 0,53mA
VDS = 15V VGS = -1,25V ID = 0,19mA

Sehingga didapatkan hasil untuk kurva karakteristik output sebagai berikut :

Pada percobaan kedua pratikan melakukan pengukuran ID untuk mengetahui

karakteristik transfer pada FET. Adapun karakteristik transfer FET yaitu fungsi IB
terhadap VGS merupakan lengkungan parabola dengan keadaan nilai arus semakin
turun terhadap tegangan.
Dengan kurvanya sebagai berikut :

6
 B A B 1V
PENUTUP

4.1 Kesimpulan
Apapun kesimpulan yang didapatkan berdasarkan percobaan ini sebagai berikut :
1. FET mempunyai fungsi yang hampir sama dengan transistor bipolar
2. Karakteristik FET operasinya bergantung pada aliran pembawa mayoritas saja
3. Mempunyai noise yang lebih rendah dari BJT
4. FET memiliki kelebihan dibandingkan dengan transistor biasa ialah antara
lain penguatannya yang besar, serta desah yang rendah. Karena harga FET
yang lebih tinggi dari transistor, maka hanya digunakan pada bagian-bagian
yang memang memerlukan. Bentuk fisik FET ada berbagai macam yang mirip
dengan transistor.
5. Jenis FET ada dua yaitu Kanal N dan Kanal P. Kecuali itu terdapat pula
macam FET ialah Junktion FET (JFET) dan Metal Oxide Semiconductor FET
(MOSFET).
6. Tidak menunjukkan adanya tegangan selisih perimbangan pada arus

7
 DAFTAR PUSTAKA

http://elektronika-dasar.web.id/teori-elektronika/definisi-dan-konstruksi-jfet-junction-
field-effect-transistor/
http://www.google.co.id/url?sa=t&rct=j&q=&esrc=s&source=web&cd=3&cad=rja&u
act=8&ved=0CC8QFjAC&url=http%3A%2F%2Fermach.staff.gunadarma.ac.id%2FD
ownloads%2Ffiles%2F16147%2FBAB5.pdf&ei=yoUjVJPXAtiSuASVmIFA&usg=A
FQjCNFoYCukwe9Q8__yibVAyum73oDrhA&bvm=bv.76247554,d.c2E