DETEKTOR NUKLIR

ZAKI SUUD D.Eng

IONIZATION CHAMBER
Detektor paling tua dan tipe yang paling banyak
digunakan adalah dengan memanfaatkan efek
yang dihasilkan ketika partikel radioaktif
melewati gas.
Bentuk utama interaksi : ionisasi dan eksitasi
molekul gas sepanjang jejak partikel
Ion-ion terbentuk karena interaksi langsung
partikel radioaktif dengan gas atau karena efek
sekunder
Parameter penting: jumlah ion yang terbentuk
sepanjang jejak partikel

Energi yang diperlukan untuk membentuk

pasangan ion pada beberapa jenis gas (W)
GAS

1st ionization
potential (ev)

W untuk elektron
cepat (ev/ion pair)

W untuk alfa
(ev/ion pair)

Ar

15,7

26,4

26,3

He

24,5

41,3

42,7

H2

15,6

36,5

36,4

N2

15,5

34,8

36,4

33,8

35,1

Udara
O2

12,5

30,8

32,2

CH4

14,5

27,3

29,1

Detektor Ion Chamber

Energi rata-rata yang diperlukan untuk pembentukan
pasangan ion lebih tinggi dari energi ionisasi karena ada
mekanisme yang memungkinkan partikel radioaktif
kehilangan energi tanpa menimbulkan ionisasi misalnya
eksitasi ke bound state yang energinya lebih tinggi.
Untuk 1 Mev partikel kira-kira ia akan berhenti setelah
mengionisasi ~ 30000 pasangan ion.
Muatan yang terkumpul Q=4.8x10-15Coulomb.
Faktor Fano: Faktor pengali yang harus dilakukan pada
varian yang diprediksi agar sesuai dengan harga
eksperimen.

Ion Chamber: Difusi, transfer muatan dan

rekombinasi
Atom dan molekul netral berada dalam gerak
termal yang tetap, ditandai dengan jarak bebas
rata-rata yang spesifik untuk jenis gas tertentu.
Ion + dan elektron juga mengalami gerak termal
dengan elektron lebih besar geraknya.
Sebuah kumpulan titik elektron akan menyebar
disekitar titik itu dengan distribusi gaussian
dengan standar deviasi:
= (2Dt)
D =tetapan difusi, t = elasped time

Ion Chamber: rekombinasi

Bila ion + bertumbukan dengan elektron akan
terjadi rekombinasi
Laju rekombinasi:

dn dn

n n
dt
dt
koefisien rekombinasi
n+=kerapatan ion +
n- =kerapatan ion -

Ion Chamber: rekombinasi (lanjutan)

Untuk ion di gas kecepatan drift dapat
diprediksi dengan

E
v
P
mobilitas

P=tekanan gas, v=laju drift,

E = kuat medan listrik
Untuk P=1atm, E=104 V/m, mobility=1~1.5x10-4
then the drift velocity is about 1 m/s

Ion Chamber: rekombinasi (lanjutan)

Untuk elektron mobilitasnya jauh lebih tinggi,
mobilitasnya sekitar 1000 kali ion.
Collection time untuk ion dalam orde ~10ms,
sedang untuk elektron dalam orde miko sekon.

Ion Chamber: Arus Ionisasi

Dalam pengaruh medan listrik ion+ dan elektron
akan bergerak dan menimbulkan arus listrik.
Bila fluks partikel radioaktif cukup konstan
dengan ukuran tabung cukup kecil, maka laju
pembentukan ion akan setimbang dengan laju
hilangnya ion (rekombinasi, keluar, dll.)
Bila rekombinasi relatif kecil, maka arus tunak
yang mengalir menggambarkan laju
pembentukan pasangan ion, yang berarti fluks
partikel radioaktif.
Ini merupakan prinsip kerja detektor ini.

Ion Chamber: Arus Ionisasi

Didaerah datar Ion
Chamber, medan
listrik telah cukup
besar untuk menekan
rekombinasi ke level
yang dapat
diabaikan.

PROPORSIONAL COUNTER
Dikembangkan pertama kali akhir tahun 40an.
Bekerja dalam modus pulsa
Menggunakan ionisasi sekunder untuk
memperbesar muatan yang terbentuk akibat
masuknya partikel radioaktif.
Tinggi pulsa sebanding dengan energi partikel
radioaktif yang masuk
Aplikasi penting adalah pada radiasi sinar X
energi rendah

Proportional counter

Proportional Counter: Gas

Multiplication
Medan listrik yang lebih tinggi dari pada Ion chamber
menyebabkan terjadinya ionisasi sekunder
Kuat medan listrik : E = V / (r lnb/a)
; di sini a adalah
radius kawat dan b adalah radius silinder. Jika a=0.01
cm dan b=1.0 cm dan V=1000 volt maka kuat medan
listriknya 104 Volt/cm.
Ambang medan listrik untuk gas yang biasa pada
tekanan 1 atm adalah 106 V/m
n(x)=n(0)ex
Di sini alfa adalah konstanta Townsend pertama dari
gas.

Proportional Counter: Daerah kerja

Proportional counter
Untuk daerah mendekati darah geiger
counter maka proporsionalitas detektor
menjadi berkurang (ada deviasi)
disebut daerah proporsional terbatas

Geiger Muller Counter

Bila tegangan elektroda terus dinaikkan dari daerah proporsional
(1000volt atau lebih) maka akan terjadi kondisi ionisasi sekunder
yang sangat tinggi sehingga terjadi keadaan dadal (avalanche).
Di sini pulsa yang terjadi akibat masuknya partikel radioaktif ke
bejana gas akan menghasilkan pulsa tegangan yang cukup tinggi
dibandingkan dengan pulsa pada proportional counter.
Sebaliknya, tinggi pulsa di sini tak lagi menyimpan informasi
energi partikel datang karena tegangan pulsa akan sama untuk
berbagai jenis energi pratikel radioaktif yang masuk.
Jadi pencacah ini fungsinya untuk mencacah jumlah partikel
yang masuk saja, bukan melihat spektrum energinya
Pencacah geiger counter memiliki daerah operasi tegangan yang
lebar(plateau) sehingga tak memerlukan sistem regulasi tegangan
yang sangat ketat. Ini merupakan keuntungan pencacah Geiger
Counter.

Geiger Muller Counter(2)

Bentuk Pencacah geiger counter seperti pada pencacah
proporsional, diisi dengan gas bertekanan sekitar 10 cm
Hg yang terdiri atas campuran 90% argon, dan 10% nya
adalah uap organik (seperti etil alkohol) atau dari gas
halogen seperti Cl2 atau Br2. Tekanan rendah
menyebabkan discharge terjadi pada tegangan yang
relatif lebih rendah dari pada di pencacah proporsional.
Elektron hasil ionisasi partikel datang akan ditarik
dengan kuat ke kawat dan menghasilkan ionisasi
sekunder yang lebih besar dari pada pada pencacah
proporsional, menghasilkan pulsa listrik yang tak sensitif
terhadap harga energi atau inisialisasi awal.

Geiger Muller Counter(3)

Masalah pada geiger counter adalah terjadinya
breakdown baru mengikuti terjadinya pulsa
akibat adanya radiasi masuk. Avelanche terjadi
tak merata/uniform di seluruh panjang kawat.
Ada elektron yang diserap dan menghasilkan
foton yang dapat memicu avelanche berikutnya.
Ini dapat diatasi dengan menaruh gas diatomik
yang akan menyerap foton ini. Jadi di sini gas
poliatomik bertindak untuk "quenching"

DETEKTOR SINTILASI
Mampu mencacah jumlah partikel radioaktif dan
energinya.Prinsip kerjanya dapat dilihat pada
gambar di samping.
Partikel radioaktif yang menembus detektor
menimbulkan cahaya tampak. Cahaya tampak
ini kemudian menimbulkan efek foto listrik yang
menghasilkan elektron.
Elektron ini akan muncul dalam bentuk pulsa dan
untuk memudahkan proses deteksinya terlebih
dahulu diperkuat dengan tabung photo multiplier.

PRINSIP KERJA DETEKTOR

SINTILASI

Sifat-sifat detektor sintilasi yang ideal:

1.
2.
3.
4.
5.
6.

Mengubah energi kinetik partikel bermuatan ke cahaya

yang dapat dideteksi dengan efisiensi yang tinggi
Konversi ini bersifat linier terhadap energi partikel
datang
Medium bersifat transparan terhadap panjang
gelombang yang dipancarkannya
Waktu tunda ke terbentuknya pulsa sesingkat mungkin
Material bersifat baik secara optik dan memungkinkan
fabrikasi dengan ukuran ideal
Indeks refraksi mendekati gelas (~1,5) untuk
memungkinkan kopling secara efisien cahaya sintilasi
ke tabung fotomultiplier

Struktur elektronik sintilator organik

Peran bahan aktivator seperti Tl di

NaI

Detektor Sintilasi

Prinsip kerja
tabung foto
multiplier:
terjadinya ionisasi
sekunder dengan
menarik elektron
dengan beda
potensial yang
tinggi

Sifat-sifat beberapa sintilator yang

umum
Density Index of
Refract.
(g/cm3)

Relative Time
output const.
(ns)
(%)
0.43
30

Antrasena

Organik padat

1.25

1.62

Max
emisi
(nm)
447

Pilot B

Plastik (organik padat)

1.03

1.58

408

0.30

1.8

NE 213

Organik cair

0.87

1.508

425

0.34

3.7

NaI (Tl)

Kristal inorganik

3.67

1.85

410

1.00

230

CsF

Inorganik kristal

4.11

1.48

390

0.05

Nama

Tipe

DETEKTOR ZAT PADAT /

SEMIKONDUKTOR
Dibuat dari bahan semikonduktor, ada beberapa
jenis : high purity germanium, high purity silicon,
lithium drifted germanium dan lithium drifted
silicon
Ge dan Si memiliki elektron valensi 4, secara
umum semuanya terikat dalam ikatan kovalen,
sehingga seluruh pita valensi terisi penuh
sedang pita konduksi kosong.
Semikonduktor memiliki orde energi gap yang
kecil sekitar 1 ev atau kurang. Sedangkan
insulator energi gap nya dapat mencapai 5 ev.

DETEKTOR ZAT PADAT /

SEMIKONDUKTOR(2)
Pada suhu ruang sejumlah kecil elektron tereksitasi ke pita
konduksi dan ada lubang di pita valensi.
Lubang ini dapat diisi elektron dari atom sebelahnya maka
seakan lubang ini dapat bergerak(tentu mmuatan positif inti atom
tak berpindah).
Untuk mengontrol konduksi di semikonduktor, sejumlah kecil
bahan dari golongan III atau V yang dikenal sebagai doping
diberikan pada bahan semikonduktor ini.
Dengan adanya bahan doping gol. V maka ada atom dari doping
ini yang kelebihan elektron (tak berpasangan). Elektron ini mudah
terksitasi ke pita konduksi. Bahan ini menjadi semikonduktor tipe
n.
Sebaliknya kalau doping dari golongan III maka atom doping
hanya bervalensi 3 maka ada sebuah lubang yang mudah diisi
oleh elektron dari pita valensi. Bahan ini menjadi semikonduktor
tipe p)

Semikonduktor dengan
doping dari golongan V
(menjadi semikonduktor
tipe n)

Semikonduktor dengan
doping dari golongan III
(menjadi semikonduktor
tipe p)

DETEKTOR ZAT PADAT /

SEMIKONDUKTOR(3)
Jika semikonduktor tipe n dan tipe p disambungkan maka
elektron dari tipe n akan menyeberang sambungan
menuju tipe p menyebabkan terjadinya daerah deplesi. Di
sekitar sambungan ini pembawa muatan bebas
ternetralisasi.
Akibatnya terjadi medan listrik di sekitar sambungan yang
mencegah penyeberangan selanjutnya.
Bila partikel radioaktif memasuki daerah deplesi dan
menimbulkan ionisasi (pasangan elektron dan hole) maka
elektron dan hole akan bergerak dalam arah berlawanan
di bawah medan listrik yang ada sehingga tercipta pulsa
elektronik yang sebanding dengan energi partikel
radioaktif tersebut.

Sambungan semikonduktor
jenis n dan p yang bertindak
sebagai detektor
semikonduktor.
Tampak bahwa di daerah
deplesi ada medan listrik
yang mencegah rekombinasi
berikutnya.

Pada gambar bawah bias

eksternal digunakan

Contoh Detektor Semikonduktor

DETEKTOR ZAT PADAT /

SEMIKONDUKTOR(4)
Pada prakteknya detektor semikonduktor
dioperasikan dengan tegangan balik
sekitar 1000~3000V
Tegangan ini berfungsi untuk
meningkatkan medan listrik menyebabkan
pengumpulan muatan menjadi lebih
efisien
Fungsi lain adalah untuk memperlebar
daerah deplesi

Pembuatan detektor semikonduktor

High purity Ge atau Si : penyimpanan bisa suhu kamar

tetapi operasi pada suhu N2 cair untuk menekan noise.
Pembuatan Lithium drifted detector:
Mulai dari sampel semikonduktor tipe p
Li didifusikan ke salah satu ujungnya dengan reverse
bias dan sedikit penaikan temperatur maka Li masuk ke
bahan itu. Ini menyebabkan tipe n
Ini menyebabkan daerah deplesi yang luas
Detektor ini harus disimpan di suhu N 2 cair agar Li tak
kembali keluar. Operasi juga harus dengan suhu N 2
cair.
Tebal daerah tipe n sekitar 1 mm.

Detekor surface barrier

Sinar gamma 100 kev data tembusnya di Ge
sekitar 4mm dan di Si sekitar 2 cm.
Untuk 1 Mev elektron daya tembusnya ~ 1mm di
Si dan Ge.
Untuk 5 Mev alfa daya tembusnya ~ 0.02 mm di
Si dan Ge.
Karena itu untuk partikel bermuatan dibuat
detektor khusus yaitu dengan meng-etching
lapisan p sangat tipis (~< 0.1 u m) di
semikonduktor n Si. detektor surface barrier

STATISTIK DETEKTOR NUKLIR

Distribusinya poisson:
n n e n
P ( n)
n!
n pN

p=probabilitas decay

Distribusi Poisson

Multi Channel Analyzer

Bagan hasil pengukuran dengan

MCA

Masalah resolusi detektor pada

MCA

Energy Spectra of detector : large detector

Large detector: All secondary absorbed

SMALL DETECTOR

SMALL DETECTOR

Intermediate volume detector