Eldas 3. Transistor PDF
Eldas 3. Transistor PDF
Transistor Bipolar
BJT
Bipolar Junction Transistor
Aktif
Saturation
Cutoff
Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 11
Kurva Karakteristik
Common Base Configuration
Pada Active Region, collector-base
mengalami reverse bias, sementara base-
emitter mengalami forward bias
Pada Cuttoff Region, collector-base dan
base-emitter mengalami reverse bias
Pada Saturation Region, collector-base dan
base-emitter mengalami forward bias
𝐼𝐶
𝛼𝑑𝑐 = 𝐼𝐸
Aktif
Saturation
Cutoff
Elektronika Dasar Missa Lamsani Hal 16
Kurva Karakteristik
Common Emitter Configuration
Pada Active Region, collector-base
mengalami reverse bias, sementara base-
emitter mengalami forward bias
Pada Cuttoff Region, collector-base dan
base-emitter mengalami reverse bias
Pada Saturation Region, collector-base dan
base-emitter mengalami forward bias
𝛽
𝛼= 𝛽+1
𝛼
𝛽= 𝛼 −1
𝐼𝐸 = (𝛽 + 1)𝐼𝐵
𝑉𝐵𝐸 = 0.7𝑉
𝐼𝐸 = β + 1 𝐼𝐵 ≅ 𝐼𝑐
𝐼𝑐 = β 𝐼𝐵
Daerah aktif
Daerah saturasi
Daerah cutoff
C
B
C
B
E
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸
𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸
Karena 𝑉𝐸 = 0, maka 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵
𝑉𝐵𝐶
Β = 50
C
10μF B
Konfigurasi rangkaian
ini adalah merupakan
modifikasi rangkaian
fixed bias dengan
maksud untuk
memperoleh stabilitas
yang lebih baik
+𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − 𝐼𝐸 𝑅𝐸 = 0
+𝑉𝑐𝑐 − 𝐼𝐵 𝑅𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 − (𝛽 + 1) 𝐼𝐵 𝑅𝐸 = 0
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = 𝑅𝐵 +(𝛽+1) 𝑅𝐸
Carilah : 𝐼𝐵 ; 𝐼𝐶 ; 𝑉𝐶𝐸 ; 𝑉𝐶 ; 𝑉𝐸 ; 𝑉𝐵 ;
𝑉𝐵𝐶