FOTODETEKTOR

AFIFAH AMATULLAH SUAIB (322160

SITI NURUL AULIA AGPIRA (32216031)

 Fotodetektor

Fotodetektor merupakan sistematika kerja yang mengubah suatu

pancaran cahaya menjadi sinyal listrik.
 Prinsip Kerja Fotodetektor

Sebelum cahaya mengenai fotodetektor, terlebih dahulu cahaya dipandu agar tepat mengenai fotodetektor melalui
elemen-elemen optik, sebagai berikut :

Setelah sumber cahaya tersebut mengenai fotodetektor, maka foton cahaya yang memiliki energi akan mengeksitasi
elektron dalam bahan fotodetektor sehingga menjadi elektron bebas. Elektron bebas ini dibangkitkan dengan cara
memindahkan elektron dari pita velensi ke pita konduksi, dan yang tertinggal dalam pita valensi adalah lubang
yang lazim dinamakan dengan hole bebas. Proses terjadinya pasangan eletktron-hole ini disebut dengan
photogeneration. Proses ini ditunjukkan pada gambar 6, dimana foton diserap oleh atom yang menyebabkan sebuah
elektron pindah dari level valensi menuju level konduksi.
Perubahan energi yang terjadi pada elektron adalah Eg, yaitu agar peristiwa ini terjadi, maka energi minimal yang dimiliki oleh
foton adalah Eg. Karena energi foton berkaitan dengan frekuensinya (atau panjang gelombang), maka nilai energi gap, Eg ini
menentukan respon daerah spektral detektor cahaya. Energi photon, Ep, harus lebih besar atau sama dengan energi gap, Eg.
Ep ≥ Eg
h × f ≥ Eg ..............................................(4)
dengan : Ep adalah energi foton.
Eg adalah energi gap bahan.
h adalah konstanta Planck’s (6,63 x 10-34 J.s).
f adalah frekuensi (Hz)
dengan : Ep adalah energi foton.
Eg adalah energi gap bahan.
h adalah konstanta Planck’s (6,63 x 10-34 J.s).
f adalah frekuensi (Hz)
Detektor cahaya ini tidak merespon bila cahaya yang datang memiliki frekuensi lebih kecil dari frekuensi cut off ( fC ), dimana
fC didefinisikan sebagai:
fC  Eg / h
atau panjang gelombang cahaya tidak boleh lebih besar dibanding dengan panjang gelombang cut off ( C ), dimana C
didefinisikan sebagai:
C  h  c / E g
 Jenis – jenis Fotodetektor

 Foto Transistor
Foto Transistor ialah sebuah alat untuk merubah cahaya menjadi elektron dengan elemen dasar yang digunakan ialah bipolar transistor. Prinsip
kerja foto transistor hampir sama dengan kerja transistor, hanya saja pada transistor biasa yang masuk ke dalam transistor ialah berupa arus DC
namun pada foto transistor yang diberikan kepada basis ialah intensitas cahaya. Dalam kondisi normal, kolektor mendapat reverse bias, dan emitor
mendapat forward bias. Pada kaki kolektor akan selalu ada sedikit arus bocor (Ico), yaitu arus bocor antara kolektor dan basis. Ico selain
dipengaruhi oleh temperature juga dipengaruhi oleh intensitas cahaya yang datang pada daerah pengosongan antara kolektor dan basis. Sifat inilah
yang dimanfaatkan oleh foto transistor untuk dapat menghantar atau on. Saat foto transistor tidak terkena cahaya, Basis – Emitor tidak
mendapatkan bias, elektron tidak dapat bergerak bebas, sehingga depletion layer melebar, dengan demikian arus tidak dapat mengalir, transistor
dalam keadaan Cut off. Sebaliknya, saat foto transistor terkena cahaya dengan intensitas cahaya yang sesuai dengan karakteristik foto transistor
tersebut, maka terjadi perpindahan elektron di sekitar lapisan pengosongan yang akhirnya membentuk sebuah ikatan ion di sekitar lapisan
pengosongan, sehingga lapisan pengosongan menyempit dan transistor akan bersifat menghantar atau transistor on.
• Foto Multipliers
Prinsip kerja foto detektor menggunakan prinsip efek fotolistrik, bahan yang digunakan untuk foto detektor memiliki suatu energi ambang dimana
energi ini yang mempertahankan elektron agar tidak lepas dari permukaan . Pada efek fotolistrik foton dengan energi tertentu yang sebanding
dengan frekuensionya menabrak elektron yang berada di permukaan bahan lalu elektron terlepas dari permukaan yang memiliki energi kinetic
dikarenakan energi foton yang lebih besar dari energi ambang bahan sehingga elektron memiliki energi lebih untuk bergerak diluar permukaan
dengan energi kinetik Ek sebagai berikut :
Ek = h . f – W .............................................(5)
dengan h = konstata planck ( 6,63x 10^-34 J.s )
W = energi ambang (cut off) bahan
Sebagai konsekuensi penting, energi kinetik dari fotoelektron tidak tergantung pada intensitas cahaya. Ini berarti bahwa jika sumber cahaya tidak
memancarkan foton dengan energi yang cukup, tidak akan ada elektron yang terlepas dari permukaan, tidak peduli seberapa besar intensitas
sumber cahaya. Intensitas cahaya yang menabrak elektron mempengaruhi jumlah arus yang dihasilkan oleh lepasnya elektron-elektron. Namun,
jika energi dari foton cukup besar, peningkatan intensitas cahaya akan meningkatkan jumlah elektron dan terjadilah photocurrent. Arus ini
mungkin sangat rendah untuk sejumlah kecil foton, dapat dikuatkan dengan
pengaturan seperti yang digambarkan diatas, yang disebut photomultiplier tube (PMT) :
sebuah tabung kaca yang dievakuasi berisi photocathode, anoda, dan beberapa tambahan elektroda, "dynodes" Materi photocathode
menentukan spektral sensitivitas detektor. Ketika fotoelektron menabrak dynode terlebih dulu setelah dipercepat oleh penurunan potensial,
elektron sekunder akan dilepaskan. Masing-masing akan menabrak dynode kedua dan, pada gilirannya akan melepaskan elektron sekunder
tambahan. Ini efek avalanche yang akan menyebabkan penguatan arus kation dari tempat ke tempat. Arus anoda yang dihasilkan ditransformasikan
menjadi tegangan pada sebuah resistor (R 'pada Gambar diatas). Tegangan ini sebanding dengan besarnya intensitas cahaya pada photocathode.
• Foto Dioda
Sensor foto dioda memanfaatkan efek kuantum pada junction, energi yang diterima oleh elektron yang memungkinkan elektron
pindah dari band valensi ke band konduksi pada kondisi bias mundur. Fotodioda tidak memerlukan adanya tegangan tinggi dan
tidak ada detektor khusus yang diperlukan dengan begitu bahwa fotodioda jauh lebih mudah di operasikan dibandingkan dari
photomultipliers. Fotodioda memanfaatkan efek foton yang membawa muatan di deplesi layer pada diode sambungan pn: ketika
foton diserap, fotodioda membentuk pasangan elektron yang mengisi setiap hole. Sedangkan muatan yang dibawa tetap berada
dalam bahan ini disebut internal photoeffect.

Dan tegangan yang arahnya berlawanan membuat muatan yang dibawa mengalami penyimpangan ke arah eksternal elektroda
sehingga memproduksi arus yang nilainya sebanding dengan intensitas cahaya. Mekanisme tersebut beralainan dengan prinsip
kerja LED dan laser diode. Beberapa muatan tersebut yang berpindah sepanjang sambungan p-n akan hilang selama proses
rekombinasi. Selama proses rekombinasi, bandwith dari diode pn tidak akan melampaui 10 MHz, namun muatan yang berpindah
pada sambungan mengalami panjar mundur.
Foto diode terbuat dari silicon dan germanium, sensitivitas spectral dari silicon ialah sekitar 300 nm hingga 1100 nm dan
germanium pada rentang panjang gelombang 1450 nm hingga 1800 nm. Foto diode biasanya terintegrasi pada sebuah rangkaian
elektronik, dan pada rangkaian tersebut terdapat penguat amplifier, foto diode tersebut secara langsung terhubung dengan current
to voltage converter, tegangan yang dihasilkan sebanding dengan arus yang juga sebanding dengan intensitas cahaya.