LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA ANALOG

PRAKTIKUM 4
TRANSISTOR: COMMON EMITTER (AMPLIFIER)
Diajukan untuk Memenuhi Salah Satu Tugas Mata Kuliah Praktikum Elektronika
Analog yang Diampu oleh Dandhi Kuswardhana, S.Pd., M.T.

Disusun Oleh:
Agung Purnama Banyu 1804408
Arman Manda Fauzan 1800292
Syahidah Muthi’ah 1806602
Kelompok 8

ELEKTRONIKA INDUSTRI 2018

DEPARTEMEN PENDIDIKAN TEKNIK ELEKTRO
FAKULTAS PENDIDIKAN TEKNOLOGI DAN KEJURUAN
UNIVERSITAS PENDIDIKAN INDONESIA
2020
 DAFTAR ISI

DAFTAR ISI ............................................................................................................ i

DAFTAR GAMBAR .............................................................................................. ii
DAFTAR TABEL .................................................................................................. iii
PRAKTIKUM 4 TRANSISTOR: COMMON EMITTER (AMPLIFIER) ..............1
A. Tujuan .............................................................................................................1
B. Alat dan Bahan ...............................................................................................1
C. Kajian Teoritis ................................................................................................1
D. Prosedur Praktikum ........................................................................................7
E. Analisis ...........................................................................................................9
1. Perhitungan ...............................................................................................9
2. Simulasi ..................................................................................................11
F. Pembahasan ..................................................................................................12
G. Kesimpulan ...................................................................................................16
REFERENSI ................................................................................................................... 17

i
 DAFTAR GAMBAR

Gambar 1 Simbol transistor ....................................................................................2

Gambar 2 Penguat common base ............................................................................3
Gambar 3 Penguat common emitter ........................................................................4
Gambar 4 Penguat common collector .....................................................................5
Gambar 5 Rangkaian common emitter ...................................................................6
Gambar 6 Rangkaian 1 .............................................................................................7
Gambar 7 Rangkaian 2 .............................................................................................8
Gambar 8 Rangkaian 3 .............................................................................................8
Gambar 9 Grafik beban DC ..................................................................................15

ii
 DAFTAR TABEL

Tabel 1 Hasil perhitungan ......................................................................................10

Tabel 2 Hasil simulasi ............................................................................................11
Tabel 3 Perbandingan hasil perhitungan dengan simulasi ....................................12

iii
 PRAKTIKUM 4
TRANSISTOR: COMMON EMITTER (AMPLIFIER)
A. Tujuan
Setelah melaksanakan praktikum ini, mahasiswa dapat memahami rangkaian
konfigurasi transistor common emitter (amplifier).
B. Alat dan Bahan
Bahan: Alat:

• Transistor BD137 1 • Power Supply DC 1

• R1 Resistor 1kΩ 1 • Function Generator 1

• R2 Var-Resistor 10kΩ 1 • Osiloskop 1
• R3 Resistor 10kΩ 1 • Probe 2

• R4 Resistor 1kΩ 1 • Project board 1

• R5 Resistor 47kΩ 1 • Toolkit 1
• RL Var-Resistor 50kΩ 1
• C1, C2 100uF 2
• C3 Elco 470uF 1
C. Kajian Teoritis
Transistor
Transistor adalah salah satu komponen semikonduktor yang memiliki
banyak kegunaan, diantaranya bisa digunakan sebagai penguat, sebagai sirkuit
pemutus dan penyambung (switching), stabilisasi tegangan, modulasi sinyal
atau sebagai fungsi lainnya.
Transistor dapat berfungsi semacam kran listrik, dimana berdasarkan
arus inputnya (BJT) atau tegangan inputnya (FET), memungkinkan pengaliran
listrik yang sangat akurat dari sirkuit sumber listriknya.
Pada umumnya, transistor memiliki 3 terminal, yaitu Basis (B), Emitter
(E) dan Kolektor (C). Tegangan yang di satu terminalnya misalnya Emitter
dapat dipakai untuk mengatur arus dan tegangan yang lebih besar daripada arus
input Basis, yaitu pada keluaran tegangan dan arus output Kolektor.

1
 Gambar 1 Simbol transistor
Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia
elektronika modern. Dalam rangkaian analog, transistor digunakan dalam
amplifier (penguat). Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber
listrik stabil (stabilisator) dan penguat sinyal radio. Dalam rangkaian-rangkaian
digital, transistor digunakan sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa
transistor juga dapat dirangkai sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai
logic gate, memori dan fungsi rangkaian-rangkaian lainnya.
Jenis-Jenis Transistor
Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:
• Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide
• Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface Mount,
IC, dan lain-lain
• Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET,
VMOSFET, MESFET, HEMT, SCR serta pengembangan dari transistor
yaitu IC (Integrated Circuit) dan lain-lain.
• Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau P-channel
• Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power
• Maximum frekuensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF
transistor, Microwave, dan lain-lain
• Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan
lain-lain
Prinsip Kerja Transistor
• Tipe Bipolar
Transistor tipe ini terdiri dari 3 bagian yaitu Basis, collector, emitter. Arus
mengalir dari collector menuju emitter, sedangkan basis adalah
persimpangan yang ada ditengah-tengahnya. Jika basis diberikan
arus/tegangan maka akan membuka jalur sehingga arus bisa mengalir dari

2
 C ke E, dan jika basis tidak mendapat arus/tegangan maka arus tidak bisa
mengalir dari C ke E. Hal sebaliknya juga berlaku pada tipe PNP, dimana
arusnya mengalir dari emitter ke collector.
• Tipe Unipolar/FET
Arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan
depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar di
mana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari
daerah perbatasan ini dapat diubah dengan perubahan tegangan yang
diberikan, untuk mengubah ketebalan kanal konduksi tersebut.
Transistor Sebagai Amplifier
Penggunaan transistor sebagai penguat hanyalah salah satu dari
banyaknya kegunaan dari komponen transistor, yang artinya transistor dapat
membuat sebuah sinyal keluaran menjadi besar yang bisa berupa tegangan,
arus, sinyal audio, baik arus DC maupun DC
Prinsip dasar amplifier atau penguatan sinyal adalah meningkatkan
amplitudo sinyal yang diberikan input yang tentunya saja dalam rangkain driver,
radio RF, instrumen video, dan lainnya.
Berdasarkan sistem pertanahan transistor (grounding) penguat transistor
dibagi menjadi tiga jenis, yaitu:
1. Penguat Common Base
Penguat Common Base adalah penguat yang kaki basis transistor di
groundkan, lalu input di masukkan ke emitter dan output diambil pada kaki
kolektor. Penguat Common Base mempunyai karakter sebagai penguat
tegangan.

Gambar 2 Penguat common base

3
 Penguat common base mempunyai karakter sebagai berikut :
• Adanya isolasi yang tinggi dari output ke input sehingga meminimalkan
efek umpan balik.
• Mempunyai impedansi input yang relatif tinggi sehingga cocok untuk
penguat sinyal kecil (pre amplifier).
• Sering dipakai pada penguat frekuensi tinggi pada jalur VHF dan UHF.
• Bisa juga dipakai sebagai buffer atau penyangga.
2. Penguat Common Emitter
Penguat Common Emitter adalah penguat yang kaki emitter transistor di
groundkan, lalu input di masukkan ke basis dan output diambil pada kaki
kolektor. Penguat Common Emitter juga mempunyai karakter sebagai
penguat tegangan.

Gambar 3 Penguat common emitter

Penguat Common Emitter mempunyai karakteristik sebagai berikut :
• Sinyal outputnya berbalik fasa 180 derajat terhadap sinyal input.
• Sangat mungkin terjadi osilasi karena adanya umpan balik positif,
sehingga sering dipasang umpan balik negatif untuk mencegahnya.
• Sering dipakai pada penguat frekuensi rendah (terutama pada sinyal
audio).
• Mempunyai stabilitas penguatan yang rendah karena bergantung pada
kestabilan suhu dan bias transistor.
3. Penguat Common Collector
Penguat Common Collector adalah penguat yang kaki kolektor transistor di
groundkan, lalu input di masukkan ke basis dan output diambil pada kaki

4
 emitter. Penguat Common Collector juga mempunyai karakter sebagai
penguat arus.

Gambar 4 Penguat common collector

Penguat Common Collector mempunyai karakteristik sebagai berikut :
• Sinyal outputnya sefasa dengan sinyal input (jadi tidak membalik fasa
seperti Common Emitter)
• Mempunyai penguatan tegangan sama dengan 1.
• Mempunyai penguatan arus sama dengan HFE transistor.
• Cocok dipakai untuk penguat penyangga (buffer) karena mempunyai
impedansi input tinggi dan mempunyai impedansi output yang rendah.
Pendalaman Konfigurasi Transistor Common Emitter
Telah dipaparkan pada bagian sebelumnya, bahwa secara umum
terdapat tiga macam konfigurasi transistor, yaitu konfigurasi basis bersama
(common- base), konfigurasi emitter bersama (common-emitter), dan
konfigurasi kolektor bersama (common collector). Istilah bersama dalam
masing-masing konfigurasi menunjuk pada terminal yang dipakai bersama
untuk input (masukan) dan output (keluaran).
Konfigurasi penguat transistor dengan common emitter disebut juga
dengan emitter bersama, artinya konfigurasi common emitter adalah rangkaian
dengan kaki emittor transistor yang terhubung bersama, atau bagian emitter
transistor yang di groundkan. Pada konfigurasi common emitter, bagian basis
transistor digunakan sebagai input, sedangkan bagian kolektor digunakan
sebagai outputnya.
Penguat transistor dengan konfigurasi common emitter merupakan salah
satu konfigurasi yang paling banyak digunakan dibandingkan dengan common

5
base dan common collector, baik itu untuk keperluan audio, video, penguat
frekuensi tinggi dan lain-lain. Hal ini karena penguat dengan konfigurasi
transistor common emitter akan menguatkan arus dan tegangan secara
bersamaan. Sinyal input terhadap output pada common emitter adalah berbalik
fasa.

Gambar 5 Rangkaian common emitter

Pada konfigurasi ini, arus yang mengalir keluar dari transistor harus
sama dengan arus yang mengalir ke transistor karena arus Emitter diberikan
sebagai Ie = Ic + Ib .
Sebagai resistansi beban, RL dihubungkan secara seri dengan kolektor,
gain arus dari konfigurasi transistor Common Emitter cukup besar karena rasio
Ic / Ib, gain arus diberikan simbol Beta (β). Rasio Ic / Ie disebut Alpha (α),
dengan catatan bahwa nilai Alpha akan selalu kurang dari satu.
Karena hubungan listrik antara ketiga arus ini, Ib, Ic, dan Ie ditentukan
oleh konstruksi fisik transistor itu sendiri, setiap perubahan kecil pada Ib, akan
menghasilkan perubahan Ic yang jauh lebih besar. Kemudian, perubahan kecil
arus yang mengalir di dasar akan mengendalikan arus di rangkaian emitter-
collector. Biasanya, Beta memiliki nilai antara 20 dan 200 untuk kebanyakan
transistor tujuan umum. Jadi jika transistor memiliki nilai Beta 100, maka satu
elektron akan mengalir dari terminal dasar untuk setiap 100 elektron yang
mengalir di antara terminal Emitter-Collector .
Dengan menggabungkan α dan β, hubungan matematis antara parameter
ini, arus gain transistor dapat diberikan sebagai:
𝐼𝐶 𝐼𝐶
𝐴𝑙𝑝ℎ𝑎 (𝛼) = 𝑑𝑎𝑛 𝐵𝑒𝑡𝑎 (𝛽) =
𝐼𝐸 𝐼𝐵
𝐼𝐶 = 𝛼. 𝐼𝐸 = 𝛽. 𝐼𝐵
𝛽 𝛼
𝐾𝑎𝑟𝑒𝑛𝑎: 𝛼 = 𝛽=
𝛽+1 1−𝛼

6
 Konfigurasi transistor Common Emitter jenis ini memiliki impedansi
masukan yang lebih besar, gain arus dan daya daripada konfigurasi Common
Base namun gain voltasenya jauh lebih rendah. Konfigurasi Common Emitter
adalah rangkaian penguat pembalik. Ini berarti bahwa sinyal output yang
dihasilkan adalah 180o "diluar fase" dengan input sinyal voltase.
D. Prosedur Praktikum
1) Persiapkan alat dan komponen yang akan digunakan.
2) Rangkai komponen pada project board sesuai dengan gambar rangkaian 1.

Gambar 6 Rangkaian 1
3) Atur tegangan keluaran power supply DC sebesar 10V, kemudian
pasangkan pada rangkaian yang telah disusun.
4) Atur R2 sehingga tegangan pada titik V1 sebesar ½ Vcc (atau sama dengan
5V), kemudian lepas R2 dari project board, dan ukur besar resistansinya.
5) Ukur arus pada basis (IB atau IR2).
6) Tambahkan komponen pada rangkaian seperti pada gambar rangkaian 2.

7
 Gambar 7 Rangkaian 2
7) Atur keluaran function generator menjadi 10mVpp/1kHz (jika tidak
memungkinkan, atur menjadi tegangan minimum pada function generator),
kemudian sambungkan pada rangkaian.
8) Pasang osiloskop pada input dan output rangkaian, ukur tegangan di V1 dan
V2 (output).
9) Perhatikan perbedaan kedua fasa gelombang, catat bagaimana perbedaan
tersebut.
10) Ukur arus kolektor (IC atau IR3).
11) Tambahkan komponen pada rangkaian seperti pada gambar rangkaian 3.

Gambar 8 Rangkaian 3

8
 12) Atur R3 sehingga tegangan pada titik V2’ sebesar ½ V2, kemudian lepas
RL dari project board, dan ukur besar resistansinya.
13) Setelah selesai, kembalikan alat dan komponen ke tempat semula.
E. Analisis
1. Perhitungan
Dengan mengasumsikan bahwa VB = VTH, maka VTH yang
diinstruksikan pada praktikum ini adalah 5V, karena R1
sudah diketahui nilainya, maka R2 dapat dicari dengan
rumus
𝑅2
𝑉𝑇𝐻 = 𝑉𝑐𝑐
𝑅1 + 𝑅2
𝑅2
R2 5= 10
1000 + 𝑅2
10𝑅2
5=
1000 + 𝑅2
5(1000 + 𝑅2) = 10𝑅2
5000 + 5𝑅2 = 10𝑅2
5𝑅2 = 5000
𝑅2 = 1𝑘Ω
𝑉𝑇𝐻 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝑇𝐻 + (𝛽 × 𝑅4)
Besar VBE untuk transistor jenis silicon adalah 0,7V dan
berdasarkan datasheet transistor BD137 memiliki β antara
40-250, asumsi standar β pada transistor adalah 100.
Menggunakan rumus mencari IB dengan terlebih dulu
mencari RTH

IR2 atau IB 𝑅𝑇𝐻 = 𝑅1//𝑅2

𝑅𝑇𝐻 = 1𝑘//1𝑘
𝑅𝑇𝐻 = 500Ω
Maka,
5 − 0,7
𝐼𝐵 =
500 + (100 × 1000)
4,3
𝐼𝐵 =
100.500

9
 𝐼𝐵 = 42,7µ𝐴
Tegangan di titik V1 yang terhitung (karena V1 sudah
V1 pasti bernilai 5V), maka dalam Vp-p besar V1 adalah
1,4Vp-p
𝑉2 𝑎𝑡𝑎𝑢 𝑉𝑅𝐶 = 𝐼𝐶 × 𝑅𝐶
𝑉2 = 𝐼𝐶 × 𝑅𝐶
V2 𝑉2 = 4,27𝑚 × 10𝑘
𝑉2 = 1,5𝑉𝑝−𝑝
𝑉𝑜𝑢𝑡 𝑉2
𝐴𝑣 = =
𝑉𝑖𝑛 𝑉1
1,5
Gain 𝐴𝑣 =
1,4
𝐴𝑣 = 1,07𝑥
Phasa input Penguat emitter seharusnya memiliki perbedaan fasa
dan output input dan ouput sebesar 180o
𝐼𝐶 = 𝐼𝐵 × 𝛽
IR3 atau IC
𝐼𝐶 = 42,7µ × 100
𝐼𝐶 = 4,27𝑚𝐴
Karena membutuhkan V2’ setengah dari V2, dan RL’
menggunakan resistor variable, maka dapat diasumsikan
R L’
jika besar resistor variable adalah 50kΩ, resistansi beban
yang dibutuhkan adalah setengahnya yaitu 25kΩ.
Tabel 1 Hasil perhitungan

10
2. Simulasi

R2 R2 berada di 40% dari 10k, sehingga besar R2 adalah

4kΩ.
IR2 atau IB Arus basis yang terukur adalah 1,28mA.
V1 Terlihat pada display pengukuran bahwa besar V1 adalah
241mVp-p.
V2 Hanya berbeda beberapa satuan, besar V2 = 243mVp-p.
𝑉𝑜𝑢𝑡 𝑉2
𝐴𝑣 = =
𝑉𝑖𝑛 𝑉1
243
Gain 𝐴𝑣 =
241
𝐴𝑣 = 1,008𝑥
Phasa input Terlihat pada display osiloskop bahwa kedua
dan output gelombang berbeda fasa, kurang lebih sebesar 30o
IR3 atau IC Arus kolektor yang terukur adalah 0,557mA.

11
 Besar V2’ tidak memenuhi setengah dari V2, sehingga

R L’ diambil nilai RL yang paling mendekati untuk

memenuhi V2’ yaitu 50kΩ.
Tabel 2 Hasil simulasi
F. Pembahasan
Perhitungan Simulasi
R2 1kΩ 4kΩ
IB 42,7µA 1,28µA
V1 1,4Vp-p 241mVp-p
V2 1,5Vp-p 243mVp-p
Gain 1,07x 1,008x
Beda Fasa 180o 30o
IC 4,27mA 0,557mA
R L’ 25kΩ 50kΩ
Tabel 3 Perbandingan hasil perhitungan dengan simulasi
R2
Hasil R2 pada simulasi memang berbeda namun memiliki selisih yang lebih
dekat daripada besar R2 pada hasil perhitungan. Hasil perhitungan
menunjukkan hasil ideal daripada suatu rangkaian, bisa jadi hal itu sangat
berbeda ketika simulasi, karena bisa jadi ada banyak hal yang mempengaruhi
perbedaan pada hasil simulasi.

12
Analisis mengenai perbedaan antara perhitungan dan pengukuran juga
dikemukakan pada jurnal Experimental Erros and Uncertainty oleh G. A.
Carlson yang menyatakan bahwa tidak ada suatu besaran fisik yang bisa
diukur dengan kepastian yang sempurna, pasti akan selalu ada error pada
setiap pengukuran. Contohnya, kita bisa saja mendapatkan hasil yang
berbeda pada kedua kali pengukuran besaran yang sama. Kemudian
bagaimana kita mendapatkan hasil yang tepat pada suatu besaran?
Singkatnya adalah kita tidak akan bisa, yang bisa dilakukan hanya
mengurangi error dan keyakinan bahwa pengukuran yang kita lakukan
adalah aproksimasi yang paling mendekati hasil yang sebenarnya.
Pendapat ini berlaku juga untuk perbedaan antara pengukuran besaran
kelistrikan pada rangkaian dengan perhitungan. Meskipun begitu, kisaran
resistansi dari keduanya memiliki selisih yang tidak terlalu besar, keduanya
masih berada di kisaran kilo-ohm.
IB
Hasil simulasi dengan hasil perhitungan (selisih lumayan jauh, dari mili ke
mikro). Hal ini bisa terjadi karena banyak hal, selain hasil perhitungan
merupakan hasil ideal yang tidak mempertimbangkan kondisi
sesungguhnya, nilai β pada suatu transistor juga berpengaruh. Transistor
BD137 memiliki kisaran β diantara 40-250 (terdapat pada datasheet,
terlampir di bagian lampiran) dan pada perhitungan, kami menggunakan
nilai β standar yaitu 100. Sedangkan pada kenyataannya, nilai β bisa berapa
saja diantara kisaran itu (tidak selalu harus 100).
Artikel yang berjudul Transistor Temperature Stability di website
HyperPhysics memaparkan bahwa transistor kenaikan suhu akan
berpengaruh pada arus kolektor, dan besar β dipengaruhi oleh arus basis dan
kolektor. Sehingga hal ini bisa menjadi salah satu faktor mengapa hasil
simulasi dan hasil perhitungan berbeda, karena hasil perhitungan tidak
mengaproksimasi bagaimana pengaruh suhu saat praktikum.
V1

13
Hasil perhitungan berbeda dengan hasil simulasi. Karena V1 merupakan
tengangan input yang terukur pada osiloskop, maka hasil simulasi
didapatkan dari bentuk gelombang yang ditampilkan osiloskop.
Dalam forum diskusi online Researchgate.net, seseorang menanyakan
mengenai mengapa hasil simulasi dan hasil praktikum memiliki
perbandingan yang cukup jauh. Kemudian, salah seorang peserta forum
mengemukakan bahwa simulasi tidak selalu menghasilkan hasil yang akurat,
karena bekerja pada manipulasi logika. Sedangkan hasil analisis lebih akurat
karena diperoleh dengan perhitungan manipulasi matematis. Sehingga
penjelasan ini bisa menjadi salah satu faktor mengapa terjadi perbedaan
diantara kedua besaran tersebut.
V2
Sama halnya dengan V1 bahwa hasil perhitungan berbeda dengan hasil
simulasi. Juga telah dipaparkan salah satu alasan mengenai perbedaan ini
pada bagian analisis V1.
Hasil V2 tampak lebih besar sedikit (nol koma sekian), karena memang
penguatan tegangan transistor jenis ini tidak begitu besar. Penguatan berkisar
diantara 1-3 kali, sehingga hasil demikian memang seharusnya seperti itu.
Gain
Hasil keduanya, hampir sama, yaitu berkisar diantara 1x. Hal ini juga telah
dijelaskan pada bagian sebelumnya bahwa penguatan tegangan pada
transistor jenis ini, hanya berkisar diantara 1-3 kali penguatan saja.
Fasa input dan output
Perbedaan fasa pada hasil simulasi berbeda dengan hasil perhitungan karena
secara teoritis seharusnya penguat jenis ini menghasilkan output yang
berbeda fasa 180o dengan input. Perbedaan yang sangat mencolok ini bisa
disebabkan banyak hal, misalnya kesalahan rangkaian, ataupun input ac yang
terlalu besar, atau faktor lainnya.
Pada forum Electrical Engineering Stack-Exchange, dibahas mengenai
mengapa output pada rangkaian common emitter yang disimulasikan tidak
sesuai seperti seharusnya. Salah satu peserta diskusi memberi jawaban
bahwa, ketidaksesuaian gelombang tersebut terjadi karena input ac yang

14
diberikan terlalu besar. Sebaiknya, input ac yang diberikan kurang dari
1Vp-p. Hal ini menjelaskan mengapa bentuk gelombang tidak sesuai secara
teoritis,
IC
Hasil simulasi dengan hasil perhitungan terjadi selisih yang cukup jauh.
Sudah dipaparkan sebelumnya, bahwa hasil perhitungan merupakan kondisi
ideal. Seharusnya secara teoritis berdasarkan rumus β (apabila nilai β adalah
100), maka IC setidaknya harus 100x lebih besar daripada IB. Pada
perhitungan, kondisi ini terpenuhi. Sedangkan pada simulasi, kondisi ini
tidak terpenuhi, karena ternyata IC yang seharusnya lebih besar dari IB, yang
terjadi adalah sebaliknya, IC menurun beberapa nol koma dari IB. Kami
belum menemukan sumber ilmiah mengenai hal ini, tetapi kami berpendapat
bahwa hal ini bisa saja terjadi karena banyak hal misalnya kesalahan
rangkaian, kesalahan pembacaan, kondisi simulasi yang bukan merupakan
kondisi ideal, dan lainnya.
RL’
Besar nilai resitansi hasil simulasi dengan hasil perhitungan berbeda. Hasil
perhitungan merupakan kondisi ideal, dimana V2’ memenuhi setengah V2,
sehingga nilai resistansinya pun secara teoritis akan setengah dari resistor
variable yang digunakan.
Grafik Beban DC

Gambar 9 Grafik beban DC

15
 Garis lurus merupakan garis beban DC-nya, dan perpotongan antara arus
pada IC dan tegangan pada VCE akan selalu terletak pada garis beban DC
tersebut. Seharusnya titik Q berada di pertengahan garis beban DC, tetapi
grafik ini dibuat berdasarkan hasil perhitungan, sehingga besaran yang
tercantum adalah besaran hasil perhitungan, adapun mengapa hal ini terjadi
telah dipaparkan di bagian analisis.
G. Kesimpulan
Berdasarkan hasil pengamatan pada percobaan rngkaian penguat common
emitter, maka dapat diambil kesimpulan sebagai berikut:
1. Penguat common-emitter menggunakan transistor BD137 mempunyai
gain/penguatan yang rendah, dalam praktikum ini hanya 1 kali
penguatan.
2. Penguat common-emitter seharusnya memiliki beda fasa 180o (inverting)
namun dalam praktikum ini, beda fasa tidak sesuai dengan teori. Hal ini
sudah dijelaskan pada bagian analisis.
3. Arus di kolektor yang seharusnya lebih besar daripada arus di basis, yang
terjadi pada praktikum adalah sebaliknya. Selain itu, V2’ tidak mencapai
setengah V2, perihal perbedaan antara hasil prakitkum dan hasil
perhitungan juga sudah dipaparkan pada bagian analisis.

16
 REFERENSI

G. A. Carlson. 2002. Experimental Erros and Uncertainty.

Transistor Temperature Stability, HyperPhysics
Forum diskusi online: Researchgate.net, Electrical Engineering Stack-Exchange
https://datamu.wordpress.com/2011/06/13/transistor-sebagai-penguat/
https://elektroku.com/pengertian-transistorjenisfungsidanprinsip-kerjanya/
https://id.wikipedia.org/wiki/Transistor
https://skemaku.com/jenis-konfigurasi-transistor-sebagai-penguat/
http://panduanteknisi.com/penggunaan-transistor-sebagai-penguat.html
http://staffnew.uny.ac.id/upload/131666733/pendidikan/Elektronika+Teori+dan+
Penerapan-BAB3-sc.pdf
http://www.tespenku.com/2018/02/karakteristik-transistorbipolar.html

17