Setelah memahami pengertian,jenis-jenis dari CVD.

CVD itu sendiri dapat

digolongkan berdasarkan tekanan operasi, yaitu:
1. Atmoshpheric pressure CVD (APCVD)
Adalah jenis cvd dimana dalam proses pembuatannya terjadi atau dibuat
berdasarkan tekanan atmosfer
2. Low-pressure CVD (LPCVD)
Adalah jenis cvd dimana dalam pembuatannya terjadi pada tekanan
rendah. Hal ini bertujuan untuk mengurangi reaksi-reaksi fasa gas yang
tidak diinginkan dan memperbaiki pendistribusian lapisan pada target.
3. Ultrahigh vacuum CVD (UVCVD)
Adalah jenis cvd dimana dalam proses pembuatannya terjadi atau dibuat
pada tekanan yang sangat rendah, dan pada umumnya berada pada
tekanan 10-6 pa
Pada penjelasan ini akan dibahas secara mendalam mengenai low
pressure chemical vapor deposition (LPCVD)
LPCVD itu sendiri adalah teknik atau proses yang digunakan dalam
pembuatan deposisi film tipis pada semikonduktor, dalam pembuatannya
dimulai dari ukuran mikrometer sampai ukurannya nanometer. LPCVD
sering digunakan untuk pembuatan polysilicon.
Yang membedakan antara LPCVD dengan proses CVD lainnya adalah
jenis tekanan yang diberikan yaitu tekanannya rendah. Tekanan LPCVD
biasanya berkisar antara 10-1000 pa, sementara tekanan atmosfer standar
adalah sekitar 101.325 pa. Jika tekanan diturunkan dari tekanan atmosfer
sekitar 100 pa maka aliran difusi akan menurun sekitar 1000 pa. Ketika
tekanan menurun maka kecepatan akan menurun hal ini bertujuan agar
subtrat dapat mendekati film lebih dekat dan film yang
dilapisi/diendapkan akan menunjukkan keseragaman lapisan yang
merata(homogenitas). Terdapat kelebihan dari LPCVD yaitu cacat yang
dihasilkan sedikit,pembuatannya sederhana, tingkat akurasinya tinggi.
Sedangkan kekurangannya adalah tingkat deposisi lebih rendah dari pada
APCVD, memerlukan suhu yang relatif tinggi yaitu diatas 600 0C dan
dapat menghasilkan zat yang sangat berbahaya ketika proses reaksi yang
sedang berlangsung.