MAKALAH TEKNOLOGI SEMIKONDUKTOR

WAFER PREPARATION

DISUSUN OLEH KELOMPOK 2 :

- EDY MARTONO 2016010597

- HERMAWAN 2016010404
- JERY WAHYUDI 2016010179
- MAD SOLEH 2016010371
- MUHAMMAD NASRUN 2016010019
- NURUL IRFAN 2016010526
- VANDANU ADIPUTRA 2016010009

UNIVERSITAS PAMULANG (UNPAM)

TANGERANG SELATAN
2019
 KATA PENGANTAR

Alhamdulillah, puji syukur kehadirat Allah Swt yang telah melimpahkan

rahmat dan hidayah-Nya sehingga kami dapat menyelesaikan makalah tentang
teknologi semikonduktor wafer preparation. Makalahini disusun untuk memenuhi
salah satu persyaratan dalam mengikuti mata kuliah Teknologi semikonduktor.
Kami menyadari bahwa dalam menulis makalah ini masih banyak kekurangan dan
masih jauh dari kesempurnaan. Hal ini disebabkan keterbatasan pengetahuan yang
kami miliki. Kami berharap semoga makalah inidapat bermanfaat bagi pembaca,
khususnya bagi mahasiswa Program Studi Teknik elektro.

Tangerang Selatan, 19 April 2019

Kelompok 2

i
 DAFTAR ISI

KATA PENGANTAR ............................................................................................ i

DAFTAR ISI ............................................................................................................ ii
BAB I PENDAHULUAN
A. Latar Belakang Masalah ................................................................... 1
B. RumusanMasalah ............................................................................... 1
C. ManfaatPenelitian............................................................................... 1

BAB II PEMBAHASAN
A. Definisi Semikonduktor .................................................................... 2
B. Pembentukan Wafer .......................................................................... 2
C. Karakterisasi Kristal .......................................................................... 4

BAB III PENUTUP

A. Kesimpulan ........................................................................................ 8
B. Saran ................................................................................................... 8

DAFTAR PUSAKA ............................................................................................... 9

ii
 BAB I

PENDAHULUAN

A. Latar Belakang Masalah

Bahan-bahan penghantar adalah bahan yang memiliki banyak elektron bebas

pada kulit terluar orbit. Elektron bebas ini akan sangat berpengaruh pada sifat
bahan tersebut. Jika suatu bahan listrik memiliki banyak elektron bebas pada
orbit-orbit elektron, bahan ini memiliki sifat sebagai penghantar listrik.
Penghantar listrik dapat dikelompokkan sebagai konduktor, semikonduktor, dan
isolator.
Masyarakat pada umumnya mengetahui konduktor, semikonduktor dan isolator
sebagai bahan penghantar listrik sebatas ukuran baik atau tidaknya bahan tersebut
menghantarkan listrik. Umumnya konduktor didefinisikan sebagai bahan yang
mudah mengalirkan arus listrik jika dihubungkan dengan sumber tegangan;
isolator sebagai bahan - bahan yang akan menghambat arus listrik bila
dihubungkan dengan sumber tegangan; semikonduktor adalah bahan - bahan yang
pada kondisi tertentu akan bersifat sebagai isolator dan pada kondisi lain akan
bersifat sebagai konduktor.
Pada makalah ini akan dibahas mengenai SEMIKONDUKTOR yang
merupakan bahan penghantar listrik tidak murni yang memiliki sifat dual-karakter
(bisa berupa konduktor atau isolator). Makalah semikonduktor ini akan membahas
tentang defenisi, semikonduktor, pembentukan wafer dan karakterisasinya.

B. Rumusan Masalah
1. Apakah definisi semikonduktor?
2. Bagaimana pembentukan wafer dan karakterisasinya?

C. Tujuan
1. Dapat menjelaskan definisi semikonduktor
2. Dapat menjelaskan pembentukan wafer dan karakterisasinya

1
 BAB II

PEMBAHASAN

A. Definisi semikonduktor
Semikonduktor adalah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di
antara insulator dan konduktor. Konduktivitas semikonduktor berkisar antara 103
sampai 10-8 siemens per sentimeter dan memiliki dan celah energinya lebih kecil
dari 6 eV .
Bahan semikonduktor adalah bahan yang bersifat setengah konduktor karena
celah energi yang dibentuk oleh struktur bahan ini lebih kecil dari celah energi
bahan isolator tetapi lebih besar dari celah energi bahan konduktor, sehingga
memungkinkan elektron berpindah dari satu atom penyusun ke atom penyusun
lain dengan perlakuan tertentu terhadap bahan tersebut (pemberian tegangan,
perubahan suhu dan sebagainya). Oleh karena itu semikonduktor bisa bersifat
setengah menghantar.
Bahan semikonduktor dapat berubah sifat kelistrikannya apabila temperatunya
berubah. Dalam keadaan murninya mempunyai sifat sebagai penyekat, sedangkan
pada temperatur kamar ( 27 ° C ) dapat berubah sifatnya menjadi bahan
penghantar. Sifat-sifat kelistrikan konduktor maupun isolator tidak mudah
berubah oleh pengaruh temperatur, cahaya atau medan magnet, tetapi pada
semikonduktor sifat-sifat tersebut sangat sensitif.

B. Pembentukan wafer
Setelah kristal ditumbuhkan, proses pembentukan pertama kali adalah
menghilangkan benih dan tepi berlebih pada ingot, hasil solidifikasi. Proses
selanjutnya adalah menggerinda permukaan sehingga diameter dari bahan dapat
ditentukan. Kemudian satu atau lebih daerah yang datar diratakan sepanjang ingot.
Daerah ini atau yang datar, akan ditandai arah orientasi kristalnya dan tipe
konduktivitasnya. Bila daerah yang datar cukup lebar atau disebut daerah datar
primer, proses ini dapat diotomatisasi. Untuk daerah lainnya disebut daerah datar
skunder. Ingot yang telah siap dipotong menjadi wafer dengan mesin potong
diamond. Penentuan potongan pada wafer ada empat parameter : orientasi

2
permukaan, ketebalan, taper adalah variasi ketebalan wafer dari satu sisi ke sisi
lainnya, bow adalah kelengkungan permukaan dari wafer yang diukur dari tengah
wafer ke tepinya.

Setelah memotong, kedua sisi dari wafer tersusun atas campuran Al2O3 dan
gliserin untuk membentuk kedataran tertentu yang merata dengan ketidakpastian 2
ìm. Proses penyusunan ini umumnya meninggalkan cacat dan kontaminasi pada
permukaan dan tepinya. Daerah yang cacat atau terkontaminasi nantinya akan
dibersihkan dengan proses etsa. Tahap terakhir adalah proses poles. Tujuan proses
ini untuk menghasilkan permukaan yang halus seperti cermin dimana perangkat
yang akan dibangun dapat diproses dengan litografik.

Bagan proses pembentukan wafer :

3
 Bagan proses pembentukan wafer secara garis besar :

Tabel 5.1 menunjukkanspesifikasi wafer silikon yang dipoles dengan diameter

125, 150, 200, 300dan 450 mm dari SEMI (semiconductor Equipment and
Materials Institute).

C. Karakterisasi kristal

Karakterisasi Kristal
1. Cacat kristal
Sebuah kristal (seperti silikon wafer) didunia nyata berbeda dengan kristal
yang ideal. Atom-atom pada permukaan pada sisi terluarnya tidak

4
 berikatan. Sehingga akan memiliki cacat, yang sangat kuat mempengaruhi
sifat kelistrikan, mekanik dan optik dari semikonduktor. Ada empat
kategori cacat yaitu: cacat titik, cacat garis, cacat bidang dan cacat volum.
Pada cacat titik terdapat empat kemungkinan seperti yang ditunjukkan pada
Gambar 15.2.

2. Sifat bahan
Pada Tabel berikut ditabulasikan perbandingn karakteristik dan persyaratan
dari silikon untuk ultra-large-scale integration (ULSI). Sifat bahan
semikonduktor yang disajikan diukur menggunakan berbagai metode.
Hambatan listrik diukur menggunakan metode four-point probe, dan waktu
hidup pembawa minoritas diukur menggunakan metode foto konduktivitas,
penentuan impuritas seperti oksigen dan karbon dianalisis menggunakan
teknik SIMS (secondary ion mass spectroscopy).

5
6
Meskipun, spesifikasi yang ditampilkan pada Tabel 15.1 saat ini telah
terpenuhi, masih banyak yang perlu dikembangkan untuk memenuhi
persyaratan yang kurang untuk teknologi ULSI. Kandungan carbon dan
oksegen lebih tinggi pada krsital Czochralski dibanding kristal float-zone
dikarenakan adanya dissolusi oksigen dari krusibel silika dan perpindahan
karbon yang meleleh dari susceptor grafit selama pertumbuhan kristal.
Umumnya konsentrasi karbon berkisar dari 1016 hingga 1017 atom/cm3,
dan atom karbon dalam silikon menempati posisi kisi yang dapat berganti.
Keberadaan karbon sangat tidak diharapkan karena akan menggangu
formasi cacat. Umumnya konsentrasi oksegen berkisar dari 1017 hingga
1018 atom/cm3. Oksigen, bagaimanapun juga memiliki pengaruh yang
menguntungkan dan merugikan. Oksigen dapat menjadi donor, dengan
mengganggu hambatan kristal. Adanya posisi oksigen interstisial pada kisi
dapat meningkatkan yield strength dari silikon.

7
 BAB III

PENUTUP

A. Kesimpulan

Dari isi makalah ini telah dijelaskan tentang definisi semikonduktor dan
pembentukan wafer serta karakteristiknya maka didapatkan kesimpulan sebagai
berikut: ·
1. semikonduktor adalah bahan dengan konduktivitas listrik yang berada di
antara insulator dan konduktor. Konduktivitas semikonduktor berkisar
antara 103 sampai 10-8 siemens per sentimeter dan memiliki dan celah
energinya lebih kecil dari 6 eV. Dan bahan semikonduktor adalah bahan
yang bersifat setengah konduktor, oleh karena itu semikonduktor bisa
bersifat setengah menghantar.
2. Pembentukan wafer dan karakteristiknya juga cukup rumit dikarenakan
sudah ada spesifikasinya
B. Saran

Dari makalah teknologi semikonduktor wafer preparation ini, masih terdapat

kekurangan dalam pembahasannya, hal ini dikarenakan keterbatasan penelaahan
kami. Makalah ini diharapkan akan menjadi literature terbaru dan bermanfaat
bagi para pembaca.

8
 DAFTAR PUSTAKA

1. Handbook of
Kenneth A. Jackson, Wolfgang Schroter (Eds.) Semiconductor Technology
Volume 2
2. Modul Teknologi Semikonduktor Teknik Elektro
3. http://karimelektrounm.blogspot.com/2015/10/makalah-semikonduktor_8.html