DASAR ELEKTRONIKA

DIODA P-N

Emanuel Budi Raharjo

Simbol Dioda dan Bentuk Fisik

/ VF
 Dioda Ideal

 Ketika diberikan bias maju akan menghantarkan arus secara

penuh tanpa adanya tahanan ( tidak ada tegangan buka )
 Ketika diberikan bias mundur akan menahan arus tanpa ada
kebocoran arus sama sekali ( tegangan breakdown tidak terbatas)
 Forward Bias
Dioda P-N

Jika tegangan sumber (V) < tegangan buka (VF)

maka tidak terjadi aliran arus dikarenakan
elektron tidak memiliki energi cukup untuk
menembus depletion layer
 Forward Bias
Dioda P-N
Jika V > VD maka elektron dari terminal negatif
sumber V akan bergerak melalui semikonduktor N
menuju P kemudian berekombinasi dengan hole pada
sisi P dan menjadi elektron valensi
Karena energi elektron tersebut tadi cukup besar maka
elektron tersebut akan berpindah dari satu hole ke hole
yang lain hingga mencapai terminal positif sumber V
Setiap kali elektron bergerak menuju kutub positif
sumber V maka hole akan kembali terbentuk pada
semikonduktor P dan proses berulang
Arus yang besar akan mengalir ketika V > VD
 Reverse Bias
Dioda P-N

 Ketika dioda mengalami reverse bias maka hole pada sisi P

akan tertarik ke terminal negatif sumber V sedangkan
elektron tertarik ke terminal positif sumber V
 Hal ini mengakibatkan lebih banyak ion baru terbentuk dan
akan memperlebar Depletion Layer sehingga Potensial
Barrier menjadi besar
 Depletion region dan Potensial barier akan berhenti
membesar ketika nilai Potensial barier sama besar dengan
tegangan sumbernya
Karakteristik Dioda P-N
 Breakdown Voltage

Menyatakan tegangan maksimum yang mampu ditahan

dioda pada kondisi bias mundur
Biasanya dinyatakan sebagai spesifikasi PIV ( Peak
Inverse Voltage ) / Reverse Breakdown Voltage / DC
Blocking Voltage
Jika tegangan sumber pada kondisi bias mundur lebih
kecil dari spesifikasi breakdown voltage dioda maka
dioda akan mampu menahan tegangan tersebut dan
hanya akan terjadi arus reverse yang sangat kecil
Jika spesifikasi tegangan breakdown dioda dilampaui
maka sejumlah besar pembawa muatan minoritas akan
terbentuk dan dioda akan dadal
 Forward Current ( IF )

Menyatakan besarnya arus yang mampu dialirkan

dioda pada saat bias maju
Apabila arus yang melewati dioda melebihi nilai
maksimum forward current maka dioda akan rusak (
terbakar )
 Leakage Current ( IR )

Menyatakan besarnya arus bocor pada saat dioda

mengalami bias mundur
Dapat disebut juga sebagai small reverse current
Syaratnya :
Tegangan reverse < Breakdown Voltage
 Forward Voltage ( VF )

Menyatakan besarnya tegangan yang harus

diberikan pada dioda agar dioda dapat bekerja
mengalirkan arus ( Tegangan Buka )
Nilai tergantung jenis bahan dioda umumnya Si ≈
0,7Volt dan Ge ≈ 0,2Volt