SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS

Makalah

disusun oleh:

Charlie Ofiyen (20223009)

Eka Sentia Ayu L (20223006)

PROGRAM STUDI MAGISTER FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
INSTITUTE TEKNOLOGI BANDUNG
BANDUNG

SEPTEMBER 2023
 MAKALAH

SEMICONDUCTOR QUANTUM DOTS

Disusun oleh:

Charlie Ofiyen (20223009)

Eka Sentia Ayu L (20223006)

Karya Tulis ini telah dipersentasikan untuk memenuhi evaluasi Mata Kuliah
Fisika Material dan Device Nano
Pada tanggal 29 September 2023

Dosen Pengampu,

Dr. rer. nat. Akfiny Hasdy Aimon, S.Si., M.Si.

NIP.198404142015042002

2023
 KATA PENGANTAR

Bismillahirrahmaanirrahiim

Alhamdulillah, Puji syukur kami ucapkan atas kehadirat Allah SWT yang
telah memberikan rahmat dan karuniaNya kepada kita semua, sehingga dapat
menyelesaikan makalah yang membahas Semikonduktor Quantum Dots. Kami
mengucapkan terima kasih kepada dosen yang telah membimbing kami yaitu Dr.
rer. Nat. Akfiny Hasdi Aimon, S.Si., M.Si.

Kami berharap semoga makalah ini dapat bermanfaat bagi kami dan
pembaca. Tiada yang sempurna melainkan Allah swt,, kami menyadari bahwa
makalah ini masih jauh dari kata sempurna. Oleh karena itu, kami berharap kritik
dan saran yang membangun untuk perbaikan makalah kami selanjutnya.

Bandung, 2023

(Penulis)
 DAFTAR ISI

halaman

KATA PENGANTAR..........................................................................................ii
DAFTAR ISI.......................................................................................................iii
BAB I PENDAHULUAN.....................................................................................1
1.1 Latar Belakang...............................................................................1
1.2 Tujuan dan Manfaat Penelitian......................................................1
1.3 Rumusan Masalah..........................................................................2
BAB II LANDASAN TEORI..............................................................................3
2.1 Dasar Fisik QD Semikonduktor.....................................................3
2.1.1 Pengertian Kuantum Dot.......................................................3
2.1.2 Efek Pengurungan Kuantum.................................................7
2.1.3 Excitons and Luminescence................................................13
2.1.4 Perhitungan Energi Ikat Eksiton.........................................17
2.2 Preparasi Quantum Dots..............................................................20
2.2.1 Metode Kimia Koloid.........................................................21
2.2.2 Self-Assembly Methods of Quantum Dots.........................23
2.2.3 Lithography and etching.....................................................26
2.2.4 Split-gate approach.............................................................28

32
2.2.5 Laser Devices Based on QDs..............................................36
 2.2.6 Single-Photon Source.........................................................45
BAB III PENUTUP............................................................................................51
3.1 Kesimpulan..................................................................................51
3.2 Saran............................................................................................52
DAFTAR PUSTAKA.........................................................................................53
 BAB I PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

Mereduksi dimensi konduktor sampai mendekati ukuran beberapa atom

saja memicu lahirnya teknologi berbasis skala nanometer. Komponen elektronik
yang berukuran lebih kecil akan bekerja dengan arus dan tegangan yang lebih
kecil pula, sehingga akan lebih efisien dan hanya membutuhkan konsumsi daya
yang rendah. Saat ini, perkembangan industri mikroelektronika telah berhasil
membuat isolasi sistem terkontrol yang hanya terdiri dari beberapa partikel.
Dalam hal ini piranti elektronik memasuki alam mesoskopik yang mengikuti
hukum-hukum fisika kuantum. Pengurungan partikel dalam dua dimensi telah
dikenal sebagai sumur kuantum (quantum well), pembatasan partikel sampai satu
dimensi disebut dawai kuantum (quantum wire), dan pengungkungan elektron ke
segala arah dalam ruang sampai nol dimensi disebut titik kuantum (quantum dot).

Gambar 1. Bulk, Quantum Well, Quantum Wire, Quantum Dot.

1.2 Tujuan dan Manfaat Penelitian

Tujuan Penulisan makalah ini adalah

1) Untuk mengetahui pengertian kuantum dot
2) Untuk mengetahui sifat optik pada kuantum dot
3) Untuk mengetahui model kuantum dot semikonduktor
4) Untuk mengetahui penerapan atau aplikasi kuantum dots
5) Untuk mengetahui pembuatan atau preparasi kuantum dots

1
1.3 Rumusan Masalah

Berdasarkan latar belakang yang telah diuraikan, maka rumusan masalah

dalam makalah ini adalah
1) Apa yang di maksud quantum dot?
2) Bagaimana sifat optik dan elektrik pada kuantum dot?
3) Apa yang di maksud dengan model kuantum dot semikonduktor?
4) Apa saja penerapan atau aplikasi kuantum dots ?
5) Bagaimana preparasi kuantum dots?

2
 BAB II LANDASAN TEORI

2.1 Dasar Fisik QD Semikonduktor

2.1.1 Pengertian Kuantum Dot

QDs adalah material semikonduktor berukuran berkisar antara 3 hingga 25

nm. Jarak antar atom dalam sebuah susunan kristal adalah 1 – 2 Amstrong (atau

0,1 – 0,2 nm). Ini artinya bahwa sebuah quantum dot (QD) hanya terdiri dari

kurang lebih 1000 atom. Karena jumlahnya yang sudah bisa terbilang (countable)

maka QDs dinobatkan sebagai material terkecil buatan manusia yang setara

dengan satu atom (artificial atom).

Material yang digunakan untuk membuat QDs adalah material semikonduktor,

seperti GaN (Gallium Nitride), CdSe (Cadmium Selenide), CdTe, GaAs (Gallium

Arsenide) dan lain-lainya. Cara pembuatannya pun beragam. Bisa dikatakan

bahwa pembuatan QDs terbagi menjadi 2, yaitu: Self-ensemble QDs (Growth

QDs) dan Colloidal QDs. Pembuatan self esemble QDs biasanya dengan

menggunakan peralatan penumbuhan secara fisika, seperti Molecular Beam

Epitaxy (MBE), MOCVD, LPE dll. Proses ini membutuhkan peralatan yang rumit

dan harga yang kurang terjangkau. Material yang bisa ditumbukan dengan metode

ini antara lain: GaN, GaAs, AlN, InGaN, ZnO, dll. Dengan proses ini diperoleh

QDs dengan ukuran rata-rata 20 hingga 25 nm (diameter). Jenis QDs yang kedua

adalah colloidal QDs. Pembuatan QDs dengan proses ini menggunakan proses

kimia. Bahan dan peralatannya pun lebih mudah dan terjangkau. Jenis QDs yang

bisa dibuat dengan proses ini antara lain CdSe, CdTe, PbS, InP, dll. Ukuran QDs

yang bisa diperoleh antara 2 hingga 5 nm (diameter).

3
 Pada material semikondiktor berukuran besar (bulk semiconductor), level-

level energi yang bisa ditempati oleh electron banyak sekali, bahkan tak

berhingga, sehingga bisa disebut level energy tak berhingga. Electron bisa berada

dimana saja sebatas dibawah level energy electron bebas. Seiring dengan kecilnya

ukuran material, maka semakin terbatas pula level-level energy yang

dimungkinkan untuk electron berada. Hal ini berkaitan dengan mata kuliah fisika

modern yaitu partikel dalam kotak. Dengan memecahkan persamaan Schrodinger,

maka level-level energy mana saja yang bisa ditempati oleh electron dapat

diketahui. QDs merupakan infinite square well. Hal lain yang membuat QDs

menjadi istimewa di bidang sains dan penerapannya disebabkan oleh ukuranya.

Hal ini berkaitan dengan bohr radius. Bohr radius adalah radius dimana electron

dapat bergerak secara bebas pada level energy tertentu. Pada material

semikonduktor, Bohr radius terletak pada kisaran 25 nm (kurang lebih). Ukuran

QDs hanya 3 – 5 nm, sehingga elektron akan terbatasi (terkukung) pergerakannya.

Saat electron tereksitasi ke level atas dan kemudian turun kembali ke level

bawah (ground state), maka akan ada radiasi yang pancarkannya. Energy radiasi

ini bergantung pada Energy Band Gap. Pada bulk material, besar energy band gap

sangat susah untuk diubah. Energy band gap dapat diubah jika ukuran material

diperkecil hingga berukuran nanomaterial, salah satunya salah QDs. Semakin

kecil ukuran QDs, maka semakin besar energy band gap yang memberikan

pengaruh terhadap pancaran energi radiasi yang semakin besar. Dengan

mengubah ukuran suatu material (CdSe) mulai dari 2 hingga 5 nm, maka kita akan

mendapatkan cahaya mulai dari hijau hingga merah. Untuk CdS, kita bisa

4
mendapatkan cahaya Deep UV hingga biru. Untuk GaN, kita bisa mendapatkan

cahaya mulai dari biru hingga hijau, dan lain-lain.

Oleh karena material dasar QDs adalah semikonduktor maka aplikasi yang

bisa didapat dari QDs sangat luas untuk alat-alat optik berbasis semikonduktor

seperti LED (light emitting diode), Laser diode, Solar Cell, dll. Selain material

dasar yaitu ukurannya yang mendekati Amstrog, maka mudah untuk dilekatkan

pada element-element biologi, seperti protein, DNA, atau sel. Dalam hal ini QDs

digunakan sebagai label yang bisa memancarkan cahaya sebagai deteksi

keberadaan element bio. Ukurannya yang kecil dan mendekati sebuah atom, maka

QDs akan sangat berpotensi untuk bidang komunikasi dan transfer informasi.

Cahaya saat ini sudah dapat menggantikan peran electron sebagai penghantar

informasi. Yang dapat kita bayangkan sebagai pengembang QDs dimasa depan,

jika computer tidak lagi menggunakan electron tapi cahaya untuk pengolahan

informasi. Hasilnya proses perhitungan akan jauh lebih cepat. QDs bisa digunakan

sebagai sumber pengolah informasi. Untuk itu QDs harus bisa dibuat menjadi

single photon source (sumber satu photon).

Tim peneliti dari Kelompok Keahlian Material Elektronik, Fakultas

Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam (FMIPA) ITB, melakukan penelitian

tentang pengembangan aplikasi material maju koloidal Quantum Dots (QDs). Dari

penelitian tentang QDs ini, diharapkan dapat menghasilkan manfaat dan

diaplikasikan ke dalam berbagai bidang.

QDs merupakan salah satu material maju semikonduktor yang berukuran

kisaran nanometer. Material QDs menarik perhatian karena sifat elektronik dan

5
optik yang sangat bergantung pada ukurannya sehingga dapat diatur. Hal ini

berkaitan dengan efek kurungan kuantum yang terjadi ketika ukuran QDs berada

pada orde nanometer (umumnya kurang dari 10 nm). Oleh karena itu, material

QDs ini sangat berpotensi untuk diaplikasikan di berbagai bidang seperti

perangkat optoelektronik, sensor, fotokatalis, dan juga bidang biomedis.

Dr. Ferry Iskandar sebagai peneliti utama dalam penelitian tersebut

menjelaskan, pada material QDs ini muncul fenomena fisika yang disebut efek

kurangan kuantum. Ukuran material QDs yang sangat kecil (nm) akan

menyebabkan sifat-sifat kuantum suatu material QDs muncul dan dapat berguna

untuk berbagai aplikasi.

Adapun sifat dari material QDs itu sendiri yakni bisa muncul pendaran atau

emisi cahaya apabila disinari oleh sinar Ultra Violet (UV). Salah satu contoh

dalam peristiwa ini ialah pada alat pengecekan uang palsu melalui sinar UV.

Pendaran dari material QDs ini bisa berbeda-beda tergantung pada ukuran.

Pendarannya bisa berwarna hijau, merah, biru bergantung ukurannya. Quantum

dots ketika efek kurungan kuantumnya muncul dengan material yang sama namun

jika ukurannya dapat diatur maka akan mengeluarkan pendaran yang berbeda-

beda.

Cara pembuatannya Quantum Dot terbagi menjadi 2, yaitu:

1. Self-ensemble Quantum Dot (Growth Quantum Dot). Pembuatan self esemble

Quantum Dot umumnya dengan menggunakan peralatan penumbuhan secara

fisika, seperti Molecular Beam Epitaxy (MBE), MOCVD, LPE dll. Proses ini

membutuhkan peralatan yang rumit dan harga yang kurang terjangkau.

6
 Material yang bisa ditumbukan dengan metode ini antara lain: GaN, GaAs,

AlN, InGaN, ZnO, dll. Dengan proses ini diperoleh Quantum Dot dengan

ukuran rata-rata 20 hingga 25 nm (diameter).

2. Colloidal Quantum Dot. Pembuatan Quantum Dot dengan proses ini

menggunakan proses kimia. Bahan dan peralatan yang digunakan mudah dan

harga yang terjangkau. Jenis Quantum Dot yang dapat dibuat dengan proses

ini antara lain CdSe, CdTe, PbS, InP, dll. Ukuran Quantum Dot yang bisa

diperoleh antara 2 hingga 5 nm (diameter).

2.1.2 Efek Pengurungan Kuantum

Efek kurungan Quantum menimbulkan sifat optik yang unik dan sifat

elektronik QDs. QSemikonduktor berstruktur nano diketahui menunjukkan

berbagai sifat optik non-linier. Partikel Qsemikonduktor menunjukkan efek

pengurungan kuantum yang dapat menghasilkan sifat khusus, seperti pendaran

dalam bubuk silikon dan titik kuantum silikon germanium sebagai perangkat

optoelektronik Inframerah. Semikonduktor berstruktur nano juga digunakan

sebagai lapisan jendela dalam sel surya. Serbuk logam berukuran nano telah

digunakan untuk produksi bahan kedap gas, bagian padat, dan lapisan berpori.

Partikel yang sangat kecil mempunyai struktur atom khusus dengan keadaan

elektronik diskrit, yang menimbulkan sifat khusus selain perilaku

superparamagnetisme. Karena pergerakan elektron pada arah tertentu terbatas,

energi elektron pada arah tersebut akan terkuantisasi. Sebab, pada arah tersebut

elektron yang terikat akan mengarah pada terbentuknya gelombang berdiri.

Berdasarkan struktur ada empat struktur material yaitu bulk material, kuantum

7
well, kuantum wire, dan kuantum dot. Bulk material merupakan sistem tiga

dimensi yaitu particle yang memiliki ukuran di atas 100 nm, material ini dapat

dilihat secara kasat mata. Contoh dari material ini adalah oli, batu bara, dan lain-

lain.

Degree of Freedom dari bulk material ini adalah tiga degree. Sehingga

elektron atau hole dapat bergerak bebas ke arah XY ataupun Z. Kuantum well

atau sumur kuantum merupakan sistem dua dimensi yang memiliki 2 degree of

freedom. Sehingga elektron hanya dapat bergerak sepanjang dua arah. Kuantum

wire atau kawat kuantum merupakan sistem satu dimensi yang memiliki 1 degree

of freedom. Sehingga elektron hanya bergerak pada 1 arah saja. Kuantum dot

merupakan sistem dimensi nol. Sehingga dibatasi total untuk bergerak. Kuantum

dot, kuantum well dan kuantum wire adalah efek dari kungkungan kuantum. Jadi

karena efek kungkungan kuantum kita mempunyai struktur berdimensi rendah.

Berikut gambar effek kungkungan kuantum agar lebih dapat dipahami.

Gambar 2. Effek Kungkungan Quantum

Gambar 3. Degree of Confinement and Degree of Freedom

8
Dimana perumusan untuk menentukan nilai Degree of Freedom dan Degree of

Confinement adalah Df + Dc = 3. Berdasarkan kungkungan kuantum bulk material

tidak terjadi kungkungan kuantum karena memiliki degree of confinement (0).

Kuantum well terjadi efek kungkungan satu dimensi atau (1) arah saja. Sehingga

pada arah panah seperti pada gambar elektron tidak dapat bergerak, pada arah dua

lainnya dapat bergerak. Kuantum wire terjadi efek kungkungan kuantum (2) arah.

Sehingga hanya satu arah saja pergerakanya. Sedangkan kuantum dot memiliki

efek kungkungan kuantum (3) arah sehingga particle tidak dapat bergerak.

Energi kuantisasi mungkin berdampak besar pada material dalam hal

kepadatan keadaan elektronik (DoS), yang didefinisikan sebagai Density of

States. Fungsi density of states menggambarkan jumlah keadaan yang tersedia

dalam suatu sistem dan untuk menentukan konsentrasi pembawa muatan dan

distribusi energi pembawa muatan dalam semikonduktor. Dalam semikonduktor,

gerak bebas pembawa muatan dibatasi pada spacial 2,1, dan 0. Saat menentukan

statistik semikonduktor pada sistem ini, Density of States dalam Quantum well,

Quantum Wire, dan Quantum Dot harus diketahui. Kita dapat memodelkan

semikonduktor sebagai sumur kuantum tak hingga (2D) dengan panjang sisi L,

elektron bermassa m* terkurung di dalam sumur. Jika PE=0 maka persamaan

schrodinger akan menghasilkan:

( )
2
−ℏ 2
∇ Ψ =Eψ (1)
2m
2 2
∂Ψ ∂ Ψ 2
( 2 + 2 +k Ψ =0 (2)
∂x ∂y

9
dimana nilai k; k =
√ 2 mE
ℏ2
Berikut ini adalah statistika untuk memperoleh nilai density of states dari quantum

well, quantum wire, dan quantum dot:

Recalling from the density of states 3D derivation

K-space volume of singgle state cume in k-space:

( )( )( ) ( )
3
π π π π
Vsingle-state = =
a b c V

Note:
V is the volume of the cristal
Vsingle-state is the smallest unit in k-space and is required to hold a single electron.

L-sphere volume of singgle state cume in k-space:

3
4πk
Vsphere =
3

dimana nilai k; k =
√ 2 mE
ℏ2

Number of filled states in a sphere:

N=
V sphere
V single−state
1 1 1
×2× × ×
2 2 2 ( )
4 3
πk
()
3 3
3 1 4πk L
N= ×2 × =
π
3
8 3π
3

L3

The density of states 2D derivation is;

10
 ( )( ) ( )
2
π π π
Vsingle-state = =
a b V

Vcircle = πk 2

dimana nilai k; k =
√ 2 mE
ℏ2

Number of filled states in a sphere:

N=V ¿˚
V single−state
1 1
¿ ×2× ×
2 2 ( )

()
2 2 2
πk 1 k L
N= 2
× 2× =
π 4 2π
2
L

√
2 2
k L 2 mE
N= ; ; substituting k; k =
2π ℏ2

(√ )
2
2 mE 2 2
2
L mL E
ℏ = 2
N= ℏ π
2π

The density per unit energy is then obtained using the chain rule:
2
dN dN dk L m
= =
dE dk dE π ℏ 2

The densiti of states per unit volume, per unit energy is found by diving by V
(volume of the crystal).
2
L m
2
πℏ m
g(E)2 D= 2 = 2
L πℏ

As stated initially for the electron mass, m = m¿

¿
m
g(E)2 D= 2
πℏ

11
For calculating the density of states for a 1D structure is;

The previous equation change to the following:

Vsingle-state = ( πa )=( Vπ )=( πL )

Vline = k
Number of filled states in a sphere:

N=
V line
V single−state
×2×
1
2 ()
k
N= kL
π=
π
L

N=
kL
π
; ; substituting k; k =
2 mE
ℏ2 √
N=
(√ ) 2 mE 2
ℏ2
L
= √ 2 mE
L
ℏπ
π

The density per unit energy is then obtained using the chain rule:

1 −1 /2
(2mE ) .2mL (2 mE )−1/ 2 . mL
dN dN dk 2 =
= = ℏπ
dE dk dE ℏπ

The densiti of states per unit volume, per unit energy is found by diving by V
(volume of the crystal).
−1 /2
(2 mE) . mL −1/ 2
(2 mE ) . m
=
m
.
√m = 1 . √m
ℏπ
g(E)1 D = =¿ ℏπ ℏπ √ 2mE √ m ℏπ √ 2 E
L

As stated initially for the electron mass, m = m¿

g(E)2 D=
1
.
√m ¿

ℏπ √ 2(E−E C )

When considering the density of state for a 0D structure, no free motion is

possible. Because there is no k-space to be filled with electrons and all avaliable

12
states exist only at discrete energies, we describe the density of state for 0D with

the delta function. Thus,

g(E)0 D=2 δ ¿

Agar lebih dapat mudah dimengerti, berikut ini adalah plot dari density of states:

Gambar 4. Electronic density of states of semikonduktor with 3,2,1,and 0 degrees of freedom for elektron

propagation.

2.1.3 Excitons and Luminescence

A. Concept of Excitons (Electronic Properties)

Dalam semikonduktor, penyerapan cahaya secara umum menyebabkan

terjadinya eksitasi elektron dari pita valensi ke vita konduksi, dan

meninggalkan hole. Diantara pita valensi dan pita konduksi pada suatu

material atau bahan terdapat jarak yang disebut Band Gap. Pita Valensi terisi

penuh oleh elektron Sedangkan pita konduksi tidak ada elektron sama sekali

atau berada pada keadaan ground state energi. Energi yang cukup dibutuhkan

elektron pada pita valensi agar elektron dapat melepaskan diri dari pita valensi

lalu berpindah ke pita konduksi dan meninggalkan hold di pita valensi.

Akibatnya elektron dan hole tarik menarik satu sama lain oleh gaya

elektrostatik dan membuat pasangan elektron hole dalam keadaan terikat.

13
 Keadaan ini disebut sebagai Eksiton. Agar lebih jelas silahkan lihat skema

eksiton pada gambar berikut ini:

Gambar 5. Scema of Exciton

Ketika eksiton berkombinasi, elektron kembali ke keadaan dasarnya. Energi

elektron dapat di emisikan sebagai cahaya yang disebut flurescence. Ada 2 jenis

eksiton yaitu eksiton bebas dan eksiton terikat. Eksiton bebas diamati pada

Semikonduktor. Eksiton bebas memiliki jari jari yang sangat besar yang

mencakup banyak atom dan dapat bergerak bebas di seluruh kristal. Sedangkan

eksiton terikat diamati pada Isolator. Sebaliknya eksiton terikat memiliki radius

yg jauh lebih kecil dan sebanding dengan ukuran unit sel. Energi ikat eksiton

ditentukan oleh teori Bhor yaitu sebagai berikut:

2 2
−e εℏ
En = 2
; a0 = 2 2
2 ε a0n 4 π μe

14
Energi dari photon yang diemisikan merupakan penjumlahan dari : Energi band

gap (antara tingkat energi tertinggi dan tingkat energi terendah, confinement

energy (dari hole dan elektron yang tereksitasi), dan energi ikat dari eksiton

(pasangan elektron-hole).

1. Energi band gap (antara tingkat energi tertinggi dan tingkat energi terendah.

Teori pita dalam koloid mengacu pada fenomena di mana elektron

diketahui memiliki rentang energi yang diizinkan (band energy) dan rentang

energi yang tidak diizinkan (band gap).Beberapa model seperti Kronig-Penney

Model dan Density Functional Theory digunakan untuk memodelkan struktur

pita dalam fisika solid state.Band gap dapat meningkat ketika quantum dot

lebih kecil dari jari-jari exciton bohr saat terjadi tingkatan energi. Total energi

emisi meningkat, serta terjadi emisi pada panjang gelombang yang bervariasi.

2. Confinement energy (dari hole dan elektron yang tereksitasi).

Partikel pada box juga digunakan dalam pemodelan eksiton.

Variasi ukuran partikel sangat mungkin digunakan untuk mengontrol

confinement energy. Solusi untuk partikel pada box yang digunakan untuk

merepresentasikan energi eksiton, yaitu sebagai berikut:

( )
2 2 2 2
ℏ π 1 1 ℏ π
Econfinement = 2
+ =
2 a me mh 2 μa2

3. dan energi ikat dari eksiton (pasangan elektron-hole).

Merupakan perbedaan energi antara elektron-hole pair pada satu unit

molekul dan elektron bebas serta hole pada unit yang berbeda. Gaya Coulomb

antara elektron hole yang memiliki energi sebanding dengan energi Rydbergs,

15
 dan berbanding terbalik dengan konstanta dielektrik kuadrat penting

diperhitungkan ketika kristal semikonduktor lebih kecil dari eksiton.

−1 μ
Radius Bohr: Eexciton= 2
RY =−R y ¿

ε r me

Dengan mempertimbangkan perbedaan dimensi spacial dan derajat

kebebasan dari Quantum Dot, Quantum Well, dan Quantum Wire, total energi

dapat disederhanakan menjadi:

E=Ebandgap + Econfinement + Eexciton

2 2
ℏ π
E=Ebandgap + 2
−R y ¿

2 μa

B. Concept of Excitons (Optical Properties)

Panjang gelombang cahaya yang dipancarkan oleh Quantum dot

tergantung pada ukurannya. Ketika ukurannya berkurang, panjang gelombang

yang dipancarkan juga memendek, dan bergerak menuju ujung biru dari the

visual elektromagnetic spectrum. Sebaliknya, meningkatkan ukuran Quantum

dot memperpanjang panjang gelombang yang dipancarkan, bergerak menuju

warna merah. Panjang gelombang tertentu dari cahaya yang dipancarkan

dapat diukur melalui energi yang dihitung dan hubungan de Broglie :

hc
E=
λ

Seperti yang sudah dijelaskan sebelumnya. Ketika pancaran sinar UV

mengenai Quantum dot, beberapa elektron menerima energi yang cukup untuk

melepaskan diri dari atom. Kemampuan ini memungkinkan mereka untuk

bergerak di sekitar nanopartikel, menciptakan pita konduksi di mana elektron

16
 bebas bergerak melalui material dan menghantarkan listrik. Ketika elektron ini

jatuh kembali ke orbit luar di sekitar atom (pita valensi), mereka

memancarkan cahaya. Warna cahaya itu tergantung pada perbedaan energi

antara pita konduksi dan pita valensi.

C. Concept of Excitons (QD Production)

Quantum dot yang dihubungkan bersama dapat membentuk blok bangunan

dasar dari berbagai struktur nano kristal dan non-kristal. Quantum dot dapat

dihubungkan bersama sebagai molekul, struktur yang lebih kompleks seperti

kisi, mereka dapat menempel pada polimer, dan juga dapat dimasukkan ke

dalam polimer thin film. Teknik untuk produksi Quantum meliputi colloidal

synthesis, elektrochemical assembly, fabrication, dan viral assembly.

Gambar 6. Qds dalam berbagai struktur, termasuk (a) molekul, (b) kristal, (c) polimer, dan dalam
(d) nya yang tipis.

2.1.4 Perhitungan Energi Ikat Eksiton

The exciton band structure menunjukkan dua keadaan spin. Dalam hal

simetri kisi kubik, bagian atas pita valensi adalah keadaan yang setara dengan

momentum sudut I = 1. Karena interaksi spin dan orbital, empat kali lipat

3 1 3
degenerasi state terbentuk seperti:(j =l⊕ s= , m j=± , ± ). Umumnya dikenal
2 2 2

17
sebagai heavy hole, |32 , ± 32 ⟩ dan light hole, |32 , ± 12 ⟩. Penyerapan cahaya yang
dekat dengan celah energi berasal dari kontribusi heavy hole. Penyerapan cahaya

yang dekat dengan celah energi berasal dari kontribusi heavy hole. Dimana vektor

momentum sudut total (j) adalah jumlah dari vektor momentum sudut orbital total

(l) dan vektor momentum sudut spin total (s). Sehingga, j= l + s.

Gambar 7. Plot skematik dari spektrum energi partikel tunggal dalam bulk semikonduktor untuk keadaan

elektron dan hole di sisi kiri panel dengan keadaan kuantum diskrit elektron (e) dan hole (h) yang sesuai

ditunjukkan di sebelah kanan. Pita parabola atas adalah pita konduksi yang semakin rendah nilai valensinya.

Gambar 8. Diagram of transition of a single electron hole pair in

semiconductor QDs.

Persamaan Schrödinger untuk elektron atau hole pada QDs tanpa

mempertimbangkan kasus interaksi Coulomb. dengan i = elektron atau hole.

18
 2
−ℏ 2 ( )
∇ ς i r = ℇi ς i ( r )
2 mi

Dengan, syarat batas; ς i ( r )=0 for r=R

Sehingga persamaan schrodinger akan menjadi:

jl ( αR r ) Y (θ , ∅)
nl

√
ς i ( r )=¿ 1 m
3 l
4 π R j l+1 ( α nl )

The spherical Bessel function with boundary conditions dari pers.diatas dapat

ditulis:

jl ( αR r )|r=R =0
nl

j l ( α nl )=0

dimana, jl = l dari spherical Bessel function dan αnl = akar ke-n dari nilai l.

Dengan mensubstitusikan persamaan schrodinger yang kedua ke persamaan

schrodinger yang pertama, maka didapatkan nilai eigen:

( )
2 2
ℏ anl
ε i=
2 mi R

dengan menggunakan the band zero point pada pita valensi maksimum, dengan

pers. eigen, level energi elektron dan hole menjadi ;

( )
2 2
e ℏ an l
E =E g + e e

2 me R

( )
2 2
h ℏ an l
E =Eg + h h

2 mh R

19
karena tidak memperhitungkan interaksi Coulomb antara elektron dan hole.

Spektrum partikel tunggal tidak sejalan dengan spektrum serapan optik. Sehingga

persamaan Schrödinger untuk menggambarkan pasangan elektron hole adalah ;

( )
2 2
−ℏ 2 ℏ 2
∇e − ∇ h+ V c ϕ (r )=ε ϕ (r)
2 me 2 mh

Persamaan diatas dapat diselesaikan untuk mendapatkan energi elektron-hole;

an l 2 ℏ 2 an l
( ) ( )
2 2
e hℏ
ε =E + E =Eg + + e e h h

2 me R 2mh R

dan fungsi gelombangnnya;

ϕ (r e, r h)=¿ ς i ( r e ) ς i ( r h )

dengan syarat batasnya;

( )
α nl r
jl
ς i ( r )=¿
√ 1
3
R
4 π R j l+1 ( α nl )
m
Y l (θ , ∅ )

Berikut ini merupakan hubungan antara serapan cahaya dan energi foton pada

QDs:

Gambar 9. Spektrum penyerapan linier kristal CdS dan QD dalam kaca di ruangan Suhu.

20
 Gambar 10. Spektrum penyerapan linier kristal CdS dan QD dalam kaca pada 10 K.

Berdasarkan grafik, pembentukan puncak absorption berkaitan dengan absorption

of light. Pergeseran puncak ke energi yang lebih rendah disebablan oleh ukuran

atau perubahan komposisi partikel.

2.2 Preparasi Quantum Dots

Quantum Dots memiliki struktur heterogen dalam skala nano, yang dilapisi
oleh celah energi yang lebih rendah dari struktur nano semikonduktor dimaterial
lain dengan celah energi yang lebih tinggi. Saat ini, metode untuk sinstesis QD
terutama dibagi menjadi berikut ini.

2.2.1 Metode Kimia Koloid

Kimia sol-gel adalah pembuatan nanopartikel dari larutan melalui

transformasi dari prekursor cair menjadi sol dan akhirnya menjadi struktur

jaringan yang disebut gel (Danks et al., 2016). Melalui sintesis kimia sol dapat

menghasilkan QD yang berlapis-lapis. Metode adalah proses sederhana yang

dapat digunakan dalam produksi massal. Sintesis quantum dots (QDs) melibatkan

produksi nanostruktur semikonduktor dengan properti optik unik. Koloid kimia

adalah metode umum yang digunakan untuk sintesis QDs, terutama QDs

semikonduktor (Zunger & Editor, 1998).

21
 Dalam sintesis QDs menggunakan metode koloid kimia digunakan prekursor

kimia yang sesuai untuk menghasilkan QDs dengan komposisi yang diinginkan

(prekursor kimia ini biasanya adalah senyawa logam). Kemudian menggunakan

pelarut yang sesuai untuk mengurai prekursor kimia dan menghasilkan QDs

(pelarut adalah senyawa organik, seperti trioctylphosphine oxide (TOPO) atau

trioctylphosphine (TOP)). Selanjutnya prekursor kimia dicampurkan dengan

pelarut dan panaskan campuran tersebut. Sehingga reaksi nukleasi akan terjadi, di

mana atom-atom logam mulai membentuk inti partikel yang akan menjadi QDs.

Selama reaksi, QDs akan terus tumbuh secara bertahap dengan menambahkan

prekursor logam ke dalam campuran. Pengendalian suhu, waktu, dan rasio

prekursor adalah faktor-faktor penting dalam mengontrol ukuran dan komposisi

QDs. Untuk meningkatkan stabilitas dan sifat optik QDs, Anda dapat melapisi

QDs dengan lapisan pelindung yang biasanya terbuat dari senyawa semikonduktor

yang berbeda. Ini dapat mengurangi kebocoran foton (quenching) dan

meningkatkan kuantum yield QDs. Setelah sintesis dilakukan, QDs mungkin perlu

dipisahkan dari pelarut dan produk sampingan. Ini dapat dilakukan dengan

menggunakan metode seperti sentrifugasi atau kromatografi. Pada QD dapat

dilakukan untuk memastikan bahwa produk memiliki ukuran, komposisi, dan sifat

optik yang diinginkan. Metode karakterisasi termasuk spektroskopi UV-Vis,

spektroskopi fluoresensi, TEM (transmisi elektron mikroskop), dan XRD (difraksi

sinar-X) (Helwig et al., n.d.).

Metode koloid kimia memungkinkan sintesis QDs dengan kontrol yang baik

atas ukuran, komposisi, dan sifat optiknya. Pengembangan dan peningkatan

22
metode ini terus berlanjut untuk menghasilkan QDs dengan sifat yang lebih baik

dan aplikasi yang lebih luas dalam berbagai bidang, termasuk bidang biologi,

elektronika, dan optoelektronika (Joglekar et al., 2019).

High-temperature colloidal synthesis

Norris dan Bawendi adalah orang pertama yang melaporkan pembuatan

koloid pada suhu tinggi. Mereka telah menghasilkan QD koloidal CdS, CdSe dan

CdTe yang memiliki pendaran yang dapat disesuaikan, melalui proses pirolisis

prekursor organologam pada suhu 300 °C. Prosesnya melibatkan penyuntikan

prekursor dingin (campuran TOP-Se dan dimetilkadmium dalam tri-n-oktilfosfin)

dalam tri-n oktilfosfin oksida panas (300 °C). Hal ini mengakibatkan nukleasi

mendadak dan penurunan suhu campuran (~180 °C). Setelah titik ini nukleasi

berhenti. Kemudian, suhu campuran reaksi dinaikkan perlahan hingga 230-260

°C. Suhu dipertahankan pada nilai ini selama pertumbuhan nanopartikel. Sintesis

nanopartikel pada suhu tinggi menyebabkan anil pada partikel yang dihasilkan,

sehingga menghasilkan kristal bebas cacat. QD koloidal yang disiapkan

menunjukkan fluoresensi pita-ke-pita yang kuat. Namun, pendaran dari perangkap

yang dalam tidak terlihat (Joglekar et al., 2019).

2.2.2 Self-Assembly Methods of Quantum Dots

Molucular beam epitaxy (MBE) atau proses chemical Vapor Deposition

Method (CVD). Prinsip lattice mismatch digunakan agar pertumbuhan QD dapat

mengalami self-polymerization pada subtrat tertentu. Metode ini berlaku untuk

produksi massal QD yang diatur secara teratur (Zunger & Editor, 1998).

23
 Molecular Beam Epitaxy (MBE) adalah salah satu metode sintesis yang

digunakan untuk menghasilkan Quantum Dots (QDs) dengan tingkat presisi

tinggi. MBE adalah teknik yang sangat efisien dan canggih yang digunakan untuk

menumbuhkan lapisan atomik pada substrat, dan ini juga dapat digunakan untuk

menghasilkan QDs dengan mengendalikan pertumbuhan atom per atom. MBE

adalah metode yang sangat kuat untuk merancang struktur material dengan

ketebalan nanometer dan lapisan atomik. Berikut adalah prinsip dasar MBE yang

dapat dilihat pada gambar 1 (Hao et al., 2023):

Gambar 11. skema ruang pertumbuhan epitaksi berkas molekul (MBE) (Morresi, 2013).

Dalam MBE, sumber bahan semikonduktor atau logam diubah menjadi

bentuk uap pada suhu yang tepat. Ini dapat dilakukan melalui pemanasan sampel

padat di dalam oven tanpa uap (effusion cell) atau metode lain seperti laser

ablation atau sputtering. Bahan yang diuapkan kemudian ditembakkan dengan

energi kinetik tinggi melalui berkas molekuler yang difokuskan. Ini menciptakan

aliran molekuler yang tepat dan mengarahkan molekul tersebut ke substrat.

Substrat yang sesuai, biasanya kristal semikonduktor, ditempatkan di dalam ruang

reaksi dan dipanaskan. Ketika molekul yang diuapkan tiba di substrat, mereka

24
dapat berikatan dan membentuk lapisan pada substrat. Proses ini berlangsung

pada tingkat atomik. Ketika atom-atom atau molekul-molekul ini tiba di substrat,

mereka membentuk lapisan atomik yang sangat tipis, satu atom atau molekul pada

satu waktu. Pengendalian suhu sangat penting dalam MBE. Suhu substrat

dikendalikan dengan sangat hati-hati untuk mengontrol pertumbuhan material dan

sifat fisiknya. Hasil pertumbuhan film tipis atau lapisan atomik kemudian

dikarakterisasi menggunakan berbagai teknik, seperti difraksi sinar-X (XRD),

spektroskopi fotoelektron (XPS), spektroskopi Auger, dan mikroskopi transmisi

elektron (TEM) untuk memeriksa sifat struktural, kimia, dan fisik (Morresi,

2013).

Chemical Vapor Deposition Method (CVD) adalah satu metode yang

sangat penting dalam sintesis dan deposisi film tipis dan lapisan material di

berbagai bidang, termasuk elektronika, optoelektronika, material berbasis lapisan

tipis, nanoteknologi, dan banyak lagi. Proses CVD melibatkan penggunaan reaksi

kimia dalam fase uap untuk menghasilkan atau meletakkan material pada substrat

(Sun et al., 2021). Berikut adalah gambaran umum tentang metode Chemical

Vapor Deposition (CVD) yang ditunjukkan gambar 2:

25
 Gambar 12. Skema chemical Vapor Deposition Method (CVD) (Zhang et al., 2016).

Proses CVD dimulai dengan penggunaan senyawa kimia yang disebut

prekursor. Prekursor ini bisa berbentuk gas atau cair, tergantung pada jenis CVD

yang digunakan. Prekursor ini dipecah menjadi elemen kimia yang diperlukan,

seperti atom atau molekul, melalui pemanasan atau reaksi kimia di dalam ruang

reaksi. Reaksi ini menghasilkan produk yang dapat mengendap sebagai lapisan

atau film pada substrat. Substrat yang ingin dilapisi dengan lapisan material

ditempatkan di dalam ruang reaksi dan dipanaskan. Pemanasan substrat penting

karena membantu dalam penempelan dan pertumbuhan material yang dihasilkan.

Produk reaksi kimia, yang berupa atom atau molekul dalam fase gas, diangkut

menuju substrat melalui aliran gas pembawa (carrier gas). Gas pembawa ini

membawa produk reaksi ke substrat tempat mereka mengendap. Ketika atom atau

molekul mencapai substrat yang lebih dingin, mereka mulai mengendap sebagai

lapisan atau film. Pertumbuhan film terjadi seiring waktu seiring dengan

pengiriman prekursor ke substrat. Proses CVD dikendalikan oleh parameter

seperti suhu, tekanan, laju aliran gas pembawa, dan jenis prekursor yang

digunakan. Pengendalian ini memungkinkan untuk menghasilkan lapisan dengan

sifat yang diinginkan (Hao et al., 2023).

2.2.3 Lithography and etching

Berkaas berkas elektron diterapkan langsung pada subtrat, yang dapat

digores untuk menghasilkan pola. Proses ini memakan waktu dan tidak berlaku

untuk produksi massaal (Morresi, 2013). Lithography dan etching adalah langkah

26
penting dalam proses manufaktur mikroelektronika dan teknologi nanoskala

lainnya. Mereka memungkinkan penciptaan struktur dan pola dengan ketepatan

tinggi pada permukaan substrat untuk berbagai aplikasi, termasuk pembuatan

sirkuit terintegrasi, perangkat optoelektronik, dan mikrosistem elektromekanis

(Alyobi & Cobley, 2017).

Prinsip dasar lithography (litografi) dan etching adalah untuk menciptakan

pola atau cetakan pada substrat dengan presisi tinggi. Berikut adalah penjelasan

prinsip dasar dari keduanya:

Lithography (Litografi)

Prinsip pertama dalam lithography adalah pemilihan pola yang ingin

dicetak pada substrat. Pola ini biasanya didesain dalam bentuk mask atau

photomask, yang berisi daerah transparan dan daerah non-transparan sesuai

dengan pola yang diinginkan. Mask ditempatkan di atas substrat. Sinar ultraviolet

(UV) atau deep ultraviolet (DUV) dilewatkan melalui mask. Daerah-daerah non-

transparan pada mask menghalangi cahaya, sehingga hanya daerah-daerah

transparan yang memapar lapisan fotosensitif yang disebut photoresist pada

substrat. Lapisan photoresist mengalami perubahan kimia ketika terpapar oleh

cahaya. Ada dua jenis photoresist yang umum digunakan: positif dan negatif.

Dalam photoresist positif, daerah yang terpapar menjadi mudah larut dalam

developer, sementara dalam photoresist negatif, daerah yang terpapar menjadi

sulit larut. Setelah paparan, substrat dicelupkan ke dalam developer. Daerah yang

terpapar larut, meninggalkan pola yang diinginkan pada substrat. Pola yang ada

dalam photoresist kemudian ditransfer ke lapisan di bawahnya, seperti lapisan

27
semikonduktor atau logam, melalui proses etching atau deposit (Mailly & Vieu,

2007).

Etching (Pengukiran)

Etching digunakan untuk menghilangkan material dari substrat. Proses ini

digunakan untuk mengubah struktur substrat dengan mengukir atau menghapus

lapisan yang tidak diinginkan. Proses ini dapat menghasilkan struktur seperti

saluran (trenches), vias, dan lainnya. Substrat atau bahan yang akan diukir

disiapkan. Ini bisa berupa lapisan fotoresist yang telah mengalami lithography

sebelumnya, atau bisa berupa lapisan bahan tertentu yang perlu diukir.Dalam wet

etching, substrat direndam dalam larutan kimia yang dapat menghilangkan

material tertentu. Material larut secara kimia dikeluarkan dari substrat. Dry

etching (plasma etching) menggunakan gas reaktif dalam ruang vakum untuk

menghilangkan material dari substrat. Ini adalah proses yang lebih presisi dan

anisotropic daripada wet etching. Etching digunakan untuk menciptakan pola pada

substrat. Pola yang dihasilkan dalam proses lithography akan membimbing proses

etching, mengungkapkan pola yang diinginkan pada substrat. Setelah etching

selesai, lapisan photoresist yang digunakan untuk melindungi daerah yang tidak

diukir dapat dihapus, dan substrat dapat diproses lebih lanjut sesuai kebutuhan

(Mailly & Vieu, 2007).

2.2.4 Split-gate approach

Tegangan ektrenal diterapkan untuk menghasilkan kurungan dua dimensi

ke bidang dua dimensi sumur kuantum. Gerbang tersebut dapat dikontrol terkait

28
perubahan bentuk dan ukuran QD dan cocok untuk penelitian akademis daripada

untuk produksi masal (Morresi, 2013).

Metode pendekatan split-gate adalah salah satu teknik yang digunakan

dalam sintesis kuantum dot (QD), terutama dalam nanostruktur semikonduktor.

Pendekatan ini melibatkan penggunaan elektroda split-gate untuk menciptakan

potensi pembatasan (confinement potential) bagi elektron atau lubang, sehingga

membentuk QD dengan cara yang terkendali. Berikut adalah gambaran umum

tentang metode split-gate dalam sintesis kuantum dot:

Proses dimulai dengan menggunakan substrat semikonduktor, biasanya

terbuat dari bahan seperti silikon (Si) atau gallium arsenida (GaAs). Di atas

substrat semikonduktor, elektroda split-gate dibuat. Elektroda ini biasanya terbuat

dari logam atau struktur semikonduktor dan ditempatkan dalam jarak yang sangat

dekat dengan substrat. Desain split-gate melibatkan pembuatan dua gerbang yang

sangat dekat yang dapat dikendalikan secara independen. Dengan memberikan

tegangan yang berbeda pada elektroda split-gate, medan listrik diciptakan di

antara gerbang. Medan listrik ini menyebabkan potensi pembatasan (confinement

potential) pada material semikonduktor di bawah gerbang. Medan listrik yang

diinduksi oleh split-gate menyebabkan elektron atau lubang terbatas (confined)

dalam material semikonduktor di wilayah tepat di bawah gerbang. Potensi

pembatasan ini menghasilkan pembentukan QD. Ukuran dan sifat QD dapat

dikendalikan dengan mengatur tegangan yang diterapkan pada elektroda split-

gate. Tegangan yang lebih tinggi biasanya menghasilkan QD yang lebih kecil,

sementara tegangan yang lebih rendah menghasilkan QD yang lebih besar.

29
Dengan mengubah tegangan gerbang, peneliti dapat menyesuaikan sifat QD

secara presisi. Setelah pembentukan QD, nanostruktur yang dihasilkan

dikarakterisasi menggunakan berbagai teknik seperti mikroskopi tunel

semikonduktor (STM), mikroskopi gaya atom (AFM), spektroskopi

fotoluminesensi, dan alat analisis lainnya untuk mengevaluasi ukuran, bentuk, dan

sifat elektroniknya.

Persiapan teknologi QD dibuat atas dasar proses pertumbuhan lapisan

tipis. Literatur saat ini sering mengutip tiga jenis model klasik untuk pertumbuhan

film tipis: Model pertumbuhan berlapis (Frank-van der Marwe (F-M)).

Pertumbuhan lapisan per lapisan, yang sering disebut sebagai model Frank-van

der Merwe (F-M), adalah salah satu mekanisme pertumbuhan film tipis yang

terjadi ketika suatu bahan dideposisikan pada substrat. Model F-M adalah salah

satu dari beberapa model pertumbuhan film tipis yang digunakan untuk

menggambarkan bagaimana atom atau molekul yang ditempatkan pada

permukaan substrat membentuk lapisan satu per satu (Morresi, 2013). Prinsip

dasar dari model F-M dapat dilihat pada gambar 3 a. Model F-M digunakan ketika

substrat yang digunakan adalah permukaan polikristal atau amorf, sehingga tidak

ada struktur teratur yang ada pada substrat. Atom atau molekul dari bahan yang

akan dideposisikan diserap atau menempel pada permukaan substrat. Ini mungkin

terjadi melalui proses fisika atau kimia. Atom atau molekul yang menempel pada

substrat akan menyebar dan bergerak sampai mereka menemukan posisi yang

sesuai untuk membentuk lapisan pertama. Pertumbuhan dimulai dengan

pembentukan satu lapisan atom pertama pada substrat. Setelah lapisan pertama

30
terbentuk, atom atau molekul berikutnya yang menempel akan membentuk lapisan

kedua di atas lapisan pertama. Pertumbuhan film terus berlanjut dengan

pembentukan lapisan demi lapisan, secara berurutan (Hao et al., 2023).

Model Pertumbuhan pulau (Volmer-Weber (V-W)) adalah salah satu

mekanisme pertumbuhan film tipis yang terjadi ketika bahan dideposisikan pada

substrat. Model V-W digunakan untuk menggambarkan bagaimana lapisan film

pertama terbentuk sebagai pulau-pulau terpisah yang kemudian tumbuh bersama

dengan lapisan yang lebih besar. Prinsip dasar dari model V-W dapat dilihat pada

gambar 3 b. Model V-W sering digunakan ketika substrat adalah permukaan

amorf atau polikristal yang tidak memiliki struktur kristal yang teratur. Atom atau

molekul dari bahan yang akan dideposisikan diserap atau menempel pada

permukaan substrat. Ini mungkin terjadi melalui proses fisika atau kimia. Atom

atau molekul yang menempel pada substrat cenderung membentuk pulau-pulau

kecil yang terisolasi sebagai lapisan pertama. Ini disebut nukleasi. Pulau-pulau ini

tumbuh lebih besar seiring bertambahnya atom atau molekul yang menempel pada

mereka. Pertumbuhan Lapisan Lengkap: Ketika pulau-pulau mencapai ukuran

yang cukup besar, lapisan pertama yang telah terbentuk bertumbuh lebih besar

untuk menutupi daerah di bawahnya, membentuk lapisan lengkap yang menutupi

seluruh substrat. Ini adalah tahap pertumbuhan lapisan penuh.(Hao et al., 2023;

Morresi, 2013).

Model Pertumbuhan campuran (Stranski-Krastanov (S-K)) Model S-K

adalah adalah mekanisme pertumbuhan film tipis yang menggambarkan tahap-

tahap pertumbuhan ketika lapisan film pertama terbentuk sebagai pulau-pulau

31
kecil yang kemudian dilanjutkan dengan pertumbuhan lapisan yang lebih besar.

Model Stranski-Krastanov sering digunakan untuk menjelaskan pertumbuhan

lapisan tipis ketika ada perbedaan yang signifikan dalam struktur kristal antara

lapisan film dan substrat. Prinsip Dasar Model Stranski-Krastanov (S-K) dapar

dilihat pada gambar 3 c.

Model S-K digunakan ketika substrat adalah permukaan amorf atau polikristal

yang tidak memiliki struktur kristal yang teratur. Pada tahap awal pertumbuhan,

lapisan film pertama akan tumbuh sebagai pulau-pulau kecil yang terisolasi. Atom

atau molekul dari bahan yang akan dideposisikan diserap atau menempel pada

permukaan substrat. Ini mungkin terjadi melalui proses fisika atau kimia. Atom

atau molekul yang menempel pada substrat cenderung membentuk pulau-pulau

kecil yang terisolasi sebagai lapisan pertama. Ini disebut nukleasi, mirip dengan

model pertumbuhan pulau (V-W). Setelah pulau-pulau mencapai ukuran tertentu,

lapisan pertama yang telah terbentuk akan tumbuh lebih besar untuk menutupi

daerah di bawahnya, membentuk lapisan lengkap yang menutupi seluruh substrat.

Ini adalah tahap pertumbuhan lapisan penuh. Namun, dalam model S-K,

pertumbuhan lapisan pertama yang terisolasi tidak selalu berakhir setelah

pembentukan lapisan lengkap. Sebaliknya, pertumbuhan berlanjut sebagai lapisan

campuran, di mana lapisan pertama yang terisolasi masih ada sebagai pulau-pulau

di atas lapisan yang lebih besar yang telah terbentuk.(Hao et al., 2023; Morresi,

2013).

32
Gambar 13. a. Model pertumbuhan berlapis (Frank-van der Marwe (F-M)). b. Model Pertumbuhan pulau
(Volmer-Weber (V-W)). c. Model Pertumbuhan campuran (Stranski-Krastanov (S-K)) (Hao et al., 2023).

Berikut ini adalah contoh metode pertumbuhan sampel untuk QD indium

arsenide. Ini menggambarkan teknologi persiapan QD semikonduktor. Dengan

menggunakan teknologi MBE dan mode pertumbuhan S-K, pertumbuhan QDs

indium arsenide adalah sebagai berikut. Sebelum pertumbuhan QD,

persiapkan substrat semikonduktor yang biasanya terbuat dari arsenida galium

GaAs 100. Substrat GaAs dipersiapkan dan dibersihkan dengan seksama

untuk menghilangkan kontaminan dan oksida permukaan. Substrat kemudian

dipanaskan untuk membersihkannya lebih lanjut, menghasilkan permukaan

yang baik untuk pertumbuhan QD. Pertama-tama, lapisan dasar yang biasanya

terdiri dari InAs atau GaAs digunakan sebagai permukaan kerja untuk

pertumbuhan QD. Lapisan ini membentuk struktur dasar untuk pertumbuhan

QD di atasnya. Beam atom indium (In) dan atom arsenida (As) ditembakkan

ke permukaan lapisan dasar dalam suatu ruang MBE. Ini menyebabkan atom

In dan As menempel pada lapisan dasar. Selama pertumbuhan, suhu substrat

dikontrol dengan hati-hati untuk memungkinkan pertumbuhan QD InAs yang

33
terkontrol. Struktur dasar dan suhu pertumbuhan diatur agar menghasilkan

kondisi yang mendukung pembentukan QD daripada pertumbuhan lapisan

kontinu. Pembentukan QD terjadi melalui nukleasi, di mana titik-titik

pertumbuhan pertama terbentuk sebagai QD kecil. Kemudian, QD ini tumbuh

lebih besar saat atom InAs tambahan menempel pada mereka (Gibson et al.,

2018).

QD yang dilapisi dengan lapisan gallium arsenide dapat menyebabkan

pembentukan perangkat QD dengan struktur sandwich. Bagian ini merupakan

lapisan aktif pada dioda laser. Juga, untuk secara efektif membatasi pembawa

di ruang kecil (kurungan pembawa) dan untuk kurungan optik di mana rongga

resonansi dapat dihasilkan untuk menginduksi pendaran, kedua sisi lapisan

aktif dapat, masing-masing, mengalami pertumbuhan lapisan penghalang dari

bagian dengan yang berbeda. n (atau p) konsentrasi komposisi paduan

aluminium gallium arsenik, memungkinkan pembentukan pembawa efektif

yang dapat mencapai lapisan aktif untuk memungkinkan terjadinya radiasi

pemancar senyawa. Lapisan terluar p+ (atau n+) yang sangat terkotori

terutama untuk pembentukan kontak ohmik dengan elektroda (Morresi, 2013).

34
 Gambar 14. gambar FE-SEM dari InAs/GaAs QDs

Setelah pertumbuhan sampel QD, field-emission scanning electron

microscope (FE-SEM) dapat digunakan untuk mengamati morfologi

geometriknya dan mengukur kerapatan permukaan QD. Kualitas pertumbuhan

QD sangat penting untuk kinerja laser QD dan cukup sensitif terhadap metode

dan kondisi pertumbuhan. Ambil contoh pertumbuhan MBE fase gas. Dimensi

kristal substrat gallium arsenide (100 atau 111), komposisi yang diolah, suhu

pertumbuhan, tekanan uap arsenik, rasio elemen III / V, laju pertumbuhan,

mode dan waktu interupsi, komposisi dan ketebalan lapisan atau tutup

pertumbuhan berlebih lapisan, dan pola pertumbuhan sub-lapisan tunggal

indium dan galium dapat mempengaruhi kualitas pertumbuhan QD. Gambar

menunjukkan gambar dua dimensi yang ditangkap oleh FE-SEM pada QD

InAs / GaAs (Hao et al., 2023; Morresi, 2013).

35
 Selain menggunakan FE-SEM untuk mengukur kepadatan QD, mikroskop

elektron transmisi resolusi tinggi dapat secara akurat mengukur ukuran QD.

AFM, STM atau SPM juga dapat digunakan untuk mengamati geometri dan

mengukur QD. Gambar menunjukkan gambar dua dimensi yang diperoleh

AFM pada QD InAs / GaAs. Kepadatan QD umumnya antara 1×109 dan

1×1011 cm−2. Diameter bawah kira-kira puluhan nanometer, dan tingginya

kira-kira beberapa nanometer. Ukuran QD, kepadatan, dan kondisi

pertumbuhan serta korelasi parameter dijelaskan secara rinci di sini. Jika

Anda tertarik dengan subjek ini, silakan merujuk ke literatur terbaru tentang

nanoteknologi (Morresi, 2013).

Gambar 15. gambar AFM dua dimensi dari QDs InAs/GaAs.

36
2.2.5 Laser Devices Based on QDs

QD semikonduktor memiliki banyak aplikasi penting. Salah satunya di

bidang perangkat laser. Sejak dimulainya struktur sumur kuantum, para peneliti di

seluruh dunia telah melakukan banyak pekerjaan teoritis, berharap untuk

menerapkan mekanisme kuantum dalam teknologi laser semikonduktor, dan

kemudian minat mereka bergeser ke kabel kuantum dan QD dimensi yang lebih

rendah.

Pada tahun 1982, Arakawa dan Sakaki di Universitas Tokyo melakukan

penelitian yang sangat penting dalam perkembangan teknologi laser berbasis

quantum dots. Mereka dikenal karena penemuan efek hamburan cahaya eksiton

(exciton light scattering effect) dalam quantum dots. Penemuan ini merupakan

langkah awal dalam memahami sifat optik quantum dots dan berkontribusi pada

pengembangan laser berbasis quantum dots. Mereka melakukan perhitungan

teoritis dan menunjukkan bahwa QD memiliki keterbatasan elektronik tiga

dimensi dan energi DoS dalam bentuk fungsi δ. Sementara itu, mereka secara

teoritis memprediksi kualitas kinerja laser QD, yang meliputi arus ambang rendah,

karakteristik suhu tinggi, dan efisiensi cahaya tinggi. Dibandingkan dengan laser

semikonduktor konvensional, laser QD menunjukkan peningkatan besar dalam

stabilitas termal. Penelitian mereka membantu membuka jalan bagi penggunaan

quantum dots sebagai gain medium dalam laser dan berkontribusi pada

pemahaman tentang bagaimana menghasilkan cahaya laser yang kuat dengan

menggunakan material semikonduktor nanostruktur seperti quantum dots

(Norman et al., 2018; Zunger & Editor, 1998).

37
 Pada tahun 1986, Asada memprediksikan melalui perhitungan cara teoritis

bahwa kerapatan arus ambang dengan struktur QD akan jauh lebih rendah

dibandingkan dengan dengan struktur sumur kuantum satu dimensi, yang

menunjukkan arah baru untuk menyelesaikan masalah memiliki kerapatan arus

ambang batas yang terlalu tinggi, yang merupakan masalah yang dihadapi dengan

laser semikonduktor. Namun pada saat itu, produksi QD didasarkan pada

teknologi litograf, yang membuatnya sulit untuk mendapatkan QD berskala nano

berkualitas tinggi. Pada saat itu juga Asada dan Arakawa menerbitkan makalah

ilmiah berjudul "Lasing in InGaAs Quantum Dots: Lasing Threshold and

Linewidth of Quantum-Dot Laser," di mana mereka menyelidiki karakteristik

laser yang menggunakan quantum dots sebagai gain medium. Penelitian ini

menyajikan hasil yang menunjukkan bahwa quantum dots bisa digunakan sebagai

gain medium dalam perangkat laser dengan lasing yang signifikan dan membahas

parameter seperti ambang lasing (lasing threshold) dan lebar garis spektral laser.

Hasil penelitian ini menjadi kontribusi penting dalam pengembangan teknologi

quantum dot laser dan memberikan pemahaman awal tentang sejauh mana

quantum dots dapat digunakan dalam perangkat laser. Penelitian berikutnya terus

memperbaiki kinerja laser berbasis quantum dots dan mengoptimalkan parameter

seperti kestabilan, efisiensi, dan output daya (Yadav et al., 2023; Zunger & Editor,

1998).

Pada pertengahan 1980-an, seiring berkembangnya teknik epitaksi

semikonduktor (MOCVD dan MBE), adalah mungkin untuk mengontrol

pertumbuhan bahan film tipis semikonduktor secara tepat dan untuk mengakses

38
bahan sumur kuantum terbatas dua dimensi dan bahan superlattice berkualitas

tinggi. Dibuat dari bahan dua dimensi ini dengan struktur heterostruktur kurungan,

kinerja perangkat optoelektronik, seperti laser dan detektor, telah mengalami

peningkatan yang pesat. Produk mereka dengan cepat memasuki pasar dan

digunakan secara luas. Keberhasilan luar biasa dalam material sumur kuantum dua

dimensi mendorong para peneliti untuk terus mencoba membatasi pergerakan

elektron di lebih banyak dimensi dan meluncurkan studi eksperimental tentang

kabel kuantum dan QD (Zunger & Editor, 1998).

Pada tahun 1994, tim peneliti Marzin menggunakan tegangan (deformasi

geometris) akibat ketidaksesuaian kisi antara lapisan heterostruktur arsenida dan

indium gallium arsenida untuk membentuk SAQD. Pada tahun yang sama, N.

Kirstaedter dan N. N. Ledentsov melaporkan laser QD swakelola pertama di dunia

pada emisi edge. Mereka memasukkan tingkat bias gradient ke dalam QD yang

diatur sendiri dengan indeks lapisan tunggal InGaAS / GaAs, yang digunakan

untuk pengurungan terpisah dari struktur heterostruktur dan struktur laser sumur

kuantum. Kuantum asli berfungsi dengan baik sebagai media aktif, sehingga

mencapai ambang batas kepadatan arus rendah (120 A/cm 2) pada temperatur

rendah (77 K). Setelah itu, SAQD mendapat perhatian besar. Studi ekstensif telah

mencakup topik dari sifat fisik dasar perangkat kuantum hingga studi fabrikasi

yang membantu mendapatkan hasil yang memuaskan. Sejak tahun 1994 dan

seterusnya, bidang laser QD mengalami perkembangan pesat. Kerapatan arus

ambang rendah, stabilitas termal yang sangat baik, dan berbagai sifat menarik

39
lainnya telah menarik banyak perhatian di semakin banyak laboratorium (Zunger

& Editor, 1998).

Tahun 1996 dan 1997 menyaksikan perkembangan pesat laser QD.

Sejumlah besar tim peneliti internasional telah bergabung dengan barisan untuk

mendorong penelitian intensif tentang laser QD. Untuk mencapai keadaan dasar

laser QD, kondisi pengoptimalan untuk proses pertumbuhan harus disediakan

sebagai dasar untuk peningkatan yang signifikan dalam ukuran QD dan

keseragaman bentuk.

Dengan studi mendalam yang dilakukan dalam beberapa tahun terakhir,

laser QD yang diproduksi saat ini dapat memiliki ambang batas kepadatan jauh

lebih rendah daripada laser sumur konvensional dan kuantum. Pada tahun 1996,

N. N. Ledentsov bersama dengan rekan-rekannya mengeluarkan makalah berjudul

"Quantum Dot Heterostructure Lasers". Ledentsov adalah seorang ilmuwan yang

telah berkontribusi signifikan dalam penelitian dan pengembangan laser berbasis

quantum dots. Makalah tersebut membahas penggunaan heterostruktur quantum

dots dalam pengembangan laser. Heterostruktur quantum dots adalah struktur

yang terdiri dari lapisan-lapisan semikonduktor berbeda yang mengandung

quantum dots di dalamnya. Makalah ini mungkin membahas berbagai aspek

desain dan kinerja dari laser berbasis quantum dots menggunakan heterostruktur

quantum dots (Norman et al., 2018).

Ledentsov bersama dengan rekan-rekannya menggunakan 10 lapis

In0,5Ga0,5As/ A10,15Ga0,85As dalam struktur superlattice QD sebagai wilayah aktif

40
laser QD sehingga pada suhu kamar, densitas arus ambang berkurang menjadi 90

A/cm2. Pada tahun 1999, G. T. Liu dan rekannya berhasil mengembangkan

InAs/In0,15Ga0,85As laser QD dengan kepadatan arus ambang batas 26 A/cm 2 pada

suhu ruangan. Sejauh ini, laser QD dengan lapisan HR pada sisinya telah

memperoleh kerapatan arus ambang batas 10-20 A/cm 2, yang dua sampai empat

kali lebih rendah dari laser sumur kuantum terbaik. Dari laser dengan QD

multilayer sebagai wilayah aktif, QD pada setiap lapisan mungkin memiliki

kerapatan arus ambang rendah, bahkan serendah 7-10 A/cm 2 (Zunger & Editor,

1998).

Stabilitas suhu laser QD juga meningkat. Pada tahun 1994, Kirstaedter

melaporkan laser QD pompa listrik pertama, yang menunjukkan stabilitas suhu

yang baik pada suhu rendah (150-180 K). Pada suhu kamar, bagaimanapun,

stabilitas termal ambang kerapatan arus lebih rendah daripada perangkat sumur

kuantum GaA komersial. Pada tahun 1997, Maximov dan rekan menempatkan

QD ke dalam sumur kuantum GaAs/AlGaAs. Pendekatan ini menyebabkan

peningkatan ketinggian penghalang keluarnya pembawa di QD, sangat

mengurangi kemungkinan lolosnya kapal induk. Sementara itu, arus bocor

dikurangi untuk menghasilkan suhu karakteristik T0 laser hingga 385 K pada suhu

operasi antara 80 K dan 330 K, jauh di atas suhu karakteristik laser sumur

kuantum. Meskipun demikian, peningkatan T0 telah menyebabkan peningkatan

yang signifikan dari ambang batas kepadatan arus. Pada tahun 1999, Shernyakov

melaporkan laser QD berbasis GaAs pertama di dunia dengan panjang gelombang

operasi 1,3 μm, yang merupakan perangkat pertama yang bekerja pada suhu

41
kamar tetapi pada saat yang sama memiliki suhu karakteristik yang tinggi T0 (160

K) dan ambang batas kepadatan arus rendah jth (65 A/cm2).

Untuk laser QD yang ideal, QD harus memiliki ukuran dan bentuk yang

sama; yaitu, QD harus dari satu elektron dan tingkat energi lubang, dan harus

mudah dicapai dalam operasi mode tunggal. Pada tahun 1996, Kirstaedter dan

rekannya pada suhu 77 K dengan nilai kerapatan sedikit lebih tinggi dari ambang

batas kerapatan arus mengamati operasi mode tunggal. Sebaliknya, laser sumur

kuantum untuk mencapai operasi mode tunggal harus berada jauh di atas rapat

arus ambang batas.

Pada tahun 2004, Universitas Tokyo dan Fujitsu berhasil dalam uji coba

pengembangan laser QD yang bekerja pada panjang gelombang 1,3 μm; fluktuasi

daya optik yang disebabkan oleh suhu dapat disetel hingga kira-kira seperenam

nilai aslinya. Dalam kisaran 20-70oC, itu dapat mengirimkan sinyal optik dengan

mantap pada 10 Gbit/s tanpa kompensasi suhu yang disebabkan perubahan daya

optik. Menghilangkan kebutuhan sirkuit eksternal untuk kompensasi suhu

membantu mengurangi ukuran pemancar optik dan biaya keseluruhan produk.

Tim peneliti saat ini sedang mencoba untuk memperluas rentang suhu operasi

laser yang bebas menyesuaikan 0-85oC. Kemajuan yang signifikan ini

berkontribusi pada pengembangan pemancar sinyal optik kecil dengan biaya dan

konsumsi daya rendah. Metropolitan Area Network (MAN) dan optik

berkecepatan tinggi Local Area Network (LAN) diharapkan mendapat manfaat

darinya. Selain itu mereka melakukan kerja sama yang berhasil dalam uji coba

pengembangan laser berbasis quantum dots (quantum dot laser). Pada saat itu,

42
penelitian dalam bidang ini terus berkembang dengan upaya untuk

mengoptimalkan kinerja perangkat laser berbasis quantum dots. Hasil kerja sama

ini mungkin mencakup pencapaian dalam hal kinerja laser, efisiensi, dan

stabilitas. Laser berbasis quantum dots menunjukkan potensi yang besar dalam

berbagai aplikasi, terutama dalam bidang telekomunikasi, di mana panjang

gelombang laser yang dapat disesuaikan adalah keunggulan yang sangat penting.

Upaya untuk mengembangkan teknologi ini terus berlanjut, dan kolaborasi antara

universitas dan perusahaan teknologi seperti Fujitsu adalah langkah penting dalam

menggerakkan teknologi quantum dot laser ke tahap lebih lanjut (Zunger &

Editor, 1998).

Saat ini, bahan laser QD telah ditemukan, tetapi bahan terbaik sejauh ini

masih QD arsenide indium (atau gallium indium arsenide alloy) dengan

pertumbuhan keluarga III-V pada substrat GaAs. Indium arsenide memiliki celah

energi yang sempit, yang dapat diatur melalui nilai x setelah menambahkan

sejumlah kecil komponen galium untuk pembuatan struktur QD berukuran

nanometer. Selain itu, dapat digunakan untuk menghasilkan sumber cahaya laser

atau perangkat pendeteksi cahaya dengan panjang gelombang dalam kisaran 1,3-

1,55 μm, yang cocok untuk digunakan dalam komunikasi optik. Di sini, kami

harus menunjukkan bahwa sinar laser dengan panjang gelombang antara 1,3 dan

1,55 μm sangat penting karena serat optik memiliki kehilangan energi yang sangat

rendah di pita ini, sangat cocok untuk komunikasi optik jarak jauh (Zunger &

Editor, 1998).

43
 QD dalam keluarga III-V dinilai terutama dalam penerapan properti optik

dan elektroniknya, seperti perangkat elektronik frekuensi tinggi (kecepatan

tinggi), perangkat pemancar cahaya frekuensi tinggi, dan detektor cahaya dengan

efisiensi tinggi. Alat pengukuran untuk mempelajari sifat optik QD termasuk

fotoluminesensi, fotoluminesensi yang diselesaikan waktu, dan eksperimen

perubahan suhu yang datang dengan perubahan daya dalam eksitasi optik atau

pemompaan atau sistem kriogenik, dan ini dapat memperoleh spektrum foton

radiasi dari rekombinasi lubang dari data spektral dan mekanisme relaksasi dan

waktu pembawa, informasi kehidupan, dan parameter terkait perangkat lainnya

(Norman et al., 2018).

Perkembangan laser QD dalam beberapa tahun terakhir telah membuat

kemajuan yang cukup besar dan telah meluncurkan tantangan yang kuat terhadap

laser semikonduktor tradisional, namun masih terdapat kesenjangan yang besar

antara kinerja dan prediksi teoritisnya. Masalah berikut harus diatasi untuk lebih

meningkatkan kinerja laser QD. Pertama adalah pertumbuhan array ukuran-

seragam dari QD. Meskipun material QD memberikan banyak properti yang

berpotensi menguntungkan, distribusi ukurannya yang tidak merata membuat

puncak pemancar cahaya QD memiliki pelebaran yang tidak seragam, sedangkan

puncak luminesensi lebar dan jauh lebih besar daripada material sumur kuantum

(meV). Faktanya, hanya sebagian kecil dari QD yang berkontribusi pada proses

pemancaran cahaya. Hal ini membatasi penguatan optik dan membuat

pengurangan lebih lanjut dalam ambang penguat laser sulit dicapai. Kedua adalah

kemampuan untuk meningkatkan kepadatan permukaan dan kepadatan volume

44
QD untuk memaksimalkan perolehan material dari QD. Ketiga adalah

kemampuan untuk mengoptimalkan desain struktural laser QD sehingga kondusif

untuk QD dalam penangkapan dan perbudakan pembawa. Dan terakhir adalah

kemampuan untuk mengontrol ukuran QD atau untuk memilih sistem material

baru untuk memperluas ruang lingkup kerja panjang gelombang penguat laser QD

ke pita 1,4-1,6 μmDan terakhir adalah kemampuan untuk mengontrol ukuran QD

atau untuk memilih sistem material baru untuk memperluas ruang lingkup kerja

panjang gelombang penguat laser QD ke pita 1,4-1,6 μm dalam jaringan

Wavelength Division Multiplexing (WDM) (Zunger & Editor, 1998).

Untuk bahan indium arsenide QD, QD indium arsenide saat ini telah

mencapai kemajuan yang cukup besar dalam perangkat dioda laser. Pada panjang

gelombang 1,3 μm dan rapat arus kritis rendah dapat meluncurkan gelombang

mode tunggal berkelanjutan dalam mode operasi pada suhu kamar, dengan daya

hingga 210 mW. Saat ini, kinerja laser QD lebih baik daripada laser sumur

kuantum InP, tetapi kinerjanya tidak sepenuhnya memuaskan. Untuk

meningkatkan keefektifan laser QD indium arsenide, kita juga harus melakukan

studi yang difokuskan pada pengurangan arus kritis, meningkatkan karakteristik

suhu dalam operasi perangkat (peningkatan suhu perangkat), dan mencegah

peralihan antara modul keadaan dasar dan modul keadaan tereksitasi, serta untuk

meningkatkan efisiensi sinar laser. Indium arsenide QD masih memiliki sejumlah

masalah yang perlu dipelajari lebih lanjut, seperti kepadatan tinggi, ukuran,

pertumbuhan lapisan epitaxial seragam QD, serta pengamatan yang tepat dari

bentuk dan ukuran QD pengukuran, analisis komponen QD dalam dan luar dan

45
stres distribusi pengukuran atau perkiraan, perhitungan teoritis QD dengan

morfologi yang berbeda pada pita kuantum dan tingkat energi, nilai energi

elektron dalam transisi optik antara tingkat energi, mekanisme relaksasi energi

pembawa, dan pengukuran umur pembawa dan besaran fisika utama lainnya.

Dengan upaya para peneliti ilmiah, perangkat laser berkekuatan tinggi dan mode

tunggal yang lebih efisien dalam operasi suhu tinggi dengan panjang gelombang

1,3-1,55 μm akan dikembangkan (Zunger & Editor, 1998).

2.2.6 Single-Photon Source

Perangkat yang menghasilkan foton tunggal dengan tingkat probabilitas

tinggi. Foton tunggal adalah foton yang dihasilkan satu per satu, tanpa kehadiran

foton lain dalam waktu yang sama. Prinsip dasar dalam menciptakan sumber foton

tunggal adalah memanfaatkan emisi cahaya dari satu atom atau molekul tunggal.

Optik kuantum memiliki aplikasi yang sangat penting atau potensial di banyak

area, dan area yang paling terkenal adalah informasi kuantum, termasuk

komputasi kuantum dan komunikasi kuantum. Secara khusus, penggunaan sumber

foton tunggal diharapkan dapat menghasilkan kriptografi kuantum yang sangat

menjanjikan. Optik kuantum semikonduktor sangat penting untuk pengembangan

aplikasi praktis informasi kuantum. Misalnya, berdasarkan teknologi saat ini,

optik kuantum semikonduktor telah berhasil diterapkan dalam produksi radiasi

foton tunggal yang sangat efisien, sedangkan panjang gelombang operasi juga

dapat diperpanjang hingga yang ada di pita komunikasi serat optik (1,3 μm).

Aplikasi kriptografi kuantum dalam komunikasi optik telah membuat kemajuan

yang signifikan (Guo et al., 2023).

46
 Teori optik kuantum pertama kali dikembangkan oleh fisikawan Amerika,

Roy J. Glauber. Pada tahun 1963, Roy J. Glauber dianugerahi Penghargaan Nobel

dalam Fisika atas karyanya dalam teori kuantum cahaya. Kontribusi utama

Glauber adalah pengembangan teori kuantum untuk kohernsi optik dan statistik

cahaya, yang memungkinkan pemahaman lebih dalam tentang sifat foton dan

cahaya dari perspektif kuantum. Glauber membuat penjelasan teoretis yang

penting tentang sifat statistik cahaya dan bagaimana foton mendisplay kohernsi

dan korelasi dalam berbagai kondisi eksperimen. Hasil kerjanya dalam optik

kuantum telah menjadi dasar bagi banyak aplikasi dalam fisika kuantum dan

teknologi kuantum, termasuk dalam pengembangan laser, teori kriptografi

kuantum, dan banyak lagi. Karyanya memberikan landasan penting bagi

pengembangan teori optik kuantum, dan konsep Glauber dalam statistik cahaya

telah memainkan peran kunci dalam pemahaman sifat-sifat kuantum dari cahaya

dan foton. Konsep kuantisasi optik yang dilakukan Glauber dapat ditelusuri

kembali ke teori radiasi benda hitam yang dibuat oleh Max Planck pada tahun

1900 dan interpretasi Einstein tentang efek fotolistrik pada tahun 1905 (Glauber,

1963).

Namun, kelahiran nyata teori optik kuantum dilambangkan dengan

interferometer optik (sering disebut sebagai interferometer HBT), yang dirancang

bersama oleh R. Hanbury Brown dan RQ Twiss antara tahun 1952 dan 1956.

Perangkat interferensi ini awalnya digunakan untuk mengamati Sirius, dan

kemudian digunakan untuk mengamati karakteristik koheren merkuri, yang

kemudian mengarah pada penemuan mengejutkan dari beberapa koherensi positif

47
antara foton yang terdeteksi. serangkaian eksperimen yang dilakukan R. Hanbury

Brown dan RQ Twiss melibatkan pengukuran korelasi cahaya dari bintang dan

sumber cahaya alam lainnya. Mereka menyelidiki korelasi antara dua foton yang

tiba di detektor dengan jarak tertentu satu sama lain. Hasil eksperimen mereka

menunjukkan bahwa cahaya dari bintang dan sumber cahaya lainnya tidak tunduk

pada distribusi statistik cahaya yang diharapkan (yang dikenal sebagai statistik

Poisson), melainkan menunjukkan korelasi yang signifikan antara foton-foton

yang tiba. Efek Hanbury Brown dan Twiss ini memberikan bukti eksperimental

penting tentang sifat partikel dari foton dan memunculkan konsep statistik foton

kedua yang dikenal sebagai "korelasi boson kedua" atau "korelasi Hanbury Brown

dan Twiss." Efek ini penting dalam pemahaman sifat cahaya dan statistik foton

dalam optik kuantum. Selanjutnya, efek ini juga menjadi dasar untuk teknologi

seperti korelasi cahaya dalam deteksi jarak jauh, seperti dalam astronomi dan

fisika partikel (Glauber, 1963; Zunger & Editor, 1998).

Gambar 16. (A) Diagram skema perangkat interferometer HB-T. Pemisah sinar membagi cahaya
datang menjadi dua balok. (B) Diagram fungsi koherensi orde dua pada fenomena foton bunching dan
anti-bunching.

48
 Gambar A menunjukkan diagram skema perangkat interferometer HB-T.

Pemisah sinar membagi cahaya datang menjadi dua balok. Sedangkan detektor

dua foton digunakan untuk mengamati sifat koherensi intensitas cahaya datang,

yang biasanya dinyatakan dengan fungsi koherensi orde dua g(2) (τ). Di sini, τ

menunjukkan perbedaan waktu untuk dua detektor dalam mendeteksi foton,

seperti yang ditunjukkan pada Gambar B.

Fitur koheren dapat dibedakan dengan menggunakan nilai g(2 ) ( τ=0 ). Jika

mempertimbangkan cahaya insiden dalam partikel, lalu g(2) ( τ=0) dapat

dikatakan sebagai “kemungkinan” dari dua detektor dalam mendeteksi foton

secara bersamaan. Saat g(2) ( τ=0)>1, peningkatan kemungkinan bahwa dua

detektor mendeteksi foton pada saat yang bersamaan teramati. Dapat dikatakan

bahwa gelombang cahaya datang memiliki koherensi waktu yang positif di antara

keduanya. E. M. Purcell berpikir pada saat itu bahwa koherensi positif seperti itu

dapat dijelaskan dengan menggunakan statistik kuantum. Karena foton adalah

sejenis boson, ketika memiliki status kuantum yang sama, foton cenderung

"berkumpul" bersama untuk mencapai detektor dua foton pada saat yang sama.

Jadi, fenomena cahaya ini juga sering disebut sebagai efek clustering (clustering)

koheren foton. Faktanya, fitur koheren cahaya juga dapat diinterpretasikan

menggunakan teori elektromagnetik klasik, sehingga argumen antara kedua teori

tersebut sedang berlangsung pada saat itu. Pada tahun 1963, Glauber mengusulkan

teori kuantum koherensi optik, memberikan penjelasan yang masuk akal untuk

efek pengelompokan foton yang diamati dalam eksperimen HB-T. Sekarang

fisikawan tahu bahwa efek pengelompokan foton sebenarnya terkait dengan

49
karakteristik foton dari radiasi termal, dan cahaya koheren (misalnya laser) tidak

memiliki korelasi positif (Glauber, 1963; Zunger & Editor, 1998).

Teori optik kuantum memberikan interpretasi tentang efek pengelompokan

foton, dan juga mengharapkan foton menunjukkan efek anti-pengelompokan

dalam beberapa kasus. Fenomena anti-tandan foton pertama kali diamati oleh

Kimble, Dagenais, dan Mandel dengan fluoresensi atom natrium tunggal pada

tahun 1977. Karena teori gelombang elektromagnetik klasik gagal menjelaskan

fenomena “anti-tandan” cahaya, fenomena tersebut dulu dianggap sebagai bukti

langsung dari sifat kuantum gelombang elektromagnetik. Cahaya dengan

karakteristik anti- tandan juga telah diklasifikasikan sebagai "cahaya non-klasik".

Jika sistem fisika memiliki karakteristik anti-tandan, maka sistem tersebut tidak

memancarkan dua atau lebih foton pada saat yang bersamaan. Dengan kata lain,

sistem hanya mengirimkan satu foton pada satu waktu, sehingga disebut sumber

foton tunggal (Zunger & Editor, 1998).

Gambar 17. Diagram skematis dari sistem kuantum dua tingkat yang terpisah (Zunger & Editor,
1998)

50
 Fenomena antibunching terjadi saat foton muncul dengan jarak waktu yang

lebih besar di antara satu sama lain daripada yang diharapkan dari distribusi

statistik cahaya Poisson yang acak. Ini berarti bahwa setelah satu foton muncul,

peluang kemunculan foton berikutnya dalam waktu yang sangat dekat sangat

rendah. Penyebab utama dari fenomena antibunching adalah sifat partikel dari

foton dan prinsip ketidakpastian dalam fisika kuantum. Kita tidak bisa dengan

pasti memprediksi di mana dan kapan foton akan muncul selanjutnya, dan korelasi

antara foton-foton ini mencerminkan sifat acak partikel subatom. Faktanya, sistem

kuantum independen apa pun dapat menghasilkan radiasi foton tunggal. Seperti

yang ditunjukkan pada Gambar dengan sistem dua tingkat sebagai contoh, sistem

tersebut mencakup keadaan dasar dan keadaan tereksitasi. Elektron dalam

keadaan dasar, setelah tereksitasi oleh cahaya atau listrik, dapat melompat ke

keadaan tereksitasi, dan kemudian kembali ke keadaan dasar melalui emisi

spontan. Proses ini terdengar sederhana tetapi menyiratkan mekanisme cahaya

non-klasik. Ketika elektron jatuh dalam lingkup fermion, ketika ia menempati

keadaan tereksitasi tetapi belum menghasilkan radiasi spontan, kita tidak dapat

mengeluarkan elektron berikutnya ke keadaan tereksitasi yang sama. Waktu bagi

sebuah elektron untuk menempati keadaan tereksitasi terkait dengan masa radiasi

spontan. Oleh karena itu, dalam periode waktu ini, meskipun eksitasi konstan

diberikan pada sistem ini, sistem ini tetap tidak akan menghasilkan foton. Dengan

demikian, sistem dua tingkat yang independen tidak akan dapat secara bersamaan

menghasilkan dua atau lebih foton dan hanya merupakan sumber foton tunggal

(Glauber, 1963; Zunger & Editor, 1998).

51
.

52
 BAB III PENUTUP

3.1 Kesimpulan

Quantum Dots atau yang biasa disebut QDs adalah kristal berukuran

nanometer yang terbuat dari logam atau dari bahan semikonduktor. Quantum Dots

mempunyai sifat optik dalam kemampuannya memiliki penyerapan spektrum

yang sangat luas, ksitasi yang memungkinkan oleh berbagai macam gelombang

dan bersifat stabil. Quantum Dots dapat diaplikasikan dalam aplikasi biologi atau

medis sebagai bio sensing dan biological imaging. Quantum Dots juga dapat

diaplikasikan pada bidang industri elektronik sistem quantum dot memungkinkan

efisiensi piranti elektronik, yaitu pengaturan jumlah elektron transport dalam

sistem transistor yang dapat diupayakan memberikan konsumsi daya sekecil

mungkin. Dalam bidang teknologi informasi sistem quantum dot merealisasikan

gagasan quantum computing. Dalam bidang industri otomotif perkembangan

nanoteknologi sangat berperan dalam pembaharuan subsistem dan komponen-

komponennya. Dalam bidang lingkungan hidup nanoteknologi dapat berperan

sebagai pembersih pada prosess dan hasil produksi, yaitu menurunkan volume

polutan. Nanoteknologi juga berperan pada penanggulangan kerusakan

lingkungan dengan cara mereduksi beberapa gas polutan dan dalam bidang medis

sistem quantum dot digunakan untuk riset dan diagnostik medis.

53
3.2 Saran

Quantum Dots atau yang biasa disebut QDs adalah kristal berukuran

nanometer yang terbuat dari logam atau dari bahan semikonduktor. Quantum Dots

mempunyai sifat optik dalam kemampuannya memiliki penyerapan spektrum

yang sangat luas, ksitasi yang memungkinkan oleh berbagai macam gelombang

dan bersifat stabil. Quantum Dots dapat diaplikasikan dalam aplikasi biologi atau

medis sebagai bio sensing dan biological imaging

54
 DAFTAR PUSTAKA

Agarwal, K., Rai, H., & Mondal, S. (2023). Quantum dots: an overview of
synthesis, properties, and applications. Materials Research Express, 10(6).
https://doi.org/10.1088/2053-1591/acda17

Alyobi, M., & Cobley, R. (2017). Electron Beam Lithography and Plasma Etching
To Fabricate Supports for Studying Nanomaterials. International Journal
of Research in Science, 3(2), 18. https://doi.org/10.24178/ijrs.2017.3.2.18

Background, S., & Prize, N. (2023). Scientific Background to the Nobel Prize in
Chemistry 2023 QUA N T U M D O TS – SE E DS OF NA NOSCI ENCE
The Nobel Committee for Chemistry. 50005.

Danks, A. E., Hall, S. R., & Schnepp, Z. (2016). The evolution of “sol-gel”
chemistry as a technique for materials synthesis. Materials Horizons, 3(2),
91–112. https://doi.org/10.1039/c5mh00260e

Gibson, R., Gehl, M., Sears, J., Zandbergen, S., Nader, N., Keiffer, P.,
Hendrickson, J., Arnoult, A., Khitrova, G., Gibson, R., Gehl, M., Sears, J.,
Zandbergen, S., Nader, N., Gibson, R., Gehl, M., Sears, J., Zandbergen, S.,
& Nader, N. (2018). Molecular beam epitaxy grown indium self-assembled
plasmonic nanostructures To cite this version : HAL Id : hal-01912394
Molecular beam epitaxy grown indium self-assembled plasmonic
nanostructures.

Glauber, R. J. (1963). The quantum theory of optical coherence. Physical Review,

130(6), 2529–2539. https://doi.org/10.1103/PhysRev.130.2529

Guo, S., Germanis, S., Taniguchi, T., Watanabe, K., Withers, F., & Luxmoore, I.
J. (2023). Electrically Driven Site-Controlled Single Photon Source. ACS
Photonics, 10(8), 2549–2555.
https://doi.org/10.1021/acsphotonics.3c00097

Hao, Q., Lv, H., Ma, H., Tang, X., & Chen, M. (2023). Development of Self-
Assembly Methods on Quantum Dots. Materials, 16(3).
https://doi.org/10.3390/ma16031317

Helwig, N. E., Hong, S., & Hsiao-wecksler, E. T. (n.d.). Sintesis koloid Quantum
Dots (QDs).

Joglekar, P. V., Mandalkar, D. J., Nikam, M. A., Pande, N. S., & -, A. D. (2019).
Review article on Quantum Dots: Synthesis, Properties and Application.
International Journal of Research in Advent Technology, 7(1), 510–515.
https://doi.org/10.32622/ijrat.712019113

55
Mailly, D., & Vieu, C. (2007). Lithography and etching processes. Nanoscience:
Nanotechnologies and Nanophysics, 3–40. https://doi.org/10.1007/978-3-
540-28617-2_1

Morresi, L. (2013). Basics of Molecular Beam Epitaxy ( MBE ) technique

CHAPTER 4. Silicon Based Thin Film Solar Cells, 81–107.

Norman, J. C., Jung, D., Wan, Y., & Bowers, J. E. (2018). Perspective: The future
of quantum dot photonic integrated circuits. APL Photonics, 3(3).
https://doi.org/10.1063/1.5021345

Sun, L., Yuan, G., Gao, L., Yang, J., Chhowalla, M., Gharahcheshmeh, M. H.,
Gleason, K. K., Choi, Y. S., Hong, B. H., & Liu, Z. (2021). Chemical
vapour deposition. Nature Reviews Methods Primers, 1(1).
https://doi.org/10.1038/s43586-020-00005-y

Yadav, A., Chichkov, N. B., Avrutin, E. A., Gorodetsky, A., & Rafailov, E. U.
(2023). Edge emitting mode-locked quantum dot lasers. Progress in
Quantum Electronics, 87(January), 100451.
https://doi.org/10.1016/j.pquantelec.2022.100451

Zhang, Q., Sando, D., & Nagarajan, V. (2016). Chemical route derived bismuth
ferrite thin films and nanomaterials. Journal of Materials Chemistry C,
4(19), 4092–4124. https://doi.org/10.1039/c6tc00243a

Zunger, A., & Editor, G. (1998). Semiconductor Quantum Dots. MRS Bulletin,
23(2), 15–17. https://doi.org/10.1557/S0883769400031213

56