SIFAT LISTRIK MATERIAL

By :

Nur Faizin, S.Si., M.Si.

1
Bahan Kajian

• Konduktansi dan resistansi material

• Konduktor, semikonduktor, dan isolator
• Konduktifitas bahan metal
• Konduktifitas semikonduktor

2
 Sifat Listrik
Hukum Ohm :

V=IR

Resistivitas, :
RA



Konduktivitas, 
1



3
 Sifat Listrik
• Dua contoh kawat
2 2 8
R1  
D  D 2 D 2
 
 2
   R1
2D R2   
 2D 2
D 2
8
  
 2 

• Dapat dianalogikan seperti aliran fluida
• Resistansi bergantung pada geometri dan
ukuran

4
 Sifat Listrik
Definisi secara umum

J= <= Hukum Ohm

arus I
J  rapat arus  
luas penampang A
  permitivitas listrik = V/

J =  (V/ )

flux elektron konduktifitas permitivitas listrik

5
 Perbandingan Konduktivitas Material
Dalam suhu ruang dan dengan satuan (Ohm-m)-1 = ( - m)-1

METALS CERAMICS
conductors -10
Silver 6.8 x 10 7 Soda-lime glass 10 -10-11
Copper 6.0 x 10 7 Concrete 10 -9
Iron 1.0 x 10 7 Aluminum oxide <10-13

SEMICONDUCTORS POLYMERS
-14
Silicon 4 x 10 -4 Polystyrene <10
Germanium 2 x 10 0 Polyethylene 10 -15-10-17
GaAs 10 -6
semiconductors insulators
Selected values from Tables 18.1, 18.3, and 18.4, Callister & Rethwisch 8e. 6
 Diskusi
Berapakah diameter minimum (D) dari kawat tembaga sehingga tegangannya
V < 1.5 volt, jika diketahui σ kawat adalah 6.07 x 107 (Ohm-m)-1 ?

 100 m
Cu wire - I = 2.5 A +

 V

100 m
< 1.5 V
 V
R 
D 2 A I 2.5 A

4 6.07 x 107 (Ohm-m)-1

Solve to get D > 1.87 mm

7
 Energi band elektron

8
Adapted from Fig. 18.2, Callister & Rethwisch 8e.
 Struktur band elektron

Adapted from Fig. 18.3, 9

Callister & Rethwisch 8e.
 Konduksi dan transport elektron
• Metals (Conductors):
-- untuk bahan metal, pita konduksi (empty band) berdekatan
dengan pita valensi (filled band).

a) Sebelum eksitasi, b) setelah eksitasi

10
 Pita energi isolator dan semikonduktor

• Isolator: • Semikonduktor:
-- band gap lebar (> 2 eV) -- band gap sempit (< 2 eV)
-- sedikit elektron yang -- banyak elektron yang tereksitasi
tereksitasi melewati band gap melewati band gap
Energy empty Energy empty
conduction conduction
band band
GAP ?
GAP

filled filled

filled states
filled states

valence valence
band band

filled filled
band band
11
 Pengaruh suhu dan pengotor pada
resistivitas logam
• faktor yang mempengaruhi resistivitas logam
-- grain boundaries (batas butir)
-- dislocations (dislokasi)
-- impurity atoms (atom pengotor)
-- vacancies (kekosongan)
6
• resistivitas bertambah
Resistivity, 
(10 -8 Ohm-m)

5 dengan perlakuan:
4 -- temperature
3 d
-- wt% impurity
2 i -- %CW (cold work)

1 t
  termal   pengotor  deformasi
0 -200 -100 0 T (ºC)

Adapted from Fig. 18.8, Callister & Rethwisch 8e. (Fig. 18.8 adapted from J.O. Linde, Ann. Physik 5, p. 219 (1932); 12
and C.A. Wert and R.M. Thomson, Physics of Solids, 2nd ed., McGraw-Hill Book Company, New York, 1970.)
 Estimasi Konduktivitas
• Question:
-- Estimate the electrical conductivity  of a Cu-Ni alloy
that has a yield strength of 125 MPa.
Yield strength (MPa)

180

(10 -8 Ohm-m)
160 50

Resistivity, 
140 40
125
120 30
100 20
21 wt% Ni
80 10
60 0
0 10 20 30 40 50
wt% Ni, (Concentration C) 0 10 20 30 40 50
wt% Ni, (Concentration C)
  30 x 108Ohm  m
1
  3.3 x 106(Ohm  m)1

13
Adapted from Callister & Rethwisch 8e.
 Eksitasi elektron pada isolator dan
semikonduktor
ada dua tipe pembawa muatan:
Elektron bebas
– muatan negatif
– dalam pita konduksi

Hole
– muatan positif
– kekosongan elektron pada
pita valensi

14
Adapted from Fig. 18.6(b), Callister & Rethwisch 8e.
 Semikonduktor Intrinsik

• Material semikonduktor murni contohnya adalah

Silikon dan germanium
– Group IVA materials
• Semikonduktor campuran
– golongan III-V
• Ex: GaAs & InSb
– golongan II-VI
• Ex: CdS & ZnTe

15
 Semikonduktor Intrinsik

• konsep elektron dan hole:

valence electron hole electron hole
electron Si atom
pair creation pair migration

- + - +

no applied applied applied

electric field electric field electric field
Adapted from Fig. 18.11,
• konduktivitas elektrik Callister & Rethwisch 8e.

# holes/m3
  n e e  p e h
hole mobility
# electrons/m3 electron mobility
16
 Jumlah pembawa muatan

Konduktivitas Intrinsik
  n e e  p e h

• untuk semikonduktor intrinsik n = p = ni

  = ni|e|(e + h)
• contoh : GaAs
 106 (  m)1
ni  
e  e   h  (1.6 x1019 C)(0.85  0.45 m2 /V  s)

untuk GaAs ni = 4.8 x 1024 m-3

untuk Si ni = 1.3 x 1016 m-3
17
 Semikonduktor Intrinsik
• untuk silikon murni berlaku :
--  naik dengan naiknya T
-- berlawanan dengan logam
  ni e e  h 

E gap / kT
ni  e

material band gap (eV)
Si 1.11
 Ge
GaP
0.67
2.25
CdS 2.40

Selected values from Table 18.3,

Callister & Rethwisch 8e.

Adapted from Fig. 18.16, 18

Callister & Rethwisch 8e.
 Semikonduktor Ekstrinsik

-- sifat listrik ditentukan oleh pengotor

-- n ≠ p

• tipe-n: (n >> p) • tipe-p: (p >> n)

Phosphorus atom Boron atom
hole
4+ 4+ 4+ 4+ conduction 4+ 4+ 4+ 4+
  n e e 4 + 5+ 4 + 4 +
electron
4+ 3+ 4+ 4+   p e h
valence
4+ 4+ 4+ 4+ electron 4+ 4+ 4+ 4+
Si atom
Tanpa medan listrik Tanpa medan listrik

Adapted from Figs. 18.12(a)

& 18.14(a), Callister &
Rethwisch 8e. 19
 p-n Junction
Tanpa sumber tegangan
+ p-type -
n-type
+ + -
+ + - - -
Bias maju
p-type + - n-type
+ + -
++- - -
+ -

Bias mundur
+ p-type n-type -
- + + - - +
+ + - -
Grafik bias maju dan mundur
20
Adapted from Callister & Rethwisch 8e.