BAB 1

KOMPONEN SEMIKONDUKTOR DAYA

1-1 Pendahuluan
Aplikasi komponen semikonduktor daya dalam bidang sistem tenaga elektrik sudah
berkembang cukup cepat dan lebih canggih. Pada sistem tenaga elektrik, terdapat
aplikasi komponen semikonduktor yang umumnya dipakai dalam rangkaian
pengaturan kecepatan motor-motor elektrik. Komponen-komponen semikonduktor
yang dipakai pada sistem tenaga elektrik ini pada prinsipnya harus mampu
menghasilkan daya yang besar atau mampu menahan disipasi daya yang besar.

Elaktronika daya meliputi pensaklaran (switching), pengontrolan dan pengubah

(konversi) blok-blok yang besar dari daya elektrik dengan menggunakan sarana
peralatan semi konduktor.

Dengan demikian elektronika daya secara garis besar terbagi menjadi 2 bagian
seperti yang ditunjukkan pada gambar 1-1 :
1. Rangkaian daya.
2. Rangkaian kontrol.

Gambar 1.1

Kedua rangkaian tersebut banyak menggunakan peralatan-peralatan semikonduktor.

Rangkaian daya terdiri atas : Diode, thyristor dan transistor daya; sedangkan

Komponen Semikonduktor Daya

 rangkaian kontrol terdiri atas : Dioda, Transistor dan rangkaian terpadu (Integrated
Circuit - IC).

Dengan menggunakan peralatan-peralatan yang serupa keandalan dan kompatibilitas

dari perlengkapan (sistem) akan dapat lebih baik. Elektronika daya merupakan
bagian yang penting dalam industri-industri dan dengan mudah dapat dilihat
aplikasinya pada tempat-tempat yang cukup penting dari teknologi modern, seperti
pada produk-produk daya tinggi yang mancakup pengendalian suhu, pengontrolan
pencahayaan, pengendalian kecepatan motor, dan sistem-sitem tegangan tinggi dc
(HVDC). Tabel 1-1 memperlihatkan beberapa aplikasi dari elektronika daya.

Sejak pertama kali Silicon Controlled Rectifier (SCR) diperkenalkan dan

dikembangkan akhir 1957, banyak keuntungan-keuntungan dalam aplikasinya.
Sampai dengan tahun 1970-an thyristor konvensional pemakaiannya hanya terbatas
pada aplikasi-aplikasi dalam industri saja, kemudian dalam pengembangannya
tersedia thyristor yang diaplikasikan dalam bidang komersial

Secara garis besar komponen semikonduktor daya dibagi menjadi 5 tipe :

Power Diode
1. Thyristor
2. Power Bipolar Junction Transistor (BJT)
3. Power MOSFET
4. Insulateg-gate Bipolar Transistor (IGBT) dan Static-Induction Transistor (SIT).
Thyristor dapat dibagi lagi menjadi 8 tipe :
a) Force-commutated thyristor
b) Line-commutated thyristor
c) Gate-turn-off thyristor (GTO)
d) Reverse-conducting thyristor (RCT)
e) Static-conducting thyristor (SITH)
f) Gate-assited turn-off thyristor (GATT)
g) Light-activated silicon-controlled rectifier (LASCR)
h) MOS-controlled thyristor (MCT)

Komponen Semikonduktor Daya

 Tabel 1-1 Beberapa Aplikasi Elektronika Daya
Advertising Magnets
Air conditioning Mass transits
Aircraft power supplies Mercury-arc lamp ballasts
Alarms Mining
Appliances Model trains
Audio amplifiers Motor controls
Battery charger Motor drives
Blenders Movie projectors
Blowers Nuclear reactor control rod
Boilers Oil well drilling
Burglar alarms Oven controls
Cement kiln Paper milis
Chemical processing Particle accelerators
Clothes dryers People movers
Computers Phonographs
Conveyers Photocopies
Cranes and hoists Photographic supplies
Dimmers Power supplies
Displays Printing press
Electric blankets Pumps and compressors
Electric door openers Radar/sonar power supplies
Electric dryers Range surface unit
Electric fans Refrigerators
Electric vehicles Regulators
Electromagnets RF amplifiers
Electromechanical Security systems
electroplating
Electronic ignition Servo systems

Komponen Semikonduktor Daya

 Electrostatic Sewing machines
precipitators
Elevators Solar power supplies
Fans Solid-stale contactors
Flashers Solid-state relays
Food mixers Space power supplies
Food warmer trays Static circuit breakers
Forklift trucks Static relays
Furnaces Steel mills
Games Synchronous machine starting

Rating daya dari komponen semikonduktor daya yang tersedia secara komersial
ditunjukkan pada tabel 1-2.
Tabel 1-2 Rating Komponen Semikonduktor Daya
Upper On-state
Voltage/current frequency Switching resistance
Type rating (Hz) lime (MS) (ft)
Diodes General purpose 5000 V/5000 A Ik 100 0.16m
High speed 3000 V/1000 A 10k 2-5 1m
Schottky 40 V/60 A 20k 0.23 1m
Forced-turned- Reverse blocking 5000 V/5000 A Ik 200 0.25m
off
thyristors High speed 1200 V/1500 A 10k 20 0.47m
Reverse blocking 2500 V/400 A 5k 40 2.16m
Reverse conducting 2500 V/1000 A 5k 40 2.1m
GATT 1200 V/400 A 20k 8 2.24m
Light triggered 6000 V/1500 A 400 200-400 0.53m
TRIACs 1200 V/300 A 400 200-400 3.57m
Self-turned-off GTO 4500 V/3000 A 10k 15 2.5m
thyristors SITH 4000 V/2200 A 20k 6.5 5.75m

Komponen Semikonduktor Daya

Power Single 400 V/250 A 20k 9 4m
transistors
400 V/40 A 20k 6 31m
630 V/50 A 25k 1.7 15m
Darlington 1200 V/400 A 10k 30 10m
Sirs 1200 V/300 A 100k 0.55 1.2
Power Single 500 V/8.6 A 100k 0.7 0.6
MOSFETS
1000 V/4.7 A 100k 0.9 2
500 V/50 A 100k 0.6 0.4m
IGBTs Single 1200 V/400 A 20k 2.3 60m
MCTs Single 600 V/60 A 20k 2.2 18m

Gambar 1-1 memperlihatkan aplikasi dan daerah frekuensi dari komponen semikonduktor
daya.

Gambar 1-1 Aplikasi komponen semikonduktor daya

Komponen Semikonduktor Daya

 1-2 Diode Daya (Power Diode)
Diode adalah merupakan sebuah saklar elektronik yang tidak terkontrol, dimana
kondisi nyala dan padam-nya sangat tergantung pada arus dan tegangan dari
rangkaian dimana diode tersebut dihubungkan. Diode sebenarnya tidak lebih dari
sambungan-pn (pn-junction) yang melewatkan arus satu arah dan menahan (bloking)
arus arah balik. Oleh karenanya diode banyak digunakan sebagai penyearah, yaitu
mengubah arus bolak-balik (AC) menjadi arus searah (DC)

Dalam kebanyakan aplikasi diode daya dapat diasumsikan sebagai saklar ideal tetapi
dalam prkateknya diode berbeda dengan karakteristik ideal dan memiliki batasan
yang cukup berarti. Diaode daya mirip dengan diode sinyalpn-junction. Diode daya
memilki daya yang besar, kemampuan menangani tegangan dan arus yang lebih
besar dibanding diode sinyal, respons frekuensi (kecepatan switching) lebih rendah
dibandingkan diode sinyal.

1-2.1 Karakteristik Diode

Diode daya adalah komponen sambungan-pn (pn-junction) dua terminal dan sebuah
pn-junction yang terbentuk dari penumbuhan, difusi, dan epiktasial. Gambar 1-2
menunjukkan pandangan sebagian dari sebuah pn-junctiondan simbol diode.

Gambar 1-2 Sambungan-pn dan simbol diode

Ketika potensial anode (A) lebih positif dari katode (K). diode terbias maju sehingga
diode konduksi. Diode yang konduksi mempunyai drop tegangan maju yang relatif
kecil, dan besarnya tergantung pada proses manufakturnya dan temperatur junction.
Kemudian pada saat potensial katode lebih positif terhadap anode, diode terbias
mundur dan padam.

Komponen Semikonduktor Daya

 Dalam kondisi tersebut, arus mundur yang kecil (disebut arus bocor) dalam daerah
mikro atau miliampere mengalir dan arus bocor ini akan berubah secara perlahan
sesuai dengan peningkatan tegangan hingga tegangan zener atau avalanche tercapai.
Gambar l-3a menunjukkan karakteristik v-i diode. Untuk keperluan praktis, diode
dianggap sebagai sebuah saklar ideal, yang karakteristiknya ditunjukkan pada
gambar l-3b.

Dalam karakteristik v-i tersebut dapat dinyatakan dengan sebuah persamaan yang
dikenal sebagai persamaan diode Schokley, diberikan oleh :
(1-1)

dimana : ID = arus yang melalui diode, A

VD = tegangan diode dengan anode lebih positif terhadap katode, V
Is = arus bocor (saturasi balik), umumnya 10-6 hingga 10-15.
n = konstanta empiris yang dikenal sebagai faktor idealitas atau koefisien
emisi yang nilainya antara 1 hingga 2.

Koefisien emisi n tergantung pada material dan kondisi fisik diode. Untuk diode
germanium, n bernilai 1, dan untuk diode silikon nilai prediksi n adalah 2. Tetapi
untuk kebanyakan diode silikon dalam prakteknya nilai n berada dalam daerah 1,1
hingga 1.8.
VT dalari persamaan (1-1) disebut konstanta tegangan termal dan diberikan oleh
persamaan:
(1-2)

Komponen Semikonduktor Daya

 dimana : q = muatan elektron, 1,6022 x 10-19 coulomb (C)
T = temperatur absolut dalam Kelvin (K = 273 + C)
k = konstanta Boltzmann : 1,2806 x 10-23 J/K

pada temperatur junction 25C memberikan :

Pada temperatur khusus, arus bocor Is konstan untuk diode tertentu. Karakteristik
diode pada gambar l-3a dapat dibagi menjadi tiga wilayah:
Wilayah bias maju, dengan VD > 0
Wilayah bias mundur, dengan VD < 0
Wilayah breakdown, dengan VD < -VZK.

Wilayah bias maju. Pada wilayah bias maju, VD > 0. Arus diode ID sangat kecil bila
tegangan diode VD kurang dari nilai spesifik VTD (umumnya 0,7 V). Diode akan
konduksi penuh bila VD lebih besar dari nilai VTD tersebut, yang direferensikan pada
tegangan batas (threhold voltage) atau tegangan cut-in atau tegangan turn-on.
Sehingga tegangan batas adalah tegangan ketika diode konduksi penuh.
Sebagai contoh misalkan tegangan diode kecil VD = 0,1 V, n = 1, dan VT = 25,8 mV.
Maka dengan menggunakan persamaan (1-1) dapat diperoleh arus diode ID sebagai
berikut

dengan kesalahan 2,1%.

Sehingga untuk VD > 0,1 V, yang merupakan kasus umumnya, ID >> IS, dan
persamaan (1-1) dapat didekati dalam kesalahan 2,1% dengan
(1-3)

(1-4)

Komponen Semikonduktor Daya

 Wilayah bias mundur. Dalam wilayah bias mundur, Vd < 0. Bila VD negatif dan
\VD\ VT, dengan kejadian VD < -0,1, maka bagian eksponensial pada persamaan
(1-1) diabaikan dan arus diode ID menjadi

yang menunjukkan bahwa arus diode ID arahnya membalik dan konstan yang
nilainya sama dengan Is.

Wilayah breakdown. Dalam wilayah breakdown, tegangan baliknya tinggi,

biasanya lebih besar dari 1000 V. Besarnya tegangan balik pada suatu nilai tertentu
disebut dengan tegangan breakdown (breakdown voltage), VBR. Kenaikan arus balik
yang secara cepat dengan perubahan kecil pada pada tegangan balik, VBR. Operasi
pada wilayah breakdown tidak akan merisak selama disipasi daya masih dalam
tingkat aman yang ditentukan oleh lembar data pabrik. Meskipun demikian perlu
untuk membatasi arus balik diwilayah breakdown agar membatasi disipasi daya
dalam nilai yang diizinkan.

Contoh 1-1
Tegangan jatuh maju sebuah diode daya adalah VD = 1,2 V pada ID = 300 A. Dengan
asumsi n = 2 dan VT = 25,8 mV, carilah arus saturasi Is.
Solusi : Dengan menggunakan persamaan (1-1). Dapat diperoleh arus bocor (atau
saturasi) Is dari

yang memberikan Is = 2,38371 x 10-8 A.

1-2.2 Karakteristik Pemulihan Balik (Reverse Recovery).

Arus pada junction diode bias maju tergantung pada pengaruh pembawa mayoritas
dan minoritas. Pada saat diode kodisi konduksi maju dan arus majunya diturunkan
hingga menjadi nol (karena perilaku alamiah rangkaian diode atau dengan
menerapkan tegangan balik), diode terus konduksi karena pembawa minoritas yang

Komponen Semikonduktor Daya

 tersisa tersimpan dalam pn junction dan material semikonduktornya. Pembawa
minoritas memerlukan waktu yang cukup untuk menyusun ulang untuk pengisian
balik dan untuk dinetralkan. Waktu ini disebut reverse recovery time (waktu
pemulihan balik) diode. Gambar 1-4 menunjukkan dua karakteristik pemulihan balik
dari diode junction. Tipe pemulihan lunak (soft recovery) yang paling umum. Waktu
pemulihan balik dinotasikan dengan trr yang diukur dari awal pemotongan titik nol
(initial zero crossing) arus diode hingga 25% arus balik puncak, IRR. ta terdiri dari dua
komponen ta dan tb, ta karena pengisian komponen penyimpan di wilayah depleksi
dari junction dari mereprensentasikan waktu antara zero crossing dengan arus balik
puncak, IRR, sedangkan tb karena pengisian komponen penyimpan dalam bagian
terbesar material semikonduktor. Perbandingan ta/tb dikenal dengan faktor
kelunakan (softnes factor), SF. Waktu pemulihan total dan nilai puncak arus balik
puncak IRR
TRR = T A + TB (1-5)

(1-6)

Reverse recovery time trr, dapat didefmisikan sebagai interval waktu antara arus
yang melewati titik nol selama pengalihan dari konduksi maju ke kondisi bloking
balik dan momen arus mundur kehilangan 25% nilai puncak balik iRR. tRR tergantung
pada temperatur junction, tingkat jatuhnya arus maju, dan arus maju sebelum
komutasi.

Komponen Semikonduktor Daya

 Reverse recovery charge QRR, adalah pembawa pengisian yang mengalir melalui
diode dengan arah berlawanan karena pengambil alihan dari konduksi maju ke
konduksi bloking balik. Nilainya ditentukan dari wilayah yang dicakup oleh arah
dari arus pemulihan balik.
Pengisian penyimpan, yang wilayahnya dicakup oleh arah arus pemulihan, didekati
dengan

(1-7)

Atau
(1-8)

Dengan menyelesaikan persamaan (1-6) dengan persamaan (1-8) menghasilkan

(1-9)

Jika tb bisa diabaikan dibandingkan ta, yang sering terjadi dalam banyak kasus trr ta
dan persamaan (1-9) menjadi

(1-10)

dan

(1-11)

Dari persamaan (1-10) dan (1-11) dapat dinyatakan bahwa waktu pemulihan balik trr
dan arus pemulihan balik puncak IRR tergantung dari pengisian penyimpan QRR dan
di/dt balik. Pengisian penyimpan tidak tergantung pada arus diode maju If. Arus
puncak pemulihan balik IRR, pengisisn balik QRR, dan faktor kelunakan penting

Komponen Semikonduktor Daya

 diperhatikan bagi para perancang rangkaian, dan data ini terdapat pada lembar data
diode.

Jika sebuah diode dalam kondisi bias balik, arus bocor mengalir karena pembawa
minoritas. Kemudian dengan memberikan tegangan maju akan memaksak diode
membawa arus kearah maju. Namun demikian, haltersebut memerlukan waktu
tertentu, yang dikenal dengan waktu pemulihan maju (forward recovery or turn-on
time) sebeleum semua pembawa mayoritas melalui semua junction dapat
mengkontribusikan pada aliran arus. Jika tingkat kenaikan arus tinggi dan arus maju
dikonsentrasikan pada bagian junction yang kecil saja, diode mungkin gagal
konduksi. Sehingga waktu pemulihan maju membatasi tingkat kenaikan arus maju
dan kecepatan switching.

Contoh 1-2
Waktu pemulihan balik sebuah diode trr = 3 detik dan tingkat jatuhnya arus diode
di/dt = 30 A/(adetik. Tentukan (a) pengisian penyimpan QRR, dan (b) arus balik
puncak IRR.
SOLUSI : TRR = 3 di/dt = 30 A/detik
(a) Dari persamaan (1-10)

(b) Dari persamaan (1-11)

1-2.3 Tipe Power Diode

Komponen Semikonduktor Daya

 Secara ideal sebuah diode seharus tidak mempunyai waktu pemulihan balik.
Olehkarenanya pembuatan diode semacam itu sangat mahal. Pada kebanyakan
aplikasi, pengaruh dari waktu pemulihan balik tidak terlau penting, sehingga diode
murang dapat digunakan. Tergantung pada karakteristik pemulihan dan teknik
pembuatan, diode daya dapat diklasifikasikan dalam tiga kategori.
1. Diode standar atau diode umum (general purpose)
2. Diode pemulihan-cepat (Fast-recovery diode)
3. Diode Schottky

Diode standar
Diode penyearah standar mempunyai waktu pemulihan balik yang relatif tinggi,
biasanya sekitar 25 detik, dan digunakan pada aplikasi kecepatan rendah, yang
waktu pemulihannya tidak kritis. Diode ini mencakup tingkatan arus kurang dari 1 A
hingga beberapa ribu ampere, dengan tingkat tegangan antara 50 V hingga sekitar 5
kV. Diode ini secara umum dibuat secara difusi. Akan tetapi pemakaian pada
penyearah yang digunakan untuk suplai pengelasan paling efektif pembiayaannya,
kasar, dan mempunyai tingkat kemampuan hingga 300 A dan 1000 V.

Diode pemulihan cepat

Diode pemulihan cepat mempunyai waktu pemulihan paling rendah umumnya
kurang dari 5 detik. Digunakan untuk rangkaian konverter dc-dc dan dc-ac, yang
memerlukan kecepatan pemulihan yang tinggi. Diode ini mencakup tingkat arus
mulai kurang dari 1 A hingga ratusan ampere, dengan tingkat tegangan mulai 50 V
hingga 3 kV.
Untuk tingkat tegangan diatas 400 V, diode ini dibuat melalui difusi dan waktu
pemulihan diatur oleh difusi platina atau emas. Untuk tingkat tegangan dibawah 400
V, diode epitaksi lebih cepat dibanding diode difusi. Diode pemulihan cepat
mempunyai lebar basis yang lipis, yang menghasilkan wcaktu pemulihan ulang
kurang dari 50 ndetik.

Komponen Semikonduktor Daya

 Diode Schottky
Masalah penyimpanan muatan pada pn-juntion dapat dihilangkan (atau
diminimalkan) dalam diode Schottky. Diode Schottky mempunyai drop tegangan
relatif rendah dan arus bocornya lebih tinggi dari pada diode biasa serta tegangan
konduksi yang relatif rendah. Akan tetapi tegangan yang diijinkan secara umum
terbatas hingga 100 V dan kapasitas arusnya antara 1 A hingga 300 A. Oleh
karenanya diode Schottky ideal digunakan pada chopper-dc suplai tegangan rendah
dan arus rendah sehingga dapat menaikkan efisiensi.

1-2.4 Pengaruh Waktu Pemulihan Maju dan Balik

Pentingnya parameter ini dapat dijelaskan pada gambar l-5a. Jika saklar SW
dinyalakan pada t = 0 dan dibiarkan cukup lama, arus tunak I0 = Vs/R akan mengalir
melalui beban dan diode freewheeling Dm akan terbias balik. Jika saklar SW
dipadamkan pada t = t1, diode Dm akan konduksi dan arus beban akan mengalir
melalui Dm. Kemudian saklar dinyalakan kembali pada t = t2, diode Dm akan
menghubungkan singkat rangkaian. Tingkat kenaikan arus maju saklar (diode Dj)
dan tingkat jatuhnya arus maju diode Dm akan sangat tinggi, menuju tak terhingga.
Menurut persamaan (1-11), arus balik puncak diode Dm dapat menjadi sangat tinggi,
sehingga diode Di dan Dm mungkin akan rusak. Gambar l-4b menunjukkan variasi
bentuk gelombang untuk arus diode. Masalah tesebut dapat diatasi dengan
memasangkan sebuah induktor pembatas di/dt, Ls seperti pada gambar l-6a. Diode
membutuhkan waktu nyala tertentu sebelum keseluruhan wilayah junction menjadi
konduktif dan di/dt harus dijaga rendah untuk mendapatkan batas waktu nyala.
Waktu itu biasanya disebut waktu pemulihan maju (forward recovery time trf).

Komponen Semikonduktor Daya

 Gambar 1-5 Rangkaian Chopper tanpa induktor pembatas di/dt

Laju kenaikan arus melalui diode D1, yang harus sama dengan laju jatuhnya arus
melalui diode Dm, adalah

(1-12)

Bila trr adalah waktu pemulihan balik Dm, arus balik puncak Dm adalah

(1-13)

Komponen Semikonduktor Daya

 Dan arus puncak yang melalui induktor Ls adalah

(1-14)

Gambar 1-6 Rangkaian chopper d.engan induktor pembatas di/dt

Ketika arus induktor menjadi Ip, diode Dm padam secara tiba-tiba (asumsikan
pemulihan mendadak) dan memutuskan jalur aliran arus. Karena induktansi beban
cukup tinggi, maka arus beban tidak dapat berubah dengan tiba-tiba dari I0 manjadi

Komponen Semikonduktor Daya

 Ip. Kelebihan energi yang tersimpan dalam Ls dapat menginduksikan tegangan balik
yang tinggi pada Dm, hal ini dapat merusakkan diode Dm. Kelebihan energi yang
tersimpan menghasilkan waktu pemulihan balik yang diperoleh dari

1-15

1-16

Bentuk gelombang untuk bermacam-macam arus ditunjukkan pada gambar l-6b.

Kelebihan energi ini dapat ditransfer dari induktor Ls ke kapasitor Cs yang
terhubung paralel dengan Dm. Nilai Cs dapat ditentukan dan

Atau

1-17

dimana Vc adalah tegangan balik diode yang diijinkan.

Resistor Rs, yang ditunjukkan pada gambar 1-6a daiam garis putus-putus, terhubung
seri dengan kapasitor untuk meredam osilasi yang terjadi. Persamaan (1-17) adalah
pendekatan dan tidak masuk dalam perhitungan pengaruh Ls dan Rs selama transien
pada saat transfer energi.

1-3 Thyristor
Thyrislor adalah salah satu tipe komponen semikondukstor daya yang paling penting
dan telah digunakan secara intensif pada rangkaian elektronika daya. Thyristor
biasanya digunakan sebagai saklar /bislabit, yang operasinya antara keadaan non
konduksi dan konauksi. Pada banyak aplikasi, thyristor dapat diasumsikan sebagai
saklar ideal akan tetapi dalam prakteknya thyristor memilki batasan dan karakteristik
tertentu.

1-3.1 Karakteristik Thyristor

Komponen Semikonduktor Daya

 Thyristor merupakan komponen empat lapis berstruktur pnpn dengan tiga pn-
junction. Komponen ini mempunyai tiga terminal: Anode; Katode dan Gate. Gambar
1-7 memperlihatkan simbol thyristor dan bagan dari tiga pn-junction. Thyristor
dibuat melalui difusi.
Pada saat tegangan terminal anode dibuat lebih positif terhadap tegangan katode,
junction J1 dan J3 berada pada kondisi forward bias, dan junction J2 berada pada
konaisi reverse bias, sehingga akan mengalir arus bocor yang kecil antara anode dan
katode. Pada kondisi ini thyristor dikatakan pada kondisi forward blocking atau
kondisi off-stale dan alus bocor ini aikenal sebagai arus off-state ID. Jika tegangan
antara anode dan katode VAK dinaikkan hingga pada nilia tertentu, junction J2 akan
bocor. Hal ini disebut avalanche breakdown dan tegangan VAK tersebut dikenal
sebagai forward breakdown voltage, VBO. Karena J1 dan J3 sudah berada pada
kondisi forward bias, maka akan terdapat lintasan pembawa inuatan bebas melewati
ketiga junction, yang akan menghasilkan arus anode yang besar. Thyristor pada
kondisi ini disebut dalam keadaan konduksi atau keadaan nyala. Tegangan jatuh
yang terjadi akibat resistansi antara empat lapis dan biasanya cukup kecil sekitar 1 V.
Pada saat konduksi arus anode dibatasi oleh resistansi atau impedansi luar, RL seperti
terlihat pada gambar l-8a. Arus anode harus lebih besar dari suatu nilai yang disebut
latching current IL agar diperoleh cukup banyak aliran pembawa muatan bebas yang
melewati junction-junction, jika tidak demikian maka akan kembali ke kondisi
blocking ketika tegangan anode ke katode berkurang. Latching current II adalah arus
anode minimum yang diperlukan agar dapat membuat thyristor tetap pada kondisi
nyala walaupun sinyal gale sudah dihilangkan. Gambar 1-8b menunjukkan
karakteristik v-i suatu thyristor pada umumnya.

Cambar 1-7 Simbol thyristor dan tiga/w-junction

Komponen Semikonduktor Daya

 Ketika berada pada kondisi nyala, thyristor akan bertindak seperti diode yang tidak
dapat dikendalikan. Akan tetapi, jika arus maju anode berada dibawah suatu
tingkatan yang disebut dengan holding current IH, maka thyristor akan berada pada
kondisi blocking. Holding current berada pada orde miliampere dan lebih kecil dari
lacthing current IL (IH > IL). Holding current IH adalah arus anode minimum untuk
mempertahankan thyristor pada kondisi nyala.

Ketika tegangan katode lebih positif dari anode, junction J2 forward bias, akan tetapi
junction J1 dan J3 akan reverse bias. Maka thyristor akan berada pada kondisi reverse
blocking dan arus bocor reverse yang disebut reverse current IR akan mengalir
melalui komponen.

Gambar 1-8 Rangkaian thyristor dan karakteristik v-i

Thyristor akan dapat ainyaiakan dengan menaikkan tegangan maju VAK diatas VBO,
akan tetapi kondisi ini bersifat merusak. Dalam prakteknya, tegangan maju harus
dipertanankan dibawan VBO dan thyristor dinyalakan dengan memberikan tegangan
positif antara gate dengan katode. Hal ini diperiihatkan pada gambar 4-2b dengan

Komponen Semikonduktor Daya

 garis putus-putus. Begitu tnyristor dinyalakan dengan sinyal gate itu dan arus anode
lebih besar dari arus holding, maka thyristor akan konduksi, dan bahkan bila sinyal
gate dihilangkan tnyristor masin tetap konduksi (dikategorikan sebagai komponen
latching).

1-3.2 Model Thyristor

Aksi regeneratif afau latching akibat dari feedback positif dapat diperhatikan dengan
menggunakan model thyristor dengan dua transistor. Thyristor dapat dianggap
sebagai dua transistor yang komplementer, satu pnp, Q1 dan yang lain npn, Q2 seperti
pada gambar l-9a.

Arus koiektor Ic dari thyristor secara umum berkaitan dengan arus emitor IE dan arus
junction kolektor-basis ICBO adalah

Gambarl-9 Model thyristor dengan aua rrasistor

Ic= IE + ICBO (1-18)

dan penguatan arus common-base yang didefinisikan sebagai = IC/IE. Pada
transistor Q1, arus emitor adalah arus anode 1A, dan arus kolektor Ic1 dapat diperoleh
dari persamaan (1-18)
Ic1 = 2Ik + ICBO1 (1-19)
Dengan 1 adalah penguatan arus dan ICBO adalah arus bocor dari Q1. Pada transistor
Q2, arus kolektor Ic2 adalah

Komponen Semikonduktor Daya

 Ic2 = 2Ik + ICBO2 (1-20)
Dengan 1 adalah penguatan arus dan ICBO2 adalah arus bocor dari Q2. Dengan
mengkombinasikan Ic1 dan Ic2, diperoleh
IA = Ic1 + Ic2 = 1IA + ICBO1 + 2IK + ICBO2 (1-21)
Tetapi untuk arus gate IG, IK = IA + IG dan dengan menggunakan persamaan (1-21),
akan diperoleh IA adalah

(1-22)

Penguatan arus 1 bervariasi sesuai aengan 1A = IE, dan 2 bervariasi sesuai dengan
IK = IA + IG. Variasi yang umum penguatan arus dengan arus emitor IE ditunjukkan
pada gambar I-10. Jika arus gate IG tiba-tiba meningkat, misalnya dari 0 ke 1 mA,
akan menaikkan arus anode 1A secara tiba-tiba juga, selanjutnya 1 dan 2 akan
meningkat, 2 akan bergantung pada IA dan 1Q. Peningkatan 1 dan 2 akan
meningkatkan lebih jauh IA. Sehingga ada pengaruh regeneratif atau feedback
positif. Bila (1 + 2) cenderung akan menuju liarga satu, maka penyebut persamaan
(1-22) akan cenderung mendekati nol, yang menghasilkan nilai arus anode IA yang
besar, dan thyristor akan konduksi dengan arus gerbang yang kecil.

Gambar 1-10 Variasi penguatan anis yang umum terhadap arus emitor

Pada kondisi transien, kapasitansi pn junction seperti pada gambar 1-11 akan
mempengaruhi karakteristik thyristor. Jika thyristor berada dalam keadaan blocking,
peningkatan tegangan dengan cepat yang diberikan sepanjang komponen akan

(1-23)
Komponen Semikonduktor Daya
 mengakibatkan aliran arus yang besar ke junction kapasitor. Arus yang melalui
kapasitor Cj2 dapat dinyatakan sebagai

dimana Cj2 dan Vj2 adalah kapasitansi dan tegangan dari junction J2, qj2 adalah
muatan pada junction tersebut. Jika kecepatan peningkatan tegangan dv/dt cukup
besar, maka ij2 akan besar dan akan menghasilkan peningkatan arus bocor ICBO1 dan
ICBO2. Menurut persamaan(1-22), nilai bocor ICBOI dan ICBO2 yang cukup besar dapat
membuat (1 + 2) mendekati kenilai satu dan mengakibatkan thyristor konduksi.

Namun, arus besar yang mengalir melalui kapasitor junction akan juga merusak
komponen.
Gambar 1-11 Model transien thyristor dengan dua transistor

1-3.3 Penyalaan Thyristor

Thyristor dapat konduksi dengan meningkatkan arus anode. Hal ini dapat dicapai
dengan salah satu langkah sebagai berikut:

Panas. Jika suhu thyristor cukup tinggi, akan terjadi peningkatan jumlah pasangan
elektron-hole, sehingga arus bocor meningkat. Peningkatan ini akan mengakibatkan
ai dan a2 meningkat. Karena aksi regeneratif, (1 + 2) akan menuju kenilai satu dan
thyristor mungkin akan konduksi. Cara ini dapat menyebabkan thermal runway dan
buasanya dihindari.

Komponen Semikonduktor Daya

 Cahaya. Jika cahaya diijinkan mengenai junction thyristor, pasangan elektron-hole
akan meningkat, dan thyristor mungkin konduksi. Cara ini dilakukan dengan
membiarkan cahaya mengenai silocon water dari thyristor.

Tegangan tinggi. Jika tegangan maju anode ke katode lebih besar dari tegangan
maju breakdown VBo, arus bocor yang dihasilkan cukup untuk membuat thyristor
konduksi. Cara ini merusak dan harus dihindari.

dv/dt. Dari persamaan (1-23) diperoleh bahwa jika kecepatan peningkatan tegangan
anode-katode cukup tinggi, arus pengisian kapasitor junction mubgkin cukup untuk
mengkonduksikan thyristor. Nilai arus pengisian yang tinggi akan merusak thyristor,
dan komponen diproteksi melawan dv/dt yang tinggi. Manufaktur pembuatan
thyristor akan menentukan berapa besar dv/dt yang dapat ditangani oleh suatu
thyristor.

Arus gate. Bila thyristor diberi tegangan forward bias, injeksi arus gate dengan
menerapkan tegangan gate positif antara terminal gate dan katode akan dapat
membuat thyristor konduksi. Ketika arus gate dinaikkan, tegangan forward blocking
akan menurun sperti pada gambar 1-12

Gambar 1-12 Pengaruh arus gate pada tegangan forward blocking

Gambar 1-13 Karakteristik penyalaan

Gambar 1-13 menunjukkan bentuk gelombang arus anode, yang diikuti dengan
penerapan arus gate. Ada waktu tunda yang dikenal sebagai turn-on time ton antara

Komponen Semikonduktor Daya

 sinyal gate dan konduksi sebuag thyristor. Ton didefinisikan sebagai interval waktu
antara 10% nilai arus gate keadaan tunak (0,1IG) dan 90% dari arus on-state thyristor
keadaan tunak (0,9IT). ton adalah jumlah waktu tunda td dan waktu naik tr. td
didefinisikan sebagai interval waktu antara 10% arus gate (0,1IG) dan 10% arus
keadaan thyristor konduksi (0,1 IT). tr adalah waktu yang diperlukan agar arus anoda
meningkat dari 10% arus keadaan thyristor konduksi (0,1It) ke 90% arus keadaan
thyristor konduksi (0,9IT). Semua waktu tersebut ditunjukkan pada gambar 1-13.
Beberapa hal yang harus diperhatikan ketika merancang rangkaian kendali gate :
3. Sinyal gate harus dihilangkan setelah thyristor konduksi. Suatu sinyal gate yang
kontinyu akan meningkatkan daya yang terbuang pada junction gate.
4. Pada saat thyristor kondisi reverse bias, tidak boleh ada sinyal gate, jika ada sinyal
gate, thyristor akan rusak karena meningkatnya arus bocor.
5. Lebar pulsa gate tG harus lebih lama dari waktu yang diperlukan untuk
meningkatnya arus anode kenilai arus holding 1H. Secara praptis, lebar pulsa tG
biasanya diambil lebih dari waktu turn-on ton thyristor.
Contoh 1-1
Kapasitansi junction J2 yang mendapatkan reverse bias pada thyristor adalah Cj2 =
20 pF dan diasumsikan bebas dari tegangan off-state. Nilai batas yang membuat
thyristor konduksi adalah 16 mA. Tentukan nilai kritis dari dv/dt.
Solusi: Cj2 - 20 pF dan ij2 = 16 mA. Karena d (Cj2)/dt = 0, kita dapat tentukan nilai
kritis dv/dt dari persamaan (1-23)

1-3.4 Proteksi di/dt

Thyristor memerlukan waktu minimum untuk menyebarkan arus konduksi ke
semua junction-nya secara merata. Jika peningkatan arus anode lebih cepat
dibandingkan kecepatan penyebaran dari prosen turn-on, titik-titik pemansan akan
terjadi pada komponen karena adanya daerah-daerah dengan kepadatan arus yang
tinggi dan komponen akan rusak karena suhu yang berlebihan.

Komponen Semikonduktor Daya

Gambar 1-14 Rangkaian chopper dengan induktor pembatas di/dt

 Dalam prakteknya komponen harus diproteksi terhadap di/dt yang tinggi. Sebagai
contoh pada gambar 1-14, pada keadaan tunak, Dm kondiksi ketika thyristor Tj
dipadamkan. Jika T1 dinyalakan ketika Dm masih konduksi, di/dt akan sangat tinggi
dan dibatasi hanya oleh induktansi penyimpang (stray) dari rangkaian.

Dalam prakteknya, di/dt dibatasi dengan menambahkan suatu indikator seri Ls,
seperti pada gambar 1-14. di/dt maju menjadi

(1-24)

dimana Ls adalah induktansi seri yang mencakup sembarang induktansi stray.

1-3.5 Proteksi dv/dt

Jika saklar S1 pada gambar l-15a ditutup pada t = 0, tegangan step akan terasa pada
thyristor Tj dan dv/dt akan cukup tinggi untuk membuat komponen konduksi. Dv/dt
dapat dibatsi dengan menambahkan kapasitor Cs seperti pada gambar. Ketika
thyristor Tj dinyalakan, arus pembuangan kapasitor dibatasi oleh reistor Rs seperti
pada gambar 1-15b.

Gambar 1-15 Rangkaian proteksi dv/dt

Komponen Semikonduktor Daya

 Dengan rangkaian RC yang dikenal sebagi rangkaian snubber, tegangan kapasitor
akan meningkat secara eksponensial seperti pada gambar 1-15c dan rangkaian dv/dt
dapat diberikan secara pendekatan sebagai berikut

(1-25)

Nilai konstanta waktu rangkaian snubber = RSCS dapat ditentukan dengan

persamaan (1-25) untuk nilai dv/dt yang diketahui. Nilai Rs diperoleh dari nilai arus
pengosongan ITD

(1-26)

Dapat juga menggunakan lebih dan satu resistor untuk dv/dt dan pengosongan
seperti pada gambar 1-15d. Nilai dv/dt dibatasi oleh R1 dan Cs. (R1 + R2) membatasi
arus pengosongan sehingga

(1-27)

Beban dapat membentuk rangkaian seri dengan rangkaian snubber sperti pada
gambar 1-15e. Dari persamaan (2-23) dan (2-24) , rasio redaman 8 dari persamaan
orde dua adalah

(1-28)

dimana Ls adalah induktansi stray, L dan R adalah induktansi dan resistansi beban.
Untuk membatasi tegangan puncak overshoot yang teijadi sepanjang thyristor,
damping rasio yang digunakan harus berada pada daerah 0,6 hingga I. Jika
induktansi beban tinggi, Rs dapat dibuat tinggi dan Cs dibuat kecil untuk
memperoleh damping rasio pada daerah yang diinginkan. Nilai Rs yang tinggi akan
mengurangi arus pengosongan, dan nilai Cs yang rendah akan mengurangi daya
hilang pada rangkaian snubber. Dengan damping rasio diketahui maka nilai Rs dan
Cs dapat ditentukan.

Komponen Semikonduktor Daya

Contoh 1-2
Tegangan masukanpada gambar 1-15e adalah Vs = 200 V dengan resistansi beban
R = 5 Beban dan induktansi stray diabaikan dan thyristor dioperasikan pada
frekuensi fs = 2 kHz. Bila diperlukan dv/dt adalah 100 V/detik dan arus pengisian
dibatasi 100 A, carilah (a) nilai Rs dan Cs, (b) rugi snubber, dan (c) rating daya
resistor snubber.
Solusi; dv/dt = 100 V/detik, 1TD = 100 A, R = 5 , L = Ls = 0, Vs = 200 V.
(a) dari gambar 1-15e arus pengisian kapasitor snubber dapat dinyatakan sebagai

Dengan kondisi awal vc(t = 0) - 0, dtperoleh arus pengisian adalah

(1-29)

dimana x = (Rs + R)CS. Tegangan maju thyristor adalah

(1-30)

(1-31)

(1-32)

Komponen Semikonduktor Daya

 Pada t = 0, v-KO) - V, - RVS/(RS + R) dan pada t = , vT(0) - V, - 0,368RVS/(RS
+ R):

Dari persamaan (1-26), Rs = VS/IJD = 200/100 = 2 , Persamaan (1-31)

meberikaan

(b) Rugi snubber

(c) Dengan astimsi bahwa semua energi yang tersimpan dalam Cs didisipasikan
hanya pada Rs, rating daya resistor snubber adalah 5,2 W.
1-3.6 Pemadaman Thyristor
Sebuah thyristor yang berada dalam kondisi konduksi dapat dipadamkan dengan
mengurangi arus maju ketingkat dibawah arus holding 1H. Dalam semua teknik
komutasi, arus anode dipertahankan dibawah arus holding untuk waktu yang
cukup lama, sehingga semua kelebihan pembawa muatan pada keempat layer
dapat dikeluarkan.

Akibat dua pn junction, J1 dan J3, karakteristik pemadaman serupa dengan diode,
yang berkaitan dengan waktu pemulihan balik TRR- dan arus pemulihan balik IRR.
IRR dapat lebih besar dari pada arus blocking balik. Pada rangkaian komutasi
jala-jala dimana tegangan masukan adalah bolak-balik seperti pada gambar
1-16a, tegangan balik pada thyristor terjadi setelah arus maju menjadi nol.
Tegangan balik inilah yang
menyebabkan thyristor padam,
dengan membuang semua
kelebihan muatan pada
pn-junction J1 dan J3. Persamaan
(1-6) dan (1-7) dapar digunakan untuk mengitung trr dan IRR.
Komponen Semikonduktor Daya
 Gambar 1-16 Karakterisrik pemadaman

Komponen Semikonduktor Daya

 pn-junction J2 memerlukan waktu yang disebut sebagai recombination time trc
untuk merekombinasi kelebihan muatan pembawa. Tegangan balik negatif akan
mengurangi recombination time trc ini tergantung pada besarnya tegangan balik.
Karakteristik pemadaman ditunjukkan pada gambar 1-16a dan b berturut-turut
untuk rangkaian komutasi jala-jala dan rangkaian komutasi komutasi paksa.

Waktu pemadaman tq adalah jumlah waktu pemulihan balik trr dan waktu
rekombinasi trc. Pada akhir pemadaman, lapisan depleksi terbentuk sepanjang
junction J2 dan thyristor memperoleh kembali kemampuan untuk tahan terhadap
tegangan maju. Hampir semua teknik komutasi thyristor yang dibahas pada bab
5 menerapkan tegangan balik pada thyristor selama proses pedaman. Waktu
pemadaman tq adalah nilai minimum interval waktu antara sesaat ketika arus
on-state turun menjadi nol dan sesaat ketika thyristor masih mampu menahan
tegangan maju. tq tergantung dari nilai puncak arus on-state dan tegangan
on-state sesaat.

Reverse recovered charge QRR adalah banyaknya besamya muatan yang harus
dipenuhi selama proses pemadaman. Nilai tersebut ditentukan dari daerah yang
tercakup oleh aliran arus pengisian balik. Nilai QRR tergantung pada kecepatan
penurunan arus on-state dan nilai puncak dari arus on-state sebelum
pemadaman. QRR merupakan sebab terjadinya kehilangan energi dalam
komponen.

1-3.7 Tipe-Tipe Thyristor

Hampir seluruh pembuatan thyristor dilakukan melalui proses difusi. Pabrik
pembuat thyristor menggunakan banyak struktur gate untuk mengendalikan
di/dt, waktu penyalaan dan waktu pemadaman. Tergantung dari konstruksi fisik
komponen, perilaku penyalaan dan pemadaman, thyristor dapat diklasifikasikan
menjadi 9 kategori :
4. Phase-control thyristor (SCR)
5. Fast-switching thyristor (SCR)
6. Gate-torn-offthyristor (GTO)
7. Bidirectional triode thyristor (TR1AC)
Komponen Semikonduktor Daya
 8. Reverse-conduction thyristor (RCT)
9. Static induction thyristor (S1TH)
10. Light-activated silicon-controlled rectifier (LASCR)
11. FET-controlled thyristor (FET-CTH)
12. MOS-controlled thyristor (MCT)

Phase-control thyristor
Thyristor tipe ini biasanya beroperasi pada frekuensi jala-jala yang proses
pemadamannya dengan komutasi alamiah (natural-commutation). Turn-on time
tCj berkisar dalam orde 50 hingga 100 pdetik. Gocok digunakan pada
aplikasi-aplikasi konverter dengan kecepatan switching rendah yang biasanya
dikenal sebagai konverter thyristor. Tipikal tegangan konduksi (on-state) VT
bervariasi antara 1,15 V untuk komponen 600 V hingga 2,5 untuk komponen
4000 V, dan untuk thyristor 5500 A, 1200 V tipikalnya adalah 1,25 V. Thyristor
yang modern biasanya menggunakan penguat gate, dengan thyristor auxiliary TA
memiliki gate yang merupakan gate thyristor keseluruhan dan dengan kelaran TA
yang sudah dikuatkan itu diberikan sinyal gate untuk thyristor utama TM, seperti
terlihat pada gambar 1-17. Penguatan gate menghasilkan karakteristik dinamik
yang umum dv/dt sebesar 1000 V/jadetik dan di/dt sebesar 500 A/(detik,
disamping itu akan menyederhanakan perancangan rangkaian yaitu dengan
mengurangi atau meminimisasi induktor pembatas di/dt dan rangkaian proteksi
dv/dt.

Gambar 1-17 Thyristor dengan penguat gate

Fast-switching thyristor
Thyristor tipe ini biasanya digunakan pada aplikasi-aplikasi konverter dengan
komutasi paksa (force-commutation) seperti pada chopper dan inverter. Pada

Komponen Semikonduktor Daya

 umumnya mempunyai turn-off time yang cepat sekitar 5 hingga 50 detik,
tergantung pada daerah tegangannya. Tegangan drop konduksi bervariasi yaitu
berbanding terbalik dengan turn-off time tq. Thyristor tipe ini desebut dengan
thyristor inverter.
Thyristor tipe ini mempunyai dv/dt yang tinggi (tipikalnya 1000 V/detik) dan
di/dt sekitar 1000 V/detik. Pemadaman yang cepat dan di/dt yang tinggi sangat
penting untuk mengurangi dimensi dan berat dari komponen komutasi dan
rangkaian reaktif. Tegangan konduksi dari thyristor 2200 A 1800 V tipikalnya
1,7 V. Thyristor inverter yang kemampuan blocking sangat terbatas, tipikal 10
V, dan turn-off time sangat cepat antara 3 hingga 5 pdetik biasanya dikenal
sebagai thyristor asimetris (asymmetrical thyristor - ASCR). Gambar 1-18
adalah fast- switching thyristor bermacam-macam ukuran.

Gambar 1-18 Fast-switching thyristor

Gate-Turn-Off Thyristor
Gate-Turn-Off Thyristor (GTO) sama dengan SCR yang dapat dinyalakan
dengan memberikan sinyal positif pada gate-nya. Akan tetapi GTO dapat
dipadamkan dengan memberikan sinyal negatif pada gate-nya. GTO juga
merupakan komponen latching dan dapat dibangun dengan rating arus dan
tegangan yang mirirp dengan SCR. Pulsa penyala dan pemadam yang diberikan
pada GTO merupakan pulsa pendek. GTO mempunyai keuntungan
dibandingkan SCR :
1. komponen komutasi dapat diminimalkan pada komutasi-paksa, sehingga
akan mengurangi biaya, berat dan volume.
Komponen Semikonduktor Daya
 2. pengurangan kebisingan akustik dan elketromagnetik akibat dari eliminasi
kumparan komutasi.
3. pemadaman yang cepat, sehingga memungkinkan diaplikasi pada frekuensi
switching yang tinggi.
4. memperbaiki efisiensi konverter.

Dalam aplikasi daya rendah, GTO mempunyai keuntungan dibanding dengan

bipolar transistor:
1. kemampuan blocking tegangan tinggi
2. rasio arus puncak yang dapat dikontrol dengan arus rata-rata yang tinggi.
3. rasio arus surge puncak terhadap arus rata-rata tinggi (umumnya 10 : 1).
4. pengutan on-state tinggi (arus anode dibanding dengan arus gate) tipikal 600
5. sinyal pulsa gate durasinya pendek.

GTO mempunyai pengutan rendah pada saat pemadaman, tipikal 6, dan

memerlukan pulsa arus negatif relatif tinggi untuk pemadaman. Mempunyai
tegangan on- state yang tinggi dari pada SCR. Tegangan on-state tipikal GTO
550 A 1200 V adalah 3,4 V. GTO 160 A 200 V tipe 160PFT ditunjukkan pada
gambar 1-19 dan junction GTO ini ditunjukkan pada gambar 1-20.

Gambar 1-19 GTO 160 A 200 V

Controlable peuk on-state current ITGQ adalah nilai puncak arus on-state yang
dapat dipadamkan dengan kontrol gate. Tegangan off-state diberikan seketika

Komponen Semikonduktor Daya

 setelah pemadaman dan dv/dt hanya akan dibatasi oleh kapasitansi snubber.
Begitu GTO dipadamkan, arus befcan IL yang mengalir dan mengisi kapasitor
snubber akan menentukan dv/dt yang terjadi

dimana Cs adalah kapasitansi snubber.

Gambar 1-20 Junction GTO 160 A pada gambar 1-19

Bidirectional Triode Thyristor
TRIAC dapat konduksi dua arah dan umumnya diguanakan pada pengaturan
fasa tegangan ac (yaitu pengaturan tegangan bolak-balik). TRIAC dapat
direalisasikan dua buah SCR yang dihubungkan antiparalel dengan hubungan
common gate seperti yang ditunjukkan pada gambar 1-2la. Karakteristik v-i
ditunjukkan pada gambar 1-2 lc.
Karena TRIAC adalah komponen bidirectional (dua arah), terminal-terminalnya
tidak dapat ditentukan sebagai anode dan karode. Jika terminal MT2 adalah lebih
positif terhadap terminal MT1, TRIAC dapat dinyalakan dengan memberikan
sinyal gate positif antara gate (G) dan terminal MT1. Bila MT2 lebih negatif
terhadap terminal MT1, untuk menyalakan-nya dengan menberikan dinyal pulsa
negatig antara G dan terminal MT1, Tanpa memerlukan kedua polaritas sinyal
gate, TRIAC dapat dinyalakan baik sinyal gate positif ataupun negatif. Dalam
prakteknya, kepekaannya bervariasi antara satu kuadran dengan kuadran
lainnya, umumnya TRIAC dioperasikan pada kuadran I+ (tegangan gate dan arus
gate positif) dan III-(tegangan gate dan arus gate negatif).

Komponen Semikonduktor Daya

 Gambar 1-21 Karakteristik TRIAC

Reverse-Conducting Thyristor
Dalam banyak rangkaian chopper dan inverter, diode antiparalel yang terhubung
pada SCR digunakan untuk mengalirkan arus balik karena beban induktif dan
untuk meningkatkan kinerja pemadaman dari rangkaian komutasi. Diode akan
memotong tegangan balik bloking SCR hingga 1 atau 2 V pada kondisi tunak.
Akan tetapi pada kondisi transien, tegangan balik dapat naik hingga 30 V karena
tegangan terinduksi dalam rangkaian induktasi stray terhadap komponen.

Gambar 1-22 Revese-conducting thyristor

Komponen Semikonduktor Daya

 RCT juga disebut asymetrical thyristor (ASCR). Tegangan blocking maju
berariasi dari 400 hingga 2000 V dan rating arus hingga diatas 500 A. Tegangan
blocking balik tipikal 30 hingga 40 V. Karena rasio arus maju yang melelui
thyristor terhadap arus balik diode tetap untuk sebuah komponen, maka aplikasi
akan terbatas pada rancangan rangkaian tertentu.

Static Induction Thyristor

Karakteristik SITH mirip dengan karakteristik MOSFET. SITH biasnya
dinyalakan dengan memberikan tegangan gate positif seperti umumnya thyristor
dan dipadamkan dengan memberikan tegangan negatif pada gate-nya. SITH
adalah merupakan komponen pembawa minoritas. Oleh karenanya SITH
mempunyai resistansi on-state atau drop tegangan yang rendah dan dapat dibuat
dengan rating tegangan dan arus yang tinggi.
SITH mempunyai kecepatan switching yang cepat dan kemampuan dv/dt dan
di/dt yang tinggi. Waktu switching dalam orde 1 hingga 6 detik. Rating
tegangan dapat mencapai 2500 V dan rating arus terbats hingga 500 A.

Light-Activated Silicon-Controlled
Komponen ini dinyalakan dengan radiasi langsung pada silikon wafer-nya
dengan sumber cahaya. LASCR digunakan pada aplikasi-aplikasi tegangan
tinggi dan arus tinggi seperti pada aplikasi transmisi tegangan tinggi dc (HVDC)
dan kompensasi daya reaktif statis atau volt-ampere reactive (VAR). LASCR
dilengkapi dengan isolasi elektrik antara sumber trigger-cahaya dan komponen
switching dari konverter daya, dengan potensial mengambang tinggi hingga
beberapa kilovolt. Rating tegangan dari LASCR dapat setinggi 4 kV pada 1500
A dengan daya trigger-cahaya kurang dari 100 mW. Tipikal di/dt adalah 250
A/detik dan dv/dt dapat setinggi 2000 V/detik.

FET-ControIIed Thyristor
FET-CTH adalah komponen gabungan antara sebuah MOSFET dan sebuah
thyristor yang terhubung anti paralel seperti yang ditunjukkan pada gambar
1-23. Jika sebuah tegangan yang cukup diberikan ke gate MOSFET, tipikal 3 V,

Komponen Semikonduktor Daya

 maka akan dibangkitkan arus trigger dari dalam. Mempunyai kecepatan
switching tinggi, dv/dt tinggi, dan di/dt tinggi.
Komponen ini dapat dinyalakan sama seperti thyristor konvensional, tetapi tidak
dapat dipadamkan dengan mengendalikan gate-nya.

Gambar 1-23 FET-Controlled Thyristor

MOS-Controlled Thyristor
MOS-Controlled Thyristor (MCT) adalah merupakan kombinasi sifat-sifat
regeratif thyristor dan struktur gate thyristor. Skematik dari sel MCT diberikan
pada gambar l-24a. Rangkaian ekivalen diberikan pada gambar l-24b dan
simbolnya diberikan pada gambar l-24c. Struktur NPNP dapat
direprensentasikan oleh transistor NPN, Q1, dan transistor PNP, Q2. Struktur
MOS-gate dapat direprensentasikan oleh sebuah MOSFET kanal-p (M1) dan
MOSFET kanal-n (M2).
Karena strukturnya NPNP, maka anode berlaku sebagai terminal acuan relatif
terhadap semua sinyal gate yang diberikan. Tegangan negatif VGA akan mebuat
MOSFET kanal-p (M1) konduksi sehingga memberikan arus basis untuk
transistor Q2, sedangkan pulsa gate positif VGA akan menarik arus yang
menggerakkan basis dari Q1 sehingga membuat MCT padam.

Komponen Semikonduktor Daya

 MCT dapat dioperasikan sebagai komponen gate-terkendali jika arusnya
kurang dari arus puncak yang dapat dikontrol. Usaha untuk membuat MCT
padam pada arus yang melebihi nilai tersebut akan mengakibatkan kerusakan
pada komponen. Untuk nilai arus yang tinggi MCT dipadamkan seperti
thyristor biasa. Lebar pulsa gate tidak kritis untuk arus komponen yang lebih
kecil. Untuk arus yang besar, lebar pulsa pemadaman harus lebih besar. Pada
banyak aplikasi, termasuk inverter dan chopper, pulsa gate kontinyu selama
periode nyala-padam diperlukan untuk menghindari kerancuan.

Komponen Semikonduktor Daya

 Gambar 1-24 Skematik dan rangkaian ekivalen MCT

Komponen Semikondukstor Daya

Disamping itu MCT mempunyai :
1. drop tegangan selama konduksi rendah
2. turn-on time cepat (tipikal. 0,4 detik) dan turn-off time cepat (tipikal
1,25 detik) untuk sebuah MCT 300 A, 500 V
3. rugi switching rendah . \
4. kemampuan blocking tegangan balik rendah
5. impedansi input gate tinggi.

Contoh 1-3
Sebuah thyristor mengalirkan arus seperti yang ditunjukkan pada gambar
1-25 dan pulsa arus diberikan secara berulangulang pada frekuensi fs = 50
Hz. Tentukan arus rata-rata on-state I T.
Solusi: Ip = ITM = 1000 A, T = l/fs = 1/50 = 20 mdetik, dan t1 = t2 = 5 detik.
Maka arus rata-rata on-state adalah

Gambar 1-25 Bentuk gelombang arus thyristor

Komponen Semikondukstor Daya

Komponen Semikondukstor Daya