2014 Pendahuluan

Fisika Zat Padat

Hena Dian Ayu, S.Si., M.Pd., M.Si
Akhmad Jufriadi, S.Si., M.Si

Program Studi Pendidikan Fisika

Universitas Kanjuruhan Malang
2014
 Disusun Oleh

Hena Dian Ayu, S.Si., M.Pd., M.Si

Akhmad Jufriadi, S.Si., M.Si

PROGRAM STUDI PENDIDIKAN FISIKA

FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN
UNIVERSITAS KANJURUHAN MALANG
JULI 2014

i
 KATA PENGANTAR

Alhamdulillah kami panjatkan syukur kehadirat Allah Yang Maha Mengetahui

segala sesuatu, baik yang nyata ataupun tiadak, yang telah melimpahkan nikmat
dan karuniaNya sehingga Modul Pendahuluan Fisika Zat Padat dapat diselesaikan.
Penyusunan modul ini dimaksudkan untuk mempermudah mahasiswa program
studi Pendidikan Fisika dalam menempuh matakuliah Pendahuluan Fisika Zat
Padat.
Materi yang disajikan dalam modul Pendahuluan Fisika Zat Padat ini meliputi
Struktur Kristal, Geometri Kristal, Difraksi dan Ikatan Atom, Dinamika Kisi
Kristal, Teori Elektron Bebas dan Pita Energi, Dinamika Kisi Kristal, dan
Semikonduktor.
Semoga modul ini dapat bermanfaat untuk, saran dan kritikannya sangat kami
harapkan untuk kesempurnaan modul ini, terimakasih atas bantuannya.

Malang, Juli 2014

Tim Penyusun

ii
 DAFTAR ISI

HALAMAN JUDUL ……….......................................................................... i

KATA PENGANTAR .................................................................................... ii

DAFTAR ISI …............................................................................................... iii

BAB I Struktur Kristal .................................................................................. 1

1.1 Atom dan Elektron …..................................................................... 2

1.2 Struktur Kristal ………………....................................................... 2

1.3 Kristal dengan Struktur Sederhana …………................................ 8
Latihan Soal …………………………................................................. 14
BAB II Geometri Kisi Kristal ……………………………………..…......... 15

2.1 Geometri Unit Sel .……….............................................................. 15

2.2 Dimensi Unit Sel …...…………….……….................................... 21
2.3 Tata Nama Kristal ……………………….…..…………………….... 23
2.4 Bidang Kristal dan Indeks Miller ................................................... 24
2.5 Ketidaksempurnaan Kristal …………….…..……...…………….. 26
Latihan Soal ……………………………….……………………... 29

BAB III Difraksi Kisi Dan Ikatan Kristal ........................... 30

3.1 Hamburan Sinar-X Oleh Kristal ..................................................... 30

3.2 Ikatan Atom dalam Kristal ........................................................... 60
Latihan Soal ……………………………….…………………………. 66

BAB IV Dinamika Kisi Kristal ………………............................................. 67

4.1 Getaran dalam Zat Padat ……………….......................................... 67
4.2 Getaran dalam Kisi Linear Kristal ……........................................... 78
Latihan Soal ……………………………………………………...……… 80

BAB V Model Elektron Bebas dan Teori Pita Energi ……….…………………….. 81

5.1 Model Elektron Bebas Klasik ………...…………………………………… 82
5.2 Teori Pita Energi ……………………………………………………….... 85

iii
 Latihan Soal …………………………………………………………….... 87
BAB VI Semikonduktor ………………...………………….…………………….. 88
6.1 Isolator, Semikonduktor dan Konduktor ………........……………………… 88
6.2 Teorema Pita Energi ………........……………………………………….… 89
6.3 Mobilitas dan Konduktivitas ………........………………………….……… 90
6.4 Semikonduktor Intrinsik ………........…………………………………...… 91
6.5 Sifat Listrik dari Germanium dan Silikon ……........……………………….. 94
Latihan Soal ………………………………………………………………….. 102

DAFTAR PUSTAKA...................................................................................... 103

iv
 BAB I

S tr ukt ur kr ist al

Alam semesta tersusun atas zat cair, gas, plasma dan zat padat. Zat padat
merupakan bagian terkecil penyususn alam semesta tetapi banyak teknologi modern
yang didasarkan atas karakteristik khusus zat padat, bahkan zat padat menjadi
bagian yang tak terpisahkan dari budaya dan peradaban manusia. Semua analisis
fisika tentang zat padat secara mutlak memerlukan pertimbangan tentang unsur-
unsur internalnya, yaitu kesetangkupan dan keberkalaan kedudukan atom-atom atu
gugus-gugus atomnya dalam ruang. Oleh karena itu pengetahuan tentang struktur
kristal sangat penting dalam telaah fisika zat padat. Sifat-sifat suatu bahan seperti
kekuatan, kekerasan, kelistrikan, sifat termal, warna, dan yang lainnya, ditentukan
oleh struktur internal bahan tersebut. Hal ini melibatkan atom dan cara-cara atom
tersebut berikatan dengan atom sekitarnya dalam kristal, molekul, atau struktur
mikro lainnya. Zat Padat sendiri adalah suatu keadaan dimana materi memiliki
keteraturan struktur tiga dimensi, yang merupakan akibat dari dekatnya komponen-
komponen atom, ion atau molekul dan kuatnya gaya yang
mengikatnya.Berdasarkan keteraturan susunan atomnya zat padat dapat berbentuk
kristal dan amorf. Amorfadalah bahan yang atom atom penyusunnya tidak
memiliki pola keteraturan tertentu atau pola keteraturannya tidak tiga dimensi atau
berjangkauan pendek. Contohnya: kaca, plastik, amorf-SiO2 dan amorf B2O3.

Gambar 1.1 Kristal SiO2 dan amorf SiO2

1
1.1 Atom dan Elektron
Atom, merupakan satuan dasar suatu bahan, karena atom sangat kecil, maka
untuk dasar perhitungan massa atom adalah satuan massa atom atau sma. Massa 1
1
sma sama dengan kali massa atom 𝐶 12 . Terdapat 0,602x 1024 sma per gram
12

hingga atom adalah gram per 0,602x1024 atom sehingga harga tepatnya 12,011 sma.

Elektron, merupakan partikel bermuatan -1,6 x 10−19 coulomb dan massanya

hanya 0,0005 x massa proton. Nomor atom menunjukkan jumlah elektron dalam
suatu atom netral atau jumlah proton dalam inti. Elektron valensi (elektron pada
kulit terluar) banyak mempengaruhi sifat-sifat bahan, seperti:
1. Menentukan sifat kimia
2. Menentukan sifat ikatan antar atom
3. Menentukan sifat daya hantar bahan
4. Menentukan sifat optis bahan
Sedangkan massa atom hanya mempengaruhi kerapatan dan panas jenis saja.

1.2Struktur kristal
Kristal adalah bahan yang atom-atom penyusunnya memiliki pola keteraturan
dalam 3 dimensi dan berulang secara teratur (periodik) dengan jangkauan yang
panjang. Kristal juga memiliki kesetangkupan ruang yang tinggi di seluruh
volumenya. Pada umumnya dalam analisis fisika zat padat kristal diidealisasikan
sebagai kristal sempurna, yakni yang memiliki karakteristik:
1. Ukuran-ukurannya tidak berhingga
2. Tanpa cacat geometrik
3. Tanpa ketidak-murnian kimiawi, dan
4. Atom-atomnya tidak mengalami getaran termik (pada suhu T > 0 K)
Kesetangkupan, dalam suatu kristal sempurna 2 dimensi yang tersusun dari
̅ dapat dinyatakan sebagai kombinasi
atom-atom tunggal, kedudukan setiap atom 𝑹
̅ dan
linier dari dua buah vektor basis yang bersifat tidak unik dan tidak kolinier (𝒂
̅) dengan koefisien bilangan bulat (n dan m).Kesetangkupanuntuk 3 dimensi sama
𝒃
dengan halnya dengan dua dimensi, hanya saja:
(1) vektor basisnya terdiri dan 3 vektor tidak sebidang,
(2) unit sel berdimensi 3,

2
 (3) sel primitif mengandung 1 titik kisi per sel.
̅ = 𝑛𝒂
𝑹 ̅
̅ + 𝑚𝒃

Gambar 1.2 Kedudukan atom kristal dalam 2 dimensi

Gambar 1.3 Kedudukan atom kristal dalam 3 dimensi

Dalam telaah mengenai geometri kristal setiap atom dalam kristal sempurna
dianggap sebagai suatu titik, tepat pada kedudukan setimbang setiap atom dalam
ruang. Pola geometrik yang diperoleh dinamakan kisi (lattices) adalah suatu deretan
dari titik-titik yang dihubungkan oleh operator translasi kisi. Ada 2 jenis yaitu kisi
bravais dan non-bravais. Kisi Bravais adalah suatu kisi khusus dimana semua titik
kisinya ekivalen. artinya semua titik mempunyai lingkungan geometrik yang tepat
sama. Pada kisi bukan Bravais, atau non-Bravais ada titik-titik kisi yang tidak
ekivalen.
Basis adalah suatu gugus atom yang harus ditempatkan pada setiap titik kisi
suatu kristal untuk memperoleh struktur kristal yang sebenarnya. Artinya suatu
struktur kristal yang nyata diperoleh dengan menempatkan suatu basis pada setiap
titik dari kisi (Bravais) geometrik kristal bersangkutan.Dalam kisi luas atau volume
daerah yang sisi-sisinya dibatasi oleh vektor basis dinamakan unit sel (sel
satuan).Penentuan unit sel 2 dimensi biasanya diambil dari luasan yang terkecil
yang menghasilkan daerah yang dapat diplotkan pada kisi, sedangkan dalam 3

3
dimensi unit sel mengandung pengertian volume. Unit sel bersifat (l) semua unit sel
mempunyai luasan atau volume yang sama (2) setiap unit selhanya mempunyai total
1 titik kisi.

Gambar 1.4 Struktur Kristal 2 Dimensi

Gambar 1.5 Struktur Kristal 3 Dimensi

Sel primitif (primitive unit cells) adalah unit sel dengan hanya satu titik kisi
per sel. Sel tak-primitif memiliki lebih dari satu titik kisi per sel. Sel primitif atau
tak-primitif berkaitan dengan pilihan vektor basis dalam kisi Bravais.Pada kisi dua
dimensi yang sama luas sel tak-primitif merupakan kelipatan dari sel primitif dan
tidak ada hubungan antara sel tak primitif dengan non bravais.

Gambar 1.6 Perbedaan sel primitif dan non primitif dalam 2 dimensi

4
 Gambar 1.7 Perbedaan sel primitif dan non primitif dalam 3 dimensi

1.1.1 Tipe Dasar Kisi Kristal

Tipe dasar kisi kristal (Bravais) 2 dimensi
ada 5 tipe kristal kisi Bravais 2 dimensi, yaitu:
(l) kisi miring/unit sel jajaran genjang; a ≠ b. sudut tak sama 900;

(2) kisi bujur sangkar/unit sel segi empat; a = b. sudut 900;

(3) kisi heksagonal/unit sel belah ketupat, a = b, sudut 1200;

(4) kisi segi panjang/unit sel segi-4 panjang; a ≠ b; sudut 900 ;

5
(5) kisi segi empat panjang berpusat/segi panjang; a ≠ b; sudut 900

Tipe dasar kisi kristal (Bravais) 3 dimensi

Ada 14 buah kisi Bravais yang dapat digolongkan dalam 7 sistem kristal, yaitu:

6
1.1.2 Simetri Kristal
Simetri kristal 2 dimensi, memiliki sifat memenuhi simetri translasi, simetri rotasi
dan simetri refleksi.
̅ (yang
1. Translasi, apabila seluruh kristal digeser sejauh vektor 𝑹
menghubungkan dua buah atom), maka kedudukan setiap atom kristal itu
terhadap semua yang lain tidak berubah atau keberadaannya tetap sama.
Dengan kata lain kristal bersifat invarian terhadap translasi semacam ini.
2. Rotasi, mengelilingi/diputar terhadap kedudukan satu atom tertentu (pasti
semua invarian terhadap rotasi 360, ada yang invarian terhadap perputaran
90, 120 atau 180).
3. Refleksi, dicerminkan terhadap suatu garis lurus yang melewati sederet atom.
Sistem kristal 3 dimensi, memiliki sifat memenuhi simetri translasi, simetri rotasi
dan simetri refleksi
1. Translasi,apabila seluruh kristal digeser sejauh vektor ̅
𝑹 (yang
menghubungkan dua buah atom), maka kedudukan setiap atom kristal itu
terhadap semua yang lain tidak berubah atau keberadaannya tetap sama.
Dengan kata lain kristal bersifat invarian terhadap translasi semacam ini.
2. Inversi, suatu struktur kristal dikatakan memiliki simetri inversi bila setiap
garis yang melalui titik tersebut menghasilkan jarak yang sama pada sisi lain
dari pusat simetri dan bertemu dengan titik yang identik atau dengan kata lain,
inversi terhadap suatu pusat inversi dengan operasi + menjadi - .Semua kisi
Bravais memilikinya.
3. Refleksi, suatu struktur kristal dapat dibelah dimana belahan yang satu
merupakan pencerminan dari setengah belahan yang lain.
4. Rotasi,rotasi terhadap suatu sumbu perputaran. Sumbu rotasi ini dikatakan
2𝜋
lipat N apabila invarian terhadap rotasi sebesar . Harga N yang mungkin 1,
𝑁
2𝜋
2, 3, 4 dan 6. Tidak ada kisi yang bisa dijadikan kongruen dengan putaran .
5

5. Luncuran/Glide, Operasi gabungan antara refleksi dan translasi

6. Ulir/Screw, Operasi gabungan antara rotasi dan translasi

7
1.2 Kristal dengan Struktur Sederhana
Banyak bahan penting yang memiliki struktur kristal sederhana. Misalnya
sebagian besar logam berstruktur cubic seperti Face Center Cubic dan Base Center
Cubic. Struktur logam lain yang banyak pula ditemui adalah struktur kisi
Hexagonal Close Packed, struktur cubic intan, struktur NaCl, struktur ZnS dan
struktur CsCl. Berikut ini akan dibahas secara lebih rinci struktur yang telah
disebutkan tersebut.

1.2.1 Struktur Simple Cubic (SC)

Struktur kristal ini hanya memilikiatom pada sudut-sudut kubus. Oleh karena
itu atom-atom yang bersinggungan di sepanjang sisi kubus. Setiap atom memiliki
enam atom tetangga terdekat. Hanya polonium (Po) pada daerah suhu tertentu yang
memiliki struktur seperti ini.

Gambar 1.8 Simple Cubic

1.2.2 Struktur Body Center Cubic (BCC)

Pada unit sel struktur BCC, atom terletak pada setiap sudut kubus dan sebuah
atom pada pusat kubus. Atom pusat ini bersingggungan dengan delapan atom sudut,
tetapi jarak antara sesama atom sudut tidak bersentuhan dan masih ada jarak
diantaranya. Jadi atom bersinggungan di sepanjang diagonal ruang kubus tersebut.
Contoh: Fe, Li, Na, K, Rb dan Cs

Gambar 1.9 Body Center Cubic

8
1.2.3 Struktur Face Center Cubic (FCC)
Struktur Face Center Cubic (FCC)memiliki sebuah atom disetiap sudut kisi dan
satu atom lagi pada pusat dari masing-masing bidang muka kristal. Pada struktur
ini atom pusat bidang muka kristal bersinggungan dengan ke empat atom sudut
pada bidang yang bersangkutan. Sedang antara atom-atom sudut itu sendiri tidak
bersentuhan, dan masih ada jarak diantaranya. Jadi atom-atomnya hanya
bersinggungan di sepanjang diagonal bidang muka kristal. Susunan atom pada
struktur FCC ini sangat rapat, sehingga sering disebut pula struktur Cubic Close
Packed (CCP). Contoh: Ag, Al, Au, Cu, Co, Fe, Ni, Pb, Pt.

Gambar 1.10 Face Center Cubic

1.2.4 Struktur NaCl (Natrium Clorida)

Srtuktur ini terdiri dari dua sub kisi FCC, satu sub kisi dengan titik asal ion Na+
yang terletak pada (0,0,0) dan sub kisi lain memiliki titik asal ion Cl - dengan
1
kedudukan di tengah-tengah sepanjang sisi kubus, misalnya pada titik ( 2,0,0).

Setiap atom memiliki enam atom tetangga terdekat. Beberapa kristal lain yang
memiliki struktur seperti NaCl adalah: KBr, PbS, RbI, LiH, AgBr, MgO dan MnO.

Gambar 1.11 NaCl tampak dalam 2 dimensi

9
 Gambar 1.12 Skema kedudukan atom-atom dalam NaCl

1.2.5 Struktur CsCl (Cesium Klorida)

Struktur CsCl merupakan gabungan dari dua buah kisi kubus sederhana (SC).
Atom sudut dari salah satu sub kisi merupakan atom pusat dari sub kisi yang lain.
Struktur CsCl menempati kedudukan BCC dengan koordinat Cs (0,0,0) dan Cl
1 1 1
(2 , 2 , 2). Tiap atom berada pada pusat kubus dari atom jenis yang lain, oleh karena

itu jumlah atom tetangga dekatnya adalah 8. Contoh kristal lain yang yang memiliki
struktur seperti CsCl adalah: RbCl, CuZn, AgMg dan LiHg.

Gambar 1.13 Proyekasi dari 1 unit sel struktur kristal CsCl

Gambar 1.14. Skema kedudukan atom-atom dalam CsCl

10
1.2.6 Struktur Intan
Struktur intan merupakan kombinasi dari dua sub kisi FCC. Salah satu sub kisi
tersusun dari 8 atom sudut dan 6 atom pusat bidang muka unit sel. Semuanya ini
membentuk satu struktur FCC dengan titik asal (0,0,0). Sedangkan sub kisi yang
1 1 1 3 3 1 3 1 3
lain terdiri 4 atom yang menempati kedudukan (4 , 4 , 4);( , , );( , , );
4 4 4 4 4 4
1 1 3
(4 , 4 , 4).Intan memperlihatkan ikatan tetrahedral. Ini berarti tiap atom hanya

memiliki empat atom tetangga dekat. Kristal lain yang memiliki struktur seperti ini
adalah: Si, Ge, C, Timah putih.

Gambar 1.15 Bentuk penyusun dasar kisi cubic intan yang menunjukkan
ikatan kovalen tetrahedral

1.2.7 Struktur ZnS (Seng Sulfida)

Sama seperti pada struktur cubic intan, struktur ZnS juga terdiri dari dua sub
kisi FCC. Pada stuktur ZnS ini, atom—atom Zn menempati salah satu kisi FCC dan
atom-atom S menempati kisi FCC yang lain dengan demikian menghasilkan
struktur hampis sama dengan intan, Koordinat atom-atom Zn adalah (0, 0, 0);
1 1 1 1 1 1 1 1 1 3 3 3 3 1 3
(0, 2 , 2);( 2 , 0, 2);( 2 , 2 , 0); dan koordinat atom S adalah (4 , 4 , 4); (4 , 4 , 4);( 4 , 4 , 4);
3 3 1
(4 , 4 , 4). Struktur ZnS ini mempunyai empat molekul ZnS per unit sel. Tiap atom

memiliki empat jarak atom yang sama dari jenis yang berlawanan yang tersusun
pada sudut-sudut tetrahedron beraturan. Beberapa kristal yang memiliki struktur
cubic ZnS adalah: ZnSe, AgI, CuF, CuCl, CdS, SiC, InAs, dan InSb.

11
 Gambar 1.16 Proyeksi dari 1 unit sel struktur kristal ZnS

Gambar 1.17 Skema kedudukan atom-atom dalam ZnS

1.2.8 Struktur HCP (Hexagonal Close Packed)

Ciri khas logam–logam dengan struktur HCP adalah setiap atom dalam lapisan
tertentu terletak tepat diatas atau dibawah sela antara tiga atom pada lapisan
berikutnya. Dalam struktur ini atom-atom tersusun dalam satu bidang dimana satu
atom bersinggungan dengan enam atom disekitarnya (lapisan A). Lapisan B terdiri
dari tiga atom yang saling bersinggungan. Lapisan C strukturnya sama dengan
lapisan A. Masing-masing atom dari salah satu lapisan terletak langsung di atas atau
di bawah dari sela-sela diantara tiga atom dalam lapisan di dekatnya. Ini berarti tiap
atom bersinggungan dengantiga atom pada lapisan di bawahnya, enam atom dalam
bidangnya sendiri, dan tiga atom pada lapisan di sebelah atasnya. Dengan demikian
lain tiap atom memiliki 12 atom di sekitanya. Dengan kata lain tiap atom memiliki
12 atom tetangga dekat. Contoh kristal lain yang memiliki struktur HCP adalah Mg,
Ti, Zn, Be dan Co.

12
Gambar 1.18 Proyeksi dari 1 unit sel struktur kristal HCP

Gambar 1.19 Skema kedudukan atom-atom dalam HCP

13
 Latihan Soal BAB I

1. Jelaskanlah apakah yang dimaksud dengan susunan kristal dan susunan

amorf dan berilah contohnya ?
2. Jelaskanlah apakah yang dimaksud dengan atom dan elektron serta apakah
hubungannya dengan zat padat ?
3. Sebutkanlah karakteristik dari kristal yang sempurna !
4. Jelaskanlah secara rinci arti gambar a dan gambar b kemudian jelaskan
perbedaan dari kedua gambar tersebut !

Gambar a Gambar b
5. Gambarkan dan jelaskan perbedaan dari sel primitif dan sel non primitif,
pada 2 dimensi dan 3 dimensi !
6. Sebutkan dan jelaskan macam-macam tipe kisi kristal pada 2 dimensi dan
3 dimensi !
7. Sebutkan dan jelaskan macam-macam simetri kristal pada 2 dimensi dan 3
dimensi !
8. Sebutkan dan jelaskan karakteristik dari beberapa struktur kristal sederhana,
kemudian berilah contoh dari masing-masing struktur kristal sederhana tersebut!

14
 B AB II
G eome tri Ki si k ris t al

Dari ciri-ciri utama struktur dasar kristal seperti yang telah dibahas pada bab I,
maka bisa dibuat berbagai perhitungan mengenai rincian ukuran geometris dalam
suatu jenis struktur kristal tertentu. Pada kristal cubic yang strukturnya paling
simetris, perhitungan ini menjadi amat mudah. Beberapa ciri-ciri geometris yang
penting antara lain: jari-jari atom, jumlah atom perunit sel, rapat kemasan relatif,
dan bilangan koordinasi

2.1 Geometri Unit Sel

1. Jari-jari atom, adalah jarak kesetimbangan antara pusat dua atom yang
berdekatan. Beberapa faktor yang mempengaruhi jarak antar atom adalah;
1. Suhu, semakin tinggi suhu maka jarak antar atom akan semakin jauh, hal ini
terkait dengan pemuaian benda.
2. Ionisasi elektron valensi, berkurangnya elektron terluar menyebabkan
elektron yang tertinggal tertarik lebih ke dalam mendekati inti sehingga
jarak antar atom akan semakin dekat.
3. Jumlah atom tetangga terdekat, makin banyak atom tetangga dekat maka
tolakan elektronik makin kuat sehingga jarak antar atom makin jauh.
2. Bilangan koordinasi (Coordination Number) adalah jumlah atom tetangga
terdekat
3. Jumlah atom perunit sel, atom-atom yang menempati kisi dalam unit sel belum
tentu merupakan milik unit sel itu sepenuhnya, terutama atom yang menempati
sudut dan bidang muka unit sel, karena unit sel dikelilingi oleh unit sel-unit sel yang
lain yang bersebelahan sehingga atom-atom sudut dan bidang muka juga menjadi
bagian dari unit sel yang disebelahnya.
4. Rapat kemasan relatif (Packing Fraction) merupakan perbandingan antara
volume atom yang mengisi unit sel dengan volume unit sel yang tersedia.

15
 𝑉𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒 𝑎𝑡𝑜𝑚 (𝑣)
𝑃𝐹 = ×100%
𝑉𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒 𝑈𝑛𝑖𝑡 𝑆𝑒𝑙 (𝑉)
2.1.1 Simple Cubic
1. Jari-jari atom
Atom-atom yang bersinggungan sepanjang sisi-sisi simple cubica,
dimana a = 2r
𝑎
r=
2

Gambar 2.1 Struktur Simple Cubic dengan sisi a dan atom penyusunnya
berjari-jari r

2. Coordinat Number (CN)

Simple Cubic memiliki jumlah atom tetangga terdekat sebanyak 6 atom, yaitu
4 atom dalam bidangnya sendiri , 1 di atas dan 1 di bawahnya

Gambar 2.2 Posisi atom tetangga terdekat pada simplecubic

3. Jumlah atom perunit sel

1
Jumlah atom perunit sel dari struktur simple cubic adalah 1, yaitu 8 atom pada
1
kedelapan ujung kisi, sehingga 8 atom× 8 = 1 atom.

16
 Gambar 2.3 Atom pada satu kisi Simple Cubic

4. Rapat Kemasan (Packing Fraction)

𝑉𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒 𝑎𝑡𝑜𝑚 (𝑣)
𝑃𝐹 = ×100%
𝑉𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒 𝑈𝑛𝑖𝑡 𝑆𝑒𝑙 (𝑉)

4⁄ 𝜋𝑟 3
𝑃𝐹 = 3 3 ×100%
𝑠

4⁄ 𝜋(𝑎⁄ )3
𝑃𝐹 = 3 3 2 ×100%
𝑎
𝜋⁄ 𝑎3
𝑃𝐹 = 6 ×100%
𝑎3
𝜋
𝑃𝐹 = ×100%
6

PF = 52%

17
2.1.2 Body Center Cubic
1. Jari-jari atom

Gambar 2.4 Struktur BCCdengan sisi a dan atom penyusunnya berjari-jari r

𝑏 2 = 𝑎2 + 𝑎2

𝑐 2 = 𝑎2 + 𝑏 2

𝑐 2 = 3𝑎2

𝑐 = √3𝑎2 = 4𝑟
4𝑟
𝑎= , sehingga
√3

𝑎√3
𝑟=
4

2. Coordinat Number (CN)

BCC memiliki 8 atom tetangga terdekat dalam 1 kisi yaitu 4 atom di bagian
atas dan 4 atom di bagian bawah dengan atom yang berada di pusat kisi
sebagai tinjauan.
3. Jumlah atom perunit sel
1
Jumlah atom perunit sel dari struktur BCCadalah 2 atom, yaitu 8 atom pada
1
kedelapan ujung kisi, yaitu 8 atom× 8 = 1 atom. Dan 1 atom di pusat kisi.

18
 Gambar 2.5 Atom pada satu kisi struktur BCC

4. Rapat Kemasan (Packing Fraction)

𝑉𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒 1 𝑎𝑡𝑜𝑚 (𝑣)
𝑃𝐹 = ×100%
𝑉𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒 𝑈𝑛𝑖𝑡 𝑆𝑒𝑙 (𝑉)

4⁄ 𝜋𝑟 3
𝑃𝐹 = 2 × 3 ×100%
𝑠3
3
4⁄ 𝜋 (𝑎√3)
3 4
𝑃𝐹 = 2 × 3
×100%
𝑎

𝜋√3𝑎3
𝑃𝐹 = 2× ×100%
16𝑎3

𝜋√3
𝑃𝐹 = ×100%
8

PF = 68%

19
2.1.3 Face Center Cubic
1. Jari-jari atom

Gambar 2.6 Struktur FCCdengan sisi a dan atom penyusunnya berjari-jari r

𝑏 = 4𝑟

𝑏 2 = 𝑎2 + 𝑎2

16𝑟 2 = 2𝑎2

𝑎 = 𝑟√8
𝑎
𝑟=
√8

2. Coordinat Number (CN)

FCC memiliki 12 atom tetangga terdekat dalam 1 kisi yaitu 8 atom dan 4
atom berada di luar kisi pada bagian atas atau bawah dari atom yang ditinjau.
3. Jumlah atom perunit sel
1
Jumlah atom perunit sel dari struktur FCCadalah 4 atom, yaitu 8 atom pada
1 1
kedelapan ujung kisi, 8 atom× 8 = 1 atom. Dan atom ×6 = 3 atom.
2

20
 Gambar 2.7 Atom pada satu kisi struktur Face Center Cubic

4. Rapat Kemasan (Packing Fraction)

𝑉𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒 1 𝑎𝑡𝑜𝑚 (𝑣)
𝑃𝐹 = ×100%
𝑉𝑜𝑙𝑢𝑚𝑒 𝑈𝑛𝑖𝑡 𝑆𝑒𝑙 (𝑉)

4⁄ 𝜋𝑟 3
𝑃𝐹 = 4 × 3 3 ×100%
𝑠
3
4⁄ 𝜋 (𝑎
3 ⁄ )
√8 ×100%
𝑃𝐹 = 4 × 3
𝑎

16𝜋𝑎3
𝑃𝐹 = ×100%
24𝑎3 √8
𝜋
𝑃𝐹 = ×100%
3√2

PF = 74 %

2.2 Dimensi Unit Sel

Dimensi suatu unit sel dapat dicari berdasarkan pada massa atom atau massa
molekul, bilangan avogadro (N), kerapatan zat () dan struktur kisi kristal.
𝑚 𝑛 ×𝐴𝑟
𝑃= =
𝑉 𝑁 ×𝑎3
Dimana,
a = konstanta kisi (𝑎3 untuk struktur kristal 𝑐𝑢𝑏𝑖𝑐)
 = kerapatan (density)

21
m = massa bahan (gr)
Ar= berat atom (sma)
N = bilangan Avogadro (6,02 x 1023 atom)
n = jumlah atom perunit sel

2.3 Tata Nama Kristal

Suatu kristal berisikan bidang-bidang atom dan bidang-bidang ini turut
menentukan sifat dan prilaku bahan, misalnya arah kristal banyak mempengaruhi
kelenturan dan permeabilitas magnetik bahan.
Arah Kristal, dispesifikasikan oleh (n1,n2, n3) yang lazimnya dinyatakan dalam
perbandingan bilangan bulat yang terkecil. Semua arah yang sejajar mempunyai
indexs yang sama. Misalkan, arah (1,1,1) berasal dari (0,0,0) melalui (1,1,1) dan
juga melalui (2,2,2) maka notasi yang digunakan adalah notasi bilangan bulat yang
terkecil.

Gambar 2.8 Contoh Arah kristal Cubic

2.4 Bidang Kristal dan Index Miller

Untuk mengidentifikasi suatu bidang kristal digunakan index perpotongan
bidang tersebut dengan sumbu x,y dan z. Segmen garis pada sumbu x,y dan z yang
dipotong oleh bidang itu disebut parameter linier. Misal parameter linier biasanya
dinyatakan dengan satuan pa, qb, rc (misal: 2a, 3b, 4c). Bilangan bulat terkecil

22
yang merupakan perubahan dari parameter linier disebut sebagai parameter
numerik dinyatakan dengan p,q,r (misal: 2,3,4).

2.4.1 Index Miller (Orientasi Bidang)

Merupakan bilangan bulat terkecil dari perubahan harga parameter numerik
1 1 1
suatu bidang, misal 2, 3, 4 dapat dituliskan sebagai (6,4,3) dan biasanya dinyatakan

dengan simbol (h,k,l) dimana,

1 1 1
h:k:l= : :
𝑝 𝑞 𝑟
dengan syarat h,k,l adalah bilangan bulat terkecil.
Ada beberapa aturan dalam menentukan index miler:
1. Bila suatu bidang sejajar dengan salah satu sumbu koordinat, berarti bidang
1
tersebut berpotongan dengan sumbu di ~. Karena = 0, maka index miller
~

untuk sumbu tersebut adalah 0.

2. Bila bidang melalui titik asal 0, maka hal ini bisa diatasi dengan menggeser 0.

Gambar 2.9 Contoh bidang hkl

23
2.4.2 Hubungan Jarak antar bidang (dhkl) dengan sisi kubus a

Gambar 2.10 Bidang hkl ABC

Jarak antar bidang (dhkl) adalah jarak antara bidang hkl dengan suatu titik.
Bidang ABC pada gambar 2.10 adalah keluarga bidang-bidang yang indek
millernya (hkl). Garis ODyang tegak lurus bidang tersebut merupakan dhkl dari
keluarga bidang ini. Arah garis OD adalah cos 𝛼, cos , dan cos  yang merupakan
sudut antara OD dengan masing-masing sumbu x, y dan z. Perpotongan bidang ABC
dengan ketiga sumbu x, y dan z adalah:

𝑎 𝑎 𝑎
OA = ; OB = ; OC =
ℎ 𝑘 𝑙

Dimana “a” adalah panjang sisi kubus.

Bila jarak antara pasangan bidang-bidang d = OD maka selanjutnya

𝑑 𝑑 𝑑ℎ
cos 𝛼 = = 𝑎 =
𝑂𝐴 ⁄ℎ 𝑎

𝑑 𝑑 𝑑𝑘
cos  = = 𝑎 =
𝑂𝐵 ⁄𝑘 𝑎

𝑑 𝑑 𝑑𝑙
cos  = = 𝑎 =
𝑂𝐶 ⁄𝑙 𝑎

24
Selanjutnya : 𝑐𝑜𝑠 2 𝛼 + 𝑐𝑜𝑠 2  + 𝑐𝑜𝑠 2  = 1

𝑑ℎ 2 𝑑𝑘 2 𝑑𝑙 2
Jadi ( ) +( ) +( ) = 1
𝑎 𝑎 𝑎

𝑑2
(ℎ2 + 𝑘2 + 𝑙2 ) = 1
𝑎2

2
𝑎2
𝑑 =
ℎ2 +𝑘 2 +𝑙 2

𝑎
𝑑=
√ℎ2 +𝑘 2 +𝑙 2

Sedangkan untuk kristal selain cubic

1⁄
𝑎2 𝑏2 𝑐2 2
𝑑=( + + )
ℎ2 𝑘2 𝑙2

Gambar 2.11 Bidang hkl pada kristal selain cubic

Notasi index miller terutama sangat berguna untuk kristal sistem cubic. Pada
umumnya bidang yang index millernya rendah memiliki jarak antar bidang yang
lebih besar dibandingkan dengan bidang yang indexnya kecil, tetapi memiliki
kerapatan atom per satuan luas yang lebih besar.

25
2.5Ketidak Sempurnaan Kristal
Kristal nyata biasanya menyimpang dari spesifikasi kristal ideal. Kenyataan
bahwa adanya Ketidak-sempurnaan dalam struktur kristal, baik karena kehilangan
atom; atom yang tidak pada tempatnya ataupun kehadiran atom lain. Adanya
Ketidak-sempurnaan kristal ini akan mempengaruhi sifat-sifat kristal itu sendiri.

2.5.1 Ketidak-sempurnaan di titik kisi (point defect)

Ketidak-sempurnaan ini disebabkan karena ketidakmurnian kimiawi atau
kekurangan pada susunan kristal di satu titik: dimensi pengaruhnya beberapa kali
jarak antar atom.
1. Ketidakmurnian kimiawi
Ketidakmurnian kimiawi di beberapa titik kristal, yang mempunyai
pengaruh pada sifat listrik optik, mekanik maupun termal dari kristal.
2. Kekosongan (vacansi)
karena atom absen dari kedudukan dimana dia harus ada dalam susunan
kristal sempurna. Ketidak-sempurnaan ini memperngaruhi medan listrik
setempat dengan implikasi terhadap sifat optik dan listrik.
3. Sisipan (Interstisial)
artinya atom hadir di suatu tempat yang bukan merupakan titik kisi kristal,
sisipan ini menganggu susunan kristal di sekitarnya.
4. Ketidak-sempurnaan Frenkel
adalah pasangan yang terdiri dari kekosongan di suatu titik dan sisipan dari
kekosongan itu ditempat yang lain: dibentuk umpamanya dengan
menembakkan netron pada cuplikan kristal untuk mengetahui perubahan
sifat semikonduktor oleh sinar radioaktif.
5. Ketidak-sempurnaan Schottky
Jika kekosongan kation berpasangan dengan kekosongan anion,. Ketidak-
sempurnaan Schottky lebih umum terjadi dibandingkan dengan ketidak-
sempurnaan Frenkel.
Ketidak-sempurnaan kristal interstitial (atom sendiri) kekosongan substitusi (atom
asing) ⇒ pengotoran interstitial (atom asing) ⇒(pengotoran) ketidaksempurnaan
Schottky ketidaksempurnaan Frenkel pengotoran interstitial kekosongan kation

26
pengotoran substitusi juga bisa terjadi pada tingkat atom, yaitu apabila elektron
dalam atom berpindah pada tingkat energi yang lebih tinggi (karena mendapat
tambahan energi dari luar); ketidak-sempurnaan yang terakhir ini bukan bersifat
geometris.

Gambar 2.12 Ketidak-sempurnaan di titik kisi

2.5.2 Dislokasi, adalah jenis Ketidak-sempurnaan kristal dimana sebaris atom

tidak berada pada kedudukan yang seharusnya, Ketidak-sempurnaan ini
mempengaruhi sifat fisikal kristal.
1. Dislokasi tepi (edge type),berpindahnya segaris (selapis)atom yang diikuti
akomodasi garis pada Ketidak-sempurnaan tersebut.
2. Dislokasi skrup (screw type, lapisan atom membuat spiral disekeliling
dislokasi.
Dislokasi yang terjadi pada kristal biasanya kombinasi keduanya. Dislokasi
memiliki kontribusi yang cukup besar terhadap deformasi plastis krn dislokasi bisa
bergerak jika atom pada lapisan dibawahnya kita geser dengan memberi gaya pada
bahan.

27
Gambar 2.13 Dislokasi

28
 Latihan Soal BAB II

1. Sebutkan beberpa ciri geometri kristal !

2. Sebutkan dan jelaskan beberapa hal yang mempengaruhi jarak antara atom !
3. Tentukan beberapa karakteristik geometri kristal dari simple cubic, body
center cubic dan face center cubic!
4. Jelaskan apakah yang dimaksud dengan index miller !
5. Jelaskan dan gambarkanlah apa yang dimaksud dengan dhkl !
6. Hitunglah dhkl dari simple cubic, body center cubic dan face center cubic!
7. Jelaskanlah apakah yang dimaksud dengan ketidaksempurnaan kristal ?
8. Sebutkan dan gambarkanlah macam-macam dari ketidaksempurnaan kristal !

29
 BAB III
DIFRAKSI KISI DAN IKATAN KRISTAL

3.1 Hamburan Sinar-X oleh Kisi Kristal

Sinar-x adalah gelombang elektromagnetik dengan sifat fisik yang sama seperti
gelombang elektromagnetik lainnya, seperti gelombang optik. Panjang gelombang
sinar-x sama dengan konstanta kisi Kristal (memiliki orde sama dengan jarak antar
atom/ konstanta kisi dalam Kristal), dan hal inilah yang membuat sinar-x berguna
dalam analisis struktur kristal. Energi dari sinar-x foton diberikan oleh hubungan
Einstein 𝐸 = ℎ𝜐, di mana h adalah konstanta Planck dan 𝜐 adalah frekuensi.
Mengganti h = 6,6 x 10-27 erg.s dan λ = 1Å (ingat bahwa 𝜐 = c / λ), orang
menemukan energi E »104 eV, yang merupakan nilai khas. Sehingga sinar-X hanya
akan berinteraksi dengan permukaan atom dan elektron-elektron.

Pengaturan eksperimen dasar untuk menghasilkan sinar-x digambarkan pada

Gambar 3.1. Elektron yang dipancarkan dari katoda di dalam tabung vakum
dipercepat oleh potensial yang besar. Sehingga elektron memperoleh energi kinetik
yang tinggi dan ketika elektron menumbuk target logam yang membentuk anoda
pada ujung tabung, hamburan sinar-x yang dipancarkan. Beberapa radiasi sinar-x
kemudian diekstraksi dari tabung dan digunakan untuk tujuan yang dimaksudkan.
Radiasi yang dipancarkan memiliki spektrum kontinyu yang luas, yang ditekankan
serangkaian garis diskrit. Spektrum kontinyu terjadi karena emisi radiasi oleh
elektron seperti yang dibelokkan oleh muatan nuklir pada target, sedangkan garis
diskrit disebabkan emisi oleh atom dalam target setelah garis diskrit tersebut
ditimbulkan oleh elektron yang datang. Frekuensi maksimum spektrum kontinyu vo
berhubungan dengan potensial percepatan oleh eV = hv0, karena energi maksimum
foton tidak dapat melebihi energi kinetik dari elektron yang datang. Panjang
gelombang λ diberikan oleh persamaan

12,3
𝜆0 = Å (3.1)
𝑉

dimana V adalah dalam kilovolt.

30
 Ketika sinar sinar-x melewati bahan, sebagian sinar diserap. Intensitas berkas
dilemahkan menurut hubungan

𝐼 = 𝐼0 𝑒 −𝛼𝑥 (3.2)

Dimana Io adalah intensitas awal pada permukaan medium dan x jarak tempuh.
Parameter ini dikenal sebagai koefisien penyerapan. Pelemahan intensitas
diungkapkan oleh persamaan (3.2) yang disebabkan oleh hamburan dan penyerapan
berkas oleh atom dalam medium.

Gambar 3.1 Generator Sinar-x

A. Hukum Bragg
Jika seberkas sinar-X monokromatik dijatuhkan pada permukaan sebuah Kristal,
maka pemantulan oleh kisi Kristal akan terjadi jika  < 2 kali jarak antar bidang
pemantul dalam kisi Kristal ( < 2d).

Gambar 3.2 Refleksi sinar-x dari suatu Kristal

31
Sinar datang dipantulkan sebagian pada masing-masing bidang, yang bertindak
sebagai cermin, dan sinar refleksi kemudian dikumpulkan secara simultan pada
detektor jauh. Sinar refleksi mengganggu pada detektor dan, menurut optik fisik,
gangguan tersebut bersifat konstruktif hanya jika perbedaan antara jalur dari dua
sinar berturut-turut merupakan kelipatan integral dari panjang gelombang. Juga bisa
dapat dinyatakan bahwa sinar-sinar yang dipantulkan akan saling berinterferensi
dan saling menguatkan jika,

 = n λ, n = 1, 2, 3, .. . , (3.3)

dimana λ adalah panjang gelombang dan n adalah bilangan bulat positif, serta 

adalah Perbedaan antara lintasan.

Perbedaan antara lintasan  sinar 1 dan 2 pada gambar adalah

 = AB + BC – AC ' = 2 AB - AC '

Dalam menyamakan AB dan BC , kita telah mengasumsikan bahwa refleksi adalah

Specular, bahwa timbulnya sudut sama dengan sudut refleksi. Ketika jarak
interplanar dilambangkan dengan d, maka dari angka itu

AB = d/sin 

AC ' = AC cos  = (3d//tan ) x cos ,

dimana  adalah peristiwa kesudutan antara balok dan bidang refleksi Substitusikan
ini ke dalam persamaandan melakukan beberapa manipulasi trigonometri, kita
sampai pada kondisi berikut untuk interferensi konstruktif:

2d sin  = nλ (Hukum Bragg).

(3.4
)

Ini adalah hukum yang dinyatakan Bragg.

Dalam eksperimen λ yang digunakan tertentu dan sudut  terukur secara langsung,
maka biasanya Hukum Bragg digunakan untuk menentukan jarak antar bidang.

32
Di sudut lain sinar tercermin saling interferensi destruktif, dan akibatnya sinar
tercermin menghilang, yaitu, berkas datang melewati kristal terganggu. Refleksi
sesuai dengan n - 1, 2, …, yang disebut sebagai urutan pertama, urutan kedua, …,
masing-masing intensitas sinar dipantulkan semakin menurun dengan
meningkatnya pesanan. Hal ini sebenarnya lebih tepat untuk berpikir dari refleksi
terjadi di sini sebagai difraksi, sebagai konsep gangguan merupakan bagian penting
dari proses. Ide dasar yang mendasari penggunaan hukum Bragg dalam
mempelajari struktur kristal tampak jelas. Karena λ dapat ditentukan secara bebas,
dan karena  dapat diukur secara langsung dari percobaan refleksi (itu adalah
setengah sudut antara sinar datang dan berkas terdifraksi, seperti yang ditunjukkan
dalam gambar).

B. TEORI HAMBURAN OLEH ATOM

Proses difraksi dapat dibagi menjadi dua tahap alami: (1) hamburan oleh atom
tunggal, dan (3) interferensi antara sinar terhambur. Karena dua tahap yang berbeda
satu sama lain, kita akan memperlakukan mereka secara independen.

Atom terhambur dari berkas sinar-x disebabkan oleh dikelilinginya atom oleh
elektron yang mengalami akselerasi dibawah pengaruh medan listrik yang terkait
dengan berkas. Karena muatan dipercepat maka memancarkan radiasi (suatu fakta
yang dikenal dari elektromagnetsasi, begitu juga elektron pada atom). Akibatnya
elektron menyerap energi dari berkas, dan menyebarkannya ke segala arah. Tapi
elektron membentuk muatan di sekitar atom, sehingga ketika mempertimbangkan
hamburan dari atom secara keseluruhan, kita harus memperhitungkan perbedaan
fase antara sinar yang terhambur dari berbagai daerah muatan.

Pertimbangkan sebuah elektron tunggal, seperti ditunjukkan pada Gambar. 3.3

(a). Bidang gelombang yang diberikan oleh

𝑢 = 𝐴 𝑒 𝑖 (𝒌0 .𝒓−𝜔𝑡) (3.5)

yaitu gelombang datang pada elektron, di mana A adalah amplitudo, ko vektor

gelombang (ko = 2π / λ), dan ω frekuensi sudut.

33
Bidang hamburan berbentuk bola dengan gelombang keluar yang ditunjukkan
dengan

𝐴
𝑢′ = 𝑓𝑒 𝑒 𝑖(𝑘𝐷−𝜔𝑡) (3.6)
𝐷

dimana fc adalah parameter yang dikenal sebagai panjang hamburan elektron, dan
D adalah jarak radial dari elektron ke titik dimana medan dievaluasi. Kuantitas k
adalah bilangan gelombang dari gelombang yang tersebar, dan memiliki besarnya
sama dengan ko. Perhatikan bahwa amplitudo gelombang tersebar mengalami
penurunan dengan jarak l/D, sifat yang dimiliki oleh semua gelombang bola.

Gambar 3.3 Hamburan dari (a) elektron tunggal, (b) dua elektron, (c) vector
hamburan s.
Catatan vektor k0, k dan s berada dalam sebuah segitiga.

Dengan mengandaikan gelombang datang pada dua elektron seperti pada

Gambar 3.3 (b). Dalam hal ini, kedua elektron memancarkan gelombang bola, dan
bidang hamburan diamati pada titik yang jauh dengan jumlah dari dua bidang
parsial, dimana perbedaan fasanya harus diperhitungkan. Dengan demikian kita
memiliki

𝐴
𝑢′ = 𝑓𝑒 [ 𝑒 𝑖𝑘𝐷 + 𝑒 𝑖(𝑘𝐷+𝛿) ] (3.7)
𝐷

dimana δ adalah fase gelombang dari elektron 1 di belakang elektron 2. (Faktor

waktu yang telah dihilangkan, namun kehadirannya yang tersirat). Mengacu pada
gambar maka didapatkan persamaan

̅̅̅̅̅
(𝑃 ̅̅̅̅̅
1 𝑁 − 𝑃2 𝑁 )2𝜋
𝛿= = (𝒓. 𝒔 − 𝒓. 𝒔𝟎 )𝑘
𝜆

34
dimana r adalah jari-jari vektor elektron 2 relatif terhadap elektron 1, dan So dan S
adalah vektor unit dalam arah datang dan arah terhambur. δ dapat diungkapkan
dalam bentuk

δ = s. r (3.8)

dimana hamburan vektor s didefinisikan sebagai

𝒔 = 𝑘 (𝒔 – 𝒔𝟎 ) = 𝒌 − 𝒌𝟎 (3.9a)

Seperti yang terlihat dari Gambar 3.3 (c), besarnya vektor hamburan diberikan oleh

𝑠 = 2𝑘 𝑠𝑖𝑛 𝜃 (3.9b)

dimana θ adalah setengah dari sudut hamburan. Subsitusi persamaan (3.8) untuk δ
ke dalam persamaan (3.7), kita menemukan

𝐴
𝑢′ = 𝑓𝑒 𝑒 𝑖𝑘𝐷 [ 1 + 𝑒 𝑖𝒔.𝒓 ] (3.10)
𝐷

Dalam hal ini koordinat awal di elektron 1. Namun akan lebih baik jika
menggunakan titik koordinat sebarang dan dengan cara ini menggunakan dua
elektron pada titik yang sama. Persamaan untuk bidang hamburan menjadi

𝐴
𝑢′ = 𝑓𝑒 𝑒 𝑖𝑘𝐷 [ 𝑒 𝑖𝒔.𝒓𝟏 + 𝑒 𝑖𝒔.𝒓𝟐 ] (3.11)
𝐷

dimana r1 dan r2 adalah vektor posisi dari dua elektron relatif. Persamaan (3.10)
adalah kasus khusus dari (3.11), dimana r1 = 0 menggunakan elektron 1,
sebagaimana disebut di atas. Generalisasi dari persamaan (3.11) ke bilangan
sebarang dari hamburan, dan hasilnya adalah

𝐴
𝑢′ = 𝑓𝑒 𝑒 𝑖𝑘𝐷 ∑𝑙 𝑒 𝑖𝑠.𝑟𝑙 (3.12)
𝐷

dimana r1 adalah posisi elektron 𝑙𝑡ℎ, dan jumlah tersebut dibawa semua elektron.
Dengan analogi kasus elektron tunggal, persamaan. (3.6), panjang hamburan untuk
sistem secara keseluruhan diberikan oleh penjumlahan

𝑓 = 𝑓𝑒 ∑𝑙 𝑒 𝑖𝑠.𝑟𝑙 (3.13)

35
Artinya, panjang hamburan adalah total jumlah panjang individu dengan fase yang
diperhitungkan. Intensitas I dari berkas hamburan sebanding dengan kuadrat
besarnya medan, dan karenanya

𝑖𝑠.𝑟 2
𝐼 ~ |𝑓|2 = 𝑓𝑒2 |∑ 𝑒 | (3.14)

Hasil (3.13) dan (3.14) adalah persamaan dasar dalam hamburan dan proses
difraksi.

Kita mungkin menyimpang sebentar untuk menunjukkan aspek penting dari

hamburan dengan proses: sifat koheren terlibat dalam hamburan. Sifat ini berarti
hamburan memiliki hubungan fase yang pasti dengan satu sama lain. Akibatnya
kita dapat berbicara tentang interferensi antara sinar parsial. Sebaliknya, jika
hamburan berosilasi secara acak, atau tidak jelas, sinar parsial tidak akan
berinterferensi, dan intensitas pada detektor merupakan jumlah dari intensitas
parsial, yaitu,

𝐼 ~ 𝑁 𝑓𝑒 2 (3.15)

dimana N adalah jumlah hamburan. Perhatikan perbedaan yang nyata antara hasil
ini dan hamburan koheren dalam persamaan (3.14).

Panjang hamburan elektron ditemukan dalam buku-buku tentang elektromagnetik.

Nilainya adalah

𝑓𝑒 = [(1 + 𝑐𝑜𝑠 2 2𝜃/2)]1/2 𝑟0

di mana re kembali, jari-jari klasik dari elektron, memiliki nilai sekitar 10-15 m.

Kita sekarang dapat menerapkan hasil untuk kasus atom bebas tunggal. Dalam
menerapkan (3.13), dimana jumlah elektron muncul, kami mencatat bahwa elektron
tidak memiliki posisi diskrit, tetapi menyebar sebagai muatan yang berkeadaan
terus menerus selama volume atom. Oleh karena itu diperlukan mengkonversi
jumlah diskrit dengan integral yang sesuai. Hal ini menyebabkan

𝑓𝑒 ∑ 𝑒 𝑖𝑠.𝑟 → 𝑓𝑒 ∫ 𝜌(𝑟) 𝑒 𝑖𝑠.𝑟 𝑑 3 𝒓

𝑙

36
 dimana ρ(r) adalah densitas cloud (dalam elektron per satuan volume), dan integral
terhadap volume atom. fa merupakan faktor hamburan atom didefinisikan sebagai
integral yang muncul dalam persamaan di atas yaitu,

𝑓𝑎 = ∫ 𝜌(𝑟)𝑒 𝑖𝑠.𝑟 𝑑3 𝒓 (3.16)

( Perhatikan bahwa fa berdimensi kuantitas). Integral dapat disederhanakan ketika

densitas ρ (r) adalah inti yang berbentuk bola simetris, kemudian diintegralkan
terhadap sudut dari elemen volume. Persamaan yang dihasilkan adalah

𝑅 𝑠𝑖𝑛 𝑠𝑟
𝑓𝑎 = ∫0 4𝜋𝑟 2 𝜌 (𝑟) 𝑑𝑟 (3.17)
𝑠𝑟

dimana r adalah jari-jari atom (inti yang berada di titik asal). Seperti yang terlihat
dari (3.17), fa faktor hamburan tergantung pada sudut hamburan (ingat bahwa 𝑠 =
𝑠𝑖𝑛 𝑠𝑟
2𝑘 sin 𝜃 ), dan ini terjadi jika faktor osilasi diintegralkan. Panjang gelombang
𝑠𝑟

osilasi berbanding terbalik dengan s pada Gambar. 3.4 (a). Mengingat bahwa 𝑠 =
2𝑘 𝑠𝑖𝑛 𝜃 dalam persamaan (3.9), kita melihat bahwa sudut hamburan 𝜃
meningkat, begitu juga halnya s, dan hasil ini akan menurunkan sebuah faktor
hamburan fa.

sin(𝑠𝑟)
Gambar 3.4 (a) faktor osilasi . (b) faktor hamburan atom untuk atom karbon sebagai fungsi
𝑠𝑟
dari sudut hamburan (Woolfson)

.
Untuk melangkah lebih jauh dengan evaluasi fa, kita perlu mengetahui kerapatan
elektron 𝜌(𝑟) untuk atom yang bersangkutan. Untuk informasi ini kita harus beralih

37
ke literatur tentang fisika atom. Gambar 3.4 (b) menunjukkan faktor hamburan
untuk karbon.

Ada satu arah khusus dimana fa dapat dievaluasi sekaligus, yaitu arah depan.
sin(𝑠𝑟)
Dalam kasus ini,  = 0, s = 0, dan karenanya faktor osilasi berkurang (ingat
𝑠𝑟
0
bahwa 𝑠𝑖𝑛 0 = 1). Persamaan (3.17) kemudian menjadi

𝑅
𝑓𝑎 = ∫0 4𝜋𝑟 2 𝜌 (𝑟) 𝑑𝑟

dan integral hanya sama dengan jumlah elektron dalam atom, yaitu, nomor atom Z
Oleh karena itu kita dapat menulis

𝑓𝑎 (𝜃 = 0) = 𝑍 (3.18)

Jadi untuk karbon fa (θ = 0) = 6 dalam perjanjian dengan Gambar. 3.4 (b). pengertian
fisik (3.18) cukup jelas: Ketika kita melihat ke arah depan semua sinar parsial
berada dalam fase, mengalami interferensi konstruktif.

C. HAMBURAN DARI KRISTAL

Untuk menyelidiki hamburan dari kristal, maka untuk menerapkan Persamaan.

(3.13) dengan situasi ini. Dengan analogi kasus atom, kita mendefinisikan
hamburan fcr faktor kristal sebagai

𝑓𝑐𝑟 = ∑𝑙 𝑒 𝑖𝑠 ∙ 𝑟𝑖 (3.19)

di mana jumlah di sini meluas atas semua elektron dalam kristal. Untuk
memanfaatkan faktor hamburan atom dibahas dalam bagian sebelumnya, kita dapat
membagi jumlah 3.19 menjadi dua bagian: Pertama kita menjumlahkan seluruh
elektron dalam atom tunggal, dan kemudian jumlah seluruh atom dalam kisi.
Penjumlahan ganda pada penjumlahan semua elektron dalam kristal, seperti yang
dipersyaratkan oleh 3.19. Sejak pertama dari jumlah di atas mengarah ke faktor
hamburan atom, persamaan 3.19 dengan demikian dapat ditulis dalam bentuk

𝑓𝑐𝑟 = ∑𝑙 𝑓𝑎𝑙 𝑒 𝑖𝑠 ∙ 𝑅𝑡 (3-20)

di mana Rt, adalah posisi atom lth dan fal, faktor atom yang sesuai.

38
 Sekarang mudah untuk menulis ulang persamaan 2.20 sebagai produk dari
dua faktor, yang melibatkan sejumlah sel unit, dan jumlah lainnya atas semua sel
unit dalam kristal. Jadi kita mendefinisikan F faktor struktur geometri

𝐹 = ∑𝑗 𝑓𝑎𝑗 𝑒 𝑖𝑠 ∙ 𝛿𝑗 (3.21)

di mana penjumlahan selesai semua atom dalam sel unit, dan 𝛿𝑗 , adalah posisi relatif
dari atom lth. Demikian pula kita mendefinisikan faktor struktur kisi

𝑆 = ∑𝑙 𝑒 𝑖𝑠 ∙ 𝑅𝑡(𝑐) (3.22)

di mana jumlah yang membentang di atas semua sel unit dalam kristal, dan
merupakan posisi sel lth Untuk mengekspresikan Fcr dalam hal F dan S, kita
kembali ke (3.20), menulis Rl = Rl(c) + δj, dan kemudian gunakan (3.21) dan (3.22).
Hasilnya adalah jelas

fcr = F S (3.23)

Perhatikan bahwa faktor S kisi hanya bergantung pada sistem kristal yang terlibat,
sedangkan F tergantung pada bentuk geometris serta isi sel satuan. Dalam kasus
khusus dari kisi sederhana, di mana sel satuan mengandung atom tunggal, F faktor
menjadi sama dengan fa The faktorisasi Fcr seperti pada (3.23) manfaat penekanan
beberapa: Kami telah memisahkan sifat murni struktural kisi yang terkandung
dalam S, dari sifat-sifat atom yang terkandung dalam penyederhanaan F. Besar
tercapai demikian, karena dua faktor sekarang bisa independen. Karena F faktor
melibatkan jumlah lebih dari hanya faktor beberapa atom, dapat dengan mudah
dievaluasi dari segi faktor atom, seperti yang dibahas dalam faktor, bagian
sebelumnya. Karena itu kami akan tidak menyibukkan diri kita tidak menyibukkan
diri dengan tugas yang mudah untuk saat ini, tapi tekan dan mempertimbangkan
evaluasi faktor kisi S.

39
Faktor struktur kisi

Struktur kisi Faktor S, didefinisikan dalam (3.22), adalah sangat penting dalam
pembahasan hamburan sinar-x. Mari kita sekarang menyelidiki ketergantungan
terhadap vektor hamburan s, dan menunjukkan bahwa nilai-nilai s yang S tidak
lenyap membentuk satu set diskrit, yang ditemukan berhubungan dengan hukum
Bragg.

Gambar 3.5 (a)Hamburan dari kisi satu dimensi, (b)Difraksi maxima, (c)Difraksi
kerucut untuk urutan pertama (h=0) dan urutan kedua (h=1) maximal.

Dengan situasi yang paling sederhana mungkin, sinar-x tersebar dari kisi
satu dimensi monoatomik, seperti yang diilustrasikan pada Gambar. 3.5 (a). Ketika
kita menotasikan vektor dasar kisi dengan, faktor struktur menjadi

𝑆 = ∑𝑁
𝑙=1 𝑒
𝑖𝑠 ∙𝑙𝑎
(3.24)

di mana kita telah diganti 𝑹𝒕 (𝒄) = la, dan N adalah jumlah total atom. Rangkaian
dalam (3.24) adalah deret ukur, rasio umum adalah 𝑒 𝑖𝑠 ∙𝑎 ,

40
dan mudah dapat dievaluasi. Hasilnya adalah
1
sin[ 𝑁𝑠 ∙𝑎]
2
𝑆 = 1 (3.25)
sin[ 𝑠 ∙𝑎]
2

Secara fisik, itu lebih bermakna untuk memeriksa S2 dari S karena ini adalah
kuantitas. Yang masuk langsung ke perhitungan intensitas. Hal ini diberikan oleh
1
sin2 [ 𝑁𝑠 ∙𝑎]
𝑆2 = 2
1 (3.26)
sin2 [ 𝑠 ∙𝑎]
2

Kami sekarang ingin melihat bagaimana fungsi ini tergantung pada s vektor
hamburan. Seperti yang kita lihat dari (3.26), S2 adalah rasio dari dua fungsi
berosilasi memiliki periode yang sama s • a = 2π, namun, karena N jauh lebih besar
daripada kesatuan dalam setiap kasus praktis, pembilang berosilasi jauh lebih cepat
dari pada penyebut. Catatan, bagaimanapun, bahwa untuk nilai tertentu s • a = 0,
baik pembilang dan penyebut lenyap bersamaan, tetapi nilai membatasi S2 sama
dengan N, jumlah yang sangat besar. Demikian pula nilai S2 di s • a = 2π sama
dengan N2, sebagai berikut dari periodisitas S2, yang disebutkan di atas. Fungsi S2
sketsa dibandingkan s ∙ a pada Gambar. 3.5 (b), untuk rentang 0 <s • a ≤ 2π. Ini
memiliki dua maxima utama, di s • a = 0 dan s • a = 2π, dipisahkan oleh sejumlah
besar intervensi anak maxima, yang terakhir yang dihasilkan dari osilasi cepat
pembilang dalam (3.26). Perhitungan (lihat bagian masalah) menunjukkan bahwa
ketika jumlah sel sangat besar, seperti dalam kasus-kasus aktual, ini anak maxima
dapat diabaikan dibandingkan dengan yang utama. Misalnya, puncak maksimum
anak tertinggi hanya 0,04 bahwa maksimum utama. Oleh karena itu pendekatan
yang baik untuk mengabaikan semua anak maxima, dan mengambil fungsi S2 untuk
tidak nol hanya dalam lingkungan langsung dari maxima primer. Selain itu juga
dapat menunjukkan bahwa lebar masing-masing maksimum primer berkurang
secara cepat karena meningkatnya N, dan bahwa lebar ini hilang dalam batas
sebagai N . Oleh karena itu S2 tidak nol hanya pada nilai yang diberikan persis
oleh s • a = 0, 2π. Tapi karena S2 adalah periodik, dengan periode 2π, juga terbatas
pada semua nilai-nilai

s • a = 2πh, h = sembarang bilangan bulat. (3.27)

41
Pada nilai-nilai S2 sama dengan N2, dan karenanya S = N

Persamaan (3.26) menentukan semua arah di mana S memiliki nilai nol, dan
karenanya arah di mana difraksi terjadi. Interpretasi fisik dari persamaan ini
sangatlah mudah. Mengingat definisi s,persamaan 2.9, dan mengacu pada Gambar.
3.5, kita memperoleh

2𝜋 2𝜋
𝒔 ∙𝒂= (𝑆 − 𝑆0 ) ∙ 𝑎 = ̅̅̅̅ − 𝑃𝐵
(𝐴𝑄 ̅̅̅̅)
𝜆 𝜆

yang merupakan perbedaan fasa antara dua sinar tersebar berturut-turut. Jadi Pers.
(3.27) adalah kondisi untuk interferensi konstruktif, yaitu, faktor hamburan kisi
bertahan hanya dalam arah, yang tidak mengherankan.

Untuk h mengingat kondisi (3.27) tidak benar-benar menentukan satu arah,

melainkan jumlah tak terbatas arah membentuk kerucut yang terletak di sepanjang
sumbu garis kisi. Untuk melihat ini, kita dapat menulis (3.27) sebagai

2𝜋𝑎
(cos 𝛼 – cos 𝛼0 ) = 2𝜋ℎ, (3.28)
𝜆

Dimana αo adalah sudut antara berkas dasar dan garis kisi dan α adalah sudut yang
sesuai untuk berkas difraksi. Jadi untuk jam tertentu dan αo, balok diffracts
sepanjang segala arah yang memuaskan α (3,28). Ini bentuk kerucut yang terletak
di sepanjang sumbu kisi-kisi, dan yang setengah sudut sama dengan α. Uang tunai
h = 0 adalah satu khusus, kerucut yang meliputi arah hamburan maju. Difraksi
kerucut sesuai dengan nilai-nilai beberapa h ditunjukkan pada Gambar. 3.5 (c).

Dalam mengobati faktor-kisi struktur, kita sejauh ini terbatas diri untuk
kasus kisi satu dimensi. Sekarang mari kita memperpanjang pengobatan dengan
situasi nyata dari kisi tiga dimensi. Mengacu (3.22) dan menggantikan vektor kisi,

R(c) = l1a + l2b + l3c,

di mana a, b, dan c adalah vektor basis, kita menemukan untuk faktor struktur

𝑆 = ∑𝑙1 𝑙2 𝑙3 𝑒 𝑖𝑠 ∙(𝑙1 𝑎+ 𝑙21 𝑏+ 𝑙3 𝑐) (3.29)

di mana penjumlahan tiga meluas atas semua sel unit dalam kristal. Kita dapat
memisahkan jumlah ini menjadi tiga jumlah parsial,

42
menemukan untuk faktor struktur

𝑆 = (∑𝑙1 𝑒 𝑖𝑠 ∙(𝑙1 𝑎) )(∑𝑙2 𝑒 𝑖𝑠 ∙( 𝑙21𝑏) )(∑𝑙3 𝑒 𝑖𝑠 ∙( 𝑙3𝑐) ) (3.30)

dan dengan cara ini kita faktor keluar S menjadi produk satu-dimensi faktor, dan
kita yang karena menggunakan hasil kami pengembangan terdahulu. Kondisi untuk
interferensi konstruktif sekarang adalah bahwa masing-masing dari ketiga faktor
tersebut harus terbatas secara individual, dan ini berarti bahwa s harus memenuhi
tiga persamaan berikut secara bersamaan:

s•a = hl2π

s•b = k2π (3.31)

s•c= l2π

di mana h, k dan l adalah setiap himpunan bilangan bulat. Ditulis dalam hal sudut
yang dibuat oleh s vektor-vektor basis, dalam analogi dengan (3.27), persamaan ini
menjadi masing-masing

a(cos α - cos αo) = hλ

b(cos β - cos βo) = kλ (3.32)

c(cos γ - cos γo) = lλ

mana αo, βo, dan γo adalah sudut yang balok insiden membuat dengan vektor basis,
sedangkan α, β, dan γ adalah sudut yang sesuai untuk berkas difraksi. 2,31) dan
(3.32) dikenal sebagai persamaan Laue, setelah phys.c.st yang pertama kali
diturunkan mereka.

Pertanyaan ini ho untuk menentukan nilai dari vektor hamburan s yang

memenuhi kondisi fraksi (3.31). Kami akan menunjukkan di bagian berikutnya
bahwa nilai-nilai membentuk satu set diskrit yang sesuai dengan hukum Braggs.

D. KISI RESIPROK DAN DIFRAKSI SINAR-X

Dimulai dengan kisi vektor a, b, dan c, dapat didefinisikan dengan bagian dari
vektor basis a*, b*, dan c* sesuai dengan hubungan :

43
 2𝜋 2𝜋 2𝜋
𝒂∗= (𝑏 𝑥 𝑐 ), 𝒃 ∗ = (𝑐 𝑥 𝑎 ), 𝑎𝑛𝑑 𝒄 ∗ = (𝑎 𝑥 𝑏) (3.33)
Ω𝑐 Ω𝑐 Ω𝑐

Dimana Ω𝑐 = 𝑎∗ ( 𝑏 𝑥 𝑐 ), volume sel satuan. Sekarang, dapat menggunakan

vektor a*, b*, dan c* sebagai dasar untuk kisi baru vektor yang telah diberikan
oleh :

𝐺𝑛 = 𝑛1 𝑎∗ + 𝑛2 𝑏 ∗ + 𝑛3 𝑐 ∗ (3.34)

Dimana 𝑛1 , 𝑛2 , 𝑛3 merupakan salah satu rangkaian bilangan bulat. Kisi yang baru
saja kita kenal sebagai kisi resiprok dan a*, b*, dan c* disebut dengan basis vektor
resiprok.

Hubungan basis vektor resiprok a*, b*, dan c* ke vektor basis a, b, c

ditunjukkan pada Gambar 3.6. Vektor a* misalnya adalah terhadap bidang normal
didefinisikan oleh vecktor b dan c, dan pernyataan serupa berlaku untuk a, b, c
membentuk himpunan bagian orthogonal kemudian a*, b*, dan c* juga membentuk
satu bagian orthogonal dengan a* sejajar dengan a, b* sejajar dengan b, dan c*
sejajar dengan c. Secara umum tidak bagian orthogonal.

Gambar 3.6 Basis vektor resiprok

Persamaan matematika berikut berguna dalam mengerjakan kisi resiprok :

𝑎∗ . 𝑎 = 2𝜋, 𝑎∗ . 𝑏 = 𝑎∗ . 𝑐 = 0

𝑏 ∗ . 𝑏 = 2𝜋, 𝑏∗. 𝑎 = 𝑏 ∗. 𝑐 = 0

𝑐 ∗ . 𝑐 = 2𝜋, 𝑐 ∗. 𝑎 = 𝑐 ∗. 𝑐 = 0

(3.35)

44
Baris pertama dari persamaan dapat ditetapkan sebagai berikut : Untuk
membuktikan pertama dari persamaan, mensubstitusi a* dari (3.33) dan
menemukan bahwa :

2𝜋
𝑎∗ . 𝑎 = ( 𝑏 𝑥 𝑐 ). 𝑎
Ω𝑐

Tetapi ( 𝑏 𝑥 𝑐 ). 𝑎 adalah sama dengan volume sel satuan Ω𝑐 dan maka 𝑎∗ . 𝑎 = 2𝜋.
Kedua dari persamaan kedua pada baris pertama mencerminkan fakta yang
disebutkan, bahwa a* adalah tegak lurus terhadap bidang yang dibentuk oleh b dan
c. Sisa dari persamaan (3.35) dapat dibentuk dengan cara yang sama.

Contoh kisi resiprok ditunjukkan pada Gambar 3.7. Gambar 3.7(a)

menunjukkan kisi satu dimensi dan resiprok. Perhatikan bahwa dalam kasus ini, a*
adalah sejajar dengan a dan bahwa 𝒂∗ = 1/𝑎. Gambar 3.7(b) menunjukkan bidang
kisi persegi panjang dan resiprok tiga dimensi adalah contoh lengkapnya. Tetapi
prosedur untuk menemukan sangatlah mudah. Pertama, kerjakan (3.33) untuk
menemukan dasar a*, b*, c* dan kemudian menggunakan (3.34) untuk menemukan
semua titik kisi. Terbukti bahwa resiprok dari suatu kisi tepi sc adalah merupakan
kisi sc dengan tepi kubus sama dengan 2𝜋/𝑎 (Gambar 3.8).

Dapat ditetapkan bahwa kebalikan dari bcc adalah kisi fcc dan sebaliknya
(lihat bagian masalah). Pertama, dapat memperpanjan argumen untuk sistem kristal
lainnya. Ketika kita menyadari bahwa kisi resiprok adalah kisi – kisi dalam dirinya
sendiri dan memiliki simetri rotasi sama dengan kisi langsung, bahwa kisi resiprok
selalu jatuh dalam sistem kristal yang sama seperti kisi langsung (lihat Tabel 1.1).
Dengan demikian, resiprok untuk monoklinik, triklinik, … dan kisi heksagonal juga
monoklinik, triklinik, … dan heksagonal masing – masing. (Catatan, bahwa dua
kisi tidak perlu memiliki struktur Bravais yang sama dalam sistem yang sama.
Melihat contoh bcc dan fcc diatas).

45
 Gambar 3.7 Kisi resiprok (a) Kristal satu dimensi, (b) kristal dua dimensi.

Gambar 3.8 Sebuah bagian dari kisi resiprok untuk kisi sc

Sel unit resiprok yang dipilih dengan cara tertentu. Untuk kisi persegi
panjang dari Gambar 3.9, biarkan O menjadi titik asal dan menggambarkan vecktor
kisi menghubungkan asal dengan titik kisi tetangganya. Kemudian tarik garis lurus
yang tegak lurus terhadap vecktor di titik – titik tengannya. Wilayah terkecil
tertutup oleh garis – garis persegi panjang A dalam gambar merupakan sel unit yang
dicari dan disebut zona Brillouin pertama. Zona Brillouin (BZ) merupakan sel unit
diterima karena memenuhi semua persyaratan yang diperlukan. Hal ini juga
memiliki perlengkapan yang titik kisi sesuai tepat jatuh di pusat sel, tidak seperti
kasus kisi langsung dimana titik kisi biasanya terletak pada sudut-sudut sel. Jika BZ
pertama diterjemahkan oleh vektor resiprok 𝐺𝑛 , maka ruang kisi resiprok seluruh
harus ditutup, karena BZ adalah sel unit yang benar.

46
 Gambar 3.9 zona Brillouin pertama untuk kisi persegi panjang.

Zona Brillouin untuk kisi tiga dimensi dapat dibangun dengan cara yang sama,
tetapi perhatikan bahwa dalam hal ini vektor kisi yang memisahkan dua bidang
tegak lurus dan bahwa BZ pertama adalah saat volume terkecil tertutup oleh bidang.
Dalam kasus yang paling sederhana kisi sc yang BZ adalah kubus tepi 2𝜋/𝑎
berpusat pada titik asal. BZ ini untuk kisi kubus lain yang dalam bentuk lebih rumit
kita akan menunda pembahasan kisi ini dan lainnya ke bagian selanjutnya.

Setelah mendefinisikan kisi resiprok dan membahas beberapa sifat-sifatnya,

sekarang dilanjutkan untuk menunjukkan kegunaannya. Salah satu aplikasi penting
teerletak pada penggunaannya dalam evaluasi jumlah kisi dan ini terletak pada
persamaan matematika berikut :

∑𝑁
𝑙=1 𝑒
𝑖𝐴.𝑅1
= 𝑁 𝛿𝐴,𝐺𝑛 (3.36)

Berikut adalah sebarang vektor penjumlahan adalah vektor kisi langsung dan N
adalah jumlah total sel dalam kisi langsung. Karena simbol delta, maka (3.36)
adalah jumlah kisi di sebelah kiri hilang setiap kali vecktor A tidak sama dengan
beberapa kisi resiprok 𝐺𝑛 . Ketika itu adalah sama dengan beberapa 𝐺𝑛 , jumlah kisi
menjadi sama dengan N. Untuk menetapkan kevalidan (3.36), pertama kita harus
mengerjakan kasus 𝐴 = 𝐺𝑛 untuk mengevaluasi eksponen 𝐴 . 𝑅𝑙 disebelah kiri
(3.36), kita substitusi 𝐴 = 𝐺𝑛 = 𝑛1 𝑎∗ + 𝑛2 𝑏 ∗ + 𝑛3 𝑐 ∗ dan 𝑅𝑙 = 𝑙1 𝑎1 + 𝑙2 𝑎2 +
𝑙3 𝑎3 dan hasilnya :

𝐴. 𝑅𝑙 = 𝐺𝑛 . 𝑅𝑙 = (𝑛1 𝑎∗ + 𝑛2 𝑏 ∗ + 𝑛3 𝑐 ∗ ) . (𝑙1 𝑎1 + 𝑙2 𝑎2 + 𝑙3 𝑎3 )

= 𝑛1 𝑙1 + 𝑛2 𝑙2 + 𝑛3 𝑙3 (3.37)

47
 Dimana dalam mengevaluas produk skalar dari vektor basis digunakan (3.35).
Misalnya 𝑎∗ . 𝑎 = 2𝜋, 𝑎∗ . 𝑏 = 0, dll. Setiap istilah dalam penjumlahan di (3.36) pleh
karena itu bentuk 𝑒 𝑖𝑚2𝜋 dimana m adalah bilangan bulat dan akibatnya sama
dengan persatuan. Maka jumlah total sama dengan N seperti (3.36). Dalam kasus
𝐴 ≠ 𝐺𝑛 kita dapat mengikuti prosedur yang sama digunakan dalam mengevaluasi
(3.24) dan hasilnya adalah sama seperti sebelumnya, yaitu bahwa untuk N besasr
jumlah hilang kecuali untuk nilai-nilai tertentu dari A. Nilai-nilai yang luar biasa
ini, pada kenyataannya dipilih di atas yaitu 𝐴 = 𝐺𝑛 .

Sebagai titik akhir, sekarang kita akan menunjukkan bahwa vektor kisi resiprok
terkait dengan bidang kristal dari kisi langsung. Dengan cara ini, abstrak vektor
resiprok akan memperoleh arti konkrit. Pertimbangkan bagian bidang kristal yang
indeks Miller adalah (ℎ𝑘𝑙) dan kisi resiprok sesuai vektor 𝐺ℎ𝑘𝑙 = ℎ𝑎∗ + 𝑘𝑏 ∗ +
𝑙𝑐 ∗ di mana angka-angka ℎ, 𝑘, 𝑙 adalah himpunan bilangan bulat. Kita sekarang
harus menetapkan sifat-sifat berikut:

i. 𝐺ℎ𝑘𝑙 vektor normal dengan (ℎ𝑘𝑙) bidang kristal.

ii. 𝑑ℎ𝑘𝑙 jarak interplanar berkaitan dengan besarnya 𝐺ℎ𝑘𝑙 oleh
𝑑ℎ𝑘𝑙 = 2𝜋/𝐺ℎ𝑘𝑙 (3.38)

Gambar 3.10 kisi resiprok 𝐺ℎ𝑘𝑙 vektor normal terhadap bidang (ℎ𝑘𝑙).

Untuk membangun hubungan ini, kita lihat Gambar 3.10, di mana kita telah ditarik
salah satu bidang (ℎ𝑘𝑙). Perpotongan dari bidang dengan sumbu adalah 𝑥, y, 𝑧 dan
terkait dengan indeks dengan :

1 1 1
(ℎ, 𝑘, 𝑙)~ ( , , ) (3.39)
𝑥 𝑦 𝑧

di mana untuk penggunaan dari definisi indeks Miller (Bagian 1.6). Perhatikan juga
vektor 𝑢 dan 𝑣 yang terletak di sepanjang garis bidang dengan 𝑥y dan bidang y𝑧,

48
masing-masing. Menurut angka, vektor ini diberikan oleh 𝑢 = 𝑥𝑎 − 𝑦𝑏, 𝑣 = 𝑦𝑏 −
𝑧𝑐. Untuk membuktikan hubungan (i) di atas, kita hanya perlu membuktikan bahwa
𝐺ℎ𝑘𝑙 ortogonal untuk kedua 𝑢 dan 𝑣 memiliki :

𝑢. 𝐺ℎ𝑘𝑙 = (𝑥𝑎 − 𝑥𝑏). (ℎ𝑎∗ + 𝑘𝑏 ∗ + 𝑙𝑐 ∗ ) = 2𝜋(𝑥ℎ − 𝑦𝑘) = 0

di mana telah menggunakan (3.35) untuk menetapkan kedua kesetaraan, terakhir

kesamaan dari (3.39). Dengan cara yang sama kita juga dapat menunjukkan bahwa
𝐺ℎ𝑘𝑙 t ortogonal terhadap 𝑣, dan ini menetapkan properti (i).

Untuk membuktikan (3.38)pertama, amati bahwa 𝑑ℎ𝑘𝑙 jarak interplanar sama

dengan proyeksi 𝑥𝑎sepanjang arah normal terhadap bidang (ℎ𝑘𝑙), arah ini dapat
diwakili oleh vektor satuan 𝐺ℎ𝑘𝑙 =𝐺ℎ𝑘𝑙 / 𝐺ℎ𝑘𝑙 , karena telah menetapkan bahwa
𝐺ℎ𝑘𝑙 adalah normal ke bidang. Karena itu :

𝑑ℎ𝑘𝑙 = 𝑥𝑎. 𝐺ℎ𝑘𝑙 = (𝑥𝑎. 𝐺ℎ𝑘𝑙 )/𝐺ℎ𝑘𝑙 (3.40)

Catatan bahwa 𝑥𝑎. 𝐺ℎ𝑘𝑙 = 2𝜋ℎ𝑥 sama dengan 2𝜋, karena menurut (3.39) ℎ𝑥 = 𝐼.
Ini melengkapi bukti (3.38).

Hubungan antara vektor resiprok dan bidang kristal sekarang cukup jelas.
Vektor 𝐺ℎ𝑘𝑙 terkait dengan bidang kristal (ℎ𝑘𝑙) yang pada kenyataannya normal
dan pemisahan dari bidang ini adalah kali 2𝜋 kebalikan dari 𝐺ℎ𝑘𝑙 panjang di ruang
resiprok. Crystallographer lebih memilih untuk berpikir dalam hal bidang Kristal
yang memiliki realitas fisik dan indeks Miller, sedangkan fisika zat padat seperti
kisi resiprok, yang secara matematis lebih elegan, dua pendekatan bagaimanapun
setara dan seseorang dapat berubah dari satu ke yang lain dengan menggunakan
yang menghubungkan dua hubungan. Dari dua pendekatan, kita kebanyakan akan
menggunakan kisi resiprok dalam buku ini.

E. KONDISI DIFRAKSI DAN HUKUM BRAGG

Penerapan konsep kisi resiprok untuk mengevaluasi struktur kisi faktor 𝑆,

yang terlibat dalam proses hamburan sinar-x. Faktor ini diberikan dalam (3.22).
Membandingkan ini dengan (3.36), bahwa 𝑆 hilang untuk bagianiap nilai 𝒔 kecuali:

49
𝒔 = 𝐺ℎ𝑘𝑙 (3.41)

Kondisi untuk difraksi vektor hamburan adalah sama dengan vektor kisi
resiprok. Persamaan (3.41) menunjukkan 𝒔 yang normal terhadap (ℎ𝑘𝑙) bidang
kristal, seperti ditunjukkan pada Gambar 2.11. Persamaan ini dapat ditulis kembali
2π
dalam bentuk yang berbeda. Mengingat bahwa 𝒔 = 2 ( λ ) sin θ , 𝐺ℎ𝑘𝑙 = 2π/𝑑ℎ𝑘𝑙 ,

dan disubsitusi menjadi (3.41) kita menemukan bahwa :

2𝑑ℎ𝑘𝑙 sin θ = λ (3.42)

Ini adalah bentuk yang sama persis sebagai Hukum Bragg , persamaan (3.4),
yang dipandang untuk mengikuti dari perlakuan umum teori hamburan. Oleh karena
itu secara fisik berarti menggunakan model Bragg (Bagian 3) dan berbicara tentang
refleksi dari bidang atom. Ini cara melihat proses difraksi secara konseptual
sederhana daripada teori hamburan.

Gambar 3.11 Vektor hamburan adalah sama dengan vektor kisi resiprok.

Ketika kondisi (3.41) faktor struktur adalah nol, dan nilainya sama dengan 𝑁 seperti
yang terlihat dari (3.36). Demikian

𝑆ℎ𝑘𝑙 = 𝑁 (3.43)

Substitusikan ini ke (3.23), kita menemukan 𝑓𝑐𝑟 hamburan kristal menjadi faktor

𝑓𝑐𝑟 , ℎ𝑘𝑙 = 𝑁𝐹ℎ𝑘𝑙 (3.44)

50
dan intensitas 𝐼 kemudian

𝐼ℎ𝑘𝑙 ~ |𝑓𝑐𝑟 , ℎ𝑘𝑙|2 ~|𝐹ℎ𝑘𝑙 |2 (3.45)

Intensitas hilang tersebar ke segala arah kecuali di mana faktor 𝑆 struktur tidak
nol. Arah ini adalah yang terakhir karena arah difraksi memenuhi kondisi
interferensi. Ketika kondisi Bragg terpenuhi, maka berkas datang terdifraksi
menjadi sinar tunggal (mengabaikan perintah yang lebih tinggi), yang tercatat di
detektor sebagai tempat tunggal pada film. Tempat ini merupakan seluruh
rangkaian mencerminkan bidang (ℎ𝑘𝑙). Bila kristal diputar sehingga bagian baru
bidang memenuhi kondisi Bragg, maka bagian baru muncul sebagai tempat baru
pada film di detektor.

Masing-masing berkas difraksi dapat dikaitkan dengan satu bagian bidang

indeks Miller tertentu, ini terbukti dari (3,45). Hal ini eksperimen diamati,
bagaimanapun, bahwa difraksi bidang tertentu dapat hilang. Hal ini disebabkan oleh
faktor 𝐹ℎ𝑘𝑙 struktur geometri yang tergantung pada bentuk dan isi sel satuan.
Dengan demikian, jika 𝐹ℎ𝑘𝑙 adalah nol untuk indeks tertentu, maka intensitas hilang
sesuai dengan (3.45), meskipun bidang yang sesuai memenuhi kondisi Bragg.
Untuk mengevaluasi 𝐹ℎ𝑘𝑙 kita kembali ke (3.21). Dianganggap atom menjadi
identik, dan mengambil𝛿𝑗 = 𝑈𝑗 𝑎 + 𝑉𝑗 𝑏 + 𝑊𝑗 𝑐, di mana 𝛿𝑗 adalah posisi dari
atom ke 𝑗. Selain itu, kita mengambil :

𝒔 = 𝐺ℎ𝑘𝑙 = ℎ𝑎 ∗ + 𝑘𝑏 ∗ + 𝑙𝑐 ∗

Karena itu

𝐹ℎ𝑘𝑙 = 𝑓𝑎 ∑𝑗 𝑒 𝑖2𝜋(ℎ𝑢𝑗 +𝑘𝑣𝑗+𝑙𝑤𝑗) (3.46)

Perhatikan, misalnya kisi bcc. Sel unit memiliki dua atom yang koordinat
1 1 1
( 𝑢𝑗 + 𝑣𝑗 + 𝑤𝑗 ) = ( 0 0 0 ) dan (2 , 2 , 2) menggunakan (3.46), maka :

𝐹ℎ𝑘𝑙 = 𝑓𝑎 ( 1 + 𝑒 𝑖2𝜋(ℎ+𝑘+𝑙)

Ungkapan ini dapat mengambil hanya dua nilai, ketika (ℎ + 𝑘 + 𝑙) bahkan,

𝐹ℎ𝑘𝑙 = 2 ∫ 𝑎 , sementara 𝐹ℎ𝑘𝑙 = 0 ketika (ℎ + 𝑘 + 𝑙) ganjil. Jadi untuk kisi bcc,

51
difraksi tersebut tidak ada untuk semua bidang di mana jumlah (ℎ + 𝑘 + 𝑙) ganjil,
dan ada untuk bidang di mana (ℎ + 𝑘 + 𝑙) genap. Merupakan masalah untuk
menunjukkan bahwa dalam kisi fcc refleksi diperbolehkan sesuai dengan kasus-
kasus di mana ℎ, 𝑘, 𝑙 baik semua genap atau semua ganjil. Perhatikan bahwa bidang
lepas memberikan informasi langsung mengenai simetri dari sel satuan.

Persamaan (3.41) dapat ditulis kembali dalam bentuk lain. Sebelumnya dari (3.9a)
bahwa 𝑠 = 𝑘 − 𝑘0 , di mana 𝑘0 dan 𝑘 adalah vektor datang dan berkas difraksi.
Dengan mensubstitusi ke (3.41) menjadi :

𝑘 = 𝑘0 + 𝐺 (3.47)

Perkalian dari kedua belah pihak oleh ℎ menjadi :

ℏ𝑘 = ℏ𝑘0 + ℏ𝐺

Tetapi kuantitas ℏ𝑘 adalah momentum foton sinar-x terkait dengan berkas.

Dengan demikian persamaan di atas dapat dilihat sebagai konservasi momentum,
dan proses difraksi sebagai proses tumbukan antara sinar-x foton dan kristal. Dalam
tumbukan mundur foton dan keuntungan suatu ℏ𝐺 momentum. Sebaliknya, kristal
dalam arah yang berlawanan dengan momentum −ℏ𝐺. Energi gerak dari kristal
adalah sangat kecil karena dari perpindahan benda tegar, dan oleh karena itu energi
kinetik (ℏ𝐺)2 /2𝑀2, di mana M adalah massa total kristal. Karena M sangat besar
dibandingkan dengan massa atom, energi lompatan sangat kecil dapat diabaikan.
Oleh karena itu proses tumbukan dapat dianggap elastis, ini telah secara implisit
diasumsikan, karena kita telah mengambil 𝑘 harus sama dengan 𝑘0 .

F. HAMBURAN DARI CAIRAN

Hamburan sinar-x juga digunakan dalam penyelidikan struktur cairan. Dengan

mengamati pola kubus yang tersebar, dapat ditentukan fungsi pasangan distribusi
cairan (lihat Bagian 1.8). Kembali ke hasil umum (3.20), kita menulis untuk faktor
hamburan cairan :

𝑓𝑙𝑞 = 𝑓𝑎 ∑𝑙 𝑒 𝑖𝑠−𝑅𝑙 (3.48)

52
dimana 𝑓𝑎 adalah faktor atom dan penjumlahan semua atom dalam cairan,
diasumsikan cairan yang monoton. Namun cairan atom terus bergerak dari satu
daerah ke daerah lain, tidak seperti kasus untuk padat, di mana mereka dibatasi ke
daerah tertentu dan jumlah (3.48). Oleh karena itu, sulit untuk mengevaluasi. Hal
ini dapat diatasi dengan menyelesaikannya bukan dengan intensitas tersebar yang
semua kuantitas mencatat eksperimental. Intensitas adalah proporsional untuk
|∫ 𝑎|2 dengan menggunakan (3.48) dapat ditulis :

2
|𝑓𝑎 |2 = ∫𝑎 ∑𝑗,𝑙 𝑒 𝑖𝑠(𝑅𝑙−𝑅𝑗) (3.49)

Struktur cairan faktor 𝑆𝑙𝑞 didefinisikan sebagai jumlah ganda dalam persamaan ini.
Artinya :

𝑆𝑙𝑞 = ∑𝑗,𝑙 𝑒 𝑖𝑠(𝑅𝑙−𝑅𝑗) (3.50)

yang analog dengan struktur kisi faktor 𝑆 (3.22). Jumlah tersebut dapat dibagi
menjadi dua jenis yang berbeda dari istilah: yang 𝑗 = 1 yaitu, j indeks dan l
mengacu pada atom yang sama dan yang 𝑗 ≠ 1. Jenis bekas mudah dilihat untuk
menambahkan hingga 𝑁 − menjadi istilah 𝑁 di semua yang terakhir dapat
dinyatakan dalam fungsi distribusi pasangan. Hasilnya adalah

𝑆𝑙𝑞 |𝑁 = 1 + 𝑛0 ∫ 𝑑 3 𝑅𝑒 𝑖𝑠−𝑅 𝑔(𝑅) (3.51)

dimana 𝑛0 adalah kerapatan atom rata-rata dan 𝑔(𝑅)fungsi pasangan (Bagian 1.8).
Integrasi diatas adalah volume cairan. Kami mencatat, bahwa hanya penyimpangan
𝑔(𝑅) dari kesatuan kontribusi hamburan karena sisanya, 𝑔(𝑅) = 1 sesuai dengan
distribusi seragam yang akan memungkinkan berkas melewati tanpa hamburan
apapun. Dengan demikian kita dapat menulis ulang (3.51) :

𝑆𝑙𝑞 |𝑁 = 1 + 𝑛0 ∫ 𝑑 3 𝑅𝑒 𝑖𝑠−𝑅 [𝑔(𝑅) − 1] (3.52)

Integral diperpanjang untuk semua ruang, karena [𝑔(𝑅) − 1] meluruh cepat.

53
 Gambar 3.12 Faktor struktur untuk merkuri cair (setelah Guiner)

Persamaan (3.52) memungkinkan perhitungan 𝑆𝑙𝑞 jika 𝑔(𝑅)yang diberikan, tetapi

biasanya permukaan ini adalah yang sebaliknya. Artinya 𝑆𝑙𝑞 dan 𝑔(𝑅) harus
disimpulkan dari pengukuran ini. Karena itu kita harus membalikkan (3.52). inverse
ini dapat dilakukan dengan menggunakan teorema transformasi Fourier. Contoh
(3.52) mencatat (𝑆𝑙𝑞 − 1)/𝑛0 hanyalah transformasi Fourier dari 𝑔(𝑅) − 1. Oleh
karena itu, dengan menggunakan teorema transpormasi Fourier, dapat ditulis :

1 1 𝑆𝑙𝑞 (𝑠)−1
𝑔(𝑅) − 𝐶 = (3𝜋)3 𝑛0
∫ 𝑑3 𝑠𝑒 −𝑖𝑠.𝑅 [ 𝑁
] (3.53)

Sekarang integral di seluruh ruang vektor hamburan 𝒔. Gambar 3.12 menunjukkan

faktor struktur merkuri cair sebagaimana ditentukan oleh sinar-x teknik hamburan.
Teknik lain hamburan yang digunakan dalam studi struktur cair adalah hamburan
neutron.

G. TEKNIK EKSPERIMEN

54
 Dalam teknik eksperimental yang digunakan untuk mengumpulkan data
difraksi sinar-x. Pada dasarnya terdapat tiga metode: Metode rotasi kristal, metode
Laue, dan metode bubuk. Apapun metode yang digunakan, jumlah diukur pada
dasarnya sama.

i) Sudut hamburan 2θ antara terdifraksi dan berkas sinar datang. Dengan mengganti
sudut θ menjadi aturan-aturan Bragg, salah menentukan jarak interplanar serta
orientasi bidang difraksi.

ii) L intensitas sinar terdifraksi. Kuantitas ini menentukan faktor struktur sel, Fhkl, dan
karenanya memberikan informasi tentang susunan atom dalam sel unit.

METODE ROTASI KRISTAL

Metode ini digunakan untuk analisis struktur kristal tunggal. Susunan

eksperimental ditunjukkan pada Gambar. 2.13. Kristal biasanya sekitar 1 mm, dan
terpasang pada poros yang dapat diputar. Sebuah film fotografi ditempatkan di sisi
dalam dari konsentris silinder dengan sumbu rotasi.

Gambar 2.13 Eksperimental pengaturan untuk metode berputar-kristal.

Sebuah berkas sinar datang monokromatik dengan panjang gelombang λ yang

collimated dan dibuat untuk bertumpu pada kristal. Spesimen kemudian diputar,
jika perlu, sampai kondisi difraksi memperoleh, yaitu λ θ dan memenuhi hukum
Bragg. Ketika ini terjadi, sinar difraksi (atau berkas) muncul dari kristal dan dicatat
sebagai tempat pada film.

55
 Dengan merekam pola difraksi (baik sudut dan intensitas) untuk orientasi
kristal berbagai, seseorang dapat menentukan bentuk dan ukuran sel satuan serta
susunan atom dalam sel.

METODE LAUE

Metode ini dapat digunakan untuk penentuan cepat dari simetri dan orientasi kristal
tunggal. Susunan eksperimental ditunjukkan pada Gambar 3.14 (a). A berkas sinar-
x yaitu, satu dengan spektrum gelombang kontinu panjang dibuat jatuh pada kristal,
yang memiliki orientasi tetap relatif terhadap berkas sinar datang. Film datar
ditempatkan di depan dan di belakang spesimen. Karena A mencakup berbagai
berkesinambungan, kristal memilih bahwa panjang gelombang tertentu yang
memenuhi hukum Bragg pada orientasi ini, dan berkas difraksi muncul di sudut
yang sesuai. Sinar terdifraksi ini kemudian dicatat sebagai tempat pada film. Tapi
karena panjang gelombang yang sesuai dengan tempat tidak diukur, seseorang tidak
dapat mencegah penambang nilai sebenarnya dari jarak satunya rasio interplanar
mereka. Oleh karena itu kita dapat menentukan bentuk tetapi tidak ukuran absolut
dari sel satuan. Sebuah foto Laue tipikal ditunjukkan pada Gambar 3.14 (b).

Perhatikan bahwa jika arah sinar merupakan sumbu simetri dari kristal,
maka pola difraksi harus menunjukkan simetri ini. Gambar 3.14 (b) menunjukkan
simetri 6 kali lipat dari sumbu simetri dalam Mg, yang memiliki struktur
heksagonal.

56
Gambar. 2.14 Metode Laue: (a) Pada percobaan, (b) Laue pola kristal Mg, dengan
paralel sinar sinar-x terhadap sumbu simetri 6 kali lipat.

METODE BUBUK

Metode ini digunakan untuk menentukan struktur kristal bahkan jika

spesimen tidak kristal tunggal. Sampel dapat terdiri dari halus bubuk dikemas ke
dalam tabung gelas silinder, atau mungkin polikristalin, dalam hal ini terdiri dari
sejumlah besar kristalit kecil berorientasi lebih atau kurang secara acak. Sebuah
sinar monokromatik impinges pada spesimen, dan berkas difraksi dicatat pada film
silinder sekitarnya.

Karena jumlah besar kristalit yang berorientasi secara acak, selalu ada
cukup ini yang memiliki orientasi yang tepat relatif terhadap berkas sinar datang
monokromatik untuk memenuhi hukum Bragg, dan karenanya sinar terdifraksi
muncul di sudut yang sesuai (Gambar 3.15). Karena kedua / 1 dan 9 yang terukur,
kita dapat menentukan jarak interplanar.

Set lainnya dari bidang menyebabkan berkas terdifraksi lainnya sesuai

dengan jarak planar berbeda untuk panjang gelombang yang sama. Jadi yang benar-
benar dapat menentukan parameter kisi cukup akurat, terutama jika struktur kristal
yang sudah diketahui.

57
Gambar 2.15 Sinar-x difraksi sinar-x serbuk pola untuk Cu. 2θ adalah sudut
hamburan.

Perhatikan juga bahwa, karena spesimen adalah simetris di bawah rotasi di sekitar
berkas sinar datang sebagai sumbu, sinar terdifraksi sesuai untuk setiap penggemar
hamburan sudut 2θ di sepanjang kerucut yang terletak di sepanjang sumbu berkas
sinar datang.

H. APLIKASI SINAR – X DALAM FISIKA ZAT PADAT

Teknik difraksi sinar-x selain digunakan dalam analisis struktur kristal, dapat
digunakan dalam aplikasi lain dalam fisika zat padat terutama dalam dunia
mikrokopis.

Tujuan yang utama distribusi elektron dalam zat padat yaitu, menggambar
peta kerapatan elektron. Pada prinsipnya merupakan peranan elektron untuk proses
difraksi. Untuk melihat bagaimana hal ini dapat dilakukan, lihat Persamaan. (3.21),
dimana menunjukkan kerapatan elektron yang terkandung dalam fa. Jika faktor
hamburan kristal diukur, maka persamaan ini bisa dibolak-balik. Jika menemukan
kerapatan elektron 𝜌(𝑟) dalam hal fcr(s). Prosedur matematika melibatkan
penggunaan Transformasi Fourier, dengan cara yang sama dengan yang digunakan
dalam cairan, seperti yang ditunjukkan dalam bagian sebelumnya.

Aplikasi lain yang penting adalah dalam studi ketidaksempurnaan kisi, seperti
dislokasi, daerah regangan dll. Dengan adanya ketidaksempurnaan tersebut, pola

58
difraksi tidak lagi sesuai dengan kristal yang sempurna, dan dengan mempelajari
deviasi dapat diperoleh informasi mengenai jenis ketidaksempurnaan dan distribusi
kisi dalam kristal. Teknik-teknik tersebut umum digunakan oleh ahli kimia,
metallurgists, dan ilmuwan material.

Dalam penelitian kristal murni kita telah mengasumsikan periodisitas

sempurna (kecuali dalam paragraf sebelumnya). Kami telah mengasumsikan bahwa
setiap atom terletak di setiap kisi. Namun, diketahui bahwa ketika suhu di atas nol
mutlak, atom mengalami beberapa vibrasi di sekitar mereka sebagai akibat dari
Eksitasi termal. Kehadiran vibrasi kisi mengarah ke dalam pola difraksi sinar-x.
Secara khusus, beberapa difraksi diamati di sepanjang arah yang tidak memenuhi
kondisi Bragg, hal ini disebut sebagai hamburan diffuse. Jenis hamburan yang telah
lama digunakan dalam studi vibrasi kisi, dan telah memberikan kontribusi besar
terhadap pemahaman kita.

Akhirnya, difraksi sinar-x digunakan untuk menentukan struktur molekul

biologis. Banyak langkah besar baru-baru ini dalam pengetahuan kita tentang
biologi molekuler telah dicapai dengan cara ini. Salah satu contohnya adalah
penemuan mendatang mengenai struktur double-heliks dari molekul DNA

I. DIFFRAKSI NEUTRON

Kami telah menunjukkan bahwa bentuk-bentuk lain dari radiasi, sinar-x,

juga dapat digunakan dalam penyelidikan struktur kristal dan masalah terkait
lainnya. Persyaratan utama adalah: Pertama, radiasi harus memiliki properti
gelombang sehingga gelombang tersebar dapat berbentuk koheren, ada dengan
mengungkapkan struktur dari media hamburan. Kedua, panjang gelombang radiasi
harus dari urutan yang sama besarnya sebagai konstanta kisi. Radiasi neutron
memenuhi persyaratan ini.

Neutron dan partikel lainnya memiliki sifat gelombang, seperti yang Anda ingat
dari fisika dasar (lihat juga Bagian AI). Panjang gelombang, juga dikenal sebagai
panjang gelombang deBroglie, diberikan oleh hubungan λ = h / p, di mana p adalah
momentum neutron. Panjang gelombang juga dapat dinyatakan dalam bentuk

59
 energi E = p2/2m, di mana m adalah massa. Mengganti nilai massa sesuai dengan
neutron, maka diperoleh

0.28
𝜆=
𝐸 1⁄2

di mana λ dalam angstrom (Å) dan E dalam elektron volt (eV). Untuk
menjadi berguna dalam analisis struktur, λ harus sekitar 1 Å, yang ketika diganti
menjadi 2,54, menghasilkan energi sekitar 0,08 eV. Energi ini adalah urutan yang
sama besarnya sebagai kT energi panas pada suhu kamar, 0,025 eV, dan untuk
alasan ini kami berbicara tentang neutron termal.

Mekanisme hamburan untuk neutron adalah interaksi antara neutron dan inti
atom hadir dalam kristal. Interaksi ini disebut sebagai interaksi yang kuat, itu adalah
reaksi yang bertanggung jawab untuk memegang nukleon (neutron dan proton)
bersama-sama dalam inti. Menjadi elektrik netral, neutron tidak berinteraksi dengan
elektron dalam kristal. Dengan demikian, tidak seperti sinar-x, yang tersebar
sepenuhnya oleh elektron, neutron tersebar sepenuhnya oleh inti.

Karena rincian difraksi neutron yang persis sama dengan yang untuk sinar-
x, kita tidak perlu masuk ke lebih lanjut di sini. Perbedaan hanya terletak pada
kenyataan bahwa neutron analog ke (3.6) sekarang berisi panjang hamburan
neutron bukan yang dari elektron. Hasil yang menarik bagi kita di sini misalnya,
hukum Bragg, persamaan Laue, dll persis sama seperti sebelumnya. Semua ini
adalah konsekuensi langsung dari faktor struktur yang menjadi sejumlah kisi, hanya
bergantung pada struktur kisi dan bukan pada faktor hamburan atom, jenis radiasi
yang digunakan tidak relevan.

Difraksi neutron memiliki beberapa keunggulan dibandingkan sinar-x

misalnya.

a) Atom ringan seperti hidrogen lebih baik diselesaikan dalam pola neutron, karena
hanya memiliki beberapa elektron untuk menyebarkan sinar x, mereka tidak
memberikan kontribusi yang signifikan terhadap pola difraksi sinar-x.
b) Pola neutron membedakan antara isotop atom yang berbeda, sedangkan pola sinar-
x tidak.

60
c) Difraksi neutron telah membuat kontribusi penting untuk studi bahan magnetik.
Dalam kristal magnetik elektron dari orbital atom memiliki spin bersih, dan
karenanya momen magnetik bersih. Orientasi relatif dari momen dapat berupa acak
atau paralel, atau antiparalel, tergantung pada kisaran suhu kristal. Satu dapat
menggunakan difraksi neutron untuk mengungkapkan pola magnetik kristal karena
neutron tidak berinteraksi dengan momen. Interaksi hasil dari fakta bahwa neutron
juga memiliki momen magnetik sendiri (itu adalah magnet kecil), yang terasa
bidang yang dihasilkan oleh saat-saat elektron. Contoh penerapan difraksi neutron
untuk cabang penting dari magnet diberikan dalam Bagian 9,9 dan 9.14.
d) Teknik difraksi neutron jauh lebih tinggi dari sinar-x dalam studi getaran kisi, yang
akan dibahas dalam bab berikut.

Kelemahan dari teknik difraksi neutron adalah:

a. Kebutuhan untuk menggunakan reaktor nuklir, yang tidak umum tersedia.

Selanjutnya, bahkan sumber neutron paling kuat memiliki intensitas hanya sekitar
10-5 intensitas tersedia dari sumber sinar-x umum. Karena itu, kristal besar
digunakan dalam difraksi neutron, dan waktu paparan dibuat selama mungkin.
b. Neutron, karena elektrik netral, lebih sulit untuk dideteksi dari pada sinar-x
pengion. Oleh karena neutron dikonversi terlebih dahulu menjadi radiasi pengion
melalui reaksi mereka dengan, misalnya, inti boron.

J. DIFRAKSI ELEKTRON

Sebuah berkas elektron yang datang pada kristal mengalami difraksi Bragg
sama dengan cara difraksi sinar-x dan difraksi neutron yang dibahas sebelumnya.
Elektron, seperti neutron, memiliki sifat gelombang, dan panjang gelombang yang
h
diberikan oleh λ = 𝑝. p adalah suku dalam energi E, dan kisi dalam hal

mempercepat potensial V, yaitu E = eV, dan memasukkan nilai-nilai yang sesuai

dengan elektron, seperti

61
 150
𝜆= √ (3.55)
𝑉

dimana λ dalam angstrom dan V dalam elektronvolt. Untuk λ = 1 Å, potensial

adalah V = 150 V, atau E = 150 eV.

Mekanisme hamburan elektron adalah medan listrik yang terkait dengan atom
dalam zat padat. Medan ini diproduksi oleh inti dan elektron orbital dalam masing-
masing atom. Medan ini bernilai besar di inti, tetapi menurun dengan cepat jika
menjauh dari inti.

Perhitungan menunjukkan bahwa panjang hamburan terkait dengan panjang

hamburan dari elektron pada atom. Ini berarti bahwa berkas elektron tersebar secara
kuat.. Jarak ini hanya sekitar 50 Å untuk V = 50 kV. Sebagai contoh kejadian berkas
elektron dibatasi dengan kedalaman pendek dekat permukaan, kedalaman ini
disertakan beberapa lapisan atom, sehingga pola difraksi kristal diperoleh sesua
(Gambar 3.16). juga mengikuti pola difraksi elektron yang sangat sensitif terhadap
sifat fisik permukaan, yang menjelaskan penggunaan luas dalam permukaan
misalnya, lapisan oksida membentuk permukaan padatan, film tipis, dan
sebagainya.

62
 Gambar 3.16 Rotasi terus-menerus pola difraksi elektron dari kristal tunggal dari
bahan perak. Sumbu rotasi adalah normal terhadap kertas.

Sifat gelombang dari partikel materi pertama kali ditunjukkan dalam

kaitannya dengan difraksi elektron. Pada tahun 1927, Davisson dan Germer
mengamati hamburan berkas elektron dari permukaan kristal nikel. Dalam
memperoleh pola difraksi, berkas tersebut sebagai gelombang elektron,
sebagaimana didalilkan sebelumnya oleh deBroglie. Sebagai pengakuan atas
karyanya ini, Davisson dianugerahi hadiah Nobel pada tahun 1937.

3.2 Ikatan Atom Dalam Kristal

Zat padat merupakan zat yang memiliki struktur yang stabil, contohnya kristal
NaCl lebih stabil daripada kumpulan atom-atom bebas Na dan Cl. Demikian pula
dengan kristal Ge yang lebih stabil daripada kumpulan atom-atom bebas Ge. Hal
ini menunjukkan adanya gaya yang menyebabkan terbentuknya kristal, yaitu gaya
tarik antar atom.

Kestabilan sruktur zat padat disebabkan oleh adanya interaksi antara atom
membentuk suatu ikatan Kristal Sebagai contoh: Kristal sodium clorida (NaCl)
memiliki struktur yang lebih stabil dibandingkan dengan sekumpulan atom-atom
bebas dari Na dan Cl sehingga implikasinya :

a. Atom-atom bebas Na dan Cl akan saling berinteraksi satu sama lain untuk
membentuk struktur yang stabil
b. Terdapat gaya interaksi antar atom untuk mengikat atom satu-sama lain
c. Besarnya energi atom-atom bebas penyusun kristal lebih besar daripada energi
kristalnya

63
d. Energi yang diperlukan untuk memisahkan atom-atom penyusun kristal menjadi
atom-atom bebas dan netral dinamakan energi kohesif

Gambar 3.17 Interaksi antar dua atom

Dari kurva tersebut tampak bahwa energi potensial minimum terjadi pada jarak Ro
yang disebut jarak interatomik setimbang. Energi potensial minimum (Uo) tersebut
adalah Energi kohesif. Energi potensial (U) merepresentasikan interaksi antara 2
atom yang besarnya bervariasi terhadap jarak antar atom (R). Untuk R>Ro, U(R)
meningkat secara bertahap mendekati 0 pada R ~. Ketika R<Ro maka U(R)
meningkat secara cepat mendekati ~ pada R kecil. Pasangan atom cenderung
memiliki energi terendah sehingga merupakan keadaan setimbang yaitu pada Ro
dengan U(R) = -Uo. Sedangkan gaya antar antar atom F(R) yang dipengaruhi oleh
gradient energi potensial dinyatakan:

 𝑈(𝑅)
𝐹(𝑅) = −
𝑑𝑅

Untuk R < Ro maka F(R) > 0 sehingga Gaya bersifat repulsif.

Untuk R > Ro maka F(R) < 0 sehingga Gaya bersifat atraktif.

Gaya repulsif dan atraktif akan saling menghilangkan pada kedudukan R0 yang
merupakan keadaan setimbang. Gaya atraktif tersebut menggambarkan adanya
ikatan antara atom dalam zat padat. Gaya repulsif terjadi dikarenakan adanya

64
prinsip larangan pauli yang menyatakan “Tidak dibenarkan adanya dua elektron
berada pada satu orbital yang memiliki bilangan kuantum yang sama”.

Ada beberapa tipe ikatan kristal : Ikatan ionik. Ikatan Kovalen, Ikatan logam dan
ikatan Van der Waals

A. Ikatan Ionik

Ikatan ionik terbentuk dari hasil interaksi elektrostatis antara dua io yang memiliki
muatan yang berlawanan. Contoh ikatan ionik yaitu kristal NaCl yang terbentuk
dari interaksi elektrostatis antara ion Na+ dengan Cl-.

11 Na : 1s2 2s2 2p6 3s1

Na + 5,1 eV (Energi ionisasi)  Na+ + e

17 Cl : 1s2 2s2 2p6 3s2 3p5

e + Cl  Cl- + 3,6 eV (afinitas elektron)

Na+ + Cl-  NaCl + 7,9 eV (energi elektrostatis)

Energi kohesif = Energi elektrostatis – Energi ionisasi + Avinitas elektron

= 7,9 eV – 5,1 eV + 3,6 eV

= 6,4 eV

Na + Cl  NaCl + 6,4 eV (energi kohesif).

B. Ikatan Kovalen

Ikatan kovalen terjadi pada atom-atom yang memiliki perbedaan nilai

elektronegatifitas kecil Ikatan kovalen terbentuk karena adanya pemakaian bersama
pasangan elektron dengan spin antiparalel Terbentuknya ikatan kovalen karena

65
adanya kecenderungan dari atom-atom untuk memiliki konfigurasi elektron gas
mulia (atom orbital terluarnya terisi penuh elektron).

Contoh:

14Si : 1s2 2s2 2p6 3s2 3p2

Untuk membentuk ikatan yang stabil maka konfigurasi elektronnya

Akan berubah menjadi 1s2 2s2 2p6 3s1 3p3

C. Ikatan Logam

Ikatan logam terbentuk akibat terikatnya ion-ion logam oleh elektron bebas.
Elektron bebas terbentuk akibat elektron valensi tidak terikat pada salah satu atom
tapi terdelokalisasi terhadap semua ion logam sehingga elektron valensi tersebut
bebas bergerak keseluruh bagian kristal logam.

Dari ketidakpastian Heisenberg xp ~ h/2, maka untuk atom bebas, elektron
akan bergerak mengitari atom terbatas pada volume kecil sehingga p relatif besar
yang akan membuat energi kinetik elektron valensi dalam atom bebas menjadi
besar. Untuk elektron yang bergerak mengitari ruang kristal logam akan terbatas
pada volume besar sehingga p relatif kecil yang akan membuat energi kinetik
elektron valensi dalam logam menjadi kecil dan akan mengurangi energi total
sistem dalam kristal logam. Sebagian energi dipergunakan untuk mengikat ion
positif logam.

D. Ikatan Van der Waals

Atom-atom gas inert dapat membentuk suatu ikatan kristal lemah. Ikatan kristal
tersebut terjadi akibat adanya interaksi elektrostatis antara momen dipol-momen
dipole atom gas inert. Momen dipole atom gas inert (P1) akan menghasilkan medan

66
listrik yang akan menginduksi momen dipole pada atom gas inert lain (P2) yang
berjarak R. Momen dipole dua atom akan saling berinteraksi satu sama lain
menghasilkan energi interaksi.

Selain interaksi elektrostatis terdapat pula interaksi repulsif sehingga energi

potensial total dua atom gas inert yang terpisah pada jarak R :

Potensial tersebut dinamakan potensial Lennard- jones.

Interaksi van der Waals bekerja pada kondisi dimana interaksi elektrostatis dan
repulsif saling menghilangkan yaitu pada kedudukan setimbang Ro

RINGKASAN
Struktur kristal ditentukan dari pola difraksi yang diamati ketika kristal diradiasi
dengan sinar x yang diungkapkan dalam hukum Bragg,

2𝑑 sin 𝜃 = 𝑛 𝜆
dimana d adalah jarak interplanar, θ merupakan sudut glancing, dan λ panjang
gelombang dari berkas. Dengan mengukur θ dan λ, seseorang dapat menentukan
d, dan pada akhirnya dapat menentukan struktur kristal.

Sebuah perlakuan yang lebih ketat dari proses difraksi yaitu menganggap kristal
terdiri dari elektron diskrit. Faktor hamburan adalah

𝑓 = ∑𝑙 𝑒 𝑖𝑠−𝑟1
dimana jumlah semua elektron dalam sistem, dan s adalah vektor hamburan.

𝒔 = 𝒌 − 𝒌𝟎

Menerapkan hasil pada atom tunggal mengarah ke faktor hamburan atom,

𝑅 sin 𝑠𝑟
𝑓𝑎 = ∫0 4𝜋𝑟 2 𝜌 (𝑟) 𝑑𝑟
𝑠𝑟

67
Faktor fa semakin menurun dengan meningkatnya hamburan sudut 2θ, karena
interferensi antara kulit berbagai kumpulan dalam atom. Faktor hamburan untuk
kristal dapat ditulis sebagai produk

𝑓𝑐𝑟 = 𝐹𝑆
dimana F adalah faktor struktur geometri dan S faktor struktur kisi dengan

𝐹 = ∑ 𝑓𝑎𝑗 𝑒 𝑖𝑠−𝛿𝑗
𝐽

Penjumlahan menjadi lebih semua atom dalam sel unit, dan

𝑆 = ∑ 𝑒 𝑖𝑠−𝑅𝑡 (𝑐)
𝑙

penjumlahan ini terjadi pada semua sel satuan dalam kristal. Faktor F hanya
bergantung pada sifat-sifat atom dan bentuk sel satuan, dan S hanya bergantung
pada struktur kisi. Faktorisasi fcr ke F dan S berguna karena memungkinkan kita
untuk perlakuan sifat atom dan kisi kristal secara independen.

Pemeriksaan faktor kisi S menunjukkan bahwa ia hilang, kecuali bila

𝒔=𝑮

Artinya, vektor hamburan sama dengan vektor kisi balik. Ini adalah kondisi yang
sama sebagai hukum Bragg untuk refleksi dari bidang atom normal untuk G.

Struktur cair juga dapat dipelajari oleh difraksi sinar-x. Dengan mengukur
faktor struktur cair, seseorang dapat mengevaluasi fungsi distribusi atom
berpasangan dalam cairan.

Pola difraksi sinar-x direkam pada sebuah film, yang peka terhadap berkas
difraksi yang muncul dari kristal. Setiap berkas merupakan refleksi dari satu set
bidang atom dalam kristal, dan dicatat sebagai titik pada film. Posisi dan pola titik
simetri berisi informasi yang dibutuhkan untuk menguraikan struktur kristal.

68
 Sebuah berkas neutron juga dapat digunakan untuk menentukan struktur
kristal dengan panjang gelombang deBroglie

ℎ
𝜆=
𝑝
Energi neutron sangat kecil, sekitar 0,1 V, dan yang berhubungan dengan neutron
termal. Hamburan neutron merupakan interaksi dengan inti dari kristal, bukan
interaksi dengan elektron, seperti dalam sinar-x.

Difraksi elektron juga telah digunakan dalam analisis struktur kristal. Karena
elektron berinteraksi sangat kuat dengan atom dalam kristal, jarak henti dari
elektron sangat pendek hanya sekitar 50 Å. Akibatnya, difraksi elektron digunakan
dalam studi fenomena permukaan.

Latihan Soal

1. Jelaskanlah apakah yang dimaksud dengan hamburan sinar-X oleh kristal !

2. Jelaskanlah apakah yang dimaksud dengan hukum Bragg dan kegunaannya!
3. Jelaskanlah apakah yang terjadi ketika suatu atom mengalami hamburan !
4. Turunkanlah darimana persamaandasardalamhamburandan prosesdifraksi
diperoleh !
5. Jelaskanlah apakah yang terjadi ketika suatu kristal mengalami hamburan !
6. Jelaskanlah dan gambarkan apakah yang dimaksud dengan kisi resiprok,
vektor resiprok, dan hubungannya dengan bidang kristal!
7. Jelaskanlah apakah yang terjadi ketika suatu cairan mengalami hamburan !
8. Sebutkanlah dan jelaskanlah beberapa metode yang bisa digunakan untuk
mengamati difraksi !

BAB IV
DINAMIKA KISI KRISTAL

69
 Bahasan Kristal pada bab sebelumnya menganggap bahwa atom bersifat statik
pada masing-masing titik kisinya. Sebenarnya, atom tidaklah statik, melainkan
berosilasi di sekitar titik setimbangnya sebagai akibat energi termal. Bab ini akan
membahas vibrasi kisi secara rinci.
Bab ini pertama membahas vibrasi Kristal dalam batasan panjang gelombang
elastik,yang mana Kristal dapat dianggap medium kontinu. Kapasitas panas bahan
dikemukakan dalam beberapa model, dan yang sesuai dengan eksperimen adalah
hanya yang menggunakan konsep fisika kuantum. Akhirnya dalam bab ini, akan
ditutup oleh pembahasan vibrasi kisi Kristal, yang dikaitkandengan sifat diskrit kisi.

4.1 GETARAN DALAM ZAT PADAT

A. Getaran Elastik Dan Rapat Moda Getar
Padatan terdiri dari atom diskrit. Atom tidaklah diam, tetapi berosilasi di sekitar
titik setimbangnya sebagai akibat adanya energi termal. Namun, saat gelombang
yang merambat memunyai panjang gelombang yang jauh lebih besar dari pada
jarak antar atom. Sifat atomic dapat diabaikan dan padatan dapat dianggap sebagai
medium kontinyu. Dengan demikian persoalan fisisnya menyangkut lingkup makro.
Gelombang yang demikian disebut gelombang elastik.
Misalnya, gelombang suara elastic longitudinal merambat dalam suatu batang
isotropic, yang mempunyai penampang A, massa jenis  dan modulus Young Y,
antara x dan (x+dx) menurut hukum Newton mempunyai persamaan gerak
𝑑2𝑢
𝜌𝐴𝑑𝑥 = [𝑆(𝑥 + 𝑑𝑥) − 𝑆(𝑥)]𝐴 (4.1)
𝑑𝑡 2

Dimana u adalah simpangan terhadap titik setimbang dan S adalah tekanan.

𝑑𝑢
Regangan 𝑒 = 𝑑𝑥 dan tekanan S dihubungkan oleh hukum Hooke.

𝑆=𝑌𝑢 (4.2)

Untuk bagian yang kecil sesungguhnya

𝜕𝑆
∆𝑆 = 𝑆(𝑥 + 𝑑𝑥) − 𝑆(𝑥) = (𝜕𝑥) 𝑑𝑥

Sehingga persamaan gerak gelombang (4.1) di atas menjadi

70
𝑑2 𝑢 𝜌 𝜕2 𝑢
= (4.3)
𝑑𝑡 2 𝑌 𝑑𝑡 2

Diambil solusi berbentuk propagasi gelombang bidang, yaitu

𝑈 = 𝐴0 𝑒 𝑖(𝑘𝑥−𝑤𝑡) (4.4)

Dimana A0, k dan  adalah amplitudo, bilangan gelombang dan frekuensi radiasi
gelombang. Substitusi persamaan (4.4) kedalam persamaan gelombang (4.3)
sehingga menghasilkan
𝜔 = 𝑣𝑠 𝑘 (4.5)

dengan
1
𝑌 2
𝑣𝑠 = ( ) (4.5)
𝑃

Adalah kecepatan fasa gelombang. Hubungan (4.5) antara frekuensi dan bilangan
gelombang disebut hubungan dispersi. Dalam hal ini hubungan tersebut adalah
linear. Dengan kemiringan kecepatan fasa, seperti disajikan pada Gambar 4.1
berikut

Gambar 4.1 Kurva disperse gelombang elastic

Apabila gelombang elastic satu dimensi di atas hanya diperhatikan solusi domain

ruangnya saja, yakni

𝑈 = 𝐴0 𝑒 𝑖𝑘𝑥 (4.7)

Dan dikenai syarat batas periodik, yakni

𝑈 (𝑥 = 0) = 𝑈 (𝑥 = 𝐿 ) (4.8)

71
Dengan L adalah panjang batang, maka substitusi persamaan (4.7) kedalam
persamaan (4.8) menghasilkan
𝑒 𝑖𝑘𝐿 = 1 (4.9)

sehingga

2𝜋
𝑘𝑛 = ( ) 𝑛, dimana 𝑛 = 0, ±1, ±2 (4.10)
𝐿

Setiap nilai n di atas memberikan satu harga k sebagai representasi sebuah moda
getar.
Jika L besar sekali, maka kn hampir kontinu (pandangan makro). Dalam
2𝜋
domain k, jarak antar titik adalah ( ), sehingga jumlah moda getar antara k
𝐿

dan (k+dk) sebesar

𝐿
𝑑𝑛 = ( ) 𝑑𝑘 (4.11)
2𝜋

Dalam domain frekuensi, dn diatas terletak diantara  dan (+d). Rapat keadaan
𝑔(𝜔) didefinisikan sedemikian sehingga bentuk 𝑔(𝜔)𝑑𝜔 memberikan jumlah
moda getar yang mempunyai frekuensi antara  dan (+d) seperti di atas. Oleh
karena itu didapatkan
𝐿 1
𝑔 (𝜔 ) =
2𝜋 𝑑𝜔⁄𝑑𝑘

Ungkapan ini hanya berlaku untuk gerakan dalam satu arah positif saja. Dengan
demikian 𝑔(𝜔) yang mencakup gelombang ke kiri dank e kanan adalah
𝐿 1
𝑔 (𝜔 ) = 𝑑𝜔 (4.12)
𝜋 ⁄𝑑𝑘

Terlihat bahwa rapat keadaan 𝑔(𝜔) bergantung pada hubungan disperse. Untuk

𝑑𝜔
hubungan linear (4.5), dimana = 𝑣𝑠 , maka didapatkan
𝑑𝑘

𝐿 1
𝑔 (𝜔 ) = (4.13)
𝜋 𝑣𝑠

Yang konstan tidak bergantung pada .

Bahasan tiga dimensi kubik dengan rusuk L memberikan syarat bahwa

72
 𝑒 𝑖(𝑘𝑥𝐿+𝑘𝑦𝐿+𝑘𝑧𝐿) = 1

sehingga

2𝜋 2𝜋 2𝜋
(𝑘𝑥 , 𝑘𝑦 , 𝑘𝑧 ) = [𝑛 ( ) , 𝑚 ( ) , 𝑙 ( )] (4.14)
𝐿 𝐿 𝐿

Dimana 𝑛, 𝑚, 𝑙 = 0, ±1, ±2 … representasi dalam ruang k menunjukkan bahwa

2𝜋 3
sebuah titik mempunyai volume ( 𝐿 ) dan mempresentasikan satu moda getar,

seperti Gambar 4.2 berikut

Gambar 4.2 Nilai diskrit k untuk gelombang yang merambat tiga dimensi
Semua moda getar dengan k tertentu direpresentasikan oleh satu titik yang terletak
pada permukaan bola dalam ruang k, dengan jari-jari k dan berpusat di
(kx,ky,kz)=(0,0,0).
Semua moda getar dengan vektor gelombang antara k dan (k+dk) terletak
dalam elemen volume 4k2dk yang dibataskan oleh bola berjari-jari k dan (k+dk).
Dengan demikian, jumlah moda getar dalam selang vektor gelombang di atas
4𝜋𝑘 2 𝑑𝑘 𝑘2
𝑑𝑁 = (2𝜋/𝐿)3 = 𝑉 𝑑𝑘 (4.15)
2𝜋 2

Dimana V=L3 adalah volume sampel. Rapat keadaan 𝑔(𝜔) diperoleh dengan
menggunakan hubungan dispersi (k).
Apabila digunakan hubungan dispersi linear (4.5), maka didapatkan
𝑉 𝜔2
𝑔 (𝜔 ) = (4.16)
2𝜋 2 𝑣𝑠 3

Yang dilukiskan dalam gambar 2.3 berikut

𝑔 (𝜔 )

73
 Gambar 4.3 Rapat keadaan dalam medium elastik

Ternyata bahwa bertambahnya 𝑔(𝜔) berbanding lurus dengan 2. Hal ini terjadi

karena kenaikan elemen volume permukaan bola yang berbanding lurus dengan k2.

Ungkapan 𝑔(𝜔) di atas bersesuaian dengan moda tunggal untuk setiap nilai 𝑘⃗.

⃗ mengandung tiga moda berbeda, yaitu satu

Sebenarnya, dalam tiga dimensi untuk setiap nilai 𝑘

moda longitudinal dan dua moda transversal. Hubungan dispersinya juga berbeda. Dengan

demikian rapat keadaan persamaan (4.16) menjadi

𝑉 1 1
𝑔 (𝜔 ) = ( + ) (4.17)
2𝜋 2 𝑣𝐿 3 𝑣𝑇 3

Dimana vL dan vT, masing-masing merupakan kecepatan gelombang longitudinal

dan transversal.
3𝑉 𝜔2
𝑔 (𝜔 ) = (4.18)
2𝜋 2 𝑣𝑠 3

B. Kuantisasi Energi Getaran Dalam Zat Padat

Teori klasik kinetik gas menganggap bahwa energi dalam untuk suatu gas
tersimpan sebagai energi kinetik atom tersebut. Hukum ekipartisi menyatakan
bahwa besaran fisis energi yang besarnyaberbanding lurus dengan kuadrat jarak
atau momentum, maka untuk setiap derajat kebebasan pada suhu T memiliki energi
sama, yaitu (½)k0T, dengan k0 adalah konstanta Boltzmann. Hal ini berarti energi
kinetik setiap atom gas memiliki energi (½)k0T. Gas monoatomik memiliki tiga
derajat kebebasan, sehingga pada suhu T, energi dalam untuk gas sebanyak 1
kilomol.

74
 3 3
𝑈 = 𝑁𝐴 ( ) 𝑘0 𝑇 = ( ) 𝑅𝑇 (4.19)
2 2

Dengan demikian kapasitas panas pada volume konstan

𝜕𝑈 3
𝐶𝑣 = ( ) = ( ) 𝑅 (4.20)
𝜕𝑇 𝑣 2

Dalam hal ini, NA adalah bilangan Avogadro dan R adalah tetapan gas. Menurut
persamaan (4.20) teori ini menghasilkan nilai Cv = 12,47 J/oK kmol. Harga ini
sesuai untuk gas He dan Ar pada suhu kamar.
Setiap atom dalam Kristal, selain memiliki tiga derajat kebebasanuntuk
geraknya disekitar kedudukan setimbangnya (energi kinetik), juga memmiliki
energi potensial atom dalam gerak harmoniknya. Pada gerak selaras sederhana,
energi kinetik rata-rata sama dengan energi potensial rata-rata, sehingga energi total
sistem atom dalam Kristal menurut hukum ekipartisi
3 3
𝑈 = 𝑁𝐴 ( 𝑘0 𝑇 + 𝑘0 𝑇) = 3𝑅𝑇 (4.21)
2 2

Ungkapan ini menunjukkan bahwa kapasitas panas Kristal pada volume konstan

adalah

𝜕𝑈
𝐶𝑣 = ( ) = 3𝑅 (4.22)
𝜕𝑇 𝑣

Harga persamaan (4.22) sesuai dengan penemuan empiric Dulong-Petit (1819),

yang berlaku untuk hampir semua zat padat pada suhu ruang atau yang lebih tinggi.
Selanjutnya, hasil eksperimen menunjukkan bahwa nilai Cv menurun apabila T
menurun, dan mendekati nol apabila T menuju 0 K. Disamping itu terdapat indikasi
yang sangat kuat bahwa pada suhu yang sangat rendah mendekati nol mutlak
𝐶𝑣 ~𝑇 3
Penyempurnaan bahasan kapasitas panas ini, selanjutnya menggunakan teori
mekanika kuantum.

C. Model Einstein tentang Cv Zat Padat

Diilhami oleh keberhasilan Planck dalam menerangkan radiasi benda hitam,
maka konsep kuantisasi energi itu juga diterapkan Einstein dalam teorinya tentang

75
 Cv zat padat. Model Einstein tentang getaran kisi mengambil andaian sebagai
berikut
a. Atom Kristal merupakan osilator independen, yang masing-masing memiliki
frekuensi sama dan energi diskrit
𝜀𝑛 = 𝑛ℎ , 𝑛 = 0, 1, 2, … (4.23)

Dengan  adalah frekuensi osilator. Jarak antartingkat energi ini sebesar h.
b. Sebaran energi osilator pada harga energi yang diperbolehkan mengikuti distribusi
Boltzman
−𝜀𝑛
𝑓(𝜀𝑛 ) = 𝑒 𝑘0 𝑇 (4.24)

Sebuah osilator dengan satu derajat kebebasan mempunyai energi rata-rata

∑∞
𝑛=0 𝜀𝑛 𝑓(𝜀𝑛 )
𝜀̅ = ∑∞
𝑛=0 𝑓(𝜀𝑛 )

Substitusikan persamaan (4.23) dan (4.24) ke persamaan di atas, menghasilkan

ℎ
𝜀̅ = (4.25)
𝑒 ℎ𝜔/𝑘0 𝑇 −1

Gambar 4.4 berikut menyajikan perbandingan energi kuantum rata-rata osilator dan energi klasik

Kristal untuk satu derajat kebebasan

𝜀̅

Gambar 4.4 Energi kuantum rata-rata dan energi klasik rata-rata Kristal

76
 Tampak pada suhu tinggi, sehingga k0T  h, osilator berada dalam keadaan
kuantum tereksitasi tinggi. Pada keadaan demikian sifat kuantum spectrum dapat
diabaikan, sehingga dihasilkan energi klasik rata-rata 𝜀̅ = 𝑘0 𝑇. Pada suhu
rendah, k0T << h, dan energi k0T tidak cukup untuk mengeksitasikan osilator ke
tingkat eksitasi pertama. Dalam hal ini, energi osilator jauh lebih kecil daripada k0T.
Oleh karena itu, pada suhu rendah ini, sifat kuantum gerakan lebih dminan.
Bila zat padat sebanyak 1 kmol dan setiap atom mempunyai 3 derajat
kebebasan, maka energi totalnya
ℎ𝐸
𝐸 = 3𝑁𝐴 𝜀̅ = 3𝑁𝐴 (4.26)
𝑒 𝐸 /𝑘0 𝑇 −1
ℎ𝜔

Dimana E adalah frekuensi Einstein (frekuensi bersama osilator). Kapasitas panas

pada volume konstan
𝜕𝐸 𝜃 2 𝑒 𝜃𝐸 /𝑇
𝐶𝑣 = ( ) = 3𝑅 ( 𝐸) 2 (4.27)
𝜕𝑇 𝑣 𝑇 (𝑒 𝜃𝑇 −1)

Dimana E = (hE/k0) adalah suhu karakteristik Einstein.

Secara teori dapat dibuat kurva Cv terhada T/E yang bentuknya sama untuk

berbagai macam Kristal. Data eksperimen (Cv,T) suatu kristal tertentu, dapat dicari

kesesuaiannya yang terbaik, sehingga E dapat ditentukan. Selanjutnya frekuensi

Einstein E pun dapat diperoleh.

Ungkapan Cv diatas menunjukkan hal-hal sebagai berikut:

a. Pada suhu yang sangat tinggi, dimana T >> E , bentuk eE/T dapat di ekspansikan

dalam deret pangkat E/T , sehingga menghasilkan

𝐶𝑣 ≅ 3𝑅

Seperti hasil teori klasik.

b. Pada suhu yang sangat rendah, dimana T<<E , bentuk eE/T jauh lebih besar

daripada satu, sehingga

𝜃 2
𝐶𝑣 ≅ 3𝑅 ( 𝐸) 𝑒 −𝜃𝐸/𝑇 (4.28)
𝑇

77
 Fungsi ini terus berkurang sehingga mendekati nol dengan cepat sekali, yakni

secara eksponensial. Jadi Cv  0 saat T  0. Hal ini sesuai dengan eksperimen.

Saat mendekati nol mutlak, penurunan Cv model Einstein yang secara

eksponensial si atas, ternyata jauh lebih ceat daripada yang terjadi secara ekserimen,

yakni

𝐶𝑣 ≅ 𝑇 3

Hal ini merupakan kelemahan yang mendasar bagi model Einstein.

Kesimpulan yang dapat diambil dari model Einstein adalah sebagai berikut:

a. Pada suhu tinggi, osilator tereksitasi sempurna, yang memerlukan energi rata-rata

sebesar k0T, sehingga Cv  3R.

b. Pada suhu rendah, osilator membeku (tidak berosilasi) dalam tingkat energi dasar

sehingga Cv = 0.

C. Model Einstein tentang Cv Zat Padat

Untuk menerangkan ketergantungan Cv terhadap T, Debye memodelkan
getaran kisi dengan mengambil anggapan sebagai berikut:
a. Atom Kristal merupakan osilator yang berkait erat satu sama lain, dengan daerah
frekuensi =0 sampai suatu frekuensi maksimum D yang ditentukan oleh jumlah
moda getar yang diperkenankan. Dengan demikian pada Kristal terjadi gerakan kisi
secara keseluruhan sehingga terdapat moda kisi bersama. Kristal merupakan
medium elastik kontinu.
b. Gelombang suara dalam padatan merupakan contoh moda bersama. Oleh karena itu
moda kisi mempunyai hubungan disperse linear kontinu, persamaan (4.5) dan rapat
keadaan pada persamaan (4.18) yang sama dengan bahasan gelombang elastik yang
lalu.

78
 Setiap modus getaran merupakan osilator harmonik tunggal ekivalen yang
mempunyai energi rata-rata (4.25) seperti osilator model Einstein. Oleh karena itu
energi total getaran seluruh kisi
3𝑉 ℎ𝜔
𝐸 = ∫ 𝜀̅(𝜔)𝑔(𝜔)𝑑𝜔 =
2𝜋 2 𝑣𝑠 3
∫ 𝜔2 𝑒 ℎ𝜔/𝑘0𝑇−1 𝑑𝜔 (4.29)

Dimana integrasi dilakukan terhadap semua frekuensi yang diperkenankan.

Frekuensi batas bawah tentunya adalah =0. Sedangkan frekuensi batas atas
ditetapkan oleh Debye dengan batasan bahwa jumlah moda yang dicakup dalam
rentang frekuensi tersebut haruslah sama dengan jumlah derajat kebebasan untuk
keseluruhan padatan. Jadi
𝜔𝐷
∫0 𝑔(𝜔)𝑑𝜔 = 3𝑁𝐴 (4.30)

Dimana frekuensi atas 𝜔𝐷 disebut sebagai frekuensi Debye. Hasil integrasi diatas
setelah mensubstitusikan persamaan (4.18) memberikan nilai
𝜔𝐷 = 𝑣𝑠 (5𝜋 2 𝑛)1/3 (4.31)

Dimana n=NA/V adalah konsentrasi atom dalam padatan.

Energi total dapat ditulis kembali

3𝑉 ℎ𝜔3
𝐸= ∑𝜔
0
𝐷
𝑑𝜔 (4.32)
2𝜋 2 𝑣𝑠 3 𝑒 ℎ𝜔/𝑘0 𝑇 −1

Dan kapasitas panas pada volume konstan

𝜕𝐸 3𝑉 ℎ2 𝜔𝐷 𝜔4 𝑒 ℎ𝜔/𝑘0 𝑇
𝐶𝑣 = ( ) = ∫ 𝑑𝜔 (4.33)
𝜕𝑇 𝑣 2𝜋 2 𝑣𝑠 3 𝑘0 𝑇2 0 𝑒 ℎ𝜔/𝑘0 𝑇 −1

Apabila x=(h/k0T) dan suhu Debye di definisikan sebagai D=(h/k0), maka

persamaan (4.33) dapat ditulis dalam bentuk
𝑇 3 𝜃 /𝑇 𝑥4 𝑒 𝑥
𝐶𝑣 = 9𝑅 ( ) ∫0 𝐷 (𝑒 𝑥 −1)2
𝑑𝑥 (4.34)
𝜃 𝐷

Suhu Debye D dapat diperoleh dengan mencocokkan data eksperimen (Cv,T) suatu
kristal dengan kurva universal Cv terhadap T/D.
Ungkapan Cv diatas menunjukkan hal-hal sebagai berkut:
a. Pada suhu tinggi, T>>D, didapatkan
Cv  3R

79
 Yang sesuai dengan hukum Dulong-Petit. Dalam keadaan demikian, setiap moda
getar tereksitasi penuh, dan memiliki energi klasikrata-rata 𝜀̅ = 𝑘0 𝑇.
b. Pada suhu rendah, T<<D dengan menggunakan hubungan analitik

∞ 𝑥4 𝑒 𝑥 4
∫0 (𝑒 𝑥 −1)2
𝑑𝑥 = 𝜋2
15

didapatkan

12𝜋 4 𝑇 3
𝐶𝑣 = 𝑅( ) (4.35)
5 𝜃𝐷

Kebergantungan Cv terhadap T3 ini sesuai dengan hasil pengamatan. Dalam

keadaan demikian, hanya sedikit moda tereksitasi, yakni moda yang memiliki
energi kuantum h.

4.2 GETARAN DALAM KISI LINEAR KRISTAL

A. Kisi Monoatomik Satu Dimensi
Perhatikan kisi monoatomik satu dimensi dengan konstanta kisi a dalam Gambar
4.5 berikut

Gambar 4.5 Kisi monoatomik satu dimensi

80
 Posisi sisi setimbang atom dinyatakan pada koordinat kisi …, xl-1, xl, xl+1, …
sedangkan simpangan dari titik setimbang, masing-masing dinyatakan dengan
…,l-1 , l , l+1,…Getaran kisi adalah longitudinal.
Andaikan interaksi atom hanya terjadi antar tetangga terdekat, gaya yang bekerja
mengikuti hukum Hooke (pendekatan harmonik) dengan konstanta gaya , dan
massa setiap atom m, maka sesuai dengan hukum Newton, persamaan atom ke-l
adalah
𝜕2
𝑚 1 = −𝛼(𝑙 − 𝑙+1 ) − 𝛼(𝑙 − 𝑙−1 ) = −𝛼(2𝑙 − 𝑙+1 − 𝑙−1 ) (4.36)
𝜕𝑡 2

Kisi diatas mempunyai kisi translasi, oleh sebab itu diambil bentuk solusi

𝑙 = 𝐴0 𝑒 𝑖(𝑘𝑙𝑎−𝜔𝑡) (4.37)

Solusi (4.37) menunjukkan bahwa semua atom bergetar dengan frekuensi yang
sama. Getaran yang demikian disebut dengan getaran modus normal. Jika
persamaan (4.37) di substitusikan terhadap persamaan (4.36) maka akan
menghasilkan bentuk
𝑘𝑎
𝜔 = 𝜔0 |𝑠𝑖𝑛 | (4.38)
2

Dimana 0=(4/m)1/2 dan hanya diambil harga  positif. Ungkapan ini tidak lain
adalah hubungan dispersi (k), yang berbentuk sinusoidal dengan perioda 2/a dan
frekuensi maksimum 0 dalam ruang k, seperti disajikan dalam Gambar 4.7 berikut

Gambar 4.7 Kurva dispersi (k) kisi satu dimensi

dengan interaksi tetangga terdekat
Interpretasi fisis yang dapat dikemukakan dari model ini adalah sebagai berikut:

81
a. Nilai k kecil menyebabkan persamaan (4.38) menjadi hubungan disperse linear,
yaitu
𝜔0 𝑎
𝜔≅( )𝑘 (4.39)
2

Dalam batas ini, kisi berkelakuan sebagai medium kontinu elastik. Harga k kecil,
berarti k << (/a) atau  >> 2a. Dengan kata lain, panjang gelombang jauh lebih
besar daripada jarak antar atom (sistem makro). Atom bergerak dalam fasa yang
sama lain. Hal ini menyebabkan gaya pulih setiap atom menjadi kecil, sehingga 
kecil juga. Kecepatan fasa v= /k sama dengan kecepatan kelompok vg =  / k
yaitu sebesar
v = vg = (0a)/2 (4.40)

Kecepatan fasa v tidak lain adalah kecepatan suara (4.5) dalam bahasan gelombang
elastik dahulu. Oleh karena itu dapat dicari hubungan tetapan gaya  dan modulus
Young Y, yaitu
=aY (4.41)
Kasus dengan k << /a, atau  >>a dinamakan batas gelombang panjang.
b. Nilai k =  /a berarti  = 2a, menyebabkan atom yang bertetangga bergetar dengan
fasa berlawanan, sehingga gaya pulih dan frekuensi menjadi maksimum. Karena
adanya fasa berlawanan pada dua atom berdekatan, maka terjadi gelombang
pantulan. Akibatnya terjadi suerposisi antara gelombang dating dan pantul oleh
semua atom dalam Kristal, dan menghasilkan gelombang berdiri. Dalam kasus ini
kecepatan kelompok vg = 0. Kasus dengan k =  /a dinamakan kondisi refleksi
Bragg.
c. Nilai k = 0, berarti  = , menyebabkan keseluruhan bagian kristal bertranslasi,
sehingga gaya pulih samadengan nol. Hal ini berarti  = 0 untuk k = 0.
Lihat kembali kurva disperse (Gambar 4.7) diatas. Tampak bahwa kurva
tersebut periodic dalam ruang k, dan simetri terhadap pencerminan disekitar titik
asl k = 0. Oleh karena itu daerah yang penting adalah 0 < k < /a. hanya frekuensi
dalam rentang 0 <  < 0 yang ditransmisikan dalam kisi. Frekuensi lain
mengalami atenuasi tajam. Dalam hal ini, kisi berperan sebagai filter mekanik lolos
rendah.

82
 BAB V
Model Elektron Bebas
Dan Teori Pita Energi
Saat atom bebas membentuk logam, semua elektron valensi menjadi elektron
konduksi dalam logam. Elektron konduksi bergerak bebas di antara ion, sehingga
keadaannya berubah tajam. Berbeda dengan elektron cores yang keadaannya tetap
terisolasi sehingga karakternya tidak mudah berubah. Dengan demikian, gambaran
sederhana tentang logam, adalah suatu kisi ion teratur dalam ruang, dan elektron
bebas bergerak di antara ion tersebut. gambaran lebih lengkapnya bahwa ion
bergetar secara termal di sekitar titik setimbang dan demikian pula elektron bebas

83
bergerak termal di antara ion Kristal dan merubah arah geraknya setiap kali
menumbuk ion (kemungkinan besar) atau elektron lain (kemungknan kecil).
Konsentrasi elektron konduksi dapat di hitung dari valensi dan kerapatan
logam. Jika m dan Zv, masing-masing adalah kerapatan bahan dan valensi atom,
maka konsentrasi elektronnya adalah

𝜌𝑚 𝑁𝐴
𝑛 = 𝑍𝑣 𝑀

Dengan NA adalah bilangan Avogadro dan M adalah berat atom. Misalnya logam
Na, K, Cu, Ag dan Au adalah monovalen. Logam Be, Mg, Zn dan Cd adalah
divalen.
Dalam model elektron bebas ini, elektron mengalami tumbukan dengan fonon
dan ketidakmurnian. Hal ini menghasilkan ungkapan hukum Matthiessen. Selain
itu, elektron dapat melepaskan diri dari permukaan logam sehingga terjadi emisi
thermionic.

5.1Model Elektron Bebas Klasik

A. Teori Drude tentang Elektron dalam Logam

Drude (1900) mengandaikan bahwa logam memiliki elektron bebas, yang

membentuk sistem gas elektron klasik, yang bererak acak dalam Kristal dengan
kecepatan random v0 karena energi termal dan berubah energi geraknya setelah
bertumbukan dengan ion logam. Karena massanya yang jauh lebih besar, maka ion
logam tidak terpengaruh dengan tumbukan ini.
Adanya medan listrik E dalam logam mempengaruhi gerak keseluruhan
elektron. Misalnya terdapat medan listrik dalam arah sumbu-x. maka percepatan
yang timbul

84
 𝑒𝐸
𝑎𝑥 = −
𝑚0

Dengan e dan m0 masing-masing adalah muatan dan massa elektron. Jika

waktu rata-rata antara dua tumbukan elektron dan ion adalah 𝜏 , maka kecepatan
hanyut dalam selang waktu tersebut adalah

𝑒𝐸
𝑣ℎ𝑎𝑛𝑦𝑢𝑡 = 𝑣0 − 𝜏
𝑚0

Oleh karena itu, rapat arus yang terjadi adalah

𝑒𝐸
𝐽𝑥 = −𝑒 (𝑣0 − 𝜏)
𝑚0

Dimana penjumlahan dilakukan terhadap semua elektron bebas setiap satuan

volume. Elektron bergerak secara acak, sehingga V0=0. Oleh sebab itu ungkapan
diatas menjadi

𝑒2 𝑛 𝐸
𝐽𝑥 = 𝜏
𝑚0

Karena hubungan Jx=E, maka konduktivitas listrik bisa dinyatakan dalam

bentuk
𝑒2 𝑛 𝜏
𝜎=
𝑚0

Contoh analisa lain adalah konduktivitas termal. Misalnya, sepanjang sumbu-

x terdaat gradient suhu T/x, maka akan terjadi aliran energi persatuan luas
perdetik (arus kalor) Qe. berdasarkan eksperimen arus kalor Qe tersebut sebanding
dengan gradient suhu T/x.

Qe = -K T/x

Dengan K adalah konduktivitas termal. Dalam isolator, panas dialirkan

sepenuhnya oleh fonon. Sedangkan dalam logam dialirkan oleh fonon dan elektron.

85
Tetapi karena konsentrasi elektron dalam logam sangat besar, maka konduktivitas
termal fonon jauh lebih kecil daripada elektron, yakni Kfonon = 10-2 Kelektron.
Sehingga konduktivitas fonon bisa diabaikan.
Dari pendekatan teori kinetik gas diperoleh ungkapan konduktivitas termal

K = (1/3) Cv v l

Dimana Cv , v, dan l masing-masing adalah kapasitas panas elektron persatuan

volume, kecepatan partikel rata-rata, dan lintas bebas rata-rata partikel. Karena Cv
= (3/2)nk, (1/2)mv2 = (3/2)kT dan l = v, maka besarnya konduktivitas menjadi

3 𝑛𝑘 2 𝑇𝜏
𝐾=2 𝑚0

Perbandingan antara konduktivitas termal dan listrik

𝐾 3 𝑘 2
= 2 (𝑒 ) 𝑇
𝜎

Hal ini sesuai dengan penemuan empiric Wiedeman-Frans (1583). Kadang

perbandingan diatas dinyatakan sebagai bilangan Lorentz
𝐾
𝐿 = 𝜎𝑇

Ternyata hukum Wiedemann-Frans sesuai dengan pengamatan untuk suhu

tinggi, termasuk suhu kamar dan suhu sangat rendah (beberapa K). tetapi untuk
suhu intermediate, bilangan Lorentz tersbut bergantung terhadap suhu.
Dalam teori drude, lintas bebas rata-rata elektron bebas l= v0, tidak
bergantung suhu. Namun karena v0T-1/2 maka keadaan mengharuskan
 T-1/2
Hal ini didukung fakta eksperimen bahwa T-1, sehingga dari ungkapan
konduktivitas listrik didapatkan
nT-1 atau n T-1/2
Ungkapan terakhir ini menunjukkan bahwa bila T naik, maka n menurun. Hal
ini tidak sesuai dengan fakta, dan menyebabkan teori drude tidak memadai.

B. Model Elektron Bebas Klasik

86
 Model elektron bebas klasik tentang logam mengambil pengandaian berikut:
a. Kristal digambarkan sebagai superposisi dari jajaran gugusan ion positif (yang
membentuk kisi kristal) dan elektron yang bergerak bebas dalam volume
kristal.
b. Elektron bebas tersebut diperlakukan sebagai gas, yang masing-masing
bergerak secara acak dengan kecepatan termal (seperti molekul dalam gas
ideal, tidak ada tumbukan kecuali terhadap permukaan batas)
c. Pengaruh medan potensial diabaikan, karena energi kinetik elektron bebas
sangat besar.
d. Elektron hanya bergerak dalam kristal karena adanya penghalang potensial
dipermukaan atas.

5. 2 Teori Pita Energi

Teori elektron bebas memiliki kegagalan dalam menjelaskan perbedaan antara
konduktor, semikonduktor dan isolator. Oleh karena itu, agar kita dapat memahami
perbedaan tersebut, kita menggunakan teori yang mirip dengan teori elektron bebas
tetapi sedikit dimodifikasi, yaitu model elektron hampir bebas.

Gambar 5.1. Energi sebagai fungsi vektor gelombang k menurut model

elektron bebas.

87
 Gambar 5.2 Kurva energi (E) sebagai fungsi vektor gelombang (k)
dalam sebuah kristal monoatomik satu dimensi dengan
konstanta kristal sebesar a. Celah energi Eg yang ditunjukkan
terjadi

Celah energi pertama terjadi untuk nilai k = + π/a. Ingat bahwa daerah antara -
π/a dengan + π/a disebut daerah Brillouin pertama. Celah energi-celah energi yang
lainnya terjadi untuk nilai-nilai k yang merupakan kelipatan dari + π/a.
Fungsi gelombang di titik k = + π/a merupakan fungsi gelombang hasil
interferensi antara gelombang yang berjalan ke kanan dan ke kiri. Hal ini dapat
terjadi jika syarat difraksi Bragg terpenuhi oleh fungsi gelombang k. Hasilnya,
fungsi gelombang di titik k = + π/a merupakan gelombang berdiri.
Fungsi gelombang berdiri tersebut terdiri atas dua macam, yaitu fungsi
gelombang yang saling menguatkan dan fungsi gelombang yang saling
melemahkan.

A. Besar Celah Energi

Asalmula adanya celah energi yaitu kedua fungsi gelombang φ(+) dan φ(-)
menumpukkan elektron di dua tempat yang berbeda, dan karena itu, kedua
kelompok elektron itu memiliki nilai energi potensial yang berbeda.
Nilai energi celah, Eg (yaitu perbedaan energi antara kedua gelombang berdiri)
sebagai berikut:

𝟏
𝐄𝐠 = ∫𝟎 𝐝𝐱 𝐔(𝐱)[|𝛗(+)|𝟐 − |𝛗(−)|𝟐 ]
.
.
.
88 .
.
.
.
 = 𝟐 ∫ 𝐝𝐱 𝐔 𝐜𝐨𝐬(𝟐𝛑𝐱/𝐚) (𝐜𝐨𝐬𝟐 𝛑𝐱/𝐚 − 𝐬𝐢𝐧𝟐 𝛑𝐱/𝐚) = 𝐔

Jadi, nilai energi celah ini sama dengan komponen dari deret Fourier energi
potensial.

B. Teorema Bloch
Fungsi Bloch membuktikan perlunya teorema bahwa solusi dari persamaan
Schrodinger untuk potensial periodik harus dalam bentuk khusus. Menurut Bloch,
persamaan Schrodinger untuk suatu potensial dengan periodisitas translasi kisi.

uk (r) = uk (r + T)
.
.
uk (r) = periode kisi kristal
.
.
uk (r) = uk (r + T)
.
Teorema Bloch: .
.
Fungsi eigen dari persamaan gelombang untuk suatu potensial periodik adalah .
hasil kali antara suatu gelombang bidang exp(ik. r) dengan suatu fungsi uk (r) 7

dengan periode sifat kisi kristal.

C. Model Kronig-Penney
Model ini menjelaskan tingkah laku elektron dalam sebuah energi potensial
yang periodik, dengan menganggap energi potensial periodik itu merupakan
deretan sumur energi potensial persegi seperti ditunjukkan dalam Gambar 5 di
bawah ini.

89
 Gambar 5.3 Energi potensial periodik satu dimensi yang digunakan oleh
Kronig dan Penney.

Di dasar sumur, yaitu untuk 0 < x < a, elektron dianggap berada di sekitar
sebuah inti atom (atau diantara dua inti atom), dan energi potensialnya dianggap
nol, sehingga di daerah ini elektron bertingkah sebagai elektron bebas. Sebaliknya,
di luar sumur, yaitu untuk –b < x < 0, energi potensial elektron dianggap sama
dengan U0.

BAB VI

SEMIKONDUKTOR
6.1 Isolator, Semikonduktor dan Konduktor
Pengetahuan mengenai semikonduktor ini sangat penting sekali, karena
penerapannyayang sangat luas dalam berbagai peralatan elektronik, instrumentasi
maupun permesinan. Disamping itu mengenai konsep pita energi, statistic Fermi-
Dirac, mobilitas pembawa arus, hole, serta tingkat-tingkat energi dalam atom amat
penting dalam mempelajari semikonduktor. Teori ii juga dapat diterakan dengan
baikdalam memahami teori zat padat. Ini menandakan suatu hubungan yang erat
antara fisika kuantum dengan teknologi.
Pengertian yang baik mengenai semikonduktor didapat berkat hasil-hasil
penelitian terhada unsur-unsur silikon dan germanium, terutama karena unsure-
unsur ini memiliki struktur yang sederhana dan dapat dikendalikan kemurniannya.

90
 Secara sederhana zat padat dapat dikelompokkan sebagai Isolator,
Semikonduktor dan Konduktor. Bahan semikonduktor adalah suatu material
dengan sifat konduktivitas diantara konduktor dan isolator, contoh Silikon (Si), Ge
(Germanium). Saat ini Si umumnya digunakan sebagai devais elektronik, seperti
dioda, transistor, IC (integrated circuit) namun GaAs memiliki potensi yang besar
untuk digunakan sebagai devais elektronika pada masa datang, terutama ditujukan
untuk beroperasi pada frekuensi tinggi.
Untuk menjelaskan konduktivitas bahan sering kali menggunakan konsep pita
energi. Ada dua pita energi, yaitu pita valensi dan pita konduksi. Pita valensi adalah
pita energi yang mungkin diisi oleh elektron dari zat padat hingga komplit. Setiap
pita memiliki 2N elektron dengan N adalah jumlah atom. Bila masih ada elektron
yang tersisa akan mengisi pita konduksi. Pada suhu 0 K, pita konduksi terisi
sebagian untuk bahan konduktor, sedangkan untuk isolator dan semikonduktor
tidak ada elektron yang mengisi pita konduksi.
Perbedaannya terletak pada energi gap Eg yaitu selang energi antara pita
konduksi minimum dan pita valensi maksimum. Pada bahan semikonduktor Eg ~ 1
eV, sedang pada isolator Eg ~ 6 eV. Secara diagramatik pita energi dari isolator,
semikonduktor dan konduktor ditunjukkan pada gambar 6.1.

91
 Gambar 6.1 Perbedaan tingkat energi dari material

Gambar (a) menunjukkan Struktur pita energi isolator (misal intan). Pita
larangan yang besar ini memisahkan pita valensi yang terisi dengan pita konduksi
yang kosong. Gambar (b) menunjukkan Struktur pita energi semikonduktor (misal
grafit). Lebar pita relatif kecil, Eg ≈ 1 eV. Pada saat suhu naik, elektron pada pita
valensi mampu berpindah ke pita konduksi. Karena adanya elektron di pita
konduksi akibatnya bahan itu menjadi sedikit konduktif, karena itu disebut
semikonduktor. Gambar (c) menunjukkan Struktur pita energi konduktor (misal
metal). Pita konduksi terisi sebagian, jika ada medan listrik luar elektron akan
memperoleh tambahan energi sehingga berpindah yang berakibat timbul arus
listrik.

6.2 Teorema Pita Energi

Dalam sistem susunan berkala unsur-unsur, atom Si termasuk golongan IV,
jadi ada 4 elektron pada orbit terluarnya. Masing-masing atom Si membentuk
struktur kristal dengan atom-atom tetangganya dan elektron-elektron valensinya
membentuk ikatan kovalen, sehingga masing-maing atom seolah-olah memiliki 8

92
 elektron terluar dengan 4 elektron berasal dari miliknya sendiri sedang 4 elektron
lainnya berasal dari 4 atom tetangga terdekatnya. Susunan ini membentuk kristal
silikon intrinsik dengan muatan total = 0 coulomb, sketsa kristal Si ditunjukkan
pada gambar 6.2 berikut.

Gambar 2. Sketsa Kristal Si

Kristal intrinsik ini bervibrasi akibat energi termal yang memberikan energi
tambahan pada kristal instrinsik tersebut. Energi ini tidak terdistribusi secara merata
sehingga pada beberapa titik kisi akan pecah demikian pula elektronnya akan lepas
dari ikatannya sehingga menjadi elektron bebas yang akan menjadi pembawa
muatan negatif. Sebaliknya titik dimana elektron tersebut meninggalkan tempatnya
menjadi bermuatan positif dan dikenal sebagai hole, yang membawa muatan
positif. Bila diberi sumber DC akan ada arus listrik yaing mengalir di dalam kristal
tersebut. Elektron akan bergerak ke kutub positif sumber DC tersebut, sedangkan
hole akan bergerak berlawanan arah.

6.3 Mobilitas Dan Konduktivitas

Arus listrik pada metal terjadi akibat perpindahan elektron, sedang pada
semikonduktor bergantung pada elektron dan hole. Semikonduktor dapat di-dope
menjadi:
a. dominan hole : tipe-p
b. dominan elektron : tipe-n

93
 Hal ini berarti bahwa semikonduktor tipe-n memiliki jumlah elektron bebas
lebih banyak dibandingkan dengan jumlah hole dan sebaliknya untuk tipe-p jumlah
hole lebih banyak dari jumlah. Karena itu elektron pada tipe-n disebut pembawa
muatan mayoritas dan hole adalah pembawa muatan minoritas, sebaliknya pada
tipe-p elektron adalah pembawa muatan minoritas sedangkan hole adalah pembawa
muatan mayoritas.

6.4 Semikonduktor Instrinsik

Pada suhu 0 K, kristal Si atau Ge berkelakuan sebagai isolator, sedang pada
suhu kamar T, beberapa ikatan kovalen putus akibat energi termal (Eg = 0,72 eV
untuk Ge dan 1,1 eV untuk Si), akibatnya ada elektron bebas dalam kristal dan ada
hole yang ditinggalkan oleh elektron akibat terputusnya ikatan kovalen tsb, seperti
diilustrasikan sebagai berikut:

Gambar 6.4 Ilustrasi semikonduktor instrinsik

Untuk semikonduktor intrinsik (murni) konsentrasi elektron bebas dan konsentrasi

hole-nya sama, atau:
n = p = ni
dengan ni : konsentrasi instrinsik.

94
 Untuk memperbesar konduktivitas, bahan semikonduktor itu diberi doping,
akibatnya bahan itu itu akan menjadi tipe-n atau tipe-p tergantung doping-nya,
sehingga menjadi semikonduktor ekstrinsik.
Dopan dikelompokkan sebagai:
a. donor : diberi impuritas yang bervalensi +5 (misalnya P, As, Sb) tipe-n
b. akseptor : diberi impuritas yang bervalensi +3 (misalnya Bo, In, Ga) tipe-p
Konsentrasi doping ~ 1 ppm. Dengan adanya doping maka akan berakibat n ≠ p,
sehingga konduktivitasnya menjadi :
untuk tipe-n σd = nqμn
untuk tipe-p σa = pqμp
dengan n dan p adalah masing-masing konsentrasi impuritas untuk donor dan
akseptor.
Pada saat pemberian impuritas donor (tipe-n) akan muncul tingkat energi yang
diperbolehkan di bawah energi pita konduksi terendah yaitu sekitar ≈ 0,01 eV
(untuk Ge) dan ≈ 0,05 eV (untuk Si). Sehingga pada suhu kamar hampir semua
elektron donor berada di pita konduksi. Untuk impuritas akseptor (tipe-p) juga akan
muncul tingkat energi di atas tingkat energi pita valensi tertinggi. Karena hanya
perlu energi kecil saja elektron dari pita valensi berpindah ke tingkat energi akseptor
akibatnya akan timbul hole di pita valensi.

95
 Untuk kesetimbangan termal berlaku hukum mass-action, yaitu:
n× p = ni2
Hasil kali konsentrasi hole dengan elektron tidak bergantung pada konsentrasi
donor maupun akseptor tanpa memperhatikan level dopingnya.
Jika ada donor, maka donor akan terionisasi sehingga rapat muatan menjadi =
ND+p. Sedang untuk akseptor juga akan terionisasi, sehingga rapat muatan menjadi
= NA+n. Karena semikonduktor dalam keadaan netral, akibatnya:
ND +p = NA + n.

𝑛𝑖 2
Untuk tipe N: NA = 0, maka nn  ND , 𝑃𝑛 = 𝑁𝐷

𝑛𝑖 2
Untuk tipe P: ND = 0, maka pn  NA , 𝑛𝑝 =
𝑁𝐴

dengan: nn, pn : konsentrasi elektron mobile, dan hole pada tipe-n

np, pp : konsentrasi elektron mobile, dan hole pada tipe-p
nn pn = ni 2
np pp = ni 2
NA dan ND adalah konsentrasi hole dan elektron inmobile
Elektron: pembawa muatan mayoritas pada tipe-n, dan pembawa muatan minoritas pada
tipe-p
Hole : pembawa muatan mayoritas pada tipe-p, dan pembawa muatan minoritas pada
tipe-n.
Contoh untuk tipe-p, berlaku ND = 0, diperoleh :

𝑛𝑖 2
𝑝 + 𝑛𝐷 = 𝑝 = 𝑛 + 𝑁𝐴 = , atau
𝑛

𝑛2 + 𝑛𝑁𝐴 − 𝑛𝑖 2 = 0

Sehingga didapat

1
𝑛 = (−𝑁𝐴 + √𝑁𝐴 2 + 4𝑛𝑖 2 )
2

Untuk tipe n (NA=0) didapat

1
𝑝 = (−𝑁𝐷 + √𝑁𝐷 2 + 4𝑛𝑖 2 )
2

96
6.5 Sifat-sifat listrik dari Ge dan Si

Metal bersifat unipolar jika arus listrik hanya berasal dari perpindahan elektron
saja. Sedangkan Semikonduktor bersifat bipolar jika ada dua pembawa muatan
(elektron : pembawa negatif, hole : pembawa positif).
Pada saat bahan semikonduktor diberi medan listrik E maka akan timbul arus,
J = (nμn + pμp ) q E = σ E
dengan n : konsentrasi elektron bebas
p : konsentrasi hole
σ : konduktivitas
σ = (n μn + p μp) q
n = p = ni, untuk semikonduktor intrinsik
Konsentrasi intrinsik bergantung pada suhu yang dinyatakan sebagai:
−𝐸𝐺0
𝑛𝑖 2 = 𝐴0 𝑇 3 𝑒 𝑘𝑇

dengan A0 : Konstanta
EGo: Energi gap pada T = 0 K
k : konstanta Boltzman
Secara eksperimental energi gap bergantung pada suhu, sebagai:
untuk Si: 1,21 – 3,60 x 10-4 T
untuk Ge: 0,785 – 2,23 x 10-4 T
Pada suhu ruang EG = 1,1 eV (Si) dan 0,72 eV (Ge)
Mobilitas μ ternyata bergantung pada suhu dan medan listrik, sebagai:
μ  T-m
untuk Si, m = 2,5 untuk elektron
m = 2,7 untuk hole
untuk Ge, m = 1,66 untuk elektron
m = 2,33 untuk hole
Jika E < 103 V/cm, maka μ bukan fungsi E
103 < E < 104 V/cm maka μ  E-1/2
E > 104 V/m maka μE

97
6.6 Kapasitor
Kapasitor adalah komponen elektronika yang dapat menyimpan muatan
listrik. Struktur sebuah kapasitor terbuat dari 2 lembar plat metal yang dipisahkan
oleh suatu bahan dielektrik. Bahan-bahan dielektrik yang umum dikenal misalnya
udara vakum, keramik, gelas, dan lain-lain. Jika kedua ujung plat metal diberi
tegangan listrik, maka muatan-muatan positif akan mengumpul pada salah satu kaki
(elektroda) metalnya dan pada saat yang sama muatan-muatan negatif terkumpul
pada ujung metal yang satu lagi. Muatan positif tidak dapat mengalir menuju ujung
kutup negatif dan sebaliknya muatan negatif tidak bisa menuju ke ujung kutup
positif, karena terpisah oleh bahan dielektrik yang non-konduktif. Muatan elektrik
ini "tersimpan" selama tidak ada konduksi pada ujung-ujung kakinya. Di alam
bebas, fenomena kapasitor ini terjadi pada saat terkumpulnya muatan-muatan
positif dan negatif di awan.

Kapasitansi didefenisikan sebagai kemampuan dari suatu kapasitor untuk

dapat menampung muatan elektron. Coulombs pada abad 18 menghitung bahwa 1
coulomb = 6.25 x 1018 elektron. Kemudian Michael Faraday membuat postulat
bahwa sebuah kapasitor akan memiliki kapasitansi sebesar 1 farad jika dengan
tegangan 1 volt dapat memuat muatan elektron sebanyak 1 coulombs. Dengan
rumus dapat ditulis :

Q = CV

Dengan asumsi :

Q = muatan elektron C (Coulomb)

C = nilai kapasitans dalam F (Farad)

V = tinggi tegangan dalam V (Volt)

Dalam praktek pembuatan kapasitor, kapasitansi dihitung dengan

mengetahui luas area plat metal (A), jarak (t) antara kedua plat metal (tebal
dielektrik) dan konstanta (k) bahan dielektrik. Dengan rumusan dapat ditulis
sebagai berikut :

C = (8.85 x 10^-12) (k A/t)

98
Jenis kapasitor yang banyak dijual di pasaran

Tantalum Capacitor

Gambar 6.5 Tantalum Capacitor

Merupakan jenis electrolytic capacitor yang elektrodenya terbuat dari

material tantalum. Komponen ini memiliki polaritas, cara membedakannya
dengan mencari tanda + yang ada pada tubuh kapasitor, tanda ini menyatakan
bahwa pin di bawahnya memiliki polaritas positif. Diharapkan berhati–hati di
dalam pemasangan komponen karena tidak boleh terbalik. Karakteristik temperatur
dan frekuensi lebih bagus daripada electrolytic capacitor yang terbuat dari bahan
alumunium.

Ceramic Capacitor

Gambar 6.6 Ceramic Capacitor

Kapasitor menggunakan bahan titanium acid barium untuk dielektrik-

nya. Karena tidak dikonstruksi seperti koil maka komponen ini dapat digunakan
pada rangkaian frekuensi tinggi. Karakteristik respons frekuensi sangat perlu
diperhitungkan terutama jika kapasitor bekerja pada frekuensi tinggi. Untuk
perhitungan- perhitungan respons frekuensi dikenal juga satuan faktor qualitas Q
(quality factor) yang tak lain sama dengan 1/DF. Biasanya digunakan untuk

99
melewatkan sinyal frekuensi tinggi menuju ke ground. Kapasitor ini tidak baik
digunakan untuk rangkaian analog, karena dapat mengubah bentuk sinyal. Jenis
ini tidak mempunyai polaritas dan hanya tersedia dengan nilai kapasitor yang
sangat kecil.

Gambar 6.7 Electrolytic Capacitor

Kelompok kapasitor electrolytic terdiri atas kapasitor-kapasitor yang bahan

dielektriknya adalah lapisan metal-oksida. Elektrode kapasitor ini terbuat
alumunium yang menggunakan membran oksidasi yang tipis. Umumnya kapasitor
yang termasuk kelompok ini adalah kapasitor polar dengan tanda + dan - di
badannya. Dari karakteristik tersebut, pengguna harus berhati–hati di dalam
pemasangannya pada rangkaian, jangan sampai terbalik. Bila polaritasnya
terbalik maka akan menjadi rusak bahkan “MELEDAK”. Untuk mendapatkan
permukaan yang luas, bahan plat Aluminium ini biasanya digulung radial. Sehingga
dengan cara itu dapat diperoleh kapasitor yang kapasitansnya besar.Biasanya jenis
kapasitor ini digunakan pada rangkaian power supply, low pass filter, dan rangkaian
pewaktu. Kapasitor ini tidak bisa digunakan pada rangkaian frekuensi tinggi.
Biasanya tegangan kerja dari kapasitor dihitung dengan cara mengalikan tegangan
catu daya dengan 2. Misalnya kapasitor akan diberikan catu daya dengan tegangan
5 volt, berarti kapasitor yang dipilih harus memiliki tegangan kerja minimum 2 x 5
=10 volt.

100
Multilayer Ceramic Capacitor

Gambar 6.8 Multilayer Ceramic Capacitor

Bahan material untuk kapasitor ini sama dengan jenis kapasitor keramik,
bedanya terdapat pada jumlah lapisan yang menyusun dielektriknya. Pada jenis ini
dielektriknya disusun dengan banyak lapisan atau biasanya disebut dengan layer
dengan ketebalan 10 sampai dengan 20 µm dan pelat elektrodenya dibuat dari
logam yang murni. Selain itu ukurannya kecil dan memiliki karakteristik suhu yang
lebih bagus daripada kapasitor keramik, biasanya jenis ini baik digunakan untuk
aplikasi atau melewatkan frekuensi tinggi menuju tanah.

Polyester Film Capacitor

Gambar 6.9 Polyester Film Capacitor

Dielektrik pada kapasitor ini terbuat dengan polyester film. Mempunyai

karakteristik suhu yang lebih bagus dari pada semua jenis kapasitor di atas. Dapat
digunakan untuk frekuensi tinggi. Biasanya jenis ini digunakan untuk rangkaian
yang menggunakan frekuensi tinggi, dan rangkaian analog. Kapasitor ini biasanya
disebut mylar dan mempunyai toleransi sebesar ±5% sampai ±10%.

101
Polypropylene Capacitor

Gambar 6.10 Polypropylene Capacitor

Kapasitor disamping memiliki nilai toleransi yang lebih tinggi daripada

polyester film capacitor. Pada umumnya nilai kapasitansi dari komponen ini tidak
akan berubah apabila dirancang di suatu sistem bila frekuensi yang melaluinya
lebih kecil atau sama dengan 100kHz. Pada gambar diatas ditunjukkan
kapasitor polypropylene dengan toleransi ±1%. Tipe kapasitor jenis ini juga masih
dalam pengembangan untuk mendapatkan kapasitansi yang besar namun kecil dan
ringan, misalnya untuk applikasi mobil elektrik.

Kapasitor Mika

Jenis ini menggunakan mika sebagai bahan dielektriknya. Kapasitor mika

mempunyai tingkat kestabilan yang tinggi, karena koefisien temperaturnya rendah.
Karena frekuensi karakteristiknya sangat bagus, biasanya kapasitor ini
digunakan untuk rangkaian resonans, filter untuk frekuensi tinggi dan rangkaian
yang menggunakan tegangan tinggi misalnya: radio pemancar yang
menggunakan tabung transistor. Kapasitor mika tidak mempunyai nilai kapasitansi
yang tinggi, dan harganya juga relatif tinggi.

Polystyrene Film Capacitor

Gambar 6.11 Polystyrene Film Capacitor

Dielektrik kapasitor ini adalah polystyrene film . Tipe ini tidak bisa
digunakan untuk aplikasi yang menggunakan frekuensi tinggi, karena
konstruksinya yang sama seperti kapasitor elektrolit yaitu seperti koil. Kapasitor ini

102
baik untuk aplikasi pewaktu dan filter yang menggunakan frekuensi beberapa ratus
kHz. Komponen ini mempunyai 2 warna untuk elektrodenya, yaitu: merah dan
abu–abu. Untuk yang merah elektrodenya terbuat dari tembaga sedangkan warna
abu–abu terbuat dari kertas aluminium.

Electric Double Capacitor (Super Capacitor)

Gambar 6.12 Electric Double Capacitor

Jenis kapasitor ini bahan dielektriknya sama dengan kapasitor elektrolit.

Namun bedanya adalah ukuran kapasitornya lebih besar dibandingkan kapasitor
elektrolit yang telah dijelaskan di atas. Biasanya mempunyai satuan F.
Kapasitor ini mempunyai batas tegangan yang besar. Karena mempunyai batas
tegangan dan bentuk yang lebih besar dari kapasitor yang lain maka kapasitor ini
disebut juga super capasitor Gambar bentuk fisiknya dapat dilihat di atas, pada
Gambar 2.13 tersebut kapasitornya memiliki ukuran 0,47F. Kapasitor ini biasanya
digunakan untuk rangkaian power supply.

Trimmer Capacitor

Gambar 2.13 Trimmer Capacitor

Kapasitor jenis disamping menggunakan keramik atau plastik sebagai

bahan dielektriknya. Nilai dari kapasitor dapat diubah–ubah dengan cara memutar
sekrup yang berada diatasnya. Didalam pemutaran diharapkan menggunakan
obeng yang khusus, agar tidak menimbulkan efek kapasitans antara obeng dengan
tangan

103
Tuning Capacitor

Gambar 2.14 Tuning Capacitor

Kapasitor ini dinegara Jepang disebut sebagai “Varicons”, biasanya banyak
sekali digunakan sebagai pemilih gelombang pada radio. Jenis dielektriknya meng-
gunakan udara. Nilai kapasitansinya dapat diubah dengan cara memutar gagang
yang terdapat pada badan kapasitor kekanan atau kekiri.

Nilai Kapasitor

Untuk mencari nilai dari kapasitor biasanya dilakukan dengan melihat

angka atau kode yang tertera pada badan kapasitor tersebut. Untuk kapasitor jenis
elektrolit memang mudah, karena nilai kapasitansnya telah tertera dengan jelas
pada tubuhnya. Sedangkan untuk kapasitor keramik dan beberapa jenis yang
lain nilainya dikodekan. Biasanya kode tersebut terdiri atas 4 digit, dengan 3 digit
pertama merupakan angka dan digit terakhir berupa huruf yang menyatakan
toleransinya.

104