Nurmalisa Dwi Wulandari  Bentuk fisiknya kecil

MS  Sering di pakai dalam rangkaian adaptor

3A/ sebagai perata arus, dapat juga digunakan
19
sebagai saklar elektronik
4.21.1
 Tahan terhadap arus besar max sekitar
6.0.21
150 ampere
Tahan terhadap tegangan tinggi max 1000 volt
UJIAN AKHIR SEMESTER GASAL TAHUN AKADEMIK 2018/2014
2. Cara Kerja Dioda Zener :
“PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA DASAR”
Dioda Zener merupakan dioda junction P
POLITEKNIK NEGERI SEMARANG
dan N yang terbuat dari bahan dasar silikon. Dioda
JURUSAN TEKNIK MESIN ini dikenal juga sebagai Voltage Regulation Diode
PROGRAM STUDI TEKNIK MESIN yang bekerja pada daerah reverse (kuadran III).
Potensial dioda zener berkisar mulai 2,4 sampai

Soal Check Point 200 volt dengan disipasi daya dari ¼ hingga 50
watt.
1. d
Titik breakdown dari suatu dioda zener
2. a
dapat dikontrol dengan memvariasi konsentrasi
3. c
doping. Konsentrasi doping yang tinggi, akan
4. d
meningkatkan jumlah pengotoran sehingga
tegangan zenernya (Vz) akan kecil. Demikian juga
Soal Essay sebaliknya, dengan konsentrasi doping yang
1. Dioda germanium digunakan pada rangkaian detektor radio rendah diperoleh Vz yang tinggi.
penerima, Dioda germanium (dibuat dari bahan germanium Fenomena tegangan breakdown dioda ini
) sedangkan Dioda silicon digunakan sebagai menginspirasi pembuatan komponen elektronika
penyearah, Dioda Silicon (dibuat dari bahan silicon ). kerabat dioda yang bernama Zener. Tidak ada
perbedaan struktur dasar dari Zener dengan dioda.
Dioda germanium mempunyai sifat-sifat diantaranya :
 Bentuk fisiknya kecil Dengan memberi jumlah doping yang lebih
 Digunakan untuk rangkaian yg power outputnya banyak pada sambungan P dan N, ternyata
besar tegangan breakdown dioda bisa makin cepat
 Tahan terhadap tegangan tinggi max 500 volt tercapai. Jika pada dioda biasanya baru terjadi
 Tahan terhadap arus besar max 10 ampere breakdown pada tegangan ratusan volt, pada Zener
 Tegangan yg hilang hanya 0,7 volt saja. bisa terjadi pada angka puluhan dan satuan volt. Di
Dioda silikon mempunyai sifat-sifat diantaranya :
 datasheet ada Zener yang memiliki tegangan Vz sebesar 2
volt, 5.6 volt dan sebagainya. Fungsi dari komponen ini
biasanya dipakai untuk pengamanan rangkaian setelah
tegangan Zener.

Karakteristik Dioda

Dalam komponen dioda terdapat dua karakteriktik

yang harus anda pahami. Karakteristik dioda
Pada dioda zener terdapat nilai Izm (Arus zener
tersebut berguna untuk menghasilkan rangkaian
maksimum) yang telah ditentukan oleh pabrik dan arus
yang bagus. Berikut penjelasan karakteristik
zener tidak boleh melebihi Izm tersebut, karena akan
dioda:
mengakibatkan kerusakan pada dioda zener. RS adalah
hambatan yang berfungsi sebagai pembatas arus untuk
Dioda di Bias Maju
rangkaian stabilizer tegangan. Apabila tegangan Vi lebih
Karakteristik dioda yang pertama ialah di bias
tinggi dari Vz dan RL lebih besar dari RL minimum maka
secara maju. Dioda di bias maju memiliki
fungsi dari stabilizer tegangan pada dioda zener dapat
penjelasan yaitu upaya untuk memberikan
bekerja, oleh karena itu RL harus lebih besar dari RLmin.
tegangan luar menuju terminal dioda. Apabila
RLmin dapat ditentukan pada saat VL = Vz
anoda terhubung dengan kutup positif pada batere
serta katoda terhubung dengan kutub negatif pada
batere maka akan mengakibatkan bias mau atau
forward bias. Jenis kegiatan anoda yang mengalir
3. Gambar dan Penjelasan Karakteristik Diode
kekatoda ini memiliki kesamaan dengan rangkaian
tertutup. Apabila tegangan yang diberikan berbeda
dan nilai arusnya positif maka bias tersebut akan
teraliri arus.

Dioda di Bias Mundur

 Karakteristik dioda selanjutnya ialah di bias secara mundur. Rangkaian Transistor Common Emitter untuk
Dalam bias mundur, anoda dihubungkan dengan kutupKurva Tegangan-Arus
negatif dan katoda dihubungan dengan kutup positif. Kurva tersebut mengindikasikan bahwa terdapat
Dengan begitu jumlah arus yang mengalir pada rangkaian 4 (empat) buah daerah operasi, yaitu:
bias mundur akan lebih kecil. Pada bias mundur dioda, • Daerah Potong (Cutoff Region)
terdapat arus maju yang dihubungkan dengan batere yang • Daerah Saturasi (Saturation Region)
memiliki tegangan tidak terlalu besar dan signifikan karena • Daerah Aktif (Active Region), dan
tidak mengalami peningkatan. Ketika terjadi proses • Daerah Breakdown.
reserve, dioda tidak bisa menghantarkan listrik karena nilai dimana setiap daerah memiliki
hambatannya besar. Dioda ini juga dianjurkan untuk tidak karakteristik masing-masing. Fungsi dan
memiliki besar tegangan dan arus yang melebihi batas. kegunaan Transistor dapat diketahui dengan
memahami karakteristik-karakteristik Transistor
tersebut. Disamping itu, perancangan dan analisa
Transistor sesuai dengan fungsinya juga akan
4. Gambar dan penjelasan karakteristik transistor berdasarkan karakteristik ini.
Karakteristik yang paling penting dari Transistor Karakteristik dari masing-masing daerah
adalah grafik Dioda KolektorEmiter, yang biasa dikenal operasi Transistor tersebut dapat diringkas
dengan Kurva Tegangan-Arus (V-I Curve). Kurva ini sebagai berikut:
menggambarkan arus Kolektor, IC, dengan tegangan lintas • Daerah Potong:
persambungan Kolektor – Emiter, VCE, dimana harga- Dioda Emiter diberi prategangan mundur.
harga tersebut diukur dengan arus Basis, IB, yang Akibatnya, tidak terjadi pergerakan elektron,
berbedabeda. Rangkaian yang digunakan untuk sehingga arus Basis, IB = 0. Demikian juga, arus
mendapatkan kurva tampak pada Gambar : Kolektor, IC = 0, atau disebut ICEO (Arus
Kolektor ke Emiter dengan harga arus Basis
adalah 0).
• Daerah Saturasi
Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda
Kolektor juga diberi prategangan maju.
Akibatnya, arus Kolektor, IC, akan mencapai
harga maksimum, tanpa bergantung kepada arus
Basis, IB, dan βdc. Hal ini, menyebabkan
Transistor menjadi komponen yang tidak dapat
dikendalikan. Untuk menghindari daerah ini,
Dioda Kolektor harus diberi prateganan mundur, dengan
tegangan melebihi VCE(sat) yaitu tegangan yang
menyebabkan Dioda Kolektor saturasi.
• Daerah Aktif
Dioda Emiter diberi prategangan maju. Dioda Kolektor
diberi prategangan mundur. Terjadi sifat-sifat yang
diinginkan, dimana: Soal Perhitungan
IE = IC + 1.
IB

atau
IC =
βdc IB

dan

tau
IC = αdc IE
sebagaimana penjelasan pada bagian sebelumnya.
Transistor menjadi komponen
yang dapat dikendalikan.
• Daerah Breakdown
Dioda Kolektor diberiprategangan mundur yang
melebihi tegangan
Breakdownnya, BVCEO(tegangan breakdown dimana
tegangan Kolektor ke Emiter saat Arus Basis adalah nol).
Sehingga arus Kolektor, IC, melebihi spesifikasi yang
dibolehkan. Transistor dapat mengalami kerusakan.
Menghitung IC IB dan IE
Kita gunakan Hukum Kirchoff 2 :
Loop ACEA :
( Vcc – Vce ) – ( Ic.2000 + Ie.1000 ) = 0
20 = 2000 Ic + 1000 Ie ................................ (1)
Loop CDBC :
(Vcb) + (Ic.2000 + Ib.299000) = 0
(Vce – Vbe) + 2000 Ic + 299000 Ib = 0
5 = 299000 Ib – 2000 Ic ................................ (2)
Kirchoof 1 : Ie = Ic + Ib .................................(3)
Persamaan (1) dan (3)
20 = 2000 Ic + 1000 (Ic + Ib)
 20 = 3000 Ic + 1000 Ib ................................... (4) Maka V = I . R
𝑉 𝑉𝑠 15 𝑣𝑜𝑙𝑡
Sehingga I = 𝑅 = 𝑅𝑏 = = 0.00681
2200 𝑂ℎ𝑚
40 = 6000 Ic + 2000 Ib
Ampere
15 = -6000 Ic + 897000 Ib +
Untuk menentukan besarnya penguatan

Ib = 6,12 x 10-5 Ampere = 61,2 = µA penguat beda pada alat ini, maka dilihat

Substitusikan ke Persamaan (4) diperoleh dari : kembali persamaan

Ic = 6,65 x 10-3 A = 6,65 mA vc 2  vc1  (VCC  Ic 2 Rc )  (VCC

 Ic1Rc )
Jadi, diperoleh vc 2  vc1  (Ic1  Ic 2 ) Rc
-3
Ie = 6,71 x 10
Ie = 6,71 mA

2. Sebuah rangkaian non inverting amplifier, Rf= 20 kohm

R1 = 10 kohm Vin gelombang sinusoidal = 1 volt peak to
peak frekwensi 1 khz
Hitung voltage gain, gambarlah input output sinyal
tegangan dan gambar transfer karakteristik inverting
+
amplifier dengan Vsat = - 13 volt

Dimana Vx = Vs = 15 volt
 (2.13)
vd
di mana Ic1  Ic 2  Io tanh( )
2VT
sehingga,

vc 2  vc1 tanh( vd )Rc

 Io
2VT
tanh(
vd 2VT
)
(