Silicon Ingot Production:
Czochralski - Technique
The Czochralski-teknik :
adalah metode untuk menarik monocrystal dengan
orientasi kristalografi yang sama dari kristal benih
monocrystalline kecil dari silikon yang meleleh.
Pertama, elektronik grade polysilicon nugget
(misalnya: dari Siemens-proses) opsional bersama
dengan dopan yang meleleh dalam cawan kuarsa pada
suhu > 1400 ° C dalam suasana gas inert (e. G. Argon).
Wadah kuarsa duduk di dalam sebuah wadah grafit
yang - karena konduktivitas panas yang tinggi -
homogen memindahkan panas dari pemanas
sekitarnya untuk wadah kuarsa. Suhu silikon mencair
dipertahankan konstan kira-kira di atas titik leleh
silikon. Sebuah kristal benih silikon monocrystalline
dengan orientasi kristal yang diinginkan (misalnya
<100>, <110> atau <111>) dicelupkan ke dalam
lelehan dan bertindak sebagai titik awal untuk
pembentukan kristal didukung oleh perpindahan panas
dari lelehan ke sudah tumbuh kristal. Kristal benih
secara perlahan (beberapa cm / jam) menarik diri dari
lelehan, di mana kecepatan tarik menentukan diameter
kristal. Selama pertumbuhan kristal, kristal serta
wadah kontra-putar dalam rangka meningkatkan
homogenitas kristal dan konsentrasi dopan nya.
Sebelum pertumbuhan kristal selesai, peningkatan
terus menerus dari kecepatan tarik mengurangi
diameter kristal menuju nol. Ini membantu mencegah
stres termal dalam ingot yang bisa terjadi dengan
mengangkat tiba-tiba keluar dari lelehan dan bisa
menghancurkan kristal.
Proses langkah yang berbeda dari pertumbuhan kristal
Czochralski: Mencairnya poli silikon dengan dopan, perendaman
dari kristal benih, pertumbuhan kristal.
Tugas Nano Material : Agus Setijono 2716.201.010
The Czochralski-technique:
is a method to pull a monocrystal with the same
crystallographic orientation of a small
monocrystalline seed crystal out of melted silicon.
First, electronic-grade polysilicon nuggets (e. g. from
the Siemens-process) optionally together with
dopants are melted in a quartz crucible at a
temperature > 1400°C in an inert gas atmosphere (e.
g. argon). The quartz crucible sits inside a graphite
container which – due to its high heat conductivity –
homogeneously transfers the heat from the
surrounding heater to the quartz crucible. The silicon
melt temperature is kept constant roughly above the
silicon melting point. A monocrystalline silicon seed
crystal with the desired crystal orientation (e.
g.<100>, <110> or <111>) is immersed into the
melt and acts as a starting point for the crystal
formation supported by the heat transfer from the
melt to the already grown crystal. The seed crystal is
slowly (few cm/hour) pulled out of the melt, where
the pull speed determines the crystal diameter.
During crystal growth, the crystal as well as the
crucible counter-rotate in order to improve the
homogeneity of the crystal and its dopant
concentration.
Before the crystal growth is finished, a continuous
increase of the pull speed reduces the crystal
diameter towards zero. This helps prevent thermal
stress in the ingot which could happen by an abrupt
lifting out of the melt and could destroy the crystal.
The different process steps of Czochralski crystal growth: Melting of
poly silicon with dopants, immersion of the seed crystal, crystal
growth.
Page 1
Keuntungan:
The Czochralski-teknik memungkinkan diameter
kristal besar (keadaan seni: 18 inch = 46 cm)
Kerugian:
Salah satu kelemahan dari Czochralski-teknik adalah
kotoran seperti oksigen (typ. 1018 cm-3) dan karbon
(typ. 1017 cm-3) dari wadah kuarsa dan grafit yang
menurunkan panjang difusi pembawa minoritas di
wafer silikon selesai.
Kerugian lain adalah homogenitas rendah comparably
konsentrasi dopan aksial dan radial dalam kristal yang
disebabkan oleh osilasi di mencair selama
pertumbuhan kristal. Hal ini membuat sulit untuk
mencapai CZ-wafer tinggi ohmic dengan resistivitas
melebihi 100 Ohm cm). Sebuah medan magnet
("Magnetic Czochralski", MCZ) dapat menghambat
osilasi ini dan meningkatkan homogenitas dopan di
ingot.
Czochralski-Technique: Advantages and Disadvantages
Tugas Nano Material : Agus Setijono 2716.201.010
Advantages:
The Czochralski-technique allows big crystal
diameters (state of the art: 18 inch = 46 cm).
Disadvantages:
One disadvantage of the Czochralski-technique is
impurities such as oxygen (typ. 1018 cm-3) and carbon
(typ. 1017 cm-3) from the quartz and graphite crucible
which lower the minority carrier diffusion length in
the finished silicon wafer.
Another disadvantage is a comparably low
homogeneity of the axial and radial dopant
concentration in the crystal caused by oscillations in
the melt during crystal growth. This makes it difficult
to attain high-ohmic CZ-wafers with a resistivity
exceeding 100 Ohm cm). A magnetic field
(“Magnetic Czochralski”, MCZ) can retard these
oscillations and improve the dopant homogeneity in
the ingot.
Page 2