Nanomaterial adalah material yang berukuran sangat kecil yakni berkisar antara (1-100) nm

atau berskala nano.

Karakteristik material dapat menjadi berbeda setelah menjadi nanomaterial,
1. nanomaterial memiliki surface area yang besar daripada material awalnya. Hal ini dapat
meningkatkan reaktifitas kimia dan meningkatkan kekuatan sifat elektronik,
2. efek kuantum yang mendominasi bahan nanoscale terutama pada pengaruh optikal dan
sifat magnetik material. Terdapat berbagai fenomena quantum atraktif yang timbul
sebagai akibat pengecilan ukuran material hingga ke dimensi nano. Logam platina
meruah yang dikenal sebagai material inert dapat berubah menjadi material katalitik jika
ukurannya diperkecil mencapai skala nano. Material stabil, seperti aluminium, menjadi
mudah terbakar, bahan-bahan isolator berubah menjadi konduktor.
Pembagian nano
a. Nol dimensi
Nanopartikel (oksida logam, semikonduktor, fullerenes)
b. Satu dimensi
Nanotubes, nanorods, nanowires
c. Dua dimensi
Thin films (multilayer, monolayer, self-assembled, mesoporous)
d. Tiga dimensi
Nanokomposit, nanograined, mikroporous, mesoporous, interkalasi, organi-anorganik
hybrids..
Sifat-sifat keunggulan
1. Sifat elektrik : Nanomaterial dapat mempunyai energi lebih besar dari pada
material ukuran biasa karena memiliki surface area yang besar. Hal ini berkaitan
dengan resistivitas elektrik yang mengalami kenaikan dengan berkurangnya ukuran
partikel. Contohnya : material yang bersifat isolator dapat bersifat konduktor ketika
berskala nano , sedangkan contoh aplikasinya : Batrai logam nikelhibrida terbuat dari
nanokristalin nikel dan logam hibrida yang membutuhkan sedikit recharging dan
memiliki masa hidup yang lama
2. Sifat magnetik : tingkat kemagnetan akan meningkat dengan penurunan ukuran
butiran partikel dan kenaikan spesifik surface area persatuan volume partikel
sehingga nanomaterial memiliki sifat yang bagus dalam peningkatan sifat magnet
(ketika ukuran butir bahan magnetik diperkecil hingga skala nano , bahan
feromagnetik berubah menjadi bahan superparamagnetik). Contohnya : Magnet
nanokristalin yttrium-samarium-cobalt memiliki sifat magnet yang luar biasa dengan
luas permukaan yang besar .
3. lebih besar bila dibandingkan dengan material dengan ukuran biasa (salah satu
sifat mekanik bahan adalah kekuatan luluh yaitu batas maksimum kekuatan suatu
bahan sebelum mengalami deformasi plastis (berubah bentuk). Jika ukuran butir
suatu logam atau keramik lebih kecil dari ukuran butir kritis (<100 nm) , sifat
mekanik bahan berubah dari keras menjadi lunak.Contoh aplikasinya :Apabila
material nano digunakan pada cat, akan berefek antigores, antiluntur, dan memantulkan
panas. Cat berpartikel nano akan membuat rumah atau kendaraan tetap sejuk meski
terpapar sinar matahari.
4. Sifat optik : Sistem nanomaterial memiliki sifat optik yang menarik, yang mana
berbeda dengan sifat kristal konvensional. Kunci penyumbang faktor masuknya

quantum tertutup dari pembawa elektrikal pada nanopartikel, energi yang efisien dan
memungkinkan terjadinya pertukaran karena jaraknya dalam sekala nano serta memiliki
sistem dengan interface yang tinggi. Dengan perkembangan teknologi dan material
mendukung perkembangan sifat nanofotonik. Dengan sifat optik linier dan nonlinier
material nano dapat dibuat dengan mengontrol dimensi kristal dan surface kimia,
teknologi pembuatan menjadi faktor kunci untuk mengaplikasikan.Contoh:
Electrochromik untuk liquid crystal display (LCD)
5. Sifat kimia : Merupakan faktor yang penting untuk aplikasi kimia nanomaterial
yaitu penumbahan surface area yang mana akan mngningkatkan aktivitas kimia
dari material tersebut. Contoh aplikasi : Teknologi fuel cell dimana dalam fuel cell
digunuakan logam Pt dan Pt-Ru
Kelebihan

Dengan ukuran partikel yang sangat kecil namun efisiensi yang jauh lebih tinggi
dibanding pada saat partikel berukuran normal.
Fenomena unik sifat-sifat mekanik , fisika , kimia, biologi, listrik, termal dan elektrik
pada skala nano membuka peluang aplikasi bahan dan teknologi nano diberbagai bidang.
Dengan adanya fenomena2 unik diatas maka banyak inovasi2 baru Ex : mengubah
polusi panas menjadi energi listrik, mobil berbahan baku nanas.
Penerapan material nano bukan hanya pada bidang teknik, melainkan juga pada produk
makanan , obat-obatan , dan kosmetik.
Produk yang dihasilkan jauh lebih berkualitas, yaitu tidak mudah aus, hemat enrgi
karena tahan panas, dan tidak memerlukan pendinginan, dengan demikian , akan
menghemat biaya oprasional dan pemeliharaan serta ramah lingkungan.
Kekurangan
Nanopartikel berbahaya bagi kesehatan karena Nanopartikel dapat mengganggu jalannya
transportasi substansi vital masuk dan keluar sel ,sehingga mengakibatkan kerusakan
fisiologis sel dan mengganggu fungsi sel normal.
Bioavailability, didefinisikan sebagai kemampuan bahan untuk menembus
membran/lapisan jaringan tubuh melalui berbagai cara paparan (kulit, pernafasan, dan
pencernaan).
Bioaccumulation, didefinisikan sebagai kemampuan partikel yang terabsorpsi untuk
terakumulasi didalam jaringan tubuh organisme dengan berbagai jalur paparan.
Toxic Potential, efek dari toksisitas nanomaterial dimungkinkan melalui berbagai sebab
yaitu kemampuan oksidasi, inflamasi dari iritasi fisis, pelepasan dari radikal yang
terkandung dan dari pengotor (impurities) dari pembuatan nanomaterial misalkan sisa
katalis, pengotor bahan baku yang kurang murni.
Proses pembentukan
Banyak nanoteknologi dan nanoscience yang dilakukan untuk memproduksi nanomaterial.
Nanometerial dapat dibuat dengan tekhnik top down dan bottom up, dimana top down
merupakan pembuatan struktur yang kecil dari material yang berukuran besar, sedangkan
tekhnik bottom up penggabungan atom-atom atau molekul-molekul menjadi partikel yang
berukuran lebih besar.
Pembuatan nanomaterial dapat dilakukan dengan menggunakan dua pendekatan, yaitu
pendekatan top-down dan bottom-up.
1) Top down
Dalam pendekatan top-down, pertama bulk material dihancurkan dan dihaluskan sedemikian
rupa sampai berukuran nano meter. Pendekatan top-down dapat dilakukan dengan teknik

MA-PM (mechanical alloying-powder metallurgy) dan atau MM-PM (mechanical millingpowder metallurgy), Dalam mekanisme mechanical alloying, material dihancurkan hingga
menjadi bubuk dan dilanjutkan dengan penghalusan butiran partikelnya sampai berukuran
puluhan nanometer. Kemudian, bubuk yang telah halus disinter hingga didapatkan material
final. Contohnya nano baja diperoleh dari penghalusan bubuk besi dan karbon hingga
berukuran 30 nm, dan disinter pada suhu 723C pada tekanan 41 Mpa dalam suasana gas
nitrogen.
Teknik MM-PM (mechanical alloying-powder metallurgy) ini dapat dilakukan dengan :
a) Ball milling
Teknologi ball milling yaitu menggunakan energi tumbukan antara bola-bola penghancur
dann dinding wadahnya. Untuk mendapatkan partikel nano dalam jumlah banyak dan dalam
waktu relatif pendek, dilakukan inovasi pada mesin ball mill, dengan merubah putaran mill
menjadi berlintasan planet (planetary) di dalam wadahnya yang memiliki tuas pada kedua
sisi, untuk mengatur sudut putaran yang optimal. Dan distabilisasi dengan meng-gunakan
larutan kimia seperti polyvinyl alcohol (PVA) atau polyethilene glycol (PEG) sehingga
membentuk nanokoloid yang stabil (Fahlefi, 2010)
b) Ultrasonic milling atau sonikasi
Prosesnya dengan cara menggunakan gelombang ultrasonik dengan rentang frekuensi 20 kHz
10 MHz. Gelombang ultrasonik ditembakkan ke dalam mediium cair untuk
menghasilkan kavitasi bubble yang dapat membuat partikel memiliki diameter dalam skala
nano. Gelombang ultrasonik bila berada di dalam medium cair akan dapat menimbulkan
acoustic cavitation. Selama proses cavitation akan terjadi bubble collapse (ketidakstabilan
gelembung), yaitu pecahnya gelombang akibat suara. Akibatnya akan terjadi peristiwa
hotspot yang melibatkan energi yang sangat tinggi. Dimana hotspot adalah pemanasan lokal
yang sangatintens sekitar 5000 K pada tekanan sekitar 1000 atm, laju pemanasan dan
pendinginannya sekitar 1010 K/s
2) Bottom up
Dalam pendekatan bottom-up, material dibuat dengan menyusun dan mengontrol atom demi
atom atau molekul demi molekul sehingga menjadi suatu bahan yang memenuhi suatu fungsi
tertentu yang diinginkan. Sintesa nanomaterial dilaku-kan dengan mereaksikan berbagai
larutan kimia dengan langkah-langkah tertentu yang spesifik sehingga terjadi suatu proses
nukleasi yang meng-hasilkan nukleus-nukleus sebagai kandidat nanpar-tikel setelah melalui
proses pertumbuhan. Laju pertumbuhan nukleus dikendalikan sehingga menghasilkan
nanopartikel dengan distribusi uku-ran yang relatif homogen (Gambar 1).
Pembentukan nanomaterial logam koloid secara bottom up (Kumar, 2005)
Paduan logam organik didekomposisi (di-reduksi) secara terkontrol sehingga ikatan logam
dan ligannya terpisah. Ion-ion logam hasil posisi bernukleasi membentuk nukleus-nukleus
yang stabil, yang dibangkitkan baik dengan meng-gunakan katalis maupun melalui proses
tumbukan. Selanjutnya nukleus-nukleus stabil tersebut ber-tumbuh membentuk nanopartikel.
Untuk menghindari proses aglomerasi antara nanopartikel-nanopartikel yang ada, lang-kah
stabilisasi dilakukan dengan menggunakan larutan separator.
Pendekatan bottom up ini dapat dilakukan dengan:
a) Dekomposisi termal

1. Evaporasi
Dekomposisi lapisan tipis dengan cara penguapan dan pengembunan yang dilakukan di ruang
vakum.
2. Sputtering
Proses sputering adalah proses dengan cara penembakan bahan pelapis atau target dengan
ion-ion berenergi tinggi sehingga terjadi pertukaran momentum. Proses sputtering mulai
terjadi ketika dihasilkan lucutan listrik dan gas sputer secara listrik menjadi konduktif karena
mengalami ionisasi.
3. CVD (Chemical Vapour Deposition)
Merupakan proses yang didasarkan pada hidrolisis dan polikondensasi dari prekusor yang
dibentuk melalui metode dip coating atau spin coating.
4. MOCVD
Merupakan teknik deposisi uap kimia dengan metode pertumbuhan epitaksi pada material.
Misalnya material semikonduktor yang berasal dari material metalorganik dan hidrida logam.
Karakterisasi
Terdapat beberapa macam alat untuk mengkarakterisasi material yang berukuran nanometer.
Mikroskop cahaya tidak dapat digunakan untuk mengkarakterisasi material yang berukuran
nanometer. Hal ini dikarenakan panjang gelombang cahaya tampak yang digunakan pada
mikroskop cahaya memiliki panjang gelombang yang lebih besar daripada dimensi sistem
yang diamati. Seperti yang diketahui bahwa panjang gelombang cahaya tampak sekitar 400700 nm. Oleh karena itu, mikroskop cahaya tidak bisa mengamati sistem yang berukuran
nanometer.
1. SEM
Mikroskop elektron merupakan alat yang menggunakan sinar elektron berenergi tinggi untuk
menguji objek yang berukuran sangat kecil. Pengujian ini dapat memperoleh informasi
mengenai topografi, morfologi, komposisi dan kristalografi. SEM adalah salah satu tipe
mikroskop elektron yang mampu menghasilkan resolusi tinggi dari gambaran suatu
permukaan sampel.
2. XRD
Difraksi Sinar X merupakan teknik yang digunakan dalam karakteristik material untuk
mendapatkan informasi tentang ukuran atom dari material kristal maupun nonkristal. Difraksi
tergantung pada struktur kristal dan panjang gelombangnya. Metode difraksi sinar X
digunakan untuk mengetahui struktur dari lapisan tipis yang terbentuk.
3. STM
Scanning Tunneling Mikroscopies (STM) merupakan mikroskop non-optik yang dapat
digunakan untuk mengamati struktur permukaan suatu material. STM adalah mikroskop nonoptik yang membaca probe listrik pada permukaan yang kemudian dicitrakan untuk
mendeteksi arus listrik antara tip dan permukaan atom yang dipelajari. STM memungkinkan
untuk memvisualisasikan densitas elektron dan mengetahui posisi masing-masing atom dan
jari-jari permukaan kisi. STM menghasikan bentuk tiga dimensi dari permukaan yang
berguna untuk mengkarakterisasi kekasaran permukaan dan mengetahui ukuran dan
komposisi molekul yang menyusun permukaan atom.
4. XRF

XRF adalah alat yang digunakan untuk menganalisis kandungan unsur dalam bahan yang
menggunakan metode spektrometri. XRF merupakan pemancaran sinar X dari atom
tereksitasi yang dihasilkan oleh tumbukan elektron berenergi tinggi, partikel-partikel lain,
atau suatu berkas utama dari sinar X lain. Analisis menggunakan XRF dilakukan berdasarkan
identifikasi dan pencacahan sinar-X karakteristik yang terjadi dari peristiwa efekfotolistrik.
5. TEM
Sama seperti SEM, TEM juga digunakan untuk mengkarakterisasi suatu material, biasanya
untuk material berukuran nanometer. Namun TEM memiliki resolusi yang lebih tinggi
daripada SEM. Malah, High Resolutin TEM (HR-TEM) dapat menentukan lokasi atom-atom
dalam material. Cara kerjanya pun sangat mirip dengan prinsip Rontgen dalam kedokteran.
6. AFM
AFM merupakan alat pengkarakterisasi material dengan menggunakan gaya atom antar tip
dan substrat. AFM adalah salah satu alat terpenting untuk pencitraan, mengukur, dan
memanipulasi materi pada skala nano.
Beberapa efek penting yang dimiliki benda jika ukurannya diperkecil menuju skala nano:
1. Efek permukaan
Semakin kecil ukuran benda maka permukaan atom penyusun benda tersebut yang terekspos
dipermukaan benda akan memiliki fraksi yang semakin besar. Nanomaterial memiliki surface
area yang besar daripada material awalnya. Hal ini dapat meningkatkan reaktifitas kimia dan
meningkatkan kekuatan sifat elektronik.
2. Efek ukuran
Hal ini diakibatkan karena ukuran dari nanomaterial menjadi komparabel dengan banyak
parameter fisis seperti ukuran gelombang kuantum, mean free path, ukuran koherensi, dan
domain dimensi yang kesemuanya menentukan sifat sifat dari material.
3. Efek kuantum
Berdasarkan teori Kubo mengenai energi gap elektron yang dirumuskan sebagai:
E=A/d^E
dimana E adalah energi gap, d sebagai diameter partikel, dan A adalah konstanta material
Ketika perbedaan energi (delta E) lebih besar dari nilai k.T (maksimal internal energi dari
sistem), maka akan banyak sifat yang ada pada bulk material yang hilang dan digantikan
dengan sifat yang unik.
Pita energi yang kontinyu tergantikan oleh energi level yang terpisah jika ukuran partikel
mendekati radius Bohr dari elektron dalam padatan hal ini dikenal dengan efek kuantum.
Untuk nanomaterial, energi bandgap sangat sensitif terhadap morfologinya (ukuran, bentuk,
defek) dan dari distribusi komposisinya.

Karakteristik MOSFET (MetalOxideSemiconductor Field-Effect Transistor)

Dalam 50 tahun terakhir perkembangan dari industri mikroelektronik pertama kali
ditunjukkan pada Bel Laboratorium tahun 1948 yaitu pembuatan transistor bipolar, tahun
1960 muncul transistor efek medan yang pertama (FET). Sejak itu mikro elektronik industri
terus berkembang, seperti yang diungkapkan oleh Gordon Moore (pendiri Intel) bahwa dalam
setiap 18 bulan jumlah transistor yang menyusun mikrochip akan menjadi dua kali lipatnya,
pernyataan ini dikenal sebagai Hukum Moore. Hal ini akan berakibat secara ekonomis, biaya

setiap transistor menjadi lebih murah, penggunaan energi lebih kecil, kerjanya lebih
cepat, sehinggga ke depannya teknologi cenderung membuat transistor mempunyai ukuran
yang lebih kecil.
Awal tahun 2001, gate length dari MOSFETS yang digunakan oleh INTEL PENTIUM
IV berupa mikro prosesor chip sudah berukuran 100 nm dengan ketebalan oksida lebih
kurang dari 2 nm dan mampu menampung 28 juta transistor per prosesor. Sejak saat itu
Industri mikro elektronik berubah menjadi nanoelectronics. Pada makalah ini akan mereview
tentang Single Elctron Tunnelling sebagai wujud perkembangan nanoteknologi dalam bidang
elektronika.
MetalOxideSemiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET) adalah salah satu
jenis transistor efek medan. Prinsip dasar perangkat ini pertama kali diusulkan oleh Julius
Edgar Lilienfeld pada tahun 1925 . MOSFET mencakup kanal dari bahansemikonduktor tipeN dan tipe-P, dan disebut NMOSFET atau PMOSFET (juga biasa nMOS, pMOS). Ini adalah
transistor yang paling umum pada sirkuit digital maupun analog, namun transistor sambungan
dwikutub pada satu waktu lebih umum.
Komposisi

Fotomikrograf dua gerbang logam MOSFET dalam ujicoba.

Biasanya bahan semikonduktor pilihan adalah silikon, namun beberapa produsen IC,
terutama IBM, mulai menggunakan campuran silikon dan germanium (SiGe) sebagai kanal
MOSFET. Sayangnya, banyak semikonduktor dengan karakteristik listrik yang lebih baik
daripada silikon, seperti galium arsenid (GaAs), tidak membentuk antarmuka semikonduktorke-isolator yang baik sehingga tidak cocok untuk MOSFET. Hingga kini terus diadakan
penelitian untuk membuat isolator yang dapat diterima dengan baik untuk bahan
semikonduktor lainnya.
Untuk mengatasi peningkatan konsumsi daya akibat kebocoran arus gerbang, dielektrik
tinggi menggantikan silikon dioksida sebagai isolator gerbang, dan gerbang logam kembali
digunakan untuk menggantikan polisilikon[1].
Gerbang dipisahkan dari kanal oleh lapisan tipis isolator yang secara tradisional adalah
silicon dioksida, tetapi yang lebih maju menggunakan teknologi silicon oxynitride. Beberapa

perusahaan telah mulai memperkenalkan kombinasi dielektrik tinggi + gerbang logam di

teknologi 45 nanometer
Struktur SemikonduktorLogamOksida

Struktur SemikonduktorLogamOksida pada silikon tipe-P

Struktur semikonduktorlogamoksida sederhana diperoleh dengan menumbuhkan selapis
oksida silikon di atas substrat silikon dan mengendapkan selapis logam atau silikon
polikristalin. Karena oksida silikon merupakan bahan dielektrik, struktur MOS serupa dengan
kondensator planar dengan salah satu elektrodenya digantikan dengan semikonduktor.
Ketika tegangan diterapkan membentangi struktur MOS, tegangan ini mengubah penyebaran
muatan
dalam
semikonduktor.
Umpamakan
sebuah
semikonduktor
tipe-p
(dengan NA merupakan kepadatan akseptor, p kepadatan lubang; p = NA pada badan netral),
sebuah tegangan positif
dari gerbang ke badan membuat lapisan pemiskinan dengan
memaksa
lubang bermuatan
positif
untuk
menjauhi
antarmuka
gerbangisolator/semikonduktor, meninggalkan daerah bebas pembawa. Jika
cukup tinggi,
kepadatan tinggi pembawa muatan negatif membentuk lapisan inversi dibawah antarmuka
antara semikonduktor dan isolator. Umumnya, tegangan gerbang dimana kepadatan elektron
pada lapisan inversi sama dengan kepadatan lubang pada badan disebut tegangan ambang.
Struktur badan tipe-p ini adalah konsep dasar dari MOSFET tipe-n, yang mana membutuhkan
penambahan daerah sumber dan cerat tipe-n.
Struktur MOSFET dan formasi kanal

Irisan NMOS tanpa kanal yang terbentuk (keadaan mati)

Irisan NMOS dengan kanal yang terbentuk (keadaan hidup)

Sebuah transistor efek-medan semikonduktorlogamoksida (MOSFET) adalah berdasarkan
pada modulasi konsentrasi muatan oleh kapasitansi MOS di antara elektrode badan dan
elektrode gerbang yang terletak di atas badan dan diisolasikan dari semua daerah peranti
dengan sebuah lapisan dielektrik gerbang yang dalam MOSFET adalah sebuah oksida, seperti
silikon dioksida. Jika dielektriknya bukan merupakan oksida, peranti mungkin disebut
sebagai FET semikonduktorlogamterisolasi (MISFET) atau FET gerbangterisolasi
(IGFET). MOSFET menyertakan dua saluran tambahan yaitu sumber dan cerat yang
disambungkan ke daerah dikotori berat tersendiri yang dipisahkan dari daerah badan. Daerah
tersebut dapat berupa tipe-p ataupun tipe-n, tetapi keduanya harus dari tipe yang sama, dan
berlawanan tipe dengan daerah badan. Daerah sumber dan cerat yang dikotori berat biasanya
ditandai dengan '+' setelah tipe pengotor. Sedangkan daerah yang dikotori ringan tidak
diberikan tanda.
Jika MOSFET adalah berupa salur-n atau NMOS FET, lalu sumber dan cerat adalah daerah
'n+' dan badan adalah daerah 'p'. Maka seperti yang dijelaskan di atas, dengan tegangan
gerbang yang cukup, di atas harga tegangan ambang, elektron dari sumber memasuki lapisan
inversi atau salur-n pada antarmuka antara daerah-p dengan oksida. Kanal yang menghantar
ini merentang di antara sumber dan cerat, dan arus dialirkan melalui kanal ini jika ada
tegangan yang dikenakan di antara sumber dan cerat.
Jika tegangan gerbang dibawah harga ambang, kanal kurang terpopulasi dan hanya sedikit
arus bocoran praambang yang dapat mengalir dari sumber ke cerat.
Silikon Nanoelectronics dan CMOS produk terakhir
Semua semikonduktor seperti silikon merupakan isolator dalam kondisi murni sampai
proses pendopingan / pengotoran ditambahkan kepada sistem itu. Silicon mempunyai empat
elektron valensi sehingga akan berikatan dengan empat atom silikon lainnya dan membentuk
kristal tetrahdral sehingga tidak ada elektron bebas lagi dan menjadi isolator.
Jika atom golongan V seperti fosfor didopingkan pada atom silikon akan menghasilkan
satu elektron bebas, kemudian jika diberi tegangan akan bersifat sebagai konduktor.
Semikonduktor seperti ini dinamakan tipe n. Jika suatu atom dari golongan III seperti boron

didopingkan pada atom silikon, akan menghasilkan satu hole. kemudian jika diberi tegangan
akan bersifat sebagai konduktor. Semikonduktor seperti ini disebut tipe-p.
Gambar 3 (a) transistor dalam keadaan belum terhubung dengan tegangan. Tipe-p
mencegah perpindahan elektron dari sumbernya (b) transistor dihubungkan dengan suatu
tegangan menyebabkan elektron bisa mengalir dari source ke drain.
Pada tahun 2001 RAM mempunyai 270 juta bits/cm2, setiap DRAM berisi sebuah
kapasitor dan sebuah transistor yang memiliki gate length 180 nm.Sebuah micro prosesor
seperti pada Pentium dan Power PC Chip mempunyai 19,7 juta transistor/cm 2 dengan gate
length 100 nm. Sebagian besar transistor pada kenyataannya berupa memori dalam
bentuk SRAM. Sebuah sel SRAM berisi 6 transistor. Usaha untuk menggabungkan sel
DRAM dalam MPU menghasilkan dasar dari logik transistor, sementara itu 6 SRAM
transistor lebih mudah penggabungannya untuk membentuk hal yang sama.
Dalam proses perubahan ukuran, semua dari bagian-bagian transistor dikurangi dan
kemampuan alat tetap dalam menampung medan elektrik. Pada kenyataannya hal ini tidak
bisa dicapai dalam waktu yang singkat. Namun dapat disimpulkan dari hukum MooreS
adalah bahwa untuk meningkatkan hasil akan mengurangi biaya setiap transistor pada suatu
chip dengan menurunkan ukuran transistor, ongkos pembuatan semikonduktor bertambah
tiap-tiap empat tahun.

Single Electron Tunneling (SETs)

Jika kita memotong-motong emas tersebut secara berulang-ulang hingga butiranbutiran emas berukuran nanometer. Pada kondisi ini, fenomena aneh muncul ke permukaan.
Sebagai contoh, jika pada sebatang kawat terbuat dari emas berdiameter 10 nanometer dialiri
arus listrik, sifat penghantaran listriknya tidak lagi mengikuti hukum Ohm, tetapi mempunyai
harga penghantar yang diskrit (lompat-lompat). Karakter unik semacam ini sama sekali tidak
terlihat pada emas berukuran makro.
Karakteristik unik inilah yang menjadi landasan dasar teknologi nano, yang ukuran
bendanya berstruktur lebih kecil dari ukuran makro (makroskopik), tetapi lebih besar dari
ukuran atom (mikroskopik). Di dunia sains, wilayah ini disebut dengan mesoskopik. Wilayah
ini merupakan perbatasan antara wilayah fenomena fisika klasik dan fisika kuantum. Dengan
latar belakang ini, maka tidak dipahaminya fenomena fisika dalam wilayah mesoskopik ini
secara otomatis tidak akan bisa direalisasikan teknologi nano.
Penelitian sekarang berusaha menemukan fenomena-fenomena fisika pada wilayah
mesoskopik ini dengan uji coba membuat sistem struktur berukuran nano dan menguji sifat
karakter hantaran listrik benda tersebut. Fenomena single electron tunneling (terobosan
elektron tunggal), yaitu suatu fenomena pengontrolan bergeraknya elektron satu per satu.
Fenomena unik ini biasanya dimunculkan dari sistem struktur transistor, yang
kemudian dikenal dengan single-electron transistor (transistor elektron tunggal). Jenis
transistor ini bisa disebut transistor tipe terbaru dalam sejarah perjalanan transistor. Prinsip
kerja transistor ini sebenarnya mirip dengan MOSFET (metal-oxide-semiconductor fieldeffect transistor), yaitu jenis transistor yang kebanyakan dipakai dalam alat-alat elektronika

sekarang. Sebagaimana MOSFET, transistor elektron tunggal juga tersusun atas 3 elektrode,
yaitu source, drain, dan gate. Bedanya dengan MOSFET, di antara elektrode source dan drain
dibuat kuantum dot yang berukuran nanometer, yang mana antara source-dot dan dot-drain
hanya dibatasi oleh lapisan isolator yang tipis (hanya beberapa nanometer juga). Satu lagi,
antara kuantum dot dan gate dibatasi juga oleh lapisan isolator berukuran nano. Kuantum dot
tersebut biasa disebut pulau, dan lapisan isolator antara source-dot dan dot-drain biasa
karena lapisannya sangat tipis dan memungkinkan elektron untuk menerobosnya maka biasa
disebut sambungan terobosan. Pada prinsipnya, dengan memberi beda voltase antara source
dan drain sekecil mungkin (mendekati nol), maka pada kondisi voltase gate dengan harga
tertentu aliran elektron satu per satu dari source masuk dot kemudian ke drain, akan bisa
terjadi. Kecepatan aliran elektron pun bisa dikontrol dengan pengaturan kombinasi voltase
gate dan beda voltase antara source dan drain.
Diameter quantum dot kurang lebih 20 nm, dimungkinkan setara dengan susunan seri yang
terdiri dari 100 atom.
Sejak ditemukan pertama kali, transistor elektron tunggal ini diprediksi akan bisa
diaplikasikan dalam sistem digital karena bekerja berdasarkan pengontrolan gerak elektron
satu per satu. Tidak hanya itu saja, karena untuk menggerakkan elektron satu per satu hanya
diperlukan voltase yang sangat rendah, otomatis transistor ini bisa bekerja dengan energi
yang rendah pula (low power). Keunggulan lain, kecepatannya pun jauh lebih cepat
dibandingkan dengan jenis transistor yang ada saat ini, karena jarak alir elektron jauh lebih
pendek dari transisor yang ada saat ini.
Pada saat ini transistor CMOS mempunyai gate-lengths 100 nm. banyaknya elektron
yang digunakan sebagai switch dalam sistem transistor kurang lebih sepuluh ribuan. Jika ini
bisa diperkecil dimana hanya satu elektron yang digunakan sampai tercapai untuk switch,
energi yang diperlukan untuk switch menjadi paling rendah. Ini adalah arti dasar bagi
transistor elektron tunggal (SETs). Saat ini terdapat suatu perbedaan tipe dari SETs, tipe yang
asli berdasarkan pada Coulomb Blokade sedang tipe yang kedua adalah miniatur flash
memori di mana penambahan elektron tunggal ke gate-memori mengakibatkan suatu
perubahan arus yang besar dalam pengukuran transistor.
Coulomb Blokade
Coulomb Blokade digambarkan sebagai suatu pulau kecil yang berisi muatan yang
terletak antara dua electroda. Jika pulau kecil tersebut berisi penuh N Elektron maka energi
gap akan terbuka diantara energi elektron yang terakhir dan elektron pertama yang kosong.
Gap ini sama dengan kuadrat dari muatan elektron (e2) dibagi dengan kapasitas pulau (C).
Oleh karena itu jika pulau yang kecil itu penuh, sehingga energi gap nya menjadi lebih besar
daripada energi termal di dalam sistem (kB T ; kB = konstanta Boltzman, T = Temperatur)
kemudian elektron tidak bisa meloncat menembus terowongan dari sistem itu selama
tingkatan energinya di atas energi elektron tersebut.
Miniatur Flash Memori
Tipe kedua memori SETs hanya versi miniatur yang konvensional flash memori
CMOS, contohnya yang ditemukan di dalam Handphone dan MPEG musik. Struktur
ditunjukkan di dalam Tabel di bagaian akhir dari makalah ini yang menunjukkan

penambahan elektron tunggal kepada memori mengakibatkan suatu perubahan penting untuk
arus elektron melalui saluran transistor. Satu permasalahan dalam pendekatan ini adalah
menyangkut ketahanan memori dan fluktuasi karena satu elektron ini cukup untuk switch
memori device yang ditetapkan.
Pendukung untuk mendekati konsep ini menggunakan sejumlah Si nanocrystals sebagai
dot di dalam oksida dibanding yang lain. Pendekatan ini mempunyai keuntungan yang lebih
sempurna untuk fluktuasi sistem elektron tunggal.
Type Memori Yano
Tipe SET memori yang berikutnya adalah yang ditunjukkan oleh Yano di Pusat
Laboratorium Riset Hitachi. Pembuatannya menggunakan saluran standard CMOS berbentuk
kawat poly-Si yang menyilang. Poly-Si terdiri dari butir tunggal crystal silikon yang kecil
dengan terdapat batas antara butiran. Tipe ini digunakan untuk memori device menggunakan
butir sebagai dot memori. Satu masalah utama apakah penghantar di dalam saluran adalah
hasil penyaringan melalui suatu alur sejumlah besar butir poly-Si. Ini adalah suatu proses
acak dan sukar untuk mengendalikannya. Yang menjadi masalah utama dalam hal ini adalah
kemampuan untuk menghasilkan secara massal memori device membutuhkan kontrol untuk
sifat-sifatnya. Hitachi telah menunjukkan suatu memori chip 128 Mbyte dengan teknologi
walaupun hanya separuh alat beroperasi.

Perbandingan alat-alat Elektron Tunggal

Tabel di bawah ini menunjukkan hasil percobaan SETs dengan produksi memori
DRAM dan flash saat ini yang diproduksi menggunakan CMOS.
Jika suatu material dibuat dalam skala nano maka material tersebut akan mempuyai
karakteristik unik yang berbeda dengan sifat asalnya dan fungsi yang baru serta dapat
dikontrol. Dengan teknologi nano dapat dibuat transistor yang mempunyai ukuran lebih kecil,
dengan kerja yang lebih cepat, dan biaya yang lebih murah. Transistor yang muncul dari
sistem ini adalah transistor elektron tunggal (SETs) yang banyak dipakai dalam alat-alat
elektronika sekarang. Untuk menggerakkan elektron satu persatu pada transistor ini
diperlukan voltase yang sangat rendah dan energi yang rendah pula serta kecepatan yang jauh
lebih cepat dibandingkan dengan jenis transistor yang ada sekarang.