LAPORAN PRAKTIKUM

LABORATORIUM ELEKTRONIKA ANALOG

PERCOBAAN X
KARAKTERISTIK TRANSISTOR COMMON EMITTER

Nama Praktikan : Nabila Mutiara Anjani (1314030007)

Nama Rekan Kerja : 1. Desti Mutia (1314030044)
2.M Yoga Arie S (1314030062)
\

Kelas/Kelompok : TT-3B/ 01
Tanggal Pelaksanaan Praktikum : 27 Oktober 2015
Tanggal Penyerahan Laporan : 4 November 2015

TEKNIK TELEKOMUNIKASI
POLITEKNIK NEGERI JAKARTA
2015

Politeknik Negeri Jakarta | 1

 DAFTAR ISI
Halaman
COVER ....…………………………………………….......………………………………...,1
DAFTAR ISI …………………………………….......……………………………………....2
1.1. TUJUAN..…………………………………………………………………………....…. 3
1.2. DASAR TEORI ..……………………………………………………………………..... 3
1.3. ALAT-ALAT YANG DIGUNAKAN...………………………………………….…......7
1.4. CARA MELAKUKAN PERCOBAAN.………..………………………………….. .....7
1.5. DATA HASIL PERCOBAAN……………………...……………………………..........8
1.6. ANALISA ……………………...…………………….....................................……......10
1.7. KESIMPULAN ....………………………………………...……………………….......15
LAMPIRAN
DAFTAR PUSTAKA

Politeknik Negeri Jakarta | 2

 PERCOBAAN 10

KARAKTERISTIK TRANSISTOR COMMON EMITTER

1.1 TUJUAN :

1. Mempelajari karakteristik input transistor dalam konfigurasi Common Emitter

2. Mempelajari Karakteristik output transistor dalam konfigurasi Common Emitter
3. Mempelajari ciri-ciri harga adari resistansi input, resistansi output, dan penguatan
arus transistor dalam konfigurasi Common Emitor

1.2 DASAR TEORI

Gambar 1. Rangkaian Common Emitter

Hal Terpenting dari hubungan transistor common emitter (CE) adalah bagaimana
menemukan kurva karakteristik dari input dan outputnya. Input karakteristik dapat
direncanakan dengan perubahan arus basis Ib dan tegangan basis – emitter Vbe pada
tegangan Vce yang konstan.
IB=f (Vbe); Vce= konstan

Politeknik Negeri Jakarta | 3

Konfigurasi transistor emiter :

Gambar.2 Konfigurasi transistor emiter

Apabila dimasukan kedalam persamaan

IE = IC+IB

Maka diperoleh

α
β=
( α +1)

β
α=
( β +1)
Dengan memasukan arus bocor ICBO kedalam perhitungan, maka besarnya arus IC
dalam kaitannya dengan αadalah IC = αIE+¿ICBO .

Politeknik Negeri Jakarta | 4

 Gambar 3. (a) Kurva Karakteristik Input, (b) Kurva Karakteristik Output

Pada daerah (kurva) linier dioda basis-imitor mendapatkan bias maju, oleh karena itu
karakteristik pada daerah ini menyerupai dioda yang mendapat bias maju.Jadi untuk
mengoperasikan dioda emitor-basis pada konfigurasi CE ini hanya memerlukan arus yang
relative kecil dan tahanan dinamis dioda tersebut jauh lebih besar dari tahanan dioda kolektor-
basis.Jika basis-kolektor diberikan revers-bias kurva karakteristik inputnya akan bergeser ke
kanan (Gb.3.a)

Untuk mengoperasikan transistor pada daerah linier dioda kolektor-basis harus

mendapatkan revers-bias dan output karakteristiknya diperlihatkan pada (Gambar 3.b).
setiap kurva karakteristik output digambarkan dengan perubahan Vce dan Ic untuk
beberapa harga Ib yang tetap.
Ic=f (Vce); Ib= konstan

Pada Ib = 0 (basis terbuka) terjadi arus Ic. Dimana hal ini disebabkan olej
adanya arus bocor pala kolektor-emitor, arus bocor ini dituliskan sebagai Ice0. Jika Ib
bertambah, Ic bertambah pula dan perubahan arus Ic jauh lebih besar dari Ib nya.
. βdc disebut penguatan DC nya, yaitu merupakan perbandingan dari arus
kolektor Ic dan arus basis Ib dimana transistor beroperasi.
Ic
βdc=
Ib

Contoh : Pada Ib = 20µA (pada titik Q) Ic =2mA

Maka βdc = Ic / Ib = 2mA/ 20μA = 100 kali
βdc sangat bergantung pada Vce.

Politeknik Negeri Jakarta | 5

Output karakteristik CE dapat dibagi menjadi 3 bagian :
1. Adalah daerah jenuh dimana IC maksimum pada VCE yang kecil saja.
2. Merupakan bagian linier yaitu daerah operasi normal dari transistor
3. Daerah mati (cut off) dimana Ic mendekati 0 (nol untuk berbagi Vce

Gambar 4. Karakteristik Common Emitter

Risistansi dinamik dari output dapat dicari dengan menggunakan Gambar.1

Resistansi dinamik pada suatu titik merupakan perbandingan dari perubahan Veb
dengan perubahan arus Ib di sekitar titik tersebut.
Jadi Resistansi dinamik, Rd:
Veb
Rd=
Ib

Penguatan arus didefenisikan sebagai perbandingan arus output dan arus input
Ic
Ai=β=
Ib
Yang perlu diperhatikan bahwa β tergantung dari besarnya Vce. penguatan arus CE ada
hubungannya dengan penguatan arus pada CB (α).
Dimana,
β
α=
( β +1)
Resistansi output Rout merupakan perbandingan dari tegangan output VCE dan arus
output Ic.
Vce
R out=
Ie

Politeknik Negeri Jakarta | 6

1.3 ALAT-ALAT YANG DIGUNAKAN

1. DC Power Supply Pascal PS 5004A : 1 buah

2. Resistor 100 KΩ : 1 buah
3. Resistor 1 KΩ : 1 buah
4. Transistor NPN BC 107 : 1 buah
5. Mulitimeter Analog YX-360TF : 1 buah
6. Multimeter Digital C.A 504 : 1 buah
7. Kabel-kabel penghubung : 3 buah

1.4 CARA MELAKUKAN PERCOBAAN

Karakteristik Input

Gambar 5
1. Menghubungkan rangkaian seperti pada Gambar 5
2. Mengatur VCC sehingga VCE = 0 V. Kemudian mengatur V BB= 0.5 V. Mengukur
IB dan VBE. Mencatat hasilnya pada Tabel 1
3. Mengubah VCE = 2 V. Kemudian mengukur ulang IE dan VBE
4. Mengulang pengukuran untuk harga VCE dan VBE yang lain.

Politeknik Negeri Jakarta | 7

Karakteristik Output

Gambar 6.

1. Menghubungkan rangkaian seperti gambar

2. Mengatur Vcc sehingga VCE = 0V
3. Mengatur VBB sehingga IB= 0µA. Mengukur Ic dan mencatat hasilnya pada
Tabel 2
4. Mengubah VCE = 10 V. Mengulangi langkah 3
5. Mengulang pengkururan ini untuk harga VCE dan IC yang lain

Politeknik Negeri Jakarta | 8

 1.5 DATA HASIL PERCOBAAN
No.Percobaan :10

Judul : KARAKTERISTIK TRANSISTOR COMMON EMITTER

Pelaksana Praktikum :27 Oktober 2015 Penyerahan Laporan : 4November 2015

Mata Kuliah : Lab. Elka Analog Nama Praktikan : Nabila Mutiara

Kelas/kelompok : TT-3B/ 01 Nama Rekan Kerja : Desti Mutia

Tahun Akademik : 2015 M.Yoga Arie

Sadewo

Tabel 1. Karakteristik Input

VBB VCE = 0V VCE = 2V VCE = 4V VCE = 6V VCE = 8V

(V)
IB VBE IB VBE IB VBE IB VBE IB VBE
(µA) (V) (µA) (V) (µA) (V) (µA) (V) (µA) (V)
0,5 0 0.414 0 0.5 0 0.505 0 0.505 0 0.504

0,75 0.2 0.445 0.2 0.583 0.2 0.582 0.2 0.582 0.2 0.582

1,0 0.6 0.47 0.6 0.62 0.6 0.622 0.6 0.622 0.6 0.622

2,0 16 0.507 16 0.64 16 0.637 16 0.633 16 0.626

4,0 36 0.529 36 0.642 36 0.642 36 0.642 36 0.642

6,0 56 0.544 56 0.643 56 0.643 56 0.643 56 0.643

Politeknik Negeri Jakarta | 9

Tabel 2. Karakteristik Output

VCE (V) IB = 0 µA IB = 10 µA IB = 20 µA IB = 30 µA IB = 40 µA
IC (mA) IC (mA) IC (mA) IC (mA) IC (mA)
0 0 4.2 µA 4.5µA 4.3µA 4µA
2 0 2 4.2 6.2 7.7
4 0 2 4.2 6.2 8.2
6 0 2 4 6 8.2
8 0 2 4 6.3 8.4

Politeknik Negeri Jakarta | 10

1.6 ANALISA

Berdasarkan tabel 1 dari percoban yang dilakukan, rangkaian yang digunakan

adalah rangkaian emitor transistor. Rangkaian tersebut berguna untuk mengetahui
karakteristik input dari transistor dari transistor NPN. Pertama membuat rangkaian
sesuai dengan yang ada pada gambar 5. Lalu mengatur tegangan input VCC hingga
tegangan terukur pada multimeter di titik VCE 0 V. Lalu mengatur VBB 0.5 V .

Melakukan beberapa percobaan dengan nilai input VCE dan VBB yang
berbeda-beda, maka dapat dianalisis bahwa arus pada (Ib) semakin besar nilai input
tegangan Vbb akan semakin besar juga Vbe nya namun tidak melebihi tegangan
maksimum dari transistor itu sendiri 0.7 V. Bila nilai melebihi 0.7 V maka akan
mengalami titik saturasi/ jenuh. Juga walaupun tegangan input Vbb dan VCE sebesar
0 v namun arus Ic tidak semerta-merta = 0 A, walaupun sedikit namun ada kisaran
pada µA

Sedangkan pada tabel 2, menggunakan rangkaian karakteristik output

transistor. Rangkaian sama dengan input yang berbeda hanyalah cara pengukurannya.
Pertama mengatur Vbb sehingga pada titik pengukuran Vce sebesar 0 v. Lalu
mengatur pula Vbb hingga Ib = 0 A. Hingga seterusnta sesuai nilai yang dicara pada
tabel percobaan. Setelah melakukan percobaan dapat dianalisis bahwa semakin besar
nilai IB pada grafik, maka semakin besar pula nilai Ic nya

1. Gambarkan pada kertas grafik kurva karakteristik input transistor konfigurasi

common emiter dari data tabel 1
2. Gambarkan pada kertas grafik kurva karakteristik output transistor konfigurasi
common emiter dari data tabel 2
3. Hitunglah harga resistansi input dari data tabel 1
4. Hitunglah harga resistansi output dan penguatan arus dari tabel 2
5. Apakah ada perbedaan karakteristik transistor pada konfigurasi common basis dan
konfigurasi common emiter?

Politeknik Negeri Jakarta | 11

Penjelasan

1. Grafik kurva karakteristik input transistor konfigurasi common emiter dari data
tabel 1
3

2.5

2
VCE = -8 V
VCE = -6 V
1.5
VCE = -4 V
VCE = -2 V
1 VCE = 0 V

0.5

0
0.5 0.75 1 2 4 6

Politeknik Negeri Jakarta | 12

2. Kurva karakteristik output transistor konfigurasi common emiter dari data tabel 2
14

12

10

IB = -40 µA
8
IB = -30 µA
IB = -20 µA
6 IB = -10 µA
IB = 0 µA
4

0
0 2 4 6 8

3. Dari tabel data hasil grafik karakteristik masukan transistor common emiter.
Dapat kita peroleh bahwa besarnya hie (impedansi masukan dengan keluaran
terhubung singkat vo= 0 )dan hie (nisbah tegangan baik masukan dengan masukan
terbuka ii=0 )

ΔV BE
hre = /I
V CE B( q )
yaitu perubahan VBE jika VCE berubah sebesar VCE pada

nilai arus IB(q). Dari gambar diatas (pada gambar soal nomor 1) ΔV BE = 0,7 -

0,62 = 0,08 V dan

V CE = 8 V, maka:

ΔV BE 0 , 08
hre = /I = =0 , 01
V CE B( q ) 8

Danmemiliki nilai hib sebagai berikut ::

Dari gambar di atas (pada gambar soal nomor 1) ΔV BE = 0,7 - 0,61 = 0,09

V dan ΔI B = 5,2 – 1 = 4,2 mA , maka:

Politeknik Negeri Jakarta | 13

 ΔV BE 0 , 09
hie = /V = =0 , 0214
ΔI B CE ( q ) 4,2

Dan nilai resistansi inputnya :

RB 1
R¿ = = =0 ,021
hie 0,0214

4. Dari tabel data dan hasil grafik karakteristik transistor common emiter, dapat kita
peroleh besarnya hfe (nisbah arus maju dengan keluaran terhubung singkat vo=0)
dan hoe (admitansi keluaran dengan masukan terbuka ii=0).
ΔI C ΔI C
h fe= / ΔV =0 = /V
ΔI B CE ( q)
CE
( I B −I B
2 1 ) yaitu beda arus kolektor dibagi

ΔI C
hoe = /
dengan arus basis pada titik q. Parameter ΔV CE ΔI B=0 adalah kemiringan
IC(VCE) pada titik q yaitu kemiringan lengkung ciri statik ada titik q pada IB(q) dan
VCE(q).
ΔI C ΔI C 11 ,5−6,5
h fe= / ΔV =0 = /V = =−0 ,,5
ΔI B CE ( q)
CE
( I B −I B )
2 1
−20−(−10)

ΔI C 11, 8−10 ,75

hoe = / ΔI = =−0 , 525
ΔV CE B=0 −5−(−3 )
Dan nilai resistansi output dan penguatan arusnya :
RO =RC =1 kΩ
−hfe RB −(−0,5). 10
Ai = = =0,4989
(R B +hie) ( 10+0,0214)

5. Ada perbedaannya, antara lain karakteristik pada konfigurasi basis bersama adalah
hubungan antara VBE dengan IE, sedangkan pada konvigurasi emitor bersama
adalah hubungan antara VBE dengan IB.
Konfigurasi common emiter memiliki resistansi input yang sedang,
transkonduktansi yang tinggi, resistansi output yang tinggi dan memiliki
penguatan arus (AI) serta penguatan tegangan (AV) yang tinggi.

Politeknik Negeri Jakarta | 14

 Konfigurasi common basis memiliki resistansi input yang kecil dan menghasilkan
arus kolektor yang hampir sama dengan arus input dengan impedansi yang besar.
Konfigurasi ini biasanya digunakan sebagai buffer.

1.7 PERHITUNGAN

Tabel 1 Karakteristik Input (Resistansi Input)

1. VCE = 0 Volt
V BE 0,414
a. VBB = -0,5 Volt R 1= = =0 MΩ
IB 0
V BE 0,445
b. VBB = -0,75 Volt R2= = =2.07 MΩ
I B 0,2 x 10−6
V BE 0,47
c. VBB = -1,0 Volt R 3= = =0,78 MΩ
I B 0.6 x 10−6
V BE 0,507
d. VBB = -2,0 Volt R4 = = =0.032 MΩ
I B 16 x 10−6
V BE 0,529
e. VBB = -4,0 Volt R 5= = =14,7 KΩ
I B 36 x 10−6
V BE 0,544
f. VBB = -6,0 Volt R 5= = 9.17 KΩ
I B 56 x 10−6
2. VCE = -2 Volt

V BE 0,5
a. VBB = -0,5 Volt R 1= = =0 Ω
IB 0

V BE 0.583
b. VBB = -0,75 Volt R 2= = 2.91 MΩ
I B 0.2 x 10−6

V BE 0,62
c. VBB = -1,0 Volt R 3= = =1.03 MΩ
I B 0.6 x 10−6

V BE 0,64
d. VBB = -2,0 Volt R4 = = =40 KΩ
I B 16 x 10−6

V BE 0,642
e. VBB = -4,0 Volt R 5= = =17.8 KΩ
I B 36 x 10−6

Politeknik Negeri Jakarta | 15

 V BE 0,643
f. VBB = -6,0 Volt R 5= = =11.5 KΩ
I B 56 x 10−6

3. VCE = - 4 Volt

V BE 0,505
a. VBB = -0,5 Volt R 1= = =0 Ω
IB 0

V BE 0,582
b. VBB = -0,75 Volt R2= = =2.9 MΩ
I B 0.2 x 10−6

V BE 0,622
c. VBB = -1,0 Volt R 3= = =1.03 MΩ
I B 0.6 x 10−6

V BE 0,632
d. VBB = -2,0 Volt R4 = = =39 KΩ
I B 16 x 10−6

V BE 0,642
e. VBB = -4,0 Volt R 5= = =17.8 KΩ
I B 36 x 10−6

V BE 0,643
f. VBB = -6,0 Volt R 5= = =11.
I B 56 x 10−6

4. VCE = -6 Volt

V BE 0,4
a. VBB = -0,5 Volt R 1= = =6.67 MΩ
I B 0,06 x 10−6

V BE 0,6
b. VBB = -0,75 Volt R2= = =0,03 MΩ
I B 16,5 x 10−6

V BE 0,65
c. VBB = -1,0 Volt R 3= = =0,01 MΩ
I B 59,5 x 10−6

V BE 0,65
d. VBB = -2,0 Volt R4 = = =3,81 KΩ
I B 170,5 x 10−6

V BE 0,69
e. VBB = -4,0 Volt R 5= = =1,56 KΩ
I B 440 x 10−6

Politeknik Negeri Jakarta | 16

 V BE 0,71
f. VBB = -6,0 Volt R 5= = =1,02 KΩ
I B 0,69 x 10−3

5. VBC = -8 Volt

V BE 0,4
a. VBB = -0,5 Volt R 1= = =8 MΩ
I B 0,05 x 10−6

V BE 0,6
b. VBB = -0,75 Volt R2= = =0,03 MΩ
I B 15,1 x 10−6

V BE 0,65
c. VBB = -1,0 Volt R 3= = =0,01 MΩ
I B 57 x 10−6

V BE 0,65
d. VBB = -2,0 Volt R4 = = =3,8 KΩ
I B 171,5 x 10−6

V BE 0,69
e. VBB = -4,0 Volt R 5= = =1,62 KΩ
I B 425 x 10−6

V BE 0,71
f. VBB = -6,0 Volt R 5= = =1,2 KΩ
I B 0,59 x 10−3

Tabel 2 Karakteristik Output (Resistansi Output)

1. VCE = 0 Volt
a. IB = 0 µA
V CE 0
RO = = =0 Ω
IC 0

b. IB = -10 µA
V CE 0,1
RO = = =0 Ω
IC 0
c. IE = -20 µA
V CE 0,1
RO = = =0 Ω
IC 0
d. IE = -30 µA

Politeknik Negeri Jakarta | 17

 V CE 0,1
RO = = =0 Ω
IC 0
e. IE = -40 µA
V CB 0,3
RO = = =0 Ω
IC 0
2. VCE = - 2 Volt
a. IE = 0 µA
V CE 2
RO = = =20 M Ω
I C 0.1 x 10−6
b. IE = -10 µA
V CE 2
RO = = =1,33 K Ω
I C 1,5 x 10−3
c. IE = -20 µA
V CE 2
RO = = =1 K Ω
I C 2 x 10−3
d. IE = -30 µA
V CE 2
RO = = =1 K Ω
I C 2 x 10−3
e. IE = -40 µA
V CE 2
RO = = =1 M Ω
I C 2 x 10−3

3. VCE = - 4 Volt
a. IE = 0 µA
V CE 4
RO = = =40 M Ω
I C 0.1 x 10−6
b. IE = -10 µA
V CE 4
RO = = =2 K Ω
I C 2 x 10−3
c. IE = -20 µA
V CE 4
RO = = =1,6 K Ω
I C 2,5 x 10−3

d. IE = -30 µA

Politeknik Negeri Jakarta | 18

 V CE 4
RO = = =1,6 K Ω
I C 2,5 x 10−3
e. IE = - 40 µA
V CE 4
RO = = =1,6 K Ω
I C 2,5 x 10−3
4. VBC = - 6 Volt
a. IE = 0 µA
V CE 6
RO = = =20 M Ω
I C 0.3 x 10−6
b. IE = 10 µA
V CE 6
RO = = =1,76 K Ω
I C 3,4 x 10−3
c. IE = 20 µA
V CE 6
RO = = =1,5 K Ω
I C 4 x 10−3
d. IE = 30 µA
V CE 6
RO = = =1,5 K Ω
I C 4 x 10−3
e. IE = 40 µA
V CE 6
RO = = =1,5 K Ω
I C 4 x 10−3
5. VBC = -8 Volt
a. IE = 0 µA
V CE 8
RO= = =20 M Ω
I C 0.4 x 10−6
b. IE = 10 µA
V CE 8
RO = = =2,16 K Ω
I C 3,7 x 10−3
c. IE = 20 µA
V CE 8
RO = = =1,45 K Ω
I C 5,5 x 10−3
d. IE = 30 µA
V CE 8
RO = = =1,06 K Ω
I C 7,5 x 10−3
e. IE = 40 µA

Politeknik Negeri Jakarta | 19

 V CE 8
RO = = =1,06 K Ω
I C 7,5 x 10−3

Tabel 2 Karakteristik Output (Penguatan Arus)

1. VCE = 0 Volt
a. IB = 0 µA
IC 0
Ai = = =0 kali
IB 0
b. IB = 10 µA
IC 0
Ai = = =0 kali
I B 10 x 10−6
c. IB = 20 µA
IC 0
Ai = = =0 kali
I B 20 x 10−6
d. IB = 30 µA
IC 0
Ai = = =0 kali
I B 30 x 10−6
e. IB = 40 µA
IC 0
Ai = = =0 kali
I B 40 x 10−6
2. VCE = - 2 Volt
a. IB = 0 µA
I C 0.1
Ai = = =∞ kali
IB 0
b. IB = 10 µA
I C 1,2 x 10−3
Ai = = =120 kali
I B 10 x 10−6
c. IB = 20 µA
I C 2 x 10−3
Ai = = =100 kali
I B 20 x 10−6
d. IB = 30 µA
I C 2 x 10−3
Ai = = =60 kali
I B 30 x 10−6

Politeknik Negeri Jakarta | 20

 e. IB = 40 µA
I C 2 x 10−3
Ai = = =50 kali
I B 40 x 10−6
3. VCE = - 4 Volt
a. IB = 0 µA
I C 0,1
Ai = = =∞ kali
IB 0
b. IB = 10 µA
I C 2 x 10−3
Ai = = =200 kali
I B 10 x 10−6

c. IB = 20 µA
I C 2,5 x 10−3
Ai = = =125 kali
I B 20 x 10−6
d. IB = 30 µA
I C 2,5 x 10−3
Ai = = =80 kali
I B 30 x 10−6
e. IB = 40 µA
I C 2,5 x 10−3
Ai = = =62 kali
I B 40 x 10−6
4. VCE = -6 Volt
a. IE = 0 µA
I C 0,3
Ai = = =0 kali
IB 0
b. IE = 10 µA
I C 3,4 x 10−3
Ai = = =340 kali
I B 10 x 10−6
c. IE = 20 µA
I C 4 x 10−3
Ai = = =200 kali
I B 20 x 10−6
d. IE = 30 µA
I C 4 x 10−3
Ai = = =133 kali
I B 30 x 10−6
e. IE = 40 µA

Politeknik Negeri Jakarta | 21

 I C 4 x 10−3
Ai = = =100 kali
I B 40 x 10−6
5. VCE = -8 Volt
a. IE = 0 µA
I C 0.4
Ai = = =0 kali
IB 0
b. IE = 10 µA
I C 3,7 x 10−3
Ai = = =370 kali
I B 10 x 10−6
c. IE = 20 µA
I C 5,5 x 10−3
Ai = = =275 kali
I B 20 x 10−6
d. IE = 30 µA
I C 7,5 x 10−3
Ai = = =250 kali
I B 30 x 10−6

e. IE = 40 µA
I C 7,5 x 10−3
Ai = = =187 kali
I B 40 x 10−6

KΩ

4. VCE = -6 Volt

V BE 0,4
a. VBB = -0,5 Volt R 1= = =6.67 MΩ
I B 0,06 x 10−6

V BE 0,6
b. VBB = -0,75 Volt R2= = =0,03 MΩ
I B 16,5 x 10−6

V BE 0,65
c. VBB = -1,0 Volt R 3= = =0,01 MΩ
I B 59,5 x 10−6

V BE 0,65
d. VBB = -2,0 Volt R4 = = =3,81 KΩ
I B 170,5 x 10−6

V BE 0,69
e. VBB = -4,0 Volt R 5= = =1,56 KΩ
I B 440 x 10−6

Politeknik Negeri Jakarta | 22

 V BE 0,71
f. VBB = -6,0 Volt R 5= = =1,02 KΩ
I B 0,69 x 10−3

5. VBC = -8 Volt

V BE 0,4
a. VBB = -0,5 Volt R 1= = =8 MΩ
I B 0,05 x 10−6

V BE 0,6
b. VBB = -0,75 Volt R2= = =0,03 MΩ
I B 15,1 x 10−6

V BE 0,65
c. VBB = -1,0 Volt R 3= = =0,01 MΩ
I B 57 x 10−6

V BE 0,65
d. VBB = -2,0 Volt R4 = = =3,8 KΩ
I B 171,5 x 10−6

V BE 0,69
e. VBB = -4,0 Volt R 5= = =1,62 KΩ
I B 425 x 10−6

V BE 0,71
f. VBB = -6,0 Volt R 5= = =1,2 KΩ
I B 0,59 x 10−3

Tabel 2 Karakteristik Output (Resistansi Output)

6. VCE = 0 Volt
f. IB = 0 µA
V CE 0
RO = = =0 Ω
IC 0

g. IB = -10 µA
V CE 0,1
RO = = =0 Ω
IC 0
h. IE = -20 µA
V CE 0,1
RO = = =0 Ω
IC 0
i. IE = -30 µA

Politeknik Negeri Jakarta | 23

 V CE 0,1
RO = = =0 Ω
IC 0
j. IE = -40 µA
V CB 0,3
RO = = =0 Ω
IC 0
7. VCE = - 2 Volt
f. IE = 0 µA
V CE 2
RO = = =20 M Ω
I C 0.1 x 10−6
g. IE = -10 µA
V CE 2
RO = = =1,33 K Ω
I C 1,5 x 10−3
h. IE = -20 µA
V CE 2
RO = = =1 K Ω
I C 2 x 10−3
i. IE = -30 µA
V CE 2
RO = = =1 K Ω
I C 2 x 10−3
j. IE = -40 µA
V CE 2
RO = = =1 M Ω
I C 2 x 10−3

8. VCE = - 4 Volt
f. IE = 0 µA
V CE 4
RO = = =40 M Ω
I C 0.1 x 10−6
g. IE = -10 µA
V CE 4
RO = = =2 K Ω
I C 2 x 10−3
h. IE = -20 µA
V CE 4
RO = = =1,6 K Ω
I C 2,5 x 10−3

i. IE = -30 µA

Politeknik Negeri Jakarta | 24

 V CE 4
RO = = =1,6 K Ω
I C 2,5 x 10−3
j. IE = - 40 µA
V CE 4
RO = = =1,6 K Ω
I C 2,5 x 10−3
9. VBC = - 6 Volt
f. IE = 0 µA
V CE 6
RO = = =20 M Ω
I C 0.3 x 10−6
g. IE = 10 µA
V CE 6
RO = = =1,76 K Ω
I C 3,4 x 10−3
h. IE = 20 µA
V CE 6
RO = = =1,5 K Ω
I C 4 x 10−3
i. IE = 30 µA
V CE 6
RO = = =1,5 K Ω
I C 4 x 10−3
j. IE = 40 µA
V CE 6
RO = = =1,5 K Ω
I C 4 x 10−3
10. VBC = -8 Volt
f. IE = 0 µA
V CE 8
RO= = =20 M Ω
I C 0.4 x 10−6
g. IE = 10 µA
V CE 8
RO = = =2,16 K Ω
I C 3,7 x 10−3
h. IE = 20 µA
V CE 8
RO = = =1,45 K Ω
I C 5,5 x 10−3
i. IE = 30 µA
V CE 8
RO = = =1,06 K Ω
I C 7,5 x 10−3
j. IE = 40 µA

Politeknik Negeri Jakarta | 25

 V CE 8
RO = = =1,06 K Ω
I C 7,5 x 10−3

Tabel 2 Karakteristik Output (Penguatan Arus)

6. VCE = 0 Volt
f. IB = 0 µA
IC 0
Ai = = =0 kali
IB 0
g. IB = 10 µA
IC 0
Ai = = =0 kali
I B 10 x 10−6
h. IB = 20 µA
IC 0
Ai = = =0 kali
I B 20 x 10−6
i. IB = 30 µA
IC 0
Ai = = =0 kali
I B 30 x 10−6
j. IB = 40 µA
IC 0
Ai = = =0 kali
I B 40 x 10−6
7. VCE = - 2 Volt
f. IB = 0 µA
I C 0.1
Ai = = =∞ kali
IB 0
g. IB = 10 µA
I C 1,2 x 10−3
Ai = = =120 kali
I B 10 x 10−6
h. IB = 20 µA
I C 2 x 10−3
Ai = = =100 kali
I B 20 x 10−6
i. IB = 30 µA
I C 2 x 10−3
Ai = = =60 kali
I B 30 x 10−6

Politeknik Negeri Jakarta | 26

 j. IB = 40 µA
I C 2 x 10−3
Ai = = =50 kali
I B 40 x 10−6
8. VCE = - 4 Volt
f. IB = 0 µA
I C 0,1
Ai = = =∞ kali
IB 0
g. IB = 10 µA
I C 2 x 10−3
Ai = = =200 kali
I B 10 x 10−6

h. IB = 20 µA
I C 2,5 x 10−3
Ai = = =125 kali
I B 20 x 10−6
i. IB = 30 µA
I C 2,5 x 10−3
Ai = = =80 kali
I B 30 x 10−6
j. IB = 40 µA
I C 2,5 x 10−3
Ai = = =62 kali
I B 40 x 10−6
9. VCE = -6 Volt
f. IE = 0 µA
I C 0,3
Ai = = =0 kali
IB 0
g. IE = 10 µA
I C 3,4 x 10−3
Ai = = =340 kali
I B 10 x 10−6
h. IE = 20 µA
I C 4 x 10−3
Ai = = =200 kali
I B 20 x 10−6
i. IE = 30 µA
I C 4 x 10−3
Ai = = =133 kali
I B 30 x 10−6
j. IE = 40 µA

Politeknik Negeri Jakarta | 27

 I C 4 x 10−3
Ai = = =100 kali
I B 40 x 10−6
10. VCE = -8 Volt
f. IE = 0 µA
I C 0.4
Ai = = =0 kali
IB 0
g. IE = 10 µA
I C 3,7 x 10−3
Ai = = =370 kali
I B 10 x 10−6
h. IE = 20 µA
I C 5,5 x 10−3
Ai = = =275 kali
I B 20 x 10−6
i. IE = 30 µA
I C 7,5 x 10−3
Ai = = =250 kali
I B 30 x 10−6

j. IE = 40 µA
I C 7,5 x 10−3
Ai = = =187 kali
I B 40 x 10−6

Politeknik Negeri Jakarta | 28

1.8 KESIMPULAN

 Pada konvigurasi CE, karakteristik output adalah kurva antara arus output zic
terhadap tegangan output VCE pada suatu rentang nilai arus input. Dari grafik
karakteristik keluaran transistor emiter dengan IB yang berbeda-beda dapat diperoleh
nilai hfe (nisbah arus maju dengan keluaran terhubung singkat V O= 0) dan
hoe(administansi keluaran dengan masukan terbuka ii = 0 ). Lalu diperoleh pula harga
resistansi output RO=RC
 Lalu diperoleh pula harga resistansi input R¿ =R B /¿ hie . karakteristik input adalah kurva
arus input Ib terhadap tegangan input VBE pada nilai tegangan output VCE. Dari grafik
karakteristik masukan transistor emiter dengan V CE yang berbeda beda dapat diperoleh nilai
hie (impedasnsi masukan dengan keluaran terhubung singkat V O = 0 ) dan hre ( nisbah
tegangan balik dengan masukan terbuka ii = 0)

1.9 DAFTAR PUSTAKA

Politeknik Negeri Jakarta | 29

LAMPIRAN

Politeknik Negeri Jakarta | 30