MAKALAH

MATERIAL MAJU

OLEH:

ANNISA ARFAHMINA
HANA AULIA
PUTRI AZIMA RAFSANJANI

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

JURUSAN FISIKA

UNIVERSITAS ANADALAS

PADANG

2022

i
 KATA PENGANTAR

Puji syukur kehadirat Allah Subhanahu Wata'ala atas segala nikmat nikmatnya
makalah pendidikan Material Maju ini dapat diselesaikan dengan maksimal, tanpa
ada halangan yang berarti. Makalah ini disusun untuk memenuhi tugas mata
kuliah yang diampu oleh Ibu Astuti, M.Si.

Makalah ini dapat diselesaikan tepat pada waktunya tidak terlepas dari bantuan
dan dukungan dari berbagai pihak yang tidak bisa kami sebutkan satu
persatu. Untuk itu kami ucapkan terima kasih.

Penulis ingat masih banyak kesalahan dalam menyusun makalah ini, baik dari segi
EYD, kosa kata, tata bahasa, etika juga isi. Oleh karena meminta penulis sangat
mengharapkan kritik dan saran yang membangun dari pembaca sekalian untuk
kami jadikan sebagai bahan evaluasi.

Demikian, semoga makalah ini dapat diterima sebagai ide / motivasi yang
menambah kekayaan intelektual bangsa.

Padang, 25 April 2022

Penulis

i
 DAFTAR ISI

DAFTAR ISI....................................................................................................ii
DAFTAR GAMBAR.......................................................................................iv
BAB I................................................................................................................1
PENDAHULUAN............................................................................................1
A. Latar Belakang.................................................................................................1
B. Rumusan Masalah............................................................................................3
C. Tujuan..............................................................................................................3
BAB II..............................................................................................................4
PEMBAHASAN...............................................................................................4
A. Sintesis Zno Serbuk Dan Penggunaannya Sebagai Fotoanoda Pada Sel Surya
Tersensitisasi Warna............................................................................... Error!
Bookmark not defined.

B. Sifat optik sel surya dengan SiO2 dan oksida kaya silikon dengan nanopartikel
silikon..................................................................................................... 7

C. Persiapan dan studi bahan optik dari film tipis CuO sebagai terapan tenaga sel
surya aktif Satelit LAPAN-IPB................................................................ 9

BAB III ..........................................................................................................12

KESIMPULAN.................................................................................................12

ii
 DAFTAR GAMBAR

Gambar 1 Grafik hasil karakterisasi UV-Vis serbuk partikel ZnO dan AZO ........5
Gambar 2 Hasil karaterisasi XRD serbuk................................................................6
Gambar 3 Hasil karaterisasi SEM lapisan tipis gel perbesaran 50000 kali.............6
Gambar 4 Hasil karaterisasi SEM lapisan tipis pasta perbesaran 50000 kali..........6
Gambar 5 Hasil karaterisasi SEM untuk serbuk partikel pada skala bara 50 nm....7

Gambar 6 Kurva rapat arus-tegangan (J-V) DSSC dengan lapisan tipis pasta ZnO,
AZO 0,5% massa dan AZO 1% massa sebagai fotoanoda.....................................8

Gambar 7 Rata-rata kekerasan film SRO dan SiO2.................................................9

Gambar 8 Spektrum Fotoluminesensi dari film SRO yang diendapkan pada sel
surya...............................................................................................................9

Gambar 9 Respon spektral sel surya dengan SRO dan SiO2.................................10

Gambar 10 3D film SRD dengan waktu annealing yang berbeda.........................10
Gambar 11 Ketebalan dari film CuO.....................................................................11
Gambar 12 Ketebalan dari film CuO.....................................................................12
Gambar 12 Ketebalan dari film CuO.....................................................................12

iii
 BAB I
PENDAHULUAN

A. Latar Belakang
1. Sintesis Zno Serbuk Dan Penggunaannya Sebagai Fotoanoda Pada Sel Surya
Tersensitisasi Warna
Partikel ZnO dibuat dalam bentuk serbuk, pasta, dan lapisan tipis yang kemudian
diaplikasikan sebagai fotoanoda pada Sel Surya Tersensitasi Warna (DSSC). Proses sintesis yang
dilakukan menggunakan metode sol-gel, dengan penambahan doping berupa adalah Al(NO3)3.
Berdasarkan hasil karakterisasi sifat optik menggunakan spektroskopi UV-Vis (Ultra-Violet
Visible), menunjukkan bahwa nilai energi gap untuk serbuk partikel ZnO, dan yang terdoping
aluminium (AZO) 0,5%massa, 1%massa beturut-turut adalah 3,31eV, 3,28eV, dan 3,26eV.
Analisa XRD (spektrum difraksi sinar-X) dalam bentuk serbuk untuk serbuk ZnO yang
dihasilkan, menunjukkan struktur kristal berupa heksagonal wurtzite. Hasil analisa pemindaian
dengan mikroskop elektron menunjukkan morfologi yang terbentuk pada lapisan tipis gel
memiliki struktur permukaan yang lebih halus saat diberikan dopan Al. Sedangkan pada lapisan
tipis pasta terlihat morfologi permukaan memiliki tingkat kekasaran yang lebih tinggi
membentuk butiran partikel. Selain itu, teramati dari hasil TEM penambahan dopan Al yang
optimum yaitu pada ZnO terdoping Al 0,5%massa yang dapat mereduksi ukuran partikel.
Lapisan tipis pasta ZnO kemudian dikombinasikan dengan TiO2 mesopori dan
diaplikasikan sebagai fotoanoda pada DSSC dan diperoleh efisiensi ZnO sebesar 0,39%, AZO
0,5%massa sebesar 1,5%, dan AZO 1%massa sebesar 0,81%. Terdapat peningkatan nilai
efisiensi yang cukup signifikan ketika lapisan ZnO terdoping aluminium (0,5 %massa)
digunakan sebagai fotoanoda. Hal ini terlihat dari peningkatan nilai kerapatan arusfoto (dari 1,8
menjadi 6,52 mA/cm2 ). Meningkatnya nilai arusfoto disebabkan oleh penambahan dopan Al
pada ZnO yang diketahui dapat meningkatkan nilai konduktivitas ZnO.

2. Sifat optik sel surya dengan SiO2 dan oksida kaya silikon dengan nanopartikel silikon
Film SRO diperoleh dalam reaktor dinding panas LPCVD horizontal menggunakan
SiH4 (silane) dan N2O (nitrous oxide) sebagai gas reaktif pada 715 °C. Rasio aliran gas, Ro
= [N2O]/[SiH4], digunakan untuk mengontrol jumlah kelebihan silikon dalam film SRO.
Struktur sel surya yang dirancang mirip dengan sel konvensional dengan SiO2; satu-satunya
perbedaan dalam hal ini adalah lapisan atas SRO bukan lapisan SiO2. Sebelum deposit SRO,
permukaan wafer silikon bertekstur dengan serangan anisotropik kalium hidroksida (KOH)
selama 21 menit pada suhu 85 °C.
Gambar 2 menunjukkan gambar permukaan bertekstur; Hal ini dilakukan untuk
mengurangi pantulan cahaya pada permukaan sel surya. Selanjutnya, difusi fosfor
direalisasikan pada 875 °C selama 30 menit untuk pembentukan daerah n dan dengan
demikian memperoleh sambungan pn. Permukaan satu kelompok sel surya (P1, P2, P3, P4)

1
 dipasifkan menggunakan SRO dengan dua ketebalan yang berbeda. Dua sel lainnya (P5, P6)
ditutupi dengan SiO2 termal yang diendapkan oleh SILOX; kemudian, perlakuan termal
pada 1100 °C selama dua kali diberikan kepada semua sampel, seperti yang ditunjukkan
pada Tabel 1.film. Hasil yang diperoleh dengan software SPIP berkaitan dengan diameter
butir tercantum pada Tabel 2. Kekasaran rata-rata <Sa> didefinisikan dalam [12-13].
Gambar 7 menunjukkan respon spektral pada daerah inframerah tampak dan inframerah
dekat dari sel surya yang dibuat, dimana ditentukan bahwa SC dengan SRO memiliki respon
yang lebih tinggi dan lebih baik daripada sel dengan SiO2. Fakta ini menegaskan bahwa
SRO adalah material dengan sifat yang baik untuk aplikasi dalam teknologi sel surya
silikon.Perlakuan termal dilakukan dengan dua tujuan: satu adalah pembentukan
nanopartikel silikon yang tertanam dalam matriks oksida SRO, dan yang lainnya adalah
redistribusi fosfor dan dengan demikian untuk mendapatkan kedalaman persimpangan akhir
di sel surya. Akhirnya, kisi-kisi Aluminium dipolakan pada permukaan SRO dan SiO2
dengan penguapan dan litografi foto standar seperti yang ditunjukkan pada Gambar. 3.
Elektroda kisi aluminium pada permukaan memiliki beberapa jari pada semua sampel.
Penting untuk dicatat bahwa zona di antara jari-jari ditutupi oleh film SRO.
Gambar 4 menunjukkan morfologi permukaan 3-D film SRO.Kurva tegangan-arus (IV)
SC diperoleh dengan menggunakan simulator surya dan pelacak kurva pada kondisi AM1.5.
Juga, kami memperoleh kurva karakteristik arus versus panjang gelombang (IW) dari SC.
Morfologi permukaan film SRO dipelajari menggunakan sistem mikroskop gaya atom
Nanosurf EasyScan (AFM) versi 2.3 yang dioperasikan dalam mode nonkontak. Area
pindaian 4 X 4 um2 digunakan untuk setiap gambar topografi.
Empat pemindaian berbeda dilakukan untuk setiap sampel, menunjukkan reproduktifitas
yang baik. Gambar AFM dianalisis menggunakan perangkat lunak pemindai gambar probe
image processor (SPIP). Suhu kamar PL film SRO diukur menggunakan spektrofluorometer
Horiba Jobin Yvon FluroMax 3 model dengan sumber xenon 150 W dan monokromator.
Sampel dieksitasi menggunakan radiasi 290 nm, dan sinyal emisi dikumpulkan dari 400
hingga 950 nm dengan resolusi 0,3 nm.
3. Persiapan dan studi bahan optik dari film tipis CuO sebagai terapan tenaga
sel surya aktif Satelit LAPAN-IPB
Sistem teknologi energi sel surya merupakan sumber energi yang penting. Peningkatan
jumlah kebutuhan listrik, sel surya merupakan listrik termurah dan cara terbaik untuk
menghasilkan listrik. Akan tetapi sel surya memiliki keterbatasan energi untuk beberapa
puluh tahun kedepan karena biaya dari komponen manufaktur tenaga sel surya sangat tinggi
& sangat mahal, efisiensi operasional (kekuatan persentase dari dikonversi tenaga surya)
adalah 30% dimana ini sangat rendah.

Tembaga oksida (CuO) adalah sebuah bahan semikonduktor yang aplikasinya banyak
untuk pembuatan fotovoltaik dari tenaga surya sel. Fitur dari tembaga oksida
semikonduktor merupakan penyerapan optik yang tinggi dan rendah biaya pembuatan.
CuO adalah semikonduktor tipe-p dengan pita celah 1.5 – 1.8 eV untuk transisi tidak

2
 langsung dan 1.9 eV untuk transisi langsung yang dekat dengan batas ideal energi celah.

Film tipis CuO telah dipersiapkan menggunakan berbagai teknik endapan film tipis
seperti sebagai bahan kimia endapan uap air, kekosongan penguapan, elektro-deposisi, panas
oksidasi, tergagap proses, berkas elektron penguapan, chemical solution deposition (CSD).
Metode CSD sangat menarik karena baik atas kendali stoikiometri, kemudahan pembuatan
dan sintesis suhu yang rendah. Karena hal ini relatif baru, oleh karena itu diperlukan
sebuah pemahaman yang mendalam sebelum itu kualitas film bisa dioptimalkan.
Dilaporkan bahwa CSD berasal dari film tipis yang secara termodinamika stabil. Metode
ini juga diketahui sebagai metode sol-gel. Persiapan dari film CuO menggunakan bahan
kimia larutan deposisi (CSD) dengan anil suhu variasi dan optik properti memiliki telah
dipelajari.

B. Rumusan Masalah

Berdasarkan pendahuluan diatas, dapat dirumuskan rumusan masalah dari makalah ini
adalah sebagai berikut :

1. Bagaimana cara mengetahui pengaruh dari jumlah dopan pada sifat fisis meliputi sifat
optik, struktur dan morfologi?
2. Bagaimana membandingkan parameter listrik dan optik silikon SC dengan SRO dengan
sel surya silikon tertutup SiO2 konvensional untuk aplikasi dalam teknologi sel surya
silikon?

3. Bagaimana cara mengamati struktur kristal, menyelidiki absorbsi film CuO dengan
lapisan variasi, dan menentukan pita celah energi dengan anil variasi?

C. Tujuan
Berdasarkan rumusan masalah di atas, maka tujuan dari makalah ini adalah :

1. Untuk mengetahui pengaruh dari jumlah dopan pada sifat fisis meliputi sifat optik,
struktur dan morfologi.
2. Membandingkan parameter listrik dan optik silikon SC dengan SRO dengan sel surya
silikon tertutup SiO2 konvensional untuk aplikasi dalam teknologi sel surya silikon
3. Mengamati struktur kristal, menyelidiki absorbsi film CuO dengan lapisan variasi, dan
menentukan pita celah energi dengan anil variasi.

3
 BAB II
PEMBAHASAN
A. Sintesis Zno Serbuk Dan Penggunaannya Sebagai Fotoanoda Pada Sel Surya
Tersensitisasi Warna

Puncak absorbansi untuk ZnO terjadi pada panjang gelombang 353 nm dengan energi gap sebesar
3,31 eV, puncak absorbansi untuk AZO 0,5% massa terjadi pada panjang gelombang 355 nm dengan
energi gap sebesar 3,28 eV, dan puncak absorbansi untuk AZO 1% massa terjadi pada panjang
gelombang 357 nm dengan energi gap sebesar 3,26 eV. Dari spektrum emisi pada daerah UV, nilai energi
gap dapat langsung ditentukan, dan didapatkan nilai energi gap untuk partikel ZnO sebesar 3,24 eV, AZO
0,5% massa sebesar 3,28eV, dan AZO 1% massa sebesar 3,29 eV. Material ZnO memiliki puncak emisi
hijau berbasis cacat yang berpusat pada 2,5 eV dimana hal tersebut diakibatkan adanya kekosongan
oksigen (vacancy oxygen), kelebihan Zn (Zinc Interestisial), dan beberapa cacat kompleks lainnya.

Gambar 1. Grafik hasil karakterisasi UV-Vis serbuk partikel ZnO dan AZO

Dengan karakterisasi XRD dapat diketahui struktur kristal yang dilihat dari indeks miller pada
puncak difraksi. Pola difraksi yang didapat sesuai dengan standar JCPDS No. 36-1451 dengan
struktur kristal hexagonal wurtzite. Pada Gambar 4 terlihat bahwa masing-masing partikel
memiliki lebar puncak yang hampir sama dengan besar intensitas yang berbeda. Partikel ZnO
memiliki besar intensitas difraksi tertinggi dibandingkan dengan partikel lainnya. Hal tersebut
mengindikasikan tingginya kualitas kristal yang dimiliki serbuk ZnO dibandingkan dengan
partikel AZO 0,5 %massa dan AZO 1 % massa.

4
 Gambar 2. Hasil karaterisasi XRD serbuk

Pengaruh doping ZnO terhadap morfologi/struktur permukaan lapisan tipis gel terlihat pada
Gambar 3. Morfologi lapisan tipis gel semakin halus saat diberikan doping Al yang
mengindikasikan kemampuan Al untuk mereduksi ukuran partikel Zn. Hal ini berkaitan dengan
radius atom Al yang berukuran lebih kecil dibandingkan radius atom Zn, sehingga pada saat
keadaan zinc vacancy (kekosongan zinc) atom Al dapat menempati posisi yang seharusnya
ditempati atom Zn.

Gambar 3. Hasil karaterisasi SEM lapisan tipis gel perbesaran 50000 kali

Gambar 4. Hasil karaterisasi SEM lapisan tipis pasta perbesaran 50000 kali

5
 Morfologi lapisan tipis pasta ZnO dan AZO berbeda dengan morfologi lapisan tipis gel.
Pada Gambar 4 sampel dalam bentuk pasta memiliki morfologi/ struktur permukaan terlihat lebih
kontras membentuk butiran partikel ZnO dan AZO. Hal ini berkaitan dengan penggunaan Triton-
X dalam proses pembuatan pasta diketahui dapat meningkatkan homogenitas struktur partikel.

Gambar 5. Hasil karaterisasi SEM untuk serbuk partikel pada skala bara 50 nm

Hasil karakterisasi TEM untuk serbuk partikel ZnO dan AZO memiliki morfologi
partikel yang berbentuk hexagonal seperti yang ditunjukkan pada Gambar 5. Pemberian doping
Al yang diketahui dapat mereduksi ukuran partikel secara dan signifikan terlihat pada sampel
AZO 0,5% massa memiliki ukuran partikel sebesar 10nm, sedangkan untuk partikel ZnO
memiliki ukuran partikel sebesar 15nm, dan partikel AZO 1% massa memiliki ukuran partikel
sebesar 17 nm dengan pola sebaran yang belum merata. Pembuatan lapisan ZnO dan AZO
sebagai fotoanoda dibuat menggunakan teknik screen printing. Sel surya dirakit dengan struktur
persambungan FTO/AZO/TiO2/Ruthenium Dye/mosalyte/FTO dimana pasta ZnO dan AZO
yang diberikan sebanyak dua kali pelapisan. Perakitan DSSC telah berhasil dibuat, hal ini
ditandai dengan kurva karateristik I-V yang diberi pencahayaan 100 W/m2 seperti yang
ditunjukkan pada Gambar 8.

6
 Gambar 6. Kurva rapat arus-tegangan (J-V) DSSC dengan lapisan tipis pasta ZnO, AZO 0,5%
massa dan AZO 1% massa sebagai fotoanoda

Nilai Voc, Jsc, FF, serta efisiensi untuk setiap sel surya dengan fotoanoda ZnO dan AZO
ditabulasikan pada tabel 1. Pengaruh pendopingan Al terhadap ZnO menyebabkan sifat
elektronik partikel meningkat. Hal tersebut berkaitan dengan pergeseran energi fermi ZnO akibat
keberadaan atom Al. Selain itu, ukuran partikel ZnO tereduksi akibat atom Al menempati kisi
yang seharusnya di tempati oleh atom Zn, sehingga kemungkinan mengurangi hamburan foton
yang memungkinkan cahaya dapat menembus hingga lapisan deplesi dan memaksimalkan
penyerapan foton oleh dye. Nilai FF tertinggi dihasilkan pada DSSC dengan lapisan tipis pasta
AZO 1% massa sebesar 48,15%, sedangkan efisiensi tertinggi dihasilkan pada DSSC dengan
lapisan tipis pasta AZO 0,5% massa sebesar 1,5%. Peningkatan efisiensi tersebut berkaitan
dengan peningkatan konduktivitas ZnO terdoping Al, akibat adanya peningkatan mobilitas
pembawa muatan pada fotoanoda AZO 0,5 % massa.

B. Sifat optik sel surya dengan SiO2 dan oksida kaya silikon dengan nanopartikel
silikon

Waktu perlakuan termal sangat mempengaruhi ukuran dan densitas butir sehingga waktu perlakuan
termal yang lebih lama memicu kekasaran dan butir yang lebih tinggi pada permukaan SRO. Gambar 5
menunjukkan hasil analisis kekasaran. Jelas dicatat bahwa dengan perlakuan termal, kekasaran dan
diameter butir meningkat pada SRO dan SiO2. Kami menggunakan fotoluminesensi merah dari film SRO
untuk meningkatkan jumlah foton yang mencapai wilayah aktif SC.

Gambar 7. Rata-rata kekerasan film SRO dan SiO2.

Gambar 8 menunjukkan spektrum PL dari film SRO. Terlihat jelas bahwa sampel dengan perlakuan
termal yang lebih pendek menunjukkan intensitas PL yang lebih tinggi. Seperti disebutkan di atas, PL ini
dipancarkan kembali sebagai cahaya merah oleh film SRO akan mencapai daerah aktif sambungan pn,
sehingga meningkatkan arus foto sel surya.(P5, P6) ditutupi dengan SiO2 termal yang diendapkan oleh
SILOX; kemudian, perlakuan termal pada 1100 ° C selama dua kali diberikan kepada semua sampel,
seperti yang ditunjukkan pada Tabel 1.film. Hasil yang diperoleh dengan software SPIP berkaitan dengan
diameter butir.

7
 Gambar 8. Spektrum Fotoluminesensi dari film SRO yang diendapkan pada sel surya.

Gambar 9 menunjukkan respon spektral pada daerah inframerah tampak dan inframerah dekat dari sel
surya yang dibuat, dimana ditentukan bahwa SC dengan SRO memiliki respon yang lebih tinggi dan lebih
baik daripada sel dengan SiO2. Fakta ini menegaskan bahwa SRO adalah material dengan sifat yang baik
untuk aplikasi dalam teknologi sel surya silikon.Gambar 8 menunjukkan pengukuran IV dari sel surya
silikon dengan SiO2 dan dengan film SRO. Dari kurva ini tegangan rangkaian terbuka, arus hubung
singkat, faktor pengisian dan dengan demikian daya maksimum dapat diperoleh. Pengukuran ini
dilakukan dengan menggunakan simulator surya di bawah kondisi AM1.5, dan kurva IV dengan
perangkat keras dan perangkat lunak yang sesuai untuk pemrosesan data..

Gambar 9. Respon spektral sel surya dengan SRO dan SiO2

Pengukuran AFM menunjukkan bahwa film SRO lebih kasar daripada film silikon oksida.
Kekasaran permukaan SRO meningkat seiring waktu perlakuan termal; hal ini karena kelebihan silikon
pada film SRO membentuk akumulasi silikon sehingga perlakuan termal pada 1100 ° C mendukung
pembentukan butiran di permukaan, seperti yang ditunjukkan pada Gambar 10.

8
 Gambar 10. 3D film SRD dengan waktu annealing yang berbeda pada 1100C. a) waktu
annealing selama 90 menit, b) waktu annealing selama 180 menit

Fotoluminesensi film SRO telah dipelajari secara luas. Dua mekanisme utama yang diterima untuk
generasi PL di SRO, adalah kurungan kuantum karena nanocrystals, dan cacat hadir dalam material.

Salah satu sudut pandang yang mendukung film SRO adalah bahwa mereka memiliki transmitansi
lebih besar dari 80% untuk panjang gelombang lebih besar dari 400 nm, sehingga material tidak
menyerap radiasi dengan panjang gelombang 500 hingga 1000 nm, dan radiasi ini diserap oleh silikon.
SC. Oleh karena itu, film SRO dapat menjadi bahan pasivasi yang sangat baik untuk SC, karena mereka
menyerap radiasi panjang gelombang pendek (UV) dan menghasilkan PL terutama di wilayah merah, di
mana silikon SC memiliki respons spektral yang lebih tinggi. Seperti yang ditunjukkan pada Gambar 7,
sel surya yang dilapisi SRO (P2) memiliki respons spektral yang lebih baik daripada sel surya dengan
SiO2 (P5), di daerah inframerah tampak dan dekat. Menurut pengukuran arus hubung singkat dan
tegangan hubung terbuka, ketika sel diterangi pada kondisi AM1.5, sel surya yang dipasifkan SRO
menunjukkan Isc yang lebih tinggi daripada arus yang sesuai untuk sel dengan SiO2.

Oleh karena itu, SRO adalah bahan yang lebih baik daripada SiO2 untuk aplikasi ini pada sel surya
silikon; diketahui bahwa daerah antara 500 dan 900 nm adalah tempat sel surya silikon memiliki respons
spektral yang lebih baik. Dengan hasil ini, telah dihitung efisiensi konversi energi untuk SC yang
dipasifkan SRO kira-kira tiga kali lebih tinggi daripada efisiensi yang sesuai untuk mereka yang
menggunakan SiO2.

C. Persiapan dan studi bahan optik dari film tipis CuO sebagai terapan tenaga sel
surya aktif Satelit LAPAN-IPB
Ketebalan dari CuO diperoleh menggunakan gravimetri metode. Ketebalan film (d) bisa

9
dihitung dari (m) massa sebenarnya yang disimpan ke substrat, (ȡ) kepadatan dari tembaga
oksida (6.31 g/cm 3 ).

Gambar 11. Ketebalan dari film CuO

Gambar 10 menunjukkan ketebalan lapisan CuO dengan variasi annealing dan variasi
lapisan. Peningkatan ketebalan film CuO sebagai hasil dari peningkatan nomor dari
lapisan. Telah diamati bahwa peningkatan temperatur annealing mengakibatkan
penurunan ketebalan film dari 0,36 m (350˚C annealing) menjadi 0,14 m (5500°C
annealing) pada 1 lapisan, 0,62 m (350 °C annealing) hingga 0,42 m (550 °C annealing)
pada 2 lapisan, dan 1,16 m (350 °C anil) ke 0,65 m (550 °C anil) pada 3 lapisan.
Peningkatan hasil annealing temperature itu pengaturan dari kristal struktur dan space di
antara atom menjadi singkat.

Gambar 12. Ketebalan dari film CuO

Analisis dari spektrum difraksi menunjukkan 4 puncak posisi untuk CuO bidang kristal,
35,3°, 46,2°, dan 53,4°, dan 59,3° yang berasosiasi dengan pemantulan CuO. Menurut grafik,
suhu anil pada 350 °C, kecil puncak adalah diamati dan itu film menunjukkan sebuah bagus
kristalinitas.

10
 Gambar 13. Ketebalan dari film CuO

Variasi daya serap optik (A) dari film CuO ditampilkan di Gambar 13. Spektrum ini
mengungkapkan bahwa CuO disimpan sebagai film memiliki daya serap tinggi ciri dari CuO
panjang gelombang 500 nm hingga 700 nm memiliki absorbsi rendah, yang mungkin
disebabkan oleh penghilangan setelah anil. Absorbsi tertinggi terjadi pada anil suhu 550 °C
meningkat itu nomor dari lapisan hasil meningkat daya serap untuk semua anil suhu. Hal ini
terjadi karena semakin banyak jumlah lapisan menyebabkan semakin banyak kristal CuO yang
menyerap energi foton.

11
 BAB III
KESIMPULAN

Berdasarkan pembahasan dalam makalah ini, maka diperoleh kesimpulan sebagai berikut:

Jurnal 1

1. Hasil karakerisasi XRD menunjukkan bahwa partikel ZnO dan AZO memiliki
struktur hexagonal wurtzite.
2. Penambahan dopan Al diketahui dapat mereduksi ukuran partikel ZnO, yang
disebabkan oleh penempatan atom Al pada posisi atom Zn. Hal tersebut dapat
teramati dari hasil SEM untuk lapisan tipis gel dengan morfologi permukaan yang
semakin halus, sedangkan pada lapisan tipis pasta terlihat morfologi permukaan yang
lebih kontras membentuk butiran partikel.
3. Penambahan dopan Al sebesar 0,5 % massa diketahui dapat meningkatkan
konduktivitas. Hal tersebut menyebabkan besar rapat arus hubung singkat (Jsc) pada
sel surya meningkat yaitu dari 1,8 mA/cm2 menjadi 6,52 mA/cm2 , sehingga nilai
efisiensi yang dihasilkan juga meningkat yaitu dari 0,39% menjadi 1,5%, untuk
penggunaan AZO 0,5 % massa. Peningkatan efisiensi sel surya, berkaitan dengan
perubahan sifat elektronik pada fotoanoda AZO 0,5 % massa.

Jurnal 2

1. Nilai ISC yang lebih baik sesuai dengan film P2 SRO dengan kekasaran permukaan
3,85 nm dan diameter butir 250 nm.
2. Sel surya silikon yang dipasifkan dengan SRO memang menunjukkan hasil yang
lebih baik daripada sel surya yang dipasifkan dengan SiO2 dalam spektrum tampak
dan inframerah dekat. Peningkatan efisiensi ini disebabkan oleh penyerapan foton
energi tinggi (UV) di dalam film SRO dan selanjutnya memancarkan kembali cahaya
merah ke badan sel.
3. Karakteristik IV untuk sel-sel ini menunjukkan hasil yang sangat baik pada tegangan
rangkaian terbuka dan nilai arus pendek, sehingga efisiensi konversi energinya
meningkat sebesar 200% sehubungan dengan sel surya konvensional yang dipasifkan
SiO2.

12
Jurnal 3

1. Film CuO berhasil dibuat dengan metode sol-gel dengan variasi jumlah lapisan. film
CuO ter-anil pada suhu 350 °C, 450 °C, dan 550 °C. Variasi di itu nomor dari
lapisan ditunjukkan ketebalan meningkat.

2. Spektrum absorbsi menunjukkan film CuO memiliki absorbsi pada daerah tampak
dan spektrum tertinggi absorbsi terjadi pada suhu 550 °C. Peningkatan temperatur
yang ter-annealing menyebabkan penurunan celah pita energi dari 2.05 eV ke 1.98
eV.

3. Hasil XRD film CuO terbentuk dari struktur kristal. Hasil ini menunjukkan bahwa
film CuO yang dibuat dengan metode sol-gel berpotensi untuk dikembangkan
sebagai sel surya pada satelit LAPAN IPB.

13
1