DASAR ELEKTRONIKA

Disusun oleh :
Joko pamungkas

NIM : 16120005

SEKOLAH TINGGI TEKNIK BINA TUNGGAL

BEKASI

2016
 KATA PENGANTAR

Makalah yang berjudul DASAR ELEKTROKA ini merupakan bahan

ajar yang digunakan untuk panduan pratikkum siswa / mahasiswa untuk
membentuk salah satu bagian dari kompetensi penerapan konsep dasar
elektro, Bidang Teknik Elektro.

Materi yang dibahas dalam makalah ini meliputi dasar elektronika,

pengertian semikonduktor, penggunaan diode dan transistor. Makalah ini
terkait dengan modul lain yang membahas komponen elektronika daya,
merakit komponen elektronika, dan hukum kelistrikan sehingga sebelum
menggunakan makalah ini pembaca diharapkan telah memahami prinsip dasar
kelistrikan dan macam-macam komponen elektronika.

Harapan saya dengan adanya makalah ini pembaca dapat

memahami dasar elektronika dan teori semikonduktor dan bermanfaat bagi
siapa saja. Saran-saran dari pembaca sangat diharapkan.

Bekasi, 13 april 2016

Penyusun

Joko Pamungkas

1612005
 BAB 1

PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

Dalam peralatan elektronika yang komplek, kita akan menemukan komponen-

komponen elektronika seperti tahanan, kondensator, diode, transformator, LED, dan
komponen lainnya.

Setiap mahasiswa program studi Teknik Elektro dituntut untuk dapat mngenal,
memahami, serta dapat mengukur dan menghitung nilai-nilai dari komponen-
komponen elektronika tersebut sebelum merakit kedalam bentuk suatu rangkaian.

Berdasarkan penelitian, kebanyakan mahsiswa /i di STTI Bina Tunggal

jurusan Teknik Elektro adalah dari Sekolah Menengah Pertama (SMA), dan rata-rata
mahasiswa bekerja. Maka dari itu saya bermaksud membuat makalah ini yang
berjudul Dasar Elektronika yang bermaksud dapat menjadi bahan panduan
belajar untuk rekan-rekan semuanya.

2.1 PERUMUSAN MASALAH

Berdasarkan paparan dalam latar belakang diatas, maka rumusan masalah

pada makalah ini adalah Memahami dasar elektronika,memahami teori
semikonduktor, memahami diode sebagai rangkaian pemotong, penjepit dan diode
zener.

3.1 TUJUAN

Tujuan dari makalah ini adalah agar rekan-rekan mahasiswa Elektronika

khususnya dan para pembaca umum dapat memahami dasar elektronika, dan teori
semikonduktor.
 BAB 2

Mengenal dasar elektronika

Dalam kehidupan sehari-hari kita banyak menemui suatu alat yang mengadopsi
elektronika sebagai basis teknologinya contoh ; Dirumah, kita sering melihat televisi,
mendengarkan lagu melalui tape atau CD, mendengarkan radio, berkomunikasi
dengan telephone. Dikantor kita menggunakan komputer, mencetak dengan printer,
mengirim pesan dengan faximile, berkomunikasi dengan telephone. Dipabrik kita
memakai alat deteksi, mengoperasikan robot perakit, dan sebagainya. Bahkan
dijalan raya kita bisa melihat lampu lalu-lintas, lampu penerangan jalan yang secara
otomatis hidup bila malam tiba, atau papan reklame yang terlihat indah berkelap-
kelip dan masih banyak contoh yang lainnya. Dari semua uraian diatas kita dapat
membuktikan bahwa pada zaman sekarang ini kita tidak akan lepas dari perangkat
yang menggunakan elektronika sebagai dasar teknologinya. Alat-alat yang
menggunakan dasar kerja elektronika seperti diatas biasanya disebut sebagai
peralatan elektronik (electronic devices) Elektronika merupakan ilmu yang
mempelajari alat listrik arus lemah yang dioperasikan dengan cara mengontrol aliran
elektron atau partikel bermuatan listrik dalam suatu alat seperti komputer, peralatan
elektronik, termokopel, semikonduktor, dan lain sebagainya. Ilmu yang mempelajari
alat-alat seperti ini merupakan cabang dari ilmu fisika, sementara bentuk desain dan
pembuatan sirkuit elektroniknya adalah bagian dari teknik elektro, teknik komputer,
dan ilmu/ teknik elektronika dan instrumentasi. Revolusi besar-besaran terhadap
elektronika terjadi sekitar tahun 1960-an, dimana saat itu mulai ditemukan suatu alat
elektronika yang dinamakan Transisor, sehingga dimungkinkan untuk membuat
suatu alat dengan ukuran yang kecil dimana sebelumnya alat alat tersebut masih
menggunakan tabung-tabung facum yang ukurannya besar serta mengkonsumsi
listrik.

Teori Semikonduktor
Secara umum semikonduktor adalah bahan yang sifat-sifat kelistrikannya terletak
an- tara sifat-sifat konduktor dan isolator. Operasi semua komponen benda padat
seperti dioda, LED, Transistor Bipolar dan FET serta Op-Amp atau rangkaian
terpadu lainnya (solid state) didasarkan atas sifat-sifat semikon- duktor. Sifat-sifat
kelistrikan konduktor maupun isolator tidak mudah berubah oleh pengaruh
temperatur, cahaya atau medan magnit, tetapi pada semikon- duktor sifat-sifat
tersebut sangat sensitif.

Struktur Atom Silikon dan Germanium

Elemen terkecil dari suatu bahan yang masih memiliki sifat-sifat kimia dan fisika
yang sama adalah atom. Suatu atom terdiri atas tiga partikel dasar, yaitu: neutron,
proton, dan elek- tron. Dalam struktur atom, proton dan neutron membentuk inti
atom yang bermuatan positip dan sedangkan elektron-elektron yang bermuatan
negatip mengelilingi inti. Elektron-elektron ini tersusun berlapis-lapis. Struktur atom
dengan model Bohr dari bahan semikonduktor yang paling banyak digunakan,
silikon dan germanium, terlihat pada gambar 1.1.

Seperti ditunjukkan pada gambar 1.1 atom silikon mempunyai elektron yang
mengor- bit (yang mengelilingi inti) sebanyak 14 dan atom germanium mempunyai
32 elektron. Pada atom yang seimbang (netral) jumlah elektron dalam orbit sama
dengan jumlah proton dalam inti. Muatan listrik sebuah elektron adalah: - 1.602
pangkat -19 C dan muatan sebuah proton adalah: + 1.602 pangkat -19 C.
Elektron yang menempati lapisan terluar disebut sebagai elektron valensi. Atom sili-
kon dan germanium masing-masing mempunyai empat elektron valensi. Oleh
karena itu baik atom silikon maupun atom germanium disebut juga dengan atom
tetra-valent (bervalensi em- pat). Empat elektron valensi tersebut terikat dalam
struktur kisi-kisi, sehingga setiap elektron valensi akan membentuk ikatan kovalen
dengan elektron valensi dari atom-atom yang berse- belahan. Struktur kisi-kisi kristal
silikon murni dapat digambarkan secara dua dimensi guna memudahkan
pembahasan. Lihat gambar 1.2.
 Struktur kristal silikon denganan kovalen ikatan kovalen

Meskipun terikat dengan kuat dalam struktur kristal, namun bisa saja elektron
valensi tersebut keluar dari ikatan kovalen menuju daerah konduksi apabila
diberikan energi panas. Bila energi panas tersebut cukup kuat untuk memisahkan
elektron dari ikatan kovalen maka elektron tersebut menjadi bebas atau disebut
dengan elektron bebas. Pada suhu ruang terdapat kurang lebih 1.5 x 10 pangkat 10
elektron bebas dalam 1 cm3 kubik bahan silikon murni (intrinsik) dan 2.5 x 10
pangkat 13 elektron bebas pada germanium. Semakin besar energi panas yang
diberikan semakin banyak jumlah elektron bebas yang keluar dari ikatan kovalen,
dengan kata lain konduktivitas bahan meningkat.
Setiap elektron yang menempati suatu orbit tertentu dalam struktur atom tunggal
(atau terisolasi) akan mempunyai level energi tertentu. Semakin jauh posisi orbit
suatu elektron, maka semakin besar level energinya. Oleh karena itu elektron yang
menduduki posisi orbit terluar dalam suatu struktur atom atau yang disebut dengan
elektron valensi, akan mempunyai level energi terbesar. Sebaliknya elektron yang
paling dekat dengan inti mempunyai level energi terkecil. Level energi dari atom
tunggal dapat dilihat pada gambar 1.3.

Level Energi dari atom tunggal

Di antara level energi individual yang dimiliki elektron pada orbit tertentu terdapat
celah energi yang mana tidak dimungkinkan adanya elektron mengorbit. Oleh
karena itu celah ini disebut juga dengan daerah terlarang. Suatu elektron tidak
dapat mengorbit pada daerah terlarang, tetapi bisa melewatinya dengan cepat.
Misalnya bila suatu elektron pada orbit tertentu mendapatkan energi tambahan dari
luar (seperti energi panas), sehingga level energi elektron tersebut bertambah besar,
maka elektron akan meloncat ke orbit berikutnya yang lebih luar yakni dengan cepat
melewati daerah terlarang.
Hal ini berlaku juga sebaliknya, yaitu apabila suatu elektron dipaksa kembali ke orbit
yang lebih dalam, maka elektron akan mengeluarkan energi. Dengan kata lain,
elektron yang berpindah ke orbit lebih luar akan membutuhkan energi, sedangkan
bila berpindah ke orbit lebih dalam akan mengeluarkan energi.
Besarnya energi dari suatu elektron dinyatakan dengan satuan elektron volt (eV).
Hal ini disebabkan karena definisi energi merupakan persamaan:
 Persamaan Energi

Dengan potensial listrik sebesar 1 V dan muatan elektron sebesar 1.602 pangkat
-19 C, maka energi dari

sebuah elektron dapat dicari:

Hasil tersebut menunjukkan bahwa untuk memindahkan sebuah elektron melalui
beda potensial sebesar 1 V diperlukan energi sebesar 1.602 pangkat -19 J. Atau
dengan kata lain:

Bila atom-atom tunggal dalam suatu bahan saling berdekatan (dalam kenyatannya
memang mesti demikian) sehingga membentuk suatu kisi-kisi kristal, maka atom-
atom akan berinteraksi dengan mempunyai ikatan kovalen. Karena setiap elektron
valensi level energinya tidak tepat sama, maka level energi jutaan elektron valensi
dari suatu bahan akan membentuk range energi atau yang disebut dengan pita
energi valensi atau pita valensi. Gambar 1.4 menunjukkan diagram pita energi dari
bahan isolator, semikonduktor dan konduktor. Suatu energi bila diberikan kepada
elektron valensi, maka elektron tersebut akan meloncat keluar. Oleh karena elektron
valensi terletak pada orbit terluar dari struktur atom, maka elektron tersebut akan
meloncat ke daerah pita konduksi. Pita konduksi merupakan level energi dimana
elektron terlepas dari ikatan inti atom atau menjadi elektron bebas. Jarak energi
antara pita valensi dan pita konduksi disebut dengan pita celah atau daerah
terlarang.

Seberapa besar perbedaan energi, Eg, (jarak energi) antara pita valensi dan pita
konduksi pada suatu bahan
akan menentukan apakah bahan tersebut termasuk isolator, semikonduktor atau
konduktor. Eg adalah energi
yang diperlukan oleh elektron valensi untuk berpindah dari pita valensi ke pita
konduksi. Eg dinyatakan dalam satuan eV (elektron volt). Semakin besar Eg,
semakin besar energi yang dibutuhkan elektron valensi untuk berpindah ke pita
konduksi.

Pada bahan-bahan isolator jarak antara pita valensi dan pita konduksi (daerah
terlarang) sangat jauh. Pada suhu ruang hanya ada sedikit sekali (atau tidak ada)
elektron valensi yang sampai keluar ke pita konduksi. Sehingga pada bahan-bahan
ini tidak dimungkinkan terjadinya aliran arus listrik. Diperlukan Eg paling tidak 5 eV
untuk mengeluarkan elektron valensi ke pita konduksi.

gambar 1.4 Diagram pita energi (a) isolator;(b) semikonduktor dan (c) konduktor
Pada bahan semikonduktor lebar daerah terlarang relatif kecil. Pada suhu mutlak 0
derajat Kelvin, tidak ada elektron valensi yang keluar ke pita konduksi, sehingga
pada suhu ini bahan semikonduktor merupakan isolator yang baik. Namun pada
suhu ruang, energi panas mampu memindahkan sebagian elektron valensi ke pita
konduksi (menjadi elektron bebas). Pada bahan silikon dan germanium masing-
masing Eg-nya adalah 1.1 eV dan 0.67 eV.
Tempat yang ditinggalkan elektron valensi ini disebut dengan hole. Pada gambar
1.4 dilukiskan dengan lingkaran kosong. Meskipun hole ini secara fisik adalah
kosong, namun secara listrik bermuatan positip, karena ditinggalkan oleh elektron
yang bermuatan negatip. Level energi suatu hole adalah terletak pada pita valensi,
yaitu tempat asalnya elektron valensi. Apabila ada elektron valensi berpindah dan
menempati suatu hole dari atom sebelahnya,maka hole menjadi tersisi dan tempat
dari elektron yang berpindah tersebut menjadi kosong atau hole. Dengan demikian
arah gerakan hole (seolah-olah) berlawanan dengan arah gerakan elektron.
Sedangkan pada bahan konduktor pita valensi dan pita konduksi saling tumpang
tindih. Elektron-elektron valensi sekaligus menempati pada pita konduksi. Oleh
karena itu pada bahan konduktor meskipun pada suhu 0 derajat K, cukup banyak
elektron valensi yang berada di pita konduksi (elektron bebas).

Dasar dan Pengertian Semikonduktor

Kata Semikonduktor sangat identik dengan peralatan Elektronika yang kita pakai
saat ini. Hampir setiap peralatan Eletronika canggih seperti Handphone, Komputer,
Televisi, Kamera bahkan Lampu penerang LED juga merupakan hasil dari Teknologi
Semikonduktor. Komponen-komponen penting yang membentuk sebuah Peralatan
Elektronika seperti Transistor, Dioda dan Integrated Circuit (IC) adalah komponen
elektronika aktif yang terbuat bahan semikonduktor. Oleh karena itu, bahan
Semikonduktor memiliki pengaruh yang sangat besar terhadap perkembangan
Teknologi Elektronika. Bahan Semikonduktor (Semiconductor) adalah bahan
penghantar listrik yang tidak sebaik Konduktor (conductor) akan tetapi tidak pula
seburuk Insulator (Isolator) yang sama sekali tidak menghantarkan arus listrik. Pada
dasarnya, kemampuan menghantar listrik Semikonduktor berada diantara Konduktor
dan Insulator. Akan tetapi, Semikonduktor berbeda dengan Resistor, karena
Semikonduktor dapat dapat menghantarkan listrik atau berfungsi sebagai Konduktor
jika diberikan arus listrik tertentu, suhu tertentu dan juga tata cara atau persyaratan
tertentu.

Proses Doping pada Semikonduktor

Sebenarnya banyak bahan-bahan dasar yang dapat digolongkan sebagai bahan

Semikonduktor, tetapi yang paling sering digunakan untuk bahan dasar komponen
elektronika hanya beberapa jenis saja, bahan-bahan Semikonduktor tersebut
diantaranya adalah Silicon, Selenium, Germanium dan Metal Oxides. Untuk
memproses bahan-bahan Semikonduktor tersebut menjadi komponen elektronika,
perlu dilakukan proses Doping yaitu proses untuk menambahkan ketidakmurnian
(Impurity) pada Semikonduktor yang murni (semikonduktor Intrinsik) sehingga dapat
merubah sifat atau karakteristik kelistrikannya. Beberapa bahan yang digunakan
untuk menambahkan ketidakmurnian semikonduktor antara lain adalah Arsenic,
Indium dan Antimony. Bahan-bahan tersebut sering disebut dengan Dopant,
sedangkan Semikonduktor yang telah melalui proses Doping disebut dengan
Semikonduktor Ekstrinsik.

Tipe atau Jenis Semikonduktor

Semikonduktor yang telah dilalui proses Doping yaitu Semikonduktor yang Impurity
(ketidakmurnian) atau Semikonduktor Ekstrinsik yang siap menjadi Komponen
Elektronika dapat dibedakan menjadi 2 Jenis yaitu :
1. N-type Semikonduktor

Dikatakan N-type karena Semikonduktor jenis ini pembawa muatannya (Charge

Carrier) adalah terdiri dari Elektron. Elektron adalah bermuatan Negatif sehingga
disebut dengan Tipe Negatif atau N-type.
Pada Semikonduktor yang berbahan Silicon (Si), Proses Doping dengan
menambahkan Arsenic atau Antimony akan menjadikan Semikonduktor tersebut
sebagai N-type Semikonduktor.
Terdapat 2 (dua) pembawa muatan atau charge Carrier dalam N-type
Semikonduktor yakni Elektron sebagai Majority Carrier dan Hole sebagai Minority
Carrier.

2. P-Type Semikonduktor

Dikatakan P-type karena Semikonduktor jenis ini kekurangan Elektron atau disebut
dengan Hole. Ketika pembawa muatannya adalah Hole maka Semikonduktor
tersebut merupakan Semikonduktor bermuatan Positif.
Pada Semikonduktor yang berbahan Silicon (Si), Proses Doping dengan
menambahkan Indium akan menjadikan Semikondukter tersebut sebagai P-type
Semikonduktor.
2 (dua) pembawa muatan yang terdapat dalam P-type Semikonduktor adalah Hole
sebagai Majority Carrier dan Elektron sebagai Minority Carrier).

Komponen-komponen Elektronika Aktif yang bahan dasarnya terbuat dari

Semikonduktor diantaranya adalah :

Integrated Circuit

Transistor

Dioda

Komponen-komponen Elektronika yang terbuat dari Semikonduktor merupakan

komponen Elektronika yang sangat sensitif dengan ESD (Electro Static Discharge).
Oleh karena itu, perlu penanganan khusus dalam produksi terhadap Komponen-
komponen tersebut

KOMPONEN ELEKTRONIKA
Komponen elektronika berupa sebuah alat berupa benda yang menjadi
bagian pendukung suatu rangkaian elektronik yang dapat bekerja sesuai
dengan kegunaannya.
Mulai dari yang menempel langsung pada papan rangkaian baik berupa PCB,
CCB, Protoboard maupun Veroboard dengan cara disolder atau tidak
menempel langsung pada papan rangkaian (dengan alat penghubung lain,
misalnya kabel).
Dalam materi ini akan mempelajari tentang komponen elektronika baik yang
pasif maupun yang aktif. Komponen pasif yang akan dipelajari seperti resistor,
 kapasitor, induktor dan transformator. Sedangkan Komponen aktif yang akan
dipelajari seperti dioda, macam-macam Transistor, FET dan Thyristor.
Komponen elektronika ini terdiri dari satu atau lebih bahan elektronika, yang
terdiri dari satu atau beberapa unsur materi dan jika disatukan, untuk desain
rangkaian yang diinginkan dapat berfungsi sesuai dengan fungsi masing-
masing komponen, ada yang untuk mengatur arus dan tegangan, meratakan
arus, menyekat arus, memperkuat sinyal arus dan masih banyak fungsi
lainnya.
KOMPONEN ELEKTRONIKA

1. Resistor (Tahanan) : PASIF

2. Condensator
3. Capasitor : PASIF
4. Dioda
5. Transistor : PASIF
6. Induktor (Kumparan) : PASIF
7. Trafo
8. Speaker

I. RESISTOR (TAHANAN)
Resistor adalah komponen elektronik dua kutub yang didesain untuk
mengatur tegangan listrik dan arus listrik, dengan resistansi tertentu (tahanan)
dapat memproduksi tegangan listrik di antara kedua kutubnya, nilai tegangan
terhadap resistansi berbanding dengan arus yang mengalir, berdasarkan
hukum Ohm: V = IR atau I = V/R
Simbol yang digunakan adalah Ohm (simbol: ) merupakan satuan SI untuk
resistansi listrik, diambil dari nama Georg Ohm.
Satuan yang digunakan prefix :
Ohm =
Kilo Ohm = K
Mega Ohm = M
K = 1 000
M = 1 000 000

Jenis-jenis Resistor diantaranya adalah :

1. Resistor yang Nilainya Tetap

 2. Resistor yang Nilainya dapat diatur, Resistor Jenis ini sering disebut juga
dengan Variable Resistor ataupun Potensiometer.

3. Resistor yang Nilainya dapat berubah sesuai dengan intensitas cahaya,

Resistor jenis ini disebut dengan LDR atau Light Dependent Resistor

4. Resistor yang Nilainya dapat berubah sesuai dengan perubahan suhu,

Resistor jenis ini disebut dengan PTC (Positive Temperature Coefficient) dan
NTC (Negative Temperature Coefficient)

Gambar dan Simbol Resistor :

JENIS-JENIS RESISTOR
1. . RESISTOR TETAP / STATIS
Merupakan resistor yang memiliki nilai hambatan tetap.

Nilai dari resistor statis telah ditentukan pada waktu pembuatannya dengan di
wakili oleh cincin warna yang berjumlah 4 atau 5 buah.
Cincin-cincin ini sebagai kode nilai resistansi/ hambatan, jadi warna cincin-
cincin resistor akan berbeda pada tiap ukurannya.

Gambar-Gambar Resistor
KET. GAMBAR :
Kode warna pada Resistor menyatakan harga resistansi dan toleransinya.
Semakin kecil nilai toleransi suatu Resistor adalah semakin baik, karena
harga sebenarnya adalah harga yang tertera harga toleransinya.
Misalnya: suatu Resistor harga yang tertera = 100 Ohm mempunyai toleransi
5%, maka harga yang sebenarnya adalah 100 - (5%x100) s/d 100 +
(5%x100) = 95 Ohm s/d 105 Ohm.

Besarnya nilai resistansi suatu resistor dapat kita lihat dari gelang-gelang warna
yang terdapat pada badan resistor.

Jumlah gelang warna pada resistor berbeda-beda, mulai dari 4 gelang warna hingga
6 gelang warna. Semakin banyak gelang warna, maka nilai resistansi resistor
semakin akurat (semakin mendekati nilai yang sebenarnya).

Untuk resistor dengan 4 gelang warna, gelang pertama dan kedua menyatakan nilai
resistansi resistor, gelang ketiga menyatakan factor pengali, dan gelang keempat
menyatakan nilai toleransi. Contoh pembacaan nilai resistansi resistor :
Gelang ke-1 | Gelang ke-2 | Gelang ke-3 | Gelang ke-4
Warna Gelang Kuning Ungu Merah Perak
Nilai 4 7 100 10%

Pembacaan : 4700 toleransi 10% atau 4K7 10%

2. Resistor Variabel (Variable Resistor)

Adalah jenis resistor yang nilainya berubah- ubah sesuai rentang / range
jangkauan kemampuan resistor tersebut.

Bentuk atau jenis dari resistor variable ini juga sangat banyak misalnya
potensiometer dan trimpot.

Biasanya tujuan dari pengunaan variabel resistor ini sebagai pembagi tegangan
yang dapat kita atur misalnya, pengaturan volume amplifier analog dan sebagainya

Perbedaan Potensioner dengan Trimpot

Potensiometer merupakan variabel resistor yang memiliki poros untuk

melakukan pengaturan nilai resistansinya sedangkan trimpot tidak
memiliki poros sehingga untuk melakukan perubahan kita mengunakan
obeng.

3. Resistor Non Liner

Merupakan resistor yang nilai resistansi bergantung pada keadaan

sekitarnya, misalnya LDR (Light Dependent Resistor), PTC (Positive
Temperatur Coeficient), NTC (Negative Temperature Coeficient), dan lain
sebagainya.

LDR (Light Dependent Resistor)

Merupakan resistor yang nilai resistansi di pengaruhi besaran cahaya yang

berada disekitarnya. LDR banyak sekali kegunaanya semisal digunakan
lampu taman otomatis, robot line tracer dan lain-lain.

PTC ( Positive Temperature Coefisient )

PTC biasanya digunakan untuk sensor temperature.

PTC berfungsi sebagai tahanan atau resistansi (resistor) dimana nilai/ besar
tahanannya berubah sesuai perubahan suhu.

Disebut positif, karena nilai tahanannya akan naik jika temperatur naik, dan
turun jika temperatur turun.
 Prinsip Kerja PTC :

The PTC-elemen pemanas sensitif mengatur kekuatan sesuai dengan

temperatur yang diperlukan. Para input daya tergantung pada output
yang diminta panas.

Karena Perlawanan khusus suhu-karakteristik, ada suhu ada tambahan peraturan

atau perangkat keselamatan diperlukan sementara mencapai tinggi tingkat daya
panas ketika menggunakan area resistansi rendah.

NTC ( Negative Temperature Coefisient )

NTC memiliki karakteristik kebalikan PTC, tahanan NTC akan turun jika
temperature naik dan sebaliknya.Bagaimana NTC/PTC bisa berfungsi
sebagai sensor? Dari nilai tahanannya. Biasanya aplikasinya dengan
mengidentifikasikan arus yang mengalir melalui PTC. Jika PTC diberi
tegangan, maka akan mengalir arus. Jadi, besarnya arus ini akan berubah2
sesuai perubahan tahanan PTC. Arus ini kemudian diukur sebagai identifikasi
perubahan temperatur. Satuan dari PTC dan NTC sendiri adalah Kelvin (K).

Prinsip Kerja NTC:

Resistansi NTC thermis - diterima oleh seluruh partisipan berkurang

secara proporsional dengan peningkatan suhu.

Resistansi-temperatur thermistor hubungan dapat diperkirakan oleh

karakteristik.

II. Kapasitor (Capacitor)

Kapasitor atau disebut juga dengan Kondensator adalah Komponen Elektronika

Pasif yang dapat menyimpan energi atau muatan listrik dalam sementara waktu.
Fungsi-fungsi Kapasitor (Kondensator) diantaranya adalah dapat memilih
gelombang radio pada rangkaian Tuner, sebagai perata arus pada rectifier dan juga
sebagai Filter di dalam Rangkaian Power Supply (Catu Daya). Satuan nilai untuk
Kapasitor (Kondensator) adalah Farad (F)
Jenis-jenis Kapasitor diantaranya adalah :

1. Kapasitor yang nilainya Tetap dan tidak ber-polaritas. Jika didasarkan pada
bahan pembuatannya maka Kapasitor yang nilainya tetap terdiri dari
Kapasitor Kertas, Kapasitor Mika, Kapasitor Polyster dan Kapasitor Keramik.

2. Kapasitor yang nilainya Tetap tetapi memiliki Polaritas Positif dan Negatif,
Kapasitor tersebut adalah Kapasitor Elektrolit atau Electrolyte Condensator
(ELCO) dan Kapasitor Tantalum
 3. Kapasitor yang nilainya dapat diatur, Kapasitor jenis ini sering disebut dengan
Variable Capasitor.

Gambar dan Simbol Kapasitor :

Kapasitansi
didefinisikan
sebagai
kemampuan dari
suatu kapasitor
untuk dapat
menampung
muatan elektron.

Untuk menghitung besarnya kapasitansi dalam kapasitor dapat menggunakan

rumus: Q = CV (C).

Dimana :

Q = muatan elektron dalam C (coulombs);

C = nilai kapasitansi dalam F (farads);

V = besar tegangan dalam V (volt).

Dalam praktek pembuatan kapasitor, Dengan rumus sebagai berikut:

C = (8.85 x 10-12) (k A/t)

Dimana :

Luas area plat metal (A);

Jarak (t) antara kedua plat metal (tebal dielektrik);

konstanta (k) bahan dielektrik.

Tipe-Tipe Kapasitor

Ada tiga tipe kapasitor yg dapat dilihat dari bahan dielektriknya, antara lain :

1. Kapasitor electrostatic;

Kapasitor electrostatic adalah kelompok kapasitor yang dibuat dengan

bahan dielektrik dari keramik, film dan mika.

Umumnya kapasitor kelompok ini adalah non-polar.

2. Kapasitor Electrolytic
 Kelompok kapasitor electrolytic terdiri dari kapasitor-kapasitor yang
bahan dielektriknya adalah lapisan metal-oksida.

Umumnya kapasitor yang termasuk kelompok ini adalah kapasitor

polar dengan tanda + dan - di badannya.

Contoh : tantalum, aluminium, magnesium, titanium, niobium,

zirconium dan seng (zinc).

3. Kapasitor Electrochemical

Satu jenis kapasitor lain adalah kapasitor electrochemical.

Termasuk kapasitor jenis ini adalah batere dan accu.

III. Dioda (Diode)

Diode adalah Komponen Elektronika Aktif yang berfungsi untuk menghantarkan arus
listrik ke satu arah dan menghambat arus listrik dari arah sebaliknya. Diode terdiri
dari 2 Elektroda yaitu Anoda dan Katoda.
Berdasarkan Fungsi Dioda terdiri dari :

1. Dioda Biasa atau Dioda Penyearah yang umumnya terbuat dari Silikon dan
berfungsi sebagai penyearah arus bolak balik (AC) ke arus searah (DC).

2. Dioda Zener (Zener Diode) yang berfungsi sebagai pengamanan rangkaian

setelah tegangan yang ditentukan oleh Dioda Zener yang bersangkutan.
Tegangan tersebut sering disebut dengan Tegangan Zener.

3. LED (Light Emitting Diode) atau Diode Emisi Cahaya yaitu Dioda yang dapat
memancarkan cahaya monokromatik.

4. Dioda Foto (Photo Diode) yaitu Dioda yang peka dengan cahaya sehingga
sering digunakan sebagai Sensor.

5. Dioda Schottky (SCR atau Silicon Control Rectifier) adalah Dioda yang
berfungsi sebagai pengendali .

6. Dioda Laser (Laser Diode) yaitu Dioda yang dapat memancar cahaya Laser.
Dioda Laser sering disingkat dengan LD.

Gambar dan Simbol Dioda:

 Kurva karakteristik statik dioda

merupakan fungsi dari arus ID, arus yang melalui dioda, terhadap tegangan
VD, beda tegang antara titik a dan b (lihat gambar 1 dan gambar 2)

IV. Transistor

Transistor merupakan Komponen Elektronika Aktif yang memiliki banyak fungsi dan
merupakan Komponen yang memegang peranan yang sangat penting dalam dunia
Elektronik modern ini. Beberapa fungsi Transistor diantaranya adalah sebagai
Penguat arus, sebagai Switch (Pemutus dan penghubung), Stabilitasi Tegangan,
Modulasi Sinyal, Penyearah dan lain sebagainya. Transistor terdiri dari 3 Terminal
(kaki) yaitu Base/Basis (B), Emitor (E) dan Collector/Kolektor (K). Berdasarkan
strukturnya, Transistor terdiri dari 2 Tipe Struktur yaitu PNP dan NPN. UJT (Uni
Junction Transistor), FET (Field Effect Transistor) dan MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor FET) juga merupakan keluarga dari Transistor.

Gambar dan Simbol Transistor :

 Jenis-Jenis Transistor

Secara umum, transistor dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:

Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide;

Kemasan fisik: Through Hole Metal, Through Hole Plastic, Surface

Mount, IC, dan lain-lain;

Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET,

VMOSFET, MESFET, HEMT, dan lain-lain;

Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau Pchannel;

Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power;

Maximum frekuensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF

transistor, Microwave, dan lain-lain;

Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi,

dan lain-lain.

Simbol Transistor Dari Berbagai Tipe\

Transistor Bipolar/Bipolar Junction Transistor

Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya

menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk
membawa arus listrik.

Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas
dinamakan depletion zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan
kecepatan tinggi dengan tujuan untuk mengatur aliran arus utama tersebut.

Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif
atau negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal
tersebut adalah emiter (E), kolektor (C), dan basis (B).

FET (Field-Effect Transistor)

FET (juga dinamakan transistor unipolar) hanya menggunakan satu jenis

pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET).
 Dalam FET, arus listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit
dengan depletion zone di kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor
bipolar dimana daerah Basis memotong arah arus listrik utama). Dan
ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat dirubah dengan perubahan
tegangan yang diberikan, untuk merubah ketebalan kanal konduksi tersebut.

FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate
FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau
Semiconductor) FET (MOSFET).

V. Induktor (Inductor)

Induktor atau disebut juga dengan Coil (Kumparan) adalah Komponen Elektronika
Pasif yang berfungsi sebagai Pengatur Frekuensi, Filter dan juga sebagai alat kopel
(Penyambung). Induktor atau Coil banyak ditemukan pada Peralatan atau
Rangkaian Elektronika yang berkaitan dengan Frekuensi seperti Tuner untuk
pesawat Radio. Satuan Induktansi untuk Induktor adalah Henry (H).
Jenis-jenis Induktor diantaranya adalah :

1. Induktor yang nilainya tetap

2. Induktor yang nilainya dapat diatur atau sering disebut dengan Coil Variable.

Gambar dan Simbol Induktor :

Rumus untuk menentukan induksi sendiri dari sebuah induktor gulungan

tunggal ialah:

L = 4 x x r x (2xr/d + 0,33) 10-9 x n

Dimana :

L = Induksi sendiri dalam satuan Henry (H)

r = jari-jari koker lilitan

d = diameter tebal kawat (dalam cm)

n = jumlah lilitan
 VI. . TRANSFORMATOR (TRAFO)

Transformator (trafo) ialah alat listrik/elektronika yang berfungsi memindahkan

tenaga (daya) listrik dari input Ke output atau dari sisi primer ke sisi sekunder.

Pemindahan daya listrik dari primer ke sekunder disertai dengan perubahan

tegangan baik naik maupun turun.

Jenis-Jenis Trafo

Ada dua jenis trafo yaitu:

1. Trafo Penaik Tegangan (Stepup Transformer)

Jika tegangan primer lebih kecil dari tegangan sekunder.

2. Trafo Penurun Tegangan (Stepdown Transformer)

Tetapi jika tegangan primer lebih besar dari tegangan sekunder.

Contoh trafo untuk frekuensi tinggi yaitu trafo osilator, trafo frekuensi
menengah (IF), trafo spull antena (tuner). Sedangkan trafo yang dipakai untuk
frekuensi rendah yaitu trafo input, trafo output, trafo filter (choke).

Besarnya daya pada lilitan primer sama dengan daya yang diberikan pada
lilitan sekunder. Jadi : Pp = Ps atau Up.Ip = Us.Is

Dimana:

1. Pp = Daya primer dalam watt

2. Ps = Daya sekunder dalam watt

3. Up = Tegangan primer dalam volt

4. Us = Tegangan sekunder dalam volt

5. Ip = Arus primer dalam amper

6. Is = Arus sekunder dalam amper

VII. IC (Integrated Circuit)

IC (Integrated Circuit) adalah Komponen Elektronika Aktif yang terdiri dari
gabungan ratusan bahkan jutaan Transistor, Resistor dan komponen lainnya
yang diintegrasi menjadi sebuah Rangkaian Elektronika dalam sebuah
kemasan kecil. Bentuk IC (Integrated Circuit) juga bermacam-macam, mulai
 dari yang berkaki 3 (tiga) hingga ratusan kaki (terminal). Fungsi IC juga
beraneka ragam, mulai dari penguat, Switching, pengontrol hingga media
penyimpanan. Pada umumnya, IC adalah Komponen Elektronika
dipergunakan sebagai Otak dalam sebuah Peralatan Elektronika. IC
merupakan komponen Semi konduktor yang sangat sensitif terhadap ESD
(Electro Static Discharge).
Sebagai Contoh, IC yang berfungsi sebagai Otak pada sebuah Komputer
yang disebut sebagai Microprocessor terdiri dari 16 juta Transistor dan jumlah
tersebut belum lagi termasuk komponen-komponen Elektronika lainnya.
Gambar dan Simbol IC (Integrated Circuit) :

BAB 3
 Diode sebagai rangkaian pemotong, penjepit, diode zener

Dioda pada umumnya merupakan komponen elektronika yang berfungsi sebagai

penyearah (rectifier) untuk mengubah tegangan bolak-balik (AC) menjadi tegangan
searah (DC). Dioda menjadi sangat penting karena hampir semua peralatan
elektronika memerlukan sumber arus searah (DC). Kata dioda berasal dari
pendekatan kata yaitu dua elektroda yang mana (di berarti dua) mempunyai dua
buah elektroda yaitu anoda dan katoda. Anoda digunakan untuk polaritas positif dan
katoda untuk polaritas negatif.

A. Pengertian Dioda
Dioda merupakan komponen semikonduktor yang paling sederhana. Kata dioda
berasal dari pendekatan kata yaitu dua elektroda yang mana (di berarti dua)
mempunyai dua buah elektroda yaitu anoda dan katoda.
Dioda adalah piranti elektronik yang hanya dapat melewatkan arus/tegangan
dalam satu arah saja, dimana dioda merupakan jenis vacuum tube yang memiliki
dua buah elektroda (terminal). Karena itu, dioda dapat dimanfaatkan sebagai
penyearah arus listrik, yaitu piranti elektronik yang mengubah arus atau tegangan
bolak-balik (AC) menjadi arus atau tegangan searah (DC). Dioda jenis vacuum tube
pertama kali diciptakan oleh seorang ilmuwan dari Inggris yang bernama Sir J.A.
Fleming (1849-1945) pada tahun 1904.
Dioda terbentuk dari bahan semikonduktor tipe P dan N yang digabungkan.
Dengan demikian dioda sering disebut PN junction. Dioda adalah gabungan bahan
semikonduktor tipe N yang merupakan bahan dengan kelebihan elektron dan tipe P
adalah kekurangan satu elektron sehingga membentuk Hole. Hole dalam hal ini
berfungsi sebagai pembawa muatan. Apabila kutub P pada dioda (anoda)
dihubungkan dengan kutub positif sumber maka akan terjadi pengaliran arus listrik
dimana elektron bebas pada sisi N (katoda) akan berpindah mengisi hole sehingga
terjadi pengaliran arus. Sebaliknya apabila sisi P dihubungkan dengan negatif
baterai/sumber, maka elektron akan berpindah ke arah terminal positif sumber.
Didalam dioda tidak akan terjadi perpindahan elektron.

Gbr. 1 Simbol Dioda

Gbr. 2 Kontruksi Dioda

Gbr. 3 Fisik Dioda
Sisi Positif (P) disebut Anoda dan sisi Negatif (N) disebut Katoda. Lambang dioda
seperti anak panah yang arahnya dari sisi P ke sisi N. Karenanya ini mengingatkan
kita pada arus konvensional dimana arus mudah mengalir dari sisi P ke sisi N.

B. Prinsip Kerja Dioda

Hampir semua peralatan elektronika memerlukan sumber arus searah. Penyearah
digunakan untuk mendapatkan arus searah dari suatu arus bolak-balik. Arus atau
tegangan tersebut harus benar-benar rata tidak boleh berdenyut-denyut agar tidak
menimbulkan gangguan bagi peralatan yang dicatu.
Dioda semikonduktor hanya dapat melewatkan arus pada satu arah saja, yaitu
pada saat dioda memperoleh catu arah/bias maju (forward bias). Karena di dalam
dioda terdapat junction (pertemuan) dimana daerah semikonduktor type-p dan semi
konduktor type-n bertemu. Pada kondisi ini dioda dikatakan bahwa dioda dalam
keadaan konduksi atau menghantar dan mempunyai tahanan dalam dioda relative
kecil. Sedangkan bila dioda diberi catu arah/bias mundur (Reverse bias) maka dioda
tidak bekerja dan pada kondisi ini dioda mempunyai tahanan dalam yang tinggi
sehingga arus sulit mengalir. Apabila dioda silicon dialiri arus AC, maka yang
mangalir hanya satu arah saja sehingga arus output dioda berupa arus DC. Dari
kondisi tersebut maka dioda hanya digunakan pada beberapa pemakaian saja
antara lain sebagai penyearah setengah gelombang (Half Wave Rectifier),
penyearah gelombang penuh (Full Wave Rectifier), rangkaian pemotong (Clipper),
rangkaian penjepit (Clamper) maupun pengganda tegangan (Voltage Multiplier).

Untuk dapat memahami bagaimana cara kerja dioda kita dapat meninjau 3 situasi
sebagai berikut ini yaitu :
1) Dioda Diberi Tegangan Nol

Gbr. 4 Dioda Diberi Tegangan Nol

Ketika dioda diberi tegangan nol maka tidak ada medan listrik yang menarik
elektron dari katoda. Elektron yang mengalami pemanasan pada katoda hanya
mampu melompat sampai pada posisi yang tidak begitu jauh dari katoda dan
membentuk muatan ruang (Space Charge). Tidak mampunya elektron melompat
menuju katoda disebabkan karena energi yang diberikan pada elektron melalui
pemanasan oleh heater belum cukup untuk menggerakkan elektron menjangkau
plate.
2) Dioda Diberi Tegangan Negatif (Reverse Bias)

Gbr. 5 Dioda Diberi Tegangan Negatif

Ketika dioda diberi tegangan negatif maka potensial negatif yang ada pada plate
akan menolak elektron yang sudah membentuk muatan ruang sehingga elektron
tersebut tidak akan dapat menjangkau plate sebaliknya akan terdorong kembali ke
katoda, sehingga tidak akan ada arus yang mengalir.
3) Dioda Diberi Tegangan Positif (Forward Bias)

Gbr. 6 Dioda Diberi Tegangan Positif

Ketika dioda diberi tegangan positif maka potensial positif yang ada pada plate
akan menarik elektron yang baru saja terlepas dari katoda oleh karena emisi
thermionic, pada situasi inilah arus listrik baru akan terjadi. Seberapa besar arus
listrik yang akan mengalir tergantung daripada besarnya tegangan positif yang
dikenakan pada plate. Semakin besar tegangan plate akan semakin besar pula arus
listrik yang akan mengalir.
Oleh karena sifat dioda yang seperti ini yaitu hanya dapat mengalirkan arus listrik
pada situasi tegangan tertentu saja, maka dioda dapat digunakan sebagai
penyearah arus listrik (rectifier). Pada kenyataannya memang dioda banyak
digunakan sebagai penyearah tegangan AC menjadi tegangan DC.

C. Karakteristik Dioda
Dioda sebagai salah satu komponen aktif sangat popular digunakan dalam
rangkaian elektronika, karena bentuknya sederhana dan penggunaannya sangat
luas. Ada beberapa macam rangkaian dioda, diantaranya : penyearah setengah
gelombang (Half-Wave Rectifier), penyearah gelombang penuh (Full-Wave
Rectifier), rangkaian pemotong (Clipper), rangkaian penjepit (Clamper) maupun
pengganda tegangan (Voltage Multiplier).
Dioda terbagi atas beberapa jenis antara lain :
 Dioda germanium
Dioda silikon
Dioda selenium
Dioda zener
Dioda cahaya (LED)
Dioda termasuk komponen elektronika yang terbuat dari bahan semikonduktor.
Beranjak dari penemuan dioda, para ahli menemukan juga komponen turunan
lainnya yang unik. Dioda memiliki fungsi yang unik yaitu hanya dapat mengalirkan
arus satu arah saja. Struktur dioda tidak lain adalah sambungan semikonduktor P
dan N. Satu sisi adalah semikonduktor dengan tipe P dan satu sisinya yang lain
adalah tipe N. Dengan struktur demikian arus hanya akan dapat mengalir dari sisi P
menuju sisi N.
Karakteristik dasar dioda dikenal dengan karakteristik V-I. Karakterisik ini penting
untuk dipahami agar tidak terjadi kesalahan dalam aplikasi dioda. Dalam
karakteristik ini dapat diketahui keadaan-keadaan yang terjadi pada dioda ketika
mendapat tegangan bias maju dan tegangan bias mundur.

Gbr. 7 Karakteristik dioda ( karakteristik V-I )

Jika kedua terminal dioda disambungkan ke sumber tegangan dimana tegangan

anoda lebih positif dibandingkan dengan tegangan katoda, maka dioda dikatakan
dalam keadaan bias maju. Sebaliknya, bila tegangan anoda lebih negatif dari
katoda, dioda dikatakan dalam keadaan bias mundur

KARAKTERISTIK DIODA SEMIKONDUKTOR

1. Dioda Semikonduktor

Dioda semikonduktor dibentuk dengan cara menyambungkan semikonduktor

type p dan type n. Pada saat terjadinya sambungan (junction) p dan n, hole-hole
pada bahan p dan elektron-elektron pada bahan n disekitar sambungan cenderung
untuk berkombinasi. Hole dan electron yang berkombinasi ini saling meniadakan,
sehingga pada daerah sekitar sambungan ini kosong dari pembawa muatan dan
terbentuk daerah pengosongan (depletion region).
Gambar 34. Struktur Dioda Semikonduktor. (a) Pembentukan Sambungan; (b)
Daerah Pengosongan; (c) Simbol Dioda

Oleh karena itu pada sisi p tinggal ion-ion akseptor yang bermuatan negatip
dan pada sisi n tinggal ion-ion donor yang bermuatan positip. Namun proses ini tidak
berlangsung terus, karena potensial dari ion-ion positip dan negatip ini akan
mengahalanginya. Tegangan atau potensial ekivalen pada daerah pengosongan ini
disebut dengan tegangan penghalang (barrier potential). Besarnya tegangan
penghalang ini adalah 0.2 untuk germanium dan 0.6 untuk silikon. Lihat Gambar 34.

2. Bias Mundur (Reverse Bias)

Bias mundur adalah pemberian tegangan negatip baterai ke terminal anoda
(A) dan tegangan positip ke terminal katoda (K) dari suatu dioda. Dengan kata lain,
tegangan anoda katoda VA-K adalah negatip (VAK < 0). Gambar 35 menunjukkan
dioda diberi bias mundur.

Gambar 35. Dioda Diberi Bias Mundur

Karena pada ujung anoda (A) yang berupa bahan tipe p diberi tegangan
negatip, maka hole-hole (pembawa mayoritas) akan tertarik ke kutup negatip baterai
menjauhi persambungan. Demikian juga karena pada ujung katoda (K) yang berupa
bahan tipe n diberi tegangan positip, maka elektron-elektron (pembawa mayoritas)
akan tertarik ke kutup positip baterai menjauhi persambungan. Sehingga daerah
pengosongan semakin lebar, dan arus yang disebabkan oleh pembawa mayoritas
tidak ada yang mengalir.
 Sedangkan pembawa minoritas yang berupa elektron (pada bahan tipe p) dan
hole (pada bahan tipe n) akan berkombinasi sehingga mengalir arus jenuh mundur
(reverse saturation current) atau Is. Arus ini dikatakan jenuh karena dengan cepat
mencapai harga maksimum tanpa dipengaruhi besarnya tegangan baterai. Besarnya
arus ini dipengaruhi oleh temperatur. Makin tinggi temperatur, makin besar harga Is.
Pada suhu ruang, besarnya Is ini dalam skala mikro-amper untuk dioda germanium,
dan dalam skala nano-amper untuk dioda silikon.

3. Bias Maju (Foward Bias)

Apabila tegangan positip baterai dihubungkan ke terminal Anoda (A) dan
negatipnya ke terminal katoda (K), maka dioda disebut mendapatkan bias maju
(foward bias). Dengan demikian VA-K adalah positip atau VA-K > 0. Gambar 36
menunjukan dioda diberi bias maju. Dengan pemberian polaritas tegangan seperti
pada Gambar 36, yakni VA-K positip, maka pembawa mayoritas dari bahan tipe p
(hole) akan tertarik oleh kutup negatip baterai melewati persambungan dan
berkombinasi dengan elektron (pembawa mayoritas bahan tipe n).
Demikian juga elektronnya akan tertarik oleh kutup positip baterai untuk
melewati persambungan. Oleh karena itu daerah pengosongan terlihat semakin
menyempit pada saat dioda diberi bias maju. Dan arus diode yang disebabkan oleh
pembawa mayoritas akan mengalir, yaitu ID.

Gambar 36. Dioda Diberi Bias Maju

Sedangkan pembawa minoritas dari bahan tipe p (elektron) dan dari bahan
tipe n (hole) akan berkombinasi dan menghasilkan Is. Arah Is dan ID adalah
berlawanan. Namun karena Is jauh lebih kecil dari pada ID, maka secara praktis
besarnya arus yang mengalir pada dioda ditentukan oleh ID.

4. Kurva Karakteristik Dioda

Hubungan antara besarnya arus yang mengalir melalui diode dengan
tegangan VA-K dapat dilihat pada kurva karakteristik diode (Gambar 37). Gambar 37
menunjukan dua macam kurva, yakni dioda germanium (Ge) dan dioda silikon (Si).
Pada saat dioda diberi bias maju, yakni bila VA-K positip, maka arus ID akan naik
dengan cepat setelah VA-K mencapai tegangan cut-in (Vg). Tegangan cut-in (Vg) ini
kira-kira sebesar 0.2 Volt untuk dioda germanium dan 0.6 Volt untuk dioda silikon.
Dengan pemberian tegangan baterai sebesar ini, maka potensial penghalang
(barrier potential) pada persambungan akan teratasi, sehingga arus diode mulai
mengalir dengan cepat.
Gambar 37. Kurva Karakteristik Dioda

Bagian kiri bawah dari grafik pada Gambar 37 merupakan kurva karakteristik
dioda saat mendapatkan bias mundur. Disini juga terdapat dua kurva, yaitu untuk
dioda germanium dan silikon. Besarnya arus jenuh mundur (reverse saturation
current) Is untuk dioda germanium adalah dalam orde mikro amper dalam contoh ini
adalah 1 mA. Sedangkan untuk dioda silikon Is adalah dalam orde nano amper
dalam hal ini adalah 10 nA.
Apabila tegangan VA-K yang berpolaritas negatip tersebut dinaikkan terus,
maka suatu saat akan mencapai tegangan patah (breakdown) dimana arus Is akan
naik dengan tiba-tiba. Pada saat mencapai tegangan break-down ini, pembawa
minoritas dipercepat hingga mencapai kecepatan yang cukup tinggi untuk
mengeluarkan elektron valensi dari atom. Kemudian elektron ini juga dipercepat
untuk membebaskan yang lainnya sehingga arusnya semakin besar. Pada dioda
biasa pencapaian tegangan break-down ini selalu dihindari karena dioda bisa rusak.
Hubungan arus dioda (ID) dengan tegangan dioda (VD) dapat dinyatakan
dalam persamaan matematis yang dikembangkan oleh W. Shockley, yaitu:

ID=Is [ e ]
VD
( n VT )1 .

Dimana: ID = arus dioda (amper);

Is = arus jenuh mundur (amper);
e = bilangan natural, 2.71828... ;
VD = beda tegangan pada dioda (volt);
n = konstanta, 1 untuk Ge; dan 2 untuk Si;
VT = tegangan ekivalen temperatur (volt).

Harga Is suatu dioda dipengaruhi oleh temperatur, tingkat doping dan

geometri dioda. Dan konstanta n tergantung pada sifat konstruksi dan parameter
kT
VT=
fisik dioda. Sedangkan harga VT ditentukan dengan persamaan: q

.Satuannya dalam mV.

Dimana : k = konstanta Boltzmann, 1.381 x 10-23 J/K (J/K artinya joule per
derajat kelvin);
T = temperatur mutlak (kelvin);
q = muatan sebuah electron, 1.602 x 10-19 C.

Contoh Soal :
1 Pada temperatur ruang, 25oC, memiliki temperature mutlaknnya (T) = 273 + 25 =
298 K, dimana k = 1.381 x 10-23 J/K dan q = 1.602 x 10-19 C, maka hitunglah
besarnya VT yaitu:
Jawab :
kT
VT=
q

(1.381 x 1023 J / K )(298 K)

VT=
1.602 x 1019 C

VT=0.02569 J /C
VT=26 mV

Sebagaimana telah disebutkan bahwa arus jenuh mundur, Is, dipengaruhi

oleh beberapa faktor seperti: doping, persambungan, dan temperatur. Namun
karena dalam pemakaian suatu komponen dioda, faktor doping dan persambungan
adalah tetap, maka yang perlu mendapat perhatian serius adalah pengaruh
temperatur.

PENGGUNAAN DIODA SEMIKONDUKTOR

1. Penyearah Setengah Gelombang

Dioda semikonduktor banyak digunakan sebagai penyearah. Penyearah yang
paling sederhana adalah penyearah setengah gelombang, yaitu yang terdiri dari
sebuah dioda. Melihat dari namanya, maka hanya setengah gelombang saja yang
akan disearahkan. Gambar 13 menunjukkan rangkaian penyearah setengah
gelombang.
Rangkaian penyearah setengah gelombang mendapat masukan dari skunder
vi=V m sin t
trafo yang berupa sinyal ac berbentuk sinus, (Gambar 13 (b)). Dari
persamaan tersebut, Vm merupakan tegangan puncak atau tegangan maksimum.
Harga Vm ini hanya bisa diukur dengan CRO yakni dengan melihat langsung pada
gelombangnya. Sedangkan pada umumnya harga yang tercantum pada skunder
trafo adalah tegangan efektif. Tegangan (arus) efektif atau rms (root-mean-square)
adalah tegangan (arus) yang terukur oleh voltmeter (amper-meter). Karena harga
Vm pada umumnya jauh lebih besar dari pada Vg (tegangan cut-in dioda), maka
pada pembahasan penyearah ini Vg diabaikan.
Prinsip kerja penyearah setengah gelombang adalah bahwa pada saat sinyal
input berupa siklus positip maka dioda mendapat bias maju sehingga arus (i)
mengalir ke beban (RL), dan sebaliknya bila sinyal input berupa siklus negatip maka
dioda mendapat bias mundur sehingga tidak mengalir arus. Bentuk gelombang
tegangan input (vi) ditunjukkan pada (b) dan arus beban (i) pada (c) dari Gambar 38.
Gambar 38. Penyearah Setengah Gelombang (a) Rangkaian; (b) Tegangan Skunder
Trafo; (c) Arus Beban

Arus dioda yang mengalir melalui beban RL (i) dinyatakan dengan :

i=I m sin t , jika 0 wt p (siklus positip)

i=0, jika p wt 2p (siklus negatip)

Vm
Dimana: I m=
Rf + RL

Resistansi dioda pada saat ON (mendapat bias maju) adalah Rf, yang
umumnya nilainya lebih kecil dari RL. Pada saat dioda OFF (mendapat bias mundur)
resistansinya besar sekali atau dalam pembahasan ini dianggap tidak terhigga,
sehingga arus dioda tidak mengalir atau i = 0.
Arus yang mengalir ke beban (i) terlihat pada Gambar (c) bentuknya sudah searah
(satu arah) yaitu positip semua. Apabila arah dioda dibalik, maka arus yang mengalir
adalah negatip. Frekuensi sinyal keluaran dari penyearah setengah gelombang ini
adalah sama dengan frekuensi input (dari jala-jala listrik) yaitu 50 Hz. Karena jarak
dari puncak satu ke puncak berikutnya adalah sama.
Bila diperhatikan meskipun sinyal keluaran masih berbentuk gelombang,
namun arah gelombangnya adalah sama, yaitu positip (Gambar c). Berarti harga
rata-ratanya tidak lagi nol seperti halnya arus bolak-balik, namun ada suatu harga
2
1
tertentu. Arus rata-rata ini (Idc) secara matematis bisa dinyatakan: I dc= 2 0
dt

.

1
Untuk penyearah setengah gelombang diperoleh: I dc= I m sin t dt ,
2 0

Im
sehingga: I dc= 0.318 I m .

Tegangan keluaran (dc) yang berupa turun tegangan dc pada beban adalah:
I m RL
V dc =I dc R L
, sehingga: V dc = .

Apabila harga Rf jauh lebih kecil dari RL, yang berarti Rf bisa diabaikan,
Vm
V m=I m R L V = 0.318V m .
maka: , Sehingga: dc

Apabila penyearah bekerja pada tegangan Vm yang kecil, untuk memperoleh
hasil yang lebih teliti, maka tegangan cut-in dioda (Vg) perlu dipertimbangkan, yaitu:
V dc = V V
0.318 ( m .
Dalam perencanaan rangkaian penyearah yang juga penting untuk diketahui
adalah berapa tegangan maksimum yang boleh diberikan pada dioda. Tegangan
maksimum yang harus ditahan oleh dioda ini sering disebut dengan istilah PIV
(peak-inverse voltage) atau tegangan puncak balik. Hal ini karena pada saat dioda
mendapat bias mundur (balik) maka tidak arus yang mengalir dan semua tegangan
dari skunder trafo berada pada dioda. Bentuk gelombang dari sinyal pada dioda
dapat dilihat pada Gambar 39. PIV untuk penyearah setengah gelombang ini adalah:
PIV = Vm.

Gambar 39. Bentuk Gelombang Sinyal pada Dioda

Bentuk gelombang sinyal pada dioda seperti Gambar 39 dengan anggapan

bahwa Rf dioda diabaikan, karena nilainya kecil sekali dibanding RL. Sehingga pada
saat siklus positip dimana dioda sedang ON (mendapat bias maju), terlihat turun
tegangannya adalah nol.
Sedangkan saat siklus negatip, dioda sedang OFF (mendapat bias mundur)
sehingga tegangan puncak dari skunder trafo (Vm) semuanya berada pada dioda.

2 Penyearah Gelombang Penuh Dengan Trafo CT

Rangkaian penyearah gelombang penuh ada dua macam, yaitu dengan
menggunakan trafo CT (center-tap = tap tengah) dan dengan Terminal skunder dari
Trafo CT mengeluarkan dua buah tegangan keluaran yang sama tetapi fasanya
berlawanan dengan titik CT sebagai titik tengahnya. Kedua keluaran ini masing-
masing dihubungkan ke D1 dan D2, sehingga saat D1 mendapat sinyal siklus positip
maka D1 mendapat sinyal siklus negatip, dan sebaliknya. Dengan demikian D 1 dan
D2 hidupnya bergantian. Namun karena arus i1 dan i2 melewati tahanan beban (RL)
dengan arah yang sama, maka iL menjadi satu arah (15 c).

Gambar 40. (a) Rangkaian Penyearah Gelombang Penuh dengan Trafo CT; (b)
Sinyal Input; (c) Arus Dioda dan Arus Beban

Terlihat dengan jelas bahwa rangkaian penyearah gelombang penuh ini

merupakan gabungan dua buah penyearah setengah gelombang yang hidupnya
bergantian setiap setengah siklus. Sehingga arus maupun tegangan rata-ratanya
adalah dua kali dari penyearah setengah gelombang. Dengan cara penurunan yang
2Im
sama, maka diperoleh: I dc= . Apabila harga Rf jauh lebih kecil dari RL, maka

2Vm
Rf bisa diabaikan, sehingga: V dc = 0.636 V m . Apabila penyearah bekerja

pada tegangan Vm yang kecil, untuk memperoleh hasil yang lebih teliti, maka
V dc =0.636 ( V m V )
tegangan cut-in dioda (Vg) perlu dipertimbangkan, yaitu: 0. .
Tegangan puncak inverse yang dirasakan oleh dioda adalah sebesar 2Vm.
Misalnya pada saat siklus positip, dimana D1 sedang hidup (ON) dan D2 sedang mati
(OFF), maka jumlah tegangan yang berada pada dioda D2 yang sedang OFF
tersebut adalah dua kali dari tegangan skunder trafo. Sehingga PIV untuk masing-
PIV =2 V m
masing dioda dalam rangkaian penyearah dengan trafo CT adalah: .

3 Penyearah Gelombang Penuh Sistem Jembatan

Penyearah gelombang penuh dengan sistem jembatan ini bias menggunakan
sembarang trafo baik yang CT maupun yang biasa, atau bahkan bisa juga tanpa
menggunakan trafo. rangkaian dasarnya adalah seperti pada Gambar 41.
 Gambar 41. Penyearah Gelombang Penuh dengan Jembatan : (a) Rangkaian
Dasar; (b) Saat Siklus Positif; (c) Saat Siklus Negatif; (d) Arus Beban

Prinsip kerja rangkaian penyearah gelombang penuh system jembatan dapat

dijelaskan melalui Gambar 41. Pada saat rangkaian jembatan mendapatkan bagian
positip dari siklus sinyal ac, maka (Gambar 41 b):
- D1 dan D3 hidup (ON), karena mendapat bias maju
- D2 dan D4 mati (OFF), karena mendapat bias mundur
Sehingga arus i1 mengalir melalui D1, RL, dan D3. Sedangkan apabila
jembatan memperoleh bagian siklus negatip, maka (Gambar 41 c):
- D2 dan D4 hidup (ON), karena mendapat bias maju
- D1 dan D3 mati (OFF), karena mendapat bias mundur
Sehingga arus i2 mengalir melalui D2, RL, dan D4. Arah arus i 1 dan i2 yang
melewati RL sebagaimana terlihat pada Gambar 41 b dan 41 c adalah sama, yaitu
dari ujung atas RL menuju ground. Dengan demikian arus yang mengalir ke beban
(iL) merupakan penjumlahan dari dua arus i 1 dan i2, dengan menempati paruh waktu
masing-masing (Gambar 16 d).
Besarnya arus rata-rata pada beban adalah sama seperti penyearah
2Im
gelombang penuh dengan trafo CT, yaitu: I dc= p =0.6361 I m .

Untuk harga Vdc dengan memperhitungkan harga Vg adalah:

V dc =0.636 ( V m 2V )
Dimana : Harga 2Vg ini diperoleh karena pada setiap siklus
terdapat dua buah diode yang berhubungan secara seri. Disamping harga 2Vg ini,
perbedaan lainnya dibanding dengan trafo CT adalah harga PIV. Pada penyearah
gelombang penuh dengan system jembatan ini PIV masing-masing dioda adalah:
PIV =V m
.
4 Dioda Semikonduktor Sebagai Pemotong (clipper)
Rangkaian clipper (pemotong) digunakan untuk memotong atau
menghilangkan sebagian sinyal masukan yang berada di bawah atau di atas level
tertentu. Contoh sederhana dari rangkaian clipper adalah penyearah setengah
gelombang. Rangkaian ini memotong atau menghilangkan sebagian sinyal masukan
di atas atau di bawah level nol. Secara umum rangkaian clipper dapat digolongkan
menjadi dua, yaitu: seri dan paralel. Rangkaian clipper seri berarti diodanya
berhubungan secara seri dengan beban, sedangkan clipper paralel berarti diodanya
dipasang paralel dengan beban. Sedangkan untuk masing-masing jenis tersebut
dibagi menjadi clipper negatip (pemotong bagian negatip) dan clipper positip
(pemotong bagian positip). Dalam analisa ini diodanya dianggap ideal.
Petunjuk untuk menganalisa rangkaian clipper seri adalah sebagai berikut:
1 Perhatikan arah dioda
a bila arah dioda ke kanan, maka bagian positip dari sinyal input akan
dilewatkan, dan bagian negatip akan dipotong (berarti clipper negatip)
b bila arah dioda ke kiri, maka bagian negatip dari sinyal input akan dilewatkan,
dan bagian positip akan dipotong (berarti clipper positip)
2 Perhatikan polaritas baterai (bila ada)
3 Gambarlah sinyal output dengan sumbu nol pada level baterai (yang sudah
ditentukan pada langkah 2 di atas)
4 Batas pemotongan sinyal adalah pada sumbu nol semula (sesuai dengan sinyal
input)

Rangkaian clipper seri positip adalah seperti Gambar 42 dan rangkaian

clipper seri negatip adalah Gambar 43.

Gambar 42. Rangkaian Clipper Seri Positif

Gambar 43.Rangkaian Clipper Seri Negatif

Petunjuk untuk menganalisa rangkaian clipper paralel adalah sebagai berikut:

1 Perhatikan arah dioda.
 a bila arah dioda ke bawah, maka bagian positip dari sinyal input akan dipotong
(berarti clipper positip)
b bila arah dioda ke atas, maka bagian negatip dari sinyal input akan dipotong
(berarti clipper negatip)
2 Perhatikan polaritas baterai (bila ada).
3 Gambarlah sinyal output dengan sumbu nol sesuai dengan input.
4 Batas pemotongan sinyal adalah pada level baterai.

Rangkaian clipper paralel positip adalah seperti Gambar 44 dan rangkaian

clipper paralel negatip adalah Gambar 45.

Gambar 44. Rangkaian Clipper Paralel Positif

Gambar 45. Rangkaian Clipper Paralel Negatif

5 Dioda Semikonduktor Sebagai Penggeser (Clamper)

Rangkaian Clamper (penggeser) digunakan untuk menggeser suatu sinyal ke
level dc yang lain. Rangkaian Clamper paling tidak harus mempunyai sebuah
kapasitor, dioda, dan resistor, disamping itu bisa pula ditambahkan sebuah baterai.
Harga R dan C harus dipilih sedemikian rupa sehingga konstanta waktu RC cukup
besar agar tidak terjadi pengosongan muatan yang cukup berarti saat dioda tidak
menghantar. Dalam analisa ini dianggap didodanya adalah ideal. Sebuah rangkaian
clamper sederhana (tanpa baterai) terdiri atas sebuah R, D, dan C terlihat pada
Gambar 46.
 Gambar 46. Rangkaian Clamper Sederhana

Dari Gambar 46 (a) adalah gelombang kotak yang menjadi sinyal input
rangkaian clamper (b). Pada saat 0 - T/2 sinyal input adalah positip sebesar +V,
sehingga Dioda menghantar (ON). Kapasitor mengisi muatan dengan cepat melalui
tahanan dioda yang rendah (seperti hubung singkat, karena dioda ideal). Pada saat
ini sinyal output pada R adalah nol (Gambar d). Kemudian saat T/2 - T sinyal input
berubah ke negatip, sehingga dioda tidak menghantar (OFF) (Gambar e). Kapasitor
membuang muatan sangat lambat, karena RC dibuat cukup lama. Sehingga
pengosongan tegangan ini tidak berarti dibanding dengan sinyal output. Sinyal
output merupakan penjumlahan tegangan input -V dan tegangan pada kapasitor - V,
yaitu sebesar -2V (Gambar c). Terlihat pada Gambar 21 c bahwa sinyal output
merupakan bentuk gelombang kontak (seperti gelombang input) yang level dc nya
sudah bergeser kearah negatip sebesar -V. Besarnya penggeseran ini bisa divariasi
dengan menambahkan sebuah baterai secara seri dengan dioda. Disamping itu arah
penggeseran juga bisa dinuat kearah positip dengan cara membalik arah dioda.
Beberapa rangkaian clamper negatip dan positip dapat dilihat pada Gambar
47 dibawah ini:

Gambar 47. Rangkaian Clamper Negatif dan Positif

6 Diode semikonduktor sebagai Sebagai Penstabil Tegangan (Voltage

Regulator/Dioda Zener)
Diode Zener atau juga dikenal sebagai voltage regulation dioda adalah silikon
PN junction yang bekerja pada revers bias didaerah breakdown (daerah patahan).
Gambar 47. memperlihatkan simbol zener dioda serta karakteristik revers bias nya.
 Gambar 47. Simbol dan karakteristik zener dioda

Tegangan zener VZ benar-benar konstan meskipun arus yang mengalir

berubah-ubah besarnya. Tetapi dalam kenyataannya tegangan zener akan berubah
sedikit apabila arus dioda Iz berubah. Hambatan arus bolak-balik dalam daerah
V z
zener disebut hambatan zener (r z) : r =
z
I z . Jadi perubahan tegangan (VZ) akan

V Z = I Z r z
dapat ditentukan dari .
Skema dasar rangkaian stabilisasi tegangan dengan dioda zener adalah
seperti terlihat pada gambar 48 dibawah ini.

Gambar 48. Stabilisasi tegangan dengan zener dioda

Apabila arus beban semakin besar, maka arus zener akan berkurang. Agar
tegangan output (pada beban) tetap stabil, maka pengurangan arus zener I z tiak
boleh sampai pada daerah lengkung yang kurang curam, karena pada daerah itu
tegangan zener dioda sudah tidak stabil lagi. Untuk supaya arus beban mampu
besar dengan arus zener Iz tetap pada daerah lengkung yang curam, sehingga
tegangan output tetap stabil, maka dipasanglah Transistor seperti gambar skema
dibawah ini.

Gambar 49. Stabilisasi tegangan dengan zener dioda ditambah satu Transistor untuk
menambah besar arus outputnya
Dari gambar skema diatas rangkaian stabilisasi tegangan sebenarnya berupa
rangkaian commond emitor. Resistor beban merupakan hambatan emitor. Tegangan
basis distabilkan oleh diode zener dan arus beban sama dengan arus kolektor, maka
berlakulah persamaan : IBasis= IBeban/hFE

Contoh Soal :
1 Jika arus beban = 1 amper dan Transistor mempunyai h FE=100. Hitunglah arus
basisnya?
Penyelesaian:
IBasis= IBeban/hFE
IBasis= 1/100
IBasis= 0,01 amper

Dari gambar 49. terlihat bahwa tegangan basis = tegangan diode zener,
sedangkan tegangan beban = V DZ VBE. Karena tegangan VBE cukup kecil (= 0,6
V), maka tegangan beban = tegangan zener dioda dan konstan.
 BAB 4

Transistor bipolar BJT, FET, MOSFET dalam rangkaian.

Nama Transistor diambil dari kata transfer dan resistor. Bahan semi
konduktor ini berasal dari bahan atom germanium, Indium dan Arsenikum atau
Silikon. Atom-atom ini sendiri termasuk bahan yang tidak mengalirkan arus listrik,
jadi termasuk jenis bahan isolator atau resistor. Setelah mengalami proses
peleburan, maka terbentuklah hasil campuran yang dinamai P-N junction. Bahan
campuran ini mempunyai sifat setengah menghantarkan arus listrik atau
semikonduktor. Itulah sebabnya hasil campuran ini sering dinamai semikonduktor.
Jadi semikonduktor atau Transistor ini hasil pencampuran lagi dari jenis P-N junction
dan N-P junction.
Bila dua jenis atom P dan N junction digabungkan, maka terbentuklah bahan
baru yang dinamai Transistor. Jadi Transistor terbentuk dari bahan-bahan:
1 PN + NP menjadi PNP
2 Np + PN menjadi NPN
3 PN + PN menjadi PNPN
Gambar 50. dibawah ini memperlihatkan simbol dari Transistor PNP dan Transistor
NPN :

Gambar 50. Simbol Transistor PNP dan Transistor NPN

Macam-macam bentuk dan tipe Transistor terlihat seperti gambar 51 dibawah ini.

Gambar 51. Bermacam-macam bentuk Transistor dari bermacam tipe

Dari gambar diatas terlihat bahwa Transistor ada yang mempunyai 2 kaki dan
ada yang 4 kaki. Khusus untuk Transistor daya besar biasanya mempunyai 2 kaki,
kaki kolektor sama dengan badannya. Untuk Transistor yang berkaki 4 biasanya
untuk frekuensi tinggi, disitu terdapat kaki yang dinamai shield (tameng) yang
dihubungkan ke ground.
Agar Transistor dapat mengalirkan arus, maka Transistor harus diberi sumber
arus dari dua buah batery. Sumber arus ini biasanya diberi kode Vcc. Untuk
Transistor jenis PNP negatip dan untuk NPN positip. Transistor dipasang sedemikian
sehingga harus memenuhi beberapa syarat yaitu dalam arah maju (forward) dan
arah balik (revers).

Gambar 52. Cara Pemberian Tegangan Bias Pada Transistor

Pemberian tegangan bias pada Transistor yang dipakai dalam rangkaian

sebenarnya ialah dengan menerapkan resistor-resistor, dengan demikian sumber
tegangan baterinya cukup satu saja.

Gambar 52. Cara pemberian tegangan bias pada Transistor dengan memakai satu
sumber tegangan Vcc

Pada dasarnya fungsi Transistor ialah memperkuat arus. Dari gambar skema
V BE =0
dasar rangkaian transistor dibawah ini, jika tegangan , maka tidak ada arus

basis ( I B ) yang mengalir, demikian juga arus kolektor I =0 , Transistor dalam

keadaan mati (cut off).

Gambar 53. Transistor sebagai penguat arus

Kalau tegangan basis VBE ada, maka mengalirlah arus basis IB, demikian juga
arus kolektor IC. Transistor dalam keadaan menghantar. Semakin besar tegangan
VBE, maka arus basis IB semakin besar dan juga arus kolektor I C semakin besar.
Antara arus IC dan arus basis IB ada perbandingan yang konstan. Penguatan arus
DC pada transistor merupakan perbandingan antara I C dan IB yang dinyatakan
sebagai hFE = IC/IB, Jadi besarnya adalah IC = hFE x IB.

Contoh Soal :
1 Suatu Transistor oleh pabrik pembuatnya dinyatakan mempunyai h FE = 100, ini
berarti bahwa kalau arus basis IB yang mengalir = 100A, maka arus kolektor IC
yang mengalir = 100mA.

Transistor merupakan komponen yang sangat penting dalam dunia elektronik

modern. Dalam Rangkaian analog, transistor digunakan dalam amplifier (penguat).
Rangkaian analog melingkupi pengeras suara, sumber listrik stabil (stabilisator) dan
penguat sinyal radio. Sedangkan dalam Rangkaian Digital, transistor digunakan
sebagai saklar berkecepatan tinggi. Beberapa transistor juga dapat dirangkai
sedemikian rupa sehingga berfungsi sebagai logic gate, memori dan fungsi
rangkaian-rangkaian lainnya.
Pada dasarnya, transistor dan tabung vakum memiliki fungsi yang serupa;
keduanya mengatur jumlah aliran arus listrik. Untuk mengerti cara kerja
semikonduktor, misalkan sebuah gelas berisi air murni. Jika sepasang konduktor
dimasukan kedalamnya, dan diberikan tegangan DC tepat dibawah tegangan
elektrolisis (sebelum air berubah menjadi Hidrogen dan Oksigen), tidak akan ada
arus mengalir karena air tidak memiliki pembawa muatan (charge carriers).
Sehingga, air murni dianggap sebagai isolator. Jika sedikit garam dapur dimasukan
ke dalamnya, konduksi arus akan mulai mengalir, karena sejumlah pembawa
muatan bebas (mobile carriers, ion) terbentuk. Menaikan konsentrasi garam akan
meningkatkan konduksi, namun tidak banyak. Garam dapur sendiri adalah
nonkonduktor (isolator), karena pembawa muatannya tidak bebas. Silikon murni
sendiri adalah sebuah isolator, namun jika sedikit pencemar ditambahkan, seperti
Arsenik, dengan sebuah proses yang dinamakan doping, dalam jumlah yang cukup
kecil sehingga tidak mengacaukan tata letak kristal silikon, Arsenik akan
memberikan elektron bebas dan hasilnya memungkinkan terjadinya konduksi arus
listrik. Ini karena Arsenik memiliki 5 atom di orbit terluarnya, sedangkan Silikon
hanya 4. Konduksi terjadi karena pembawa muatan bebas telah ditambahkan (oleh
kelebihan elektron dari Arsenik).
Dalam kasus ini, sebuah Silikon tipe-n (n untuk negatif, karena pembawa
muatannya adalah elektron yang bermuatan negatif) telah terbentuk. Selain dari itu,
Silikon dapat dicampur dengan Boron untuk membuat semikonduktor tipe-p. Karena
Boron hanya memiliki 3 elektron di orbit paling luarnya, pembawa muatan yang baru,
dinamakan "lubang" (hole, pembawa muatan positif), akan terbentuk di dalam tata
letak kristal silikon.
Dalam tabung hampa, pembawa muatan (elektron) akan dipancarkan oleh
emisi thermionic dari sebuah katode yang dipanaskan oleh kawat filamen. Karena
itu, tabung hampa tidak bisa membuat pembawa muatan positif (hole). Jika
pembawa muatan yang bermuatan sama akan saling tolak menolak, sehingga tanpa
adanya gaya yang lain, pembawa-pembawa muatan ini akan terdistribusi secara
merata di dalam materi semikonduktor.
Namun di dalam sebuah transistor bipolar (atau diode junction) dimana
sebuah semikonduktor tipe-P dan sebuah semikonduktor tipe-N dibuat dalam satu
keping Silikon, pembawa-pembawa muatan ini cenderung berpindah ke arah
sambungan P-N tersebut (perbatasan antara semikonduktor tipe-p dan tipe-n),
karena tertarik oleh muatan yang berlawanan dari seberangnya. Kenaikan dari
jumlah pencemar (doping level) akan meningkatkan konduktivitas dari materi
semikonduktor, asalkan tata-letak kristal Silikon tetap dipertahankan.
Dalam sebuah transistor bipolar, daerah terminal emiter memiliki jumlah doping yang
lebih besar dibandingkan dengan terminal basis. Rasio perbandingan antara doping
emiter dan basis adalah satu dari banyak faktor yang menentukan sifat penguatan
arus (current gain) dari transistor tersebut. Jumlah doping yang diperlukan sebuah
semikonduktor adalah sangat kecil, dalam ukuran satu berbanding seratus juta, dan
ini menjadi kunci dalam keberhasilan semikonduktor.
Dalam sebuah metal, populasi pembawa muatan adalah sangat tinggi; satu
pembawa muatan untuk setiap atom. Dalam metal, untuk merubah metal menjadi
isolator, pembawa muatan harus disapu dengan memasang suatu beda tegangan.
Dalam metal, tegangan ini sangat tinggi, jauh lebih tinggi dari yang mampu
menghancurkannya. Namun, dalam sebuah semikonduktor hanya ada satu
pembawa muatan dalam beberapa juta atom. Jumlah tegangan yang diperlukan
untuk menyapu pembawa muatan dalam sejumlah besar semikonduktor dapat
dicapai dengan mudah. Dengan kata lain, listrik di dalam metal adalah inkompresible
(tidak bisa dimampatkan), seperti fluida. Sedangkan dalam semikonduktor, listrik
bersifat seperti gas yang bisa dimampatkan. Semikonduktor dengan doping dapat
dirubah menjadi isolator, sedangkan metal tidak.
Gambaran di atas menjelaskan konduksi disebabkan oleh pembawa muatan,
yaitu elektron atau lubang, namun dasarnya transistor bipolar adalah aksi kegiatan
dari pembawa muatan tersebut untuk menyebrangi daerah depletion zone. Depletion
zone ini terbentuk karena transistor tersebut diberikan tegangan bias terbalik, oleh
tegangan yang diberikan di antara basis dan emiter.
Walau transistor terlihat seperti dibentuk oleh dua diode yang disambungkan,
sebuah transistor sendiri tidak bisa dibuat dengan menyambungkan dua diode.
Untuk membuat transistor, bagian-bagiannya harus dibuat dari sepotong kristal
silikon, dengan sebuah daerah basis yang sangat tipis. Secara umum, transistor
dapat dibeda-bedakan berdasarkan banyak kategori:
1 Materi semikonduktor: Germanium, Silikon, Gallium Arsenide.
2 Kemasan fisik: Through Hole Metal, ThroughHole Plastic, Surface Mount, IC, dan
lain-lain.
3 Tipe: UJT, BJT, JFET, IGFET (MOSFET), IGBT, HBT, MISFET, VMOSFET,
MESFET, HEMT, dan lain-lain.
4 Polaritas: NPN atau N-channel, PNP atau Pchannel.
5 Maximum kapasitas daya: Low Power, Medium Power, High Power.
6 Maximum frekwensi kerja: Low, Medium, atau High Frequency, RF transistor,
Microwave, dan lain-lain.
7 Aplikasi: Amplifier, Saklar, General Purpose, Audio, Tegangan Tinggi, dan lain-
lain.

Dari banyak tipe-tipe transistor modern, pada awalnya ada dua tipe dasar
transistor, bipolar junction transistor (BJT atau transistor bipolar) dan field-effect
transistor (FET), yang masing-masing bekerja secara berbeda.

1 Transistor BJT (Bipolar Junction Transistor)

BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah salah satu dari dua jenis transistor.
Cara kerja BJT dapat dibayangkan sebagai dua dioda yang terminal positif atau
negatifnya berdempet, sehingga ada tiga terminal. Ketiga terminal tersebut adalah
emiter (E), kolektor (C), dan basis (B). Perubahan arus listrik dalam jumlah kecil
pada terminal basis dapat menghasilkan perubahan arus listrik dalam jumlah besar
pada terminal kolektor. Prinsip inilah yang mendasari penggunaan transistor sebagai
penguat elektronik. Rasio antara arus pada koletor dengan arus pada basis
biasanya dilambangkan dengan atau hFE. biasanya berkisar sekitar 100 untuk
transistor-transisor BJT.
Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya
menggunakan dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk
membawa arus listrik. Dalam BJT, arus listrik utama harus melewati satu
daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion zone, dan dalam ketebalan lapisan
ini dapat diatur dengan menggunakan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk
mengatur aliran arus utama tersebut.

2 Transistor FET (Field-Effect Transistor)

FET (juga dinamakan transistor unipolar), hanya menggunakan satu jenis
pembawa muatan (elektron atau hole, tergantung dari tipe FET). Dalam FET, arus
listrik utama mengalir dalam satu kanal konduksi sempit dengan depletion zone di
kedua sisinya (dibandingkan dengan transistor bipolar dimana daerah Basis
memotong arah arus listrik utama). Dan ketebalan dari daerah perbatasan ini dapat
dirubah dengan perubahan tegangan yang diberikan, untuk merubah ketebalan
kanal konduksi tersebut.
FET dibagi menjadi dua keluarga: Junction FET (JFET) dan Insulated Gate
FET (IGFET) atau juga dikenal sebagai Metal Oxide Silicon (atau Semiconductor)
FET (MOSFET). Berbeda dengan IGFET, terminal gate dalam JFET membentuk
sebuah dioda dengan kanal (materi semikonduktor antara Source dan Drain).
Secara fungsinya, ini membuat N-Channel JFET menjadi sebuah versi solid-state
dari tabung vakum, yang juga membentuk sebuah dioda antara antara grid dan
katode. Dan juga, keduanya (JFET dan tabung vakum) bekerja di "depletion mode",
keduanya memiliki impedansi input tinggi, dan keduanya menghantarkan arus listrik
dibawah kontrol tegangan input.
FET lebih jauh lagi dibagi menjadi tipe enhancement mode dan depletion
mode. Mode menandakan polaritas dari tegangan gate dibandingkan dengan source
saat FET menghantarkan listrik. Jika kita ambil N-channel FET, sebagai contoh:
dalam depletion mode, gate adalah negatif dibandingkan dengan source, sedangkan
dalam enhancement mode, gate adalah positif. Untuk kedua mode, jika tegangan
gate dibuat lebih positif, aliran arus di antara source dan drain akan meningkat.
Untuk P-channel FET, polaritas-polaritas semua dibalik. Sebagian besar IGFET
adalah tipe enhancement mode, dan hampir semua JFET adalah tipe depletion
mode.

Gambar 54. Simbol Transistor dari Berbagai Tipe

3 Transistor IGFET (MOSFET)
Transistor efek-medan semikonduktor logam-oksida (MOSFET) adalah salah
satu jenis transistor efek medan. Prinsip dasar perangkat ini pertama kali diusulkan
oleh Julius EDGAR Lilienfeld pada tahun 1925. MOSFET mencakup kanal dari
bahan semikonduktor tipeN dan tipe-P dan disebut NMOSFET atau PMOSFET
(juga biasa nMOS, pMOS). MOSFET Ini adalah transistor yang paling umum pada
sirkuit digital maupun analog, namun transistor sambungan dwikutub pada satu
waktu lebih umum.

Komposisi Bahan MOSFET

Biasanya bahan semikonduktor pilihan adalah silikon, namun beberapa
produsen IC, terutama IBM, mulai menggunakan campuran silikon dan germanium
(SiGe) sebagai kanal MOSFET. Sayangnya, banyak semikonduktor dengan
karakteristik listrik yang lebih baik daripada silikon, seperti galium arsenid (GaAs),
tidak membentuk antarmuka semikonduktor-ke-isolator yang baik sehingga tidak
cocok untuk MOSFET. Hingga kini terus diadakan penelitian untuk membuat isolator
yang dapat diterima dengan baik untuk bahan semikonduktor lainnya. Untuk
mengatasi peningkatan konsumsi daya akibat kebocoran arus gerbang, dielektrik k
tinggi menggantikan silikon dioksida sebagai isolator gerbang, dan gerbang logam
kembali digunakan untuk menggantikan polisilikon.
Gerbang dipisahkan dari kanal oleh lapisan tipis isolator yang secara
tradisional adalah silicon dioksida, tetapi yang lebih maju menggunakan teknologi
silicon oxynitride. Beberapa perusahaan telah mulai memperkenalkan kombinasi
dielektrik tinggi + gerbang logam di teknologi 45 nanometer (Gambar 55).

Gambar 55. Fotomikrograf dua gerbang logam MOSFET dalam ujicoba

SIMBOL SIRKUIT MOSFET

Berbagai simbol digunakan untuk MOSFET. Desain dasar umumnya garis
untuk saluran dengan kaki sumber dan cerat meninggalkannya di setiap ujung dan
membelok kembali sejajar dengan kanal. Garis lain diambil sejajar dari kanal untuk
gerbang. Kadang-kadang tiga segmen garis digunakan untuk kanal peranti moda
pengayaan dan garis lurus untuk moda pemiskinan. Sambungan badan jika
ditampilkan digambar tersambung ke bagian tengan kanal dengan panah yang
menunjukkan PMOS atau NMOS. Panah selalu menunjuk dari P ke N, sehingga
NMOS (kanal-N dalam sumur-P atau substrat-P) memiliki panah yang menunjuk
kedalam (dari badan ke kanal). Jika badan terhubung ke sumber (seperti yang
umumnya dilakukan) kadang-kadang saluran badan dibelokkan untuk bertemu
dengan sumber dan meninggalkan transistor. Jika badan tidak ditampilkan (seperti
yang sering terjadi pada desain IC desain karena umumnya badan bersama) simbol
inversi kadang-kadang digunakan untuk menunjukkan PMOS, sebuah panah pada
sumber dapat digunakan dengan cara yang sama seperti transistor dwikutub (keluar
untuk NMOS, masuk untuk PMOS).
 Untuk simbol yang memperlihatkan saluran badan, di sini dihubungkan
internal ke sumber. Ini adalah konfigurasi umum, namun tidak berarti hanya satu-
satunya konfigurasi. Pada dasarnya, MOSFET adalah peranti empat saluran, dan di
sirkuit terpadu banyak MOSFET yang berbagi sambungan badan, tidak harus
terhubung dengan saluran sumber semua transistor.

Ada dua tipe MOSFET yaitu tipe enhancement dan tipe depletion.
1 Pada Tipe Enhancement : Arus pada kanal hanya akan terjadi jika diberi
tegangan Gate.
2 Pada Tipe Depletion : Arus pada kanal dapat terjadi pada saat tegangan Gate =
0.

Dalam simbol skematik tipe enhancement ditandakan dengan garis putus-

putus pada kanal, sedangkan tipe depletion ditandakan dengan garis utuh untuk
kanal.

TIPE-TIPE MOSFET LAINNYA

1 MOSFET Gerbang Ganda

MOSFET gerbang ganda mempunyai konfigurasi tetroda, dimana semua

gerbang mengendalikan arus dalam peranti. Ini biasanya digunakan untuk peranti
isyarat kecil pada penggunaan frekuensi radio dimana gerbang kedua gerang
keduanya digunakan sebagai pengendali penguatan atau pencampuran dan
pengubahan frekuensi.

2 FinFET
Adalah sebuah peranti gerbang ganda yang diperkenalkan untuk
memprakirakan flek kanal pendek dan mengurangi perendahan saat diinduksikan.

3 MOSFET Moda Pemiskinan

Peranti MOSFET moda pemiskinan adalah MOSFET yang dikotori
sedemikian rupa sehingga sebuah kanal terbentuk walaupun tidak ada tegangan
dari gerbang ke sumber. Untuk mengendalikan kanal, tegangan negatif dikenakan
pada gerbang untuk peranti saluran -N sehingga "memiskinkan" kanal, yang mana
mengurangi arus yang mengalir melalui kanal. Pada dasarnya, peranti ini ekivalen
dengan sakelar normal-hidup, sedangkan MOSFET moda pengayaan ekivalen
dengan sakelar normal-mati. Peranti ini sering digunakan pada peralatan elektronik
RF.

4 Logika NMOS
MOSFET saluran -N lebih kecil daripada MOSFET saluran P, untuk performa
yang sama, dan membuat hanya satu tipe MOSFET pada kepingan silikon lebih
murah dan lebih sederhana secara teknis.
Ini adalah prinsip dasar dalam desain logika NMOS yang hanya
menggunakan MOSFET saluran-N.

5 MOSFET Daya
 Irisan sebuah MOSFET daya dengan sel persegi. Sebuah transistor biasanya
terdiri dari beberapa ribu sel. MOSFET Daya memiliki struktur yang berbeda dengan
MOSFET biasa. Seperti peranti semikonduktor daya lainnya, strukturnya adalah
vertikal, bukannya planar. Menggunakan struktur vertikal memungkinkan transistor
untuk bertahan dari tegangan tahan dan arus yang tinggi. Rating tegangan dari
transistor adalah fungsi dari pengotoran dan ketebalan dari lapisan epitaksial-n,
sedangkan rating arus adalah fungsi dari lebar kanal. Pada struktur planar, rating
arus dan tegangan tembus ditentukan oleh fungsi dari dimensi kanal, menghasilkan
penggunaan yang tidak efisien untuk daya tinggi. Dengan struktur vertikal, besarnya
komponen hampir sebanding dengan rating arus dan ketebalan komponen
sebanding dengan rating tegangan. MOSFET daya dengan struktur lateral banyak
digunakan pada penguat audio hi-fi. Kelebihannya adalah karakteristik yang lebih
baik pada daerah penjenuhan daripada MOSFET vertikal. MOSFET vertikal didesain
untuk penggunaan pensakelaran.

6 DMOS
DMOS atau semikonduktorlogamoksida terdifusiganda adalah teknologi
penyempurnaan dari MOSFET vertikal. Hampir semua MOSFET daya dikonstruksi
dengan teknologi ini.

MOSFET SEBAGAI SAKLAR

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) merupakan
salah satu jenis transistor yang memiliki impedansi masukan (gate) sangat tinggi
(Hampir tak berhingga) sehingga dengan menggunakan MOSFET sebagai saklar
elektronik, memungkinkan untuk menghubungkannya dengan semua jenis gerbang
logika.
Dengan menjadikan MOSFET sebagai saklar, maka dapat digunakan untuk
mengendalikan beban dengan arus yang tinggi dan biaya yang lebih murah daripada
menggunakan transistor bipolar. Untuk membuat MOSFET sebgai saklar maka
hanya menggunakan MOSFET pada kondisi saturasi (ON) dan kondisi cut-off (OFF).

KURVA KARAKTERISTIK MOSFET

Gambar 57. Kurva Karakteristik MOSFET

A Wilayah Cut-Off (MOSFET OFF)

Pada daerah Cut-Off MOSFET tidak mendapatkan tegangan input (Vin = 0V)
sehingga tidak ada arus drain Id yang mengalir. Kondisi ini akan membuat tegangan
Vds = Vdd. Dengan beberapa kondisi diatas maka pada daerah cut-off ini MOSFET
dikatakan OFF (Full-Off). Kondisi cut-off ini dapat diperoleh dengan menghubungkan
jalur input (gate) ke ground, sehingga tidaka ada tegangan input yang masuk ke
rangkaian saklar MOSFET. Untuk lebih jelasnya dapat dilihat pada gambar berikut.

Gambar 58. Rangkaian MOSFET Sebagai Saklar Pada Kondisi Cut-Off

Karakteristik MOSFET Pada Daerah Cut-Off antara lain:

1 Input gate tidak mendapat tegangan bias karena terhubung ke ground (0V)
2 Tegangan gate lebih rendah dari tegangan treshold (Vgs < Vth)
3 MOSFET OFF (Fully-Off) pada daerah cut-off ini.
4 Tidak arus drain yang mengalir pada MOSFET
5 Tegangan output Vout = Vds = Vdd
6 Pada daerah cut-off MOSFET dalam kondisi open circuit.

Dengan beberapa karakteristik diatas maka dapat dikatakan bahawa

MOSFET pada daerah Cut-Off merupakan saklar terbuka dengan arus drain Id = 0
Ampere. Untuk mendapatkan kondisi MOSFET dalam keadaan open maka
tegangan gate (Vgs) harus lebih rendah dari tegangan treshold (Vth) dengan cara
menghubungkan terminal input (gate) ke ground.

B Wilayah Saturasi (MOSFET ON)

Pada daerah saturasi MOSFET mendapatkan bias input (Vgs) secara
maksimum sehingga arus drain pada MOSFET juga akan maksimum dan membuat
tegangan Vds = 0V. Pada kondisi saturasi ini MOSFET dapat dikatakan dalam
kondisi ON secara penuh (Fully-ON).

Gambar 59. Rangkaian MOSFET Sebagai Saklar Pada Kondisi Saturasi

Karakteristik MOSFET pada kondisi saturasi antara lain adalah :

1 Tegangan input gate (Vgs) tinggi
2 Tegangan input gate (Vgs) lebih tinggi dari tegangan treshold (Vgs>Vth)
3 MOSFET ON (Fully-ON) pada daerah Saturasi
4 Tegangan drain dan source ideal (Vds) pada daerah saturasi adalah 0V (Vds
= 0V)
5 Resistansi drain dan source sangat rendah (Rds < 0,1 Ohm)
6 Tegangan output Vout = Vds = 0,2V (Rds.Id)
7 MOSFET dianalogikan sebagai saklar kondisi tertutup.
 Kondisi saturasi MOSFET dapat diperoleh dengan memberikan tegangan
input gate yang lebih tinggi dari tegangan tresholdnya dengan cara menghubungkan
terminal input ke Vdd. Sehingga MOSFET menjadi saturasi dan dapat dianalogikan
sebagai saklar pada kondisi tertutup.

DAFTAR PUSTAKA

http://anton-rivai.blogspot.com/2011/11/komponen-aktif-dan-komponen-pasif.html

http://duniaelektonika.blogspot.co.id/2013/01/jenis-jenis-dioda-beserta-
fungsinya.html

http://www.slideshare.net/AmirMuwahid/semikonduktor-pengertian-penjelasan-dan-
aplikasinya?qid=e8c200a1-4e65-4399-966a-db44292de52b&v=&b=&from_search=1

http://www.slideshare.net/ChairvlRizaldi/3-dioda-semikonduktor?qid=bd993475-
56b5-48b1-b9ee-a56fb04bbd75&v=&b=&from_search=2

http://www.slideshare.net/Ahmad_Bagus/penguat-transistor-56655581

www.slideshare.net/xtmxady/karakteristik-d-ioda?qid=58c78bed-de77-4b04-93f4-
1c7f6d761bdc&v=&b=&from_search=3

http://www.slideshare.net/ikhsanrfadillah/dioda-macam-macam-dioda-dan-rangkaian-
penyearah-1-fasa?qid=572cdf6c-86e1-4264-875d-
617e6c5772d4&v=&b=&from_search=10