MAKALAH

TAHAPAN PABRIKASI DAN DESIGN RULES IC

Makalah ini disusun untuk memenuhi Tugas 1

Mata Kuliah : Perancangan VLSI
Dosen : Alvin Zuhair, S.T, M.T

Disusun Oleh :

1. Audrey Berlian Noormalasari : 21101110006

2. Excel Wahyu Pambudi : 21101110003
3. Puja Perlista Widyla : 21101110001

FAKULTAS TEKNIK
PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRO
UNIVERSITAS ISLAM BALITAR
BLITAR
2024
 KATA PENGANTAR

Dengan menyebut nama Allah SWT yang Maha Pengasih lagi Maha
Penyayang. Kami panjatkan puji syukur atas kehadirat-Nya yang telah
melimpahkan rahmat, hidyah serta inayah-Nya kepada kami, sehingga kami dapat
menyelesaikan Makalah Tahapan Pabrikasi dan Design Rules IC dengan tepat
waktu.
Makalah ini akan tahapan pembuatan IC dalam sistem digital. Kami
mengucapkan terimakasih kepada dosen pembimbing yang sudah memberikan
tugas ini, yang menurut kami bermanfaat guna menambah wawasan dalam mata
kuliah Perancangan VLSI.
Terlepas dari semua, kami menyadari sepenuhnya bahwa masih banyak
kekurangan, baik dari segi penyusunan kalimat maupun tata bahasanya. Oleh
karena itu kami dengan senang hati menerima kritik dan saran dari pembaca agar
dapat berefleksi diri demi memperbaiki makalah ini dan makalah berikutnya.

Tulungagung, 15 Maret 2024

Kelompok 1

i
 DAFTAR ISI

KATA PENGANTAR..............................................................................................i
DAFTAR ISI...........................................................................................................ii
DAFTAR GAMBAR.............................................................................................iii
BAB I.......................................................................................................................1
PENDAHULUAN...................................................................................................1
1.1 Latar Belakang..........................................................................................1
1.2 Rumusan Masalah.....................................................................................1
1.3 Tujuan........................................................................................................1
BAB II.....................................................................................................................2
PEMBAHASAN.....................................................................................................2
2.1 Definisi Integrated Circuit........................................................................2
2.2 Proses Pabrikasi IC (Integrated Circuit)...................................................2
2.3 Wafer Fabrication..................................................................................4
2.3.1 Clening...............................................................................................4
2.3.2 Oxidation............................................................................................5
2.3.3 Photolithography...............................................................................5
2.3.4 Ion Implantation.................................................................................6
2.3.5 Etching...............................................................................................6
2.3.6 Chemical Vapor Deposition (CVD)...................................................7
2.3.7 Sputter Deposition..............................................................................7
2.3.8 Chemical Mechanical Planarization.................................................8
2.4 Wafer Test..................................................................................................8
2.5 Packaging..................................................................................................9
2.6 Final Test.................................................................................................11
BAB III..................................................................................................................13
KESIMPULAN.....................................................................................................13
3.1 Kesimpulan..............................................................................................13
3.2 Saran........................................................................................................13
DAFTAR PUSTAKA...........................................................................................14

ii
 DAFTAR GAMBAR

Gambar 2. 1 Proses Pembuatan Silikon Kristal Wafer...........................................3

Gambar 2. 2 Proses Pembuatan Silikon Kristal Wafer...........................................3
Gambar 2. 3 IC Manufacturing..............................................................................4
Gambar 2. 4 Oksidasi Silikon.................................................................................5
Gambar 2. 5 Photoresist Coating Process...............................................................5
Gambar 2. 6 Proses Photolithography...................................................................6
Gambar 2. 7 Ion Implantation................................................................................6
Gambar 2. 8 Isotropic Etching vs Linewidth..........................................................7
Gambar 2. 9 Proses CVD.......................................................................................7
Gambar 2. 10 Proses Sputter..................................................................................8
Gambar 2. 11 CMP.................................................................................................8
Gambar 2. 12 Simple Probe Card...........................................................................9
Gambar 2. 13 Wafer Test Set-up.............................................................................9
Gambar 2. 14 Proses Mengemas Plastik...............................................................11
Gambar 2. 15 Proses Flip Chip............................................................................11
Gambar 2. 16 Sistem Final Test............................................................................12

iii
 BAB I
PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

1.2 Rumusan Masalah

1.3 Tujuan

1
 BAB II
PEMBAHASAN

2.1 Definisi Integrated Circuit

Integrated Circuit (IC) adalah komponen elektronika aktif yang terdiri dari
gabungan ratusan, ribuan, bahkan jutaan transistor, dioda, resistor, dan kapasitor
yang diintegrasikan menjadi suatu rangkaian elektronika dalam kemasan kecil. IC
juga lebih kecil, lebih ringan, dan lebih murah daripada transistor, dan juga
mengkonsumsi lebih sedikit daya listrik daripada transistor. Dalam teknologi
fabrikasi Integrated Circuit (IC), silicon adalah bahan semikonduktor yang paling
sering digunakan. Integrated Circuit (IC), atau IC, dalam bahasa Indonesia
biasanya diterjemahkan menjadi "Sirkuit Terpadu", (Suprianto, 2015).

2.2 Proses Pabrikasi IC (Integrated Circuit)

IC memiliki struktur yang sangat kompleks dari sisi topografi (permukaan
dan tekstur dari permukaan IC) maupun struktur dalamnya. Masing-masing
komponen piranti memiliki arsitektur tiga dimensi yang harus dibuat secara
identik untuk setiap rangkaian. Struktur yang terdiri dari berbagai lapisan yang
masing-masing memiliki pola tertentu. Sebagian lapisan menumpuk di atas
silikon, dan sebagian lagi tertanam di dalamnya. Pabrikasi IC membutuhkan
urutan kerja yang tepat dan desain rangkaian yang cermat. Komponen dalam IC
berisi jutaan dan terbilang memiliki ukuran yang sedemikian kecil, sehingga
seluruh rangkaiannya hanya memiliki luas area kurang dari 1 cm 2,
(Hamidan Keke, n.d.)
.
Sebagai bahan awal, wafer kristal silikon berdiameter antara sepuluh hingga
tiga puluh centimeter, memungkinkan pembuatan puluhan hingga ratusan
rangkaian lengkap pada permukaannya. Untuk produksi massal bahkan ratusan
wafer dapat sekaligus digunakan dalam suatu proses pabrikasi secara bersamaan.
Secara garis besar, proses pembuatan silikon kristal wafer dapat dijelaskan dengan
gambar berikut ini:

2
 Gambar 2. 1 Proses Pembuatan Silikon Kristal Wafer

Gambar 2. 2 Proses Pembuatan Silikon Kristal Wafer

Bahan awal Silicon untuk aplikasi PV dan IC harus mengandung kemurnian

99% atau metalurgi-grade (MG). Ini diperoleh melalui pengurangan Coke
(karbon) dalam sebuah tungku bunga api. Reaksi keseluruhan dapat dianggap
sebagai: SiO2 + C ->CO2 + Si. Selanjutnya, proses pemurnian dilakukan dengan
melarutkan tingkat silicon metalurgis ke dalam larutan asam (HCl) sehingga
terbentuk larutan chlorosilanes. Kemudian, proses distilasi, yaitu pemisahan

3
 cairan dengan titik didih yang berbeda, dilakukan untuk menghasilkan cairan
trichlorosilane (SiHCL3).
Kemudian, cairan SiHCl3 direduksi menggunakan gas hidrogen,
menghasilkan silicon polikristalin atau polysilicon. Transportasi zat ini lebih
mudah karena sudah dalam bentuk padatan. Daripada hanya mengekspor pasir
silika, Indonesia mungkin mengekspor zat ini juga. Polysilicon kemudian
dipanaskan (dilelehkan) sampai suhu 1500 derajat Celcius dan dihasilkan dalam
bentuk padatan rigid dari kristal silicon menggunakan teknologi tertentu—
terutama teknologi Siemen Jerman yang populer. Batangan kristal silicon ini
kemudian dipotong tipis-tipis dengan gergaji diamond sehingga terbentuk slice
atau lempengan wafer, (Rizal Tri Susilo, n.d.).
Pada awalnya, silikon kristal wafer diproduksi sendiri oleh perusahaan
pembuat IC sampai dengan pembuatan circuit di atasnya. Tetapi saat ini hampir
semua perusahaan pembuat IC membeli silikon kristal wafer dari pihak ketiga
(supplier).

Gambar 2. 3 IC Manufacturing

2.3 Wafer Fabrication

Wafer fabrication adalah proses pembuatan Integrated Circuit (IC) yang
melibatkan serangkaian langkah-langkah yang dilakukan secara berulang.
2.3.1 Clening
langkah penting yang dilakukan untuk menghilangkan kontaminan dari
permukaan wafer silikon sebelum memasuki tahap produksi berikutnya.
Selama prosedur ini, berbagai teknik pembersihan digunakan, termasuk ozon,

4
 RCA clean, Piranha etch, SC1, dan SC2, serta partikel dan kontaminasi logam.
Menghasilkan produk semikonduktor berkualitas tinggi dengan sifat listrik
yang dapat diprediksi membutuhkan proses ini.
Selama setiap tahap pembuatan wafer, silikon harus selalu bersih (tidak
terkontaminasi oleh partikel logam atau organik). Metode bersih RCA adalah
yang paling umum digunakan.
2.3.2 Oxidation
Oksidasi adalah proses kimia di mana suatu materi melepaskan elektron,
seperti saat materi tersebut bereaksi dengan oksigen. Oksidasi dilakukan untuk
menumbuhkan lapisan oksida pada permukaan wafer silikon pada suhu tinggi
guna membentuk silikon dioksida. Proses ini bertujuan untuk melindungi dan
mengisolasi wafer sebelum digunakan sebagai bahan baku dalam sirkuit
terpadu.
Silikon mudah membentuk lapisan insulator berkualitas tinggi melalui
proses oksidasi, yang merupakan salah satu alasan utama mengapa silikon
adalah bahan semi-konduktor yang paling populer. Dengan kata lain, silikon
berinteraksi dengan oksigen atau uap air pada suhu 1000–1200oC, membentuk
lapisan silicon dioksida (SiO2) pada permukaan wafer. SiO2 bersifat stabil
pada temperatur tinggi dan merupakan salah satu bahan insulator terbaik.

Gambar 2. 4 Oksidasi Silikon

2.3.3 Photolithography
Photolithography adalah sebuah proses digunakan dalam fabrikasi alat
semikonduktor untuk memindahkan pola dari sebuah photomask ke permukaan
sebuah substrat. Dalam proses ini, radiasi optis, seperti sinar X, digunakan
untuk membentuk pola pada substrat. Chip, rangkaian terpadu (IC), laser, dan
prosesor adalah contoh teknologi modern yang menggunakan fotolithography.

5
 PhotolithographyGambar
merupakan proses Coating
2. 5 Photoresist utamaProcess
pada Wafer Fabrication,
dimana pola mikroskopik yang telah didesain dipindahkan dari masker ke
permukaan wafer dalam bentuk rangkaian nyata. Diawali dengan memberikan
lapisan photoresist (cairan kimia yang bersifat photosensitive) pada permukaan
wafer. Kemudian pada silikon wafer yang sudah dilapisi photoresist tersebut
diletakkan di atasnya masker/reticle berbentuk lempengan kaca transparan
yang telah dipenuhi pola circuit (die) yangsejenis yang akan dibuat, lalu
dipaparkan terhadap sinar UV sehingga lapisan photoresist pada permukaan
wafer yang terekspos langsung sinar UV akan mudah dikelupas dengan
bantuan cairan kimia khusus.Maka pada permukaan wafer akan terlihat pola
circuit seperti pola pada masker atau reticle.

Gambar 2. 6 Proses Photolithography

2.3.4 Ion Implantation
Ion implantation adalah proses menanamkan atom impuritas (ion) ke
dalam silikon wafer yang tidak tertutup oleh lapisan photoresist dengan
bantuan tegangan listrik (untuk mengatur kedalaman penetrasi ion) dan arus
listrik (untuk mengatur jumlah ion)Atom impuritas itu sendiri berfungsi untuk
mengubah sifat kelistrikan dari silikon wafer.

Gambar 2. 7 Ion Implantation

6
2.3.5 Etching
Teknik etching yang dipakai adalah Wet Etching yaitu dengan
menggunakan cairan kimia yang mampu menyebar ke segala arah dengan sama
rata (isotropic) untuk meluruhkan lapisan SiO2 pada permukaan silikon wafer.
Kelemahannya adalah bagian lapisan SiO2 yang berada tepat di bawah lapisan
photoresist juga sebagian ada yang ikut luruh,sehingga akan menjadi masalah
tersendiri jika jalur polanya sangat tipis.

Gambar 2. 8 Isotropic Etching vs Linewidth

2.3.6 Chemical Vapor Deposition (CVD)

Pada tekanan rendah dan temperatur tertentu gas atau uap kimia akan
bereaksi terhadap lapisan film pada permukaan silikon wafer. Gas Ammonia
(NH3) dan Dichlorosilane (SiHCl2) akan bereaksi untuk menghasilkan lapisan
film Silicon Nitride (Si3N4) yang solid dengan ketebalan beberapa micron atau
beberapa nanometer saja. Sedangkan gas-gas sisa reaksi berupa Hydrogen
Chloride (HCl), Chlorine (CL2), Hydrogen (H2) danNitrogen (N2) akan
dipompa keluar dari reactor.

Gambar 2. 9 Proses CVD

7
2.3.7 Sputter Deposition
Sputter deposition adalah proses yang menggunakan energi ion plasma
untuk mengeluarkan partikel dari sumber material (target) dan membentuk
lapisan tipis pada substrat dengan menggunakan gas inert (seperti argon) dan
energi listrik untuk mengionisasi gas tersebut. Ion-ion yang dihasilkan
kemudian bergerak ke arah target dan mengeluarkan partikel dari sumber
material.
Proses sputtering memanfaatkan medan listrik untuk mengambil ion Argon
positif agar membentuk lapisan logam tipis (film) pada target yang berada di
permukaan silikon wafer.

Gambar 2. 10 Proses Sputter

2.3.8 Chemical Mechanical Planarization

CMP adalah kombinasi penggunaan metode kimia (untuk melunakkan
terlebih dahulu lapisan materialyang akan dibuang) dan mekanik
(penggosokkan dengan polishing slurry) untuk membuang material-material
yang tidak diperlukan pada permukaan silikon wafer sehingga hanya material-
material yang dibutuhkan saja (sesuai desain) yang masih menempel pada
permukaan wafer.

Gambar 2. 11 CMP

Dari semua proses yang sudah dijelaskan di atas dan dikombinasikan dengan
proses lainnya yang jumlahnya sangat banyak, salah satunya adalah Metallization
(untuk menghubungkan semua komponen yang terkandung (resistor, kapasitor,

8
 transistor dll) sehingga membentuk rangkaian IC yang sesuai dengan desain yang
sudah direncanakan), maka hasil akhirnya adalah sejumlah IC (Die) yang masih
menyatu pada sebuah silikon wafer.

2.4 Wafer Test

Die-die (bagian dari wafer semikonduktor yang telah dipotong dan
dihilangkan bagian-bagian yang tidak sesuai) yang dihasilkan pada proses Wafer
Fabrication tidak 100% berfungsi dengan baik. Untuk mengetahui die mana saja
yang rusak, diperlukan pengetesan awal. Setiap jenis die yang dibuat memiliki alat
pengetesan khusus yang disebut probe card. Alat ini dibuat khusus untuk setiap
jenis die yang berbeda, tetapi semuanya telah dilengkapi dengan jarum kecil yang
dirancang sedemikian rupa supaya posisi bond pad pada die yang akan dites
sesuai dengan posisinya.

Gambar 2. 12 Simple Probe Card

Setelah itu, silikon wafer yang akan dites dijepit pada alat penjepit Wafer
Prober. Tester—sistem komputerisasi yang diprogram secara otomatis untuk
menggerakan Probe Card untuk menguji berbagai sifat kelistrikan pada setiap die
yang terletak di permukaan silikon wafer, dan menandai setiap die yang tidak
berfungsi atau rusak.

Gambar 2. 13 Wafer Test Set-up

2.5 Packaging
Karena mudah pecah bahkan setelah diberi lapisan pelindung khusus, IC
silicon yang sudah berbentuk die harus dirawat dengan hati-hati. Bond pad yang
sangat kecil juga membuatnya sulit untuk dihubungkan dengan komponen lain
dalam rangkaian aplikasi elektronika. Untuk melindungi die dan memudahkan
penanganan dan penyambungannya dengan komponen elektronika lainnya, die
harus dibungkus atau dikemas.
a. Silikon wafer yang telah dites diletakkan di atas kertas biru pada logam yang
permukaannya rata, dengan bagian belakang yang tidak memiliki sirkuit
menempel padanya. Selanjutnya, potongan silikon wafer menjadi potongan
die dengan menggunakan pisau khusus yang disebut "bermata berlian" yang
sangat cepat. Potongan die ini tetap menempel pada permukaan kertas biru
atau blue tape.
b. Potongan die yang bagus (telah lolos pengujian awal) dicabut dari blue tape
dan dipindahkan ke atas leadframe (komponen yang terbuat dari tembaga
yang berfungsi sebagai kaki-kaki pada IC) dan direkatkan dengan epoxy
kemudian dipanaskan agar epoxy mengeras dan die tidak terlepas dari
leadframe. Proses pencabutan dari blue tape dan pemindahan ke atas
leadframe dilakukan oleh mesin secara otomatis.
c. Wirebonding, yaitu proses dimana kaki-kaki leadframe dihubungkan ke bond
pad yang terdapat pada diedenganmenggunakan benangemas (goldwire).
Pekerjaan inijuga dilakukan oleh mesin secara otomatis.
d. Molding, yaitu menutup leadframe dengan menggunakan compound yang
dipress pada temperatur dan tekanan udara tertentu sehingga die dan benang
emas yang semula terbuka akan tertutup oleh compound.
e. Solder Platting, yaitu proses penyepuhan kaki-kaki IC dengan timah sehingga
kaki-kaki yang terbuat dari tembaga tersebut berwarna perak.

10
f. Marking, yaitu proses pemberian label tipe IC , part number, nama
perusahaan, tanggal dan lain sebagainya untuk memudahkan identifikasi
selanjutnya.

Gambar 2. 14 Proses Mengemas Plastik

Teknik pembuatan (molding) seperti yang diuraikan di atas menyebabkan

kemasan luar IC lebih besar daripada ukuran die di dalamnya.Oleh karena itu,
sinyal frekuensi tinggi IC sedikit terganggu. Namun, saat ini ada teknologi yang
memungkinkan produksi IC dengan ukuran kemasan yang hampir sama dengan
ukuran die di dalamnya. Selain itu, teknik ini telah membuahkan hasil dalam
meningkatkan kualitas sinyal frekuensi tinggi. Teknik ini dikenal sebagai Flip
Chip.
Pada teknik ini, terlebih dahulu dibuat bond pad yang merupakan pasangan
untuk connecting pad yang terdapat pada die yang akan dikemas. Kemudian pada
bond pad yang telah disiapkan tersebut diberi timah yang membentuk bola-bola
kecil (bump). Setelah semua bond pad terisi oleh bump, selanjutnya dipasangkan
dengan connecting pad pada die untuk kemudian dipanaskan sehingga keduanya
menyatu oleh timah yang meleleh, (Alfathan, 2013).

11
 Gambar 2. 15 Proses Flip Chip

2.6 Final Test

Selama proses packaging ada kemungkinan die mengalami kerusakan atau
proses packaging yang kurang sempurna. Pengujian akhir dilakukan terhadap
semua IC yang sudah selesai dikemas dengan tujuan agar IC yang mengalami
kerusakan selama proses packaging tidak ikut terkirim bersama-sama dengan IC
yang bagus. Metode pengujian akhir ini hampirsama dengan pengujian awal
terhadap silikon wafer, bedanya IC yang sudah jadi tidak memerlukan lagi Wafer
Prober tetapi menggunakan Handler. Handler juga sepenuhnya dikendalikan oleh
Tester guna melakukan pengetesan berbagai sifat kelistrikan pada setiap IC
sekaligus memilah-milah kualitas dari masing-masing IC, (Anonymous, 2018).

Gambar 2. 16 Sistem Final Test

12
 BAB III
KESIMPULAN

3.1 Kesimpulan
Kesimpulan yang dapat kami ambil adalah sebagai berikut :

3.2 Saran

13
 DAFTAR PUSTAKA

Alfathan. (2013, July 10). PROSES FABRIKASI IC.

Https://Puballattack.Blogspot.Com/.
Anonymous. (2018, January 25). Proses pembuatan Integrated Circuit (IC).
Https://Supriadisabuktiono.Blogspot.Com/.
Hamidan Keke. (n.d.). Proses Fabrikasi IC. Https://Www.Scribd.Com/.
Rizal Tri Susilo. (n.d.). PROSES FABRIKASI IC. Https://Www.Academia.Edu/.
Suprianto. (2015, October 24). PENGERTIAN IC (INTEGRATED CIRCUIT) DAN
APLIKASINYA. Https://Blog.Unnes.Ac.Id/.

14