MODUL 4

Karakteristik Dan Penguat FET

Hazirin Safrian Utama (119130072)

Asisten : Arief Kurniawan (118130076)
Tanggal Percobaan : 04 Oktober 2021
EL3102_D-7_Praktikum_Elektronika
Laboratorium Teknik Elektro
Institut Teknologi Sumatera

Abstrak  Memahami resistansi input dan output untuk ketiga

Pada praktikum keempat ini tentang
Karakterstik dan Penguat FET, praktikum kali
ini bertujuan agar praktikan memahami serta
mengetahui karakteristik dan fungsi dari FET
(Field Effect Transistor) dalam bentuk penguat.
Praktikum ini menggunakan FET jenis
MOSFET. Serta kegunaan FET sebagai
penguat ada tiga konfigurasi yaitu Common
Source, Common Gate, Common Drain.
Dengan itu dapat mengetahui resistansi input
serta output pada ketiga konfigurasi.
Kata Kunci: FET, Karakteristik,
MOSFET, Konfigurasi.
I. PENDAHULUAN
Di dalam komponen - komponen elektronika terdapat
( Field Effect Transistor ) ataudisingkat dengan FET,
FET adalah komponen Elektronika aktif yang
menggunakan Medan Listrik untuk mengendalikan
Konduktifitasnya. Jadi, dapat dikatakan bahwa
FET adalah transistor yang berfungsi sebagai
“konverter”tegangan ke arus.Transistor FET
memiliki beberapa keluarga, yaitu JFET dan
MOSFET. Pada praktikum ini akan digunakan
transistor MOSFET walaupun sebenarnya
karakteristik umum dari JFET dan MOSFET
adalah serupa.
Adapun tujuan percobaan dalam praktikum ini
sebagaiberikut :
 Mengetahui dan mempelajari karakteristik
transistor FET
 Memahami penggunaan FET sebagai penguat untuk
konfigurasi Common Source, Common Gate, dan
CommonDrain
konfigurasi tersebut
II. LANDASAN TEORI
A. Field Effect Transistor (FET)
Transistor FET adalah transistor yang bekerja
berdasarkan efek medan elektrik yang dihasilkan
oleh tegangan yang diberikan pada kedua ujung
terminalnya. Mekanisme kerja transistor ini
berbeda dengan transistor BJT. Pada transistor ini,
arus yang dihasilkan/dikontrol dari Drain (analogi
dengan kolektor pada BJT), dilakukan oleh tegangan
antara Gate dan Source (analogi dengan Base dan
Emiter pada BJT). Bandingkan dengan arus pada
Base yang digunkan untuk menghasilkan arus
kolektor pada transistor BJT. Jadi, dapat dikatakan
bahwa FET adalah transistor yang berfungsi sebagai
“konverter” tegangan ke arus.Transistor FET
memiliki beberapa keluarga, yaitu JFET dan
MOSFET. Pada praktikum ini akan digunakan
transistor MOSFET walaupun sebenarnya
karakteristik umum dari JFET dan MOSFET adalah
serupa.
Jika dibandingkan dengan Transistor Bipolar, FET
memiliki beberapa kelebihan dan kelemahan. Salah
satu kelebihan FET adalah dapat bekerja dengan
baik di rangkaian elektronika yang bersinyal rendah
seperti pada perangkat komunikasi dan alat- alat
penerima (receiver). FET juga sering digunakan
pada rangkaian-rangkaian elektronika yang
memerlukan Impedansi yang tinggi. Namun pada
umumnya, FET tidak dapat digunakan pada
perangkat atau rangkaian Elektronika yang bekerja
untuk penguatan daya tinggi seperti pada perangkat
Komunikasi berdaya tinggi dan alat-alat Pemancar
(Transmitter).
 III. DATA DAN ANALISIS

I. Percobaan 1: Kurva ID vs. VGS

VGS (V) ID (mA)

0 0
1 10
1.5 22,5
Gambar 1. Kurva karakteristik ID vs VGS
Pada gambar tersebut terlihat bahwa terdapat 2 40
VGS minimum yang menyebabkan arus mulai 2.5 62.5
mengalir. Tegangan tersebut dinamakan tegangan
threshold, Vt. Pada MOSFET tipe depletion, Vt 3 90
adalah negative, sedangkan pada tipe
4 160
enhancement, Vt adalah positif
B. Penguat FET 5 250
Untuk menggunakan transistor MOSFET sebagai 7.5 56.25
penguat, maka transistor harus berada dalam daerah
saturasinya. Hal inidapat dicapai dengan memberikan
arus ID dan tegangan VDS tertentu. Cara yang biasa II. Percobaan 2: Kurva ID vs. VDS
digunakan dalam mendesain penguat adalah dengan
menggambarkan garis beban pada kurva ID vs VDS. V 2 2 3 4 5 7 9
.
Setelah itu ditentukan Q point-nya yang akan G 5
menentukan ID dan VGS yang harus dihasilkan pada
rangkaian. Setelah Q point dicapai, maka transistor S
telah dapat digunakan sebagai penguat, dalam hal ini, V ID
sinyal yang diperkuat adalah sinyal kecil(sekitar 40- D (mA
50 mVp-p dengan frekuensi 1-10 kHz). )
Terdapat 3 konfigurasi penguat pada transistor S
MOSFET, yaitu: 0 0 0 0 0 0 0 0
1. Common Source 0. 0.09 0.01 0.01 0.01 0,02 0.03 0.044
2. Common Gate 2
3. Common Drain
2 4 2 4 4
5
Ketiganya memiliki karakteristik yang berbeda-beda 1 0.0170.04 0.05 0.05 0.09 0.13 0.17
dari faktor penguatan, resistansi input, dan resistansi 2 0,04 0,06 0,08 0.01 0.05 0.02 0.23
output. Tabel berikut ini merangkum karakteristik dari 6 4
ketiga konfigurasi tersebut. 3 0,04 0.06 0.09 0.01 0.02 0.01 0.022
2 5 4 3
4 0,04 0.06 0.09 0.01 0.02 0.01 0.022
2 5 4 3
5 0,04 0.06 0.09 0.01 0.02 0.01 0.022
2 5 4 3
6 0,04 0.06 0.09 0.01 0.02 0.01 0.022
2 5 4 3
7 0,04 0.06 0.09 0.01 0.02 0.01 0.022
2 5 4 3
8 0,04 0.06 0.09 0.01 0.02 0.01 0.022
2 5 4 3
III. Percobaan 3: Penguat Common Source
IV. Percobaan 4: Penguat Common Gate
a) Faktor Penguatan
890.096 pV VGS 6.83nV
VGS
VDS 104.496 pV VDS 0.312mV
ID 4.409 pA ID 1.363mA
IS 2.828 pA
IS 1.363mA
IG 36.499 pA
IG 36.2pA
Vi 10.873 µV
Vi 25nV
Vo 985.163 pV
Vo 50mV
b) Resistansi Input

Rin 55𝑘𝛺 V. Percobaan 5: Penguat Common Drain

RG 500𝛺 VGS 35.35mV

RD 500𝛺
VDS 16.4nV
RS 850𝛺
Vi 1.254𝑚𝑉 ID 1.363mA
Vo 1.934𝑚𝑉 IS 1.363mA
Av 1,54𝑉/𝑉 IG 97pA

Vi 50mV
c) Resistansi Output
Vo 5uV

Rin 70𝑘𝛺
RG 400𝛺 IV. SIMPULAN
RD 500𝛺
 Transistor jenis MOSFET mulai berfungsi pada
RS 850𝛺 saat nilai tegangan gate dan source pada nilai
tertentu. Nilai tegangan ini dinamakan tegangan
Vi 605.639 𝑚𝑉
Threshold (VT),
Vo 515.104 𝑚𝑉  Transistor FET memiliki kelebihan dibandingkan
Av 1,176 𝑉/𝑉
dengan BJT, yaiut FET memiliki impendasi input
(Rin) sangat tinggi, sedangkan BJT relatif lebih
rendah.
 Jenis penguat konfigurasi dari FET ada tiga, yaitu
Common Source, Common Gate, dan Common
Drain. Ketiga konfigurasi memiliki fungsi yang
sama sebagai penguat.
 V. REFERENSI

[1] PandapotanSiagian, Praktikum Elektronika 1,

Laboratorium Dasar Teknik Elektro
ITDEL,Laguboti,2017

[2] Modul Praktikum Teknik Elektro. Karakteristik

FET. Institut Teknologi Sumatera.
Lampiran
Link Video :

https://drive.google.com/file/d/1_IVaDq9uoJNgVNGwCNtiQACXsw
DbnY19/view