PrinsipkerjaFET1 PDF
PrinsipkerjaFET1 PDF
Struktur JFET
IDS -IDS
Drain (D) Drain (D)
n p
n p
VGS VGS
Source (S) Source (S)
Perhatikan (unutk kanal n) bahwa terdapat struktur pn junction antara Gate (G) dengan Source(S),
dan ada satu jalur arus yang melewati semikonduktor ekstrinsik tipe n. (Ingat bahwa semikonduktor
ekstrinsik lebih mempunyai sifat mendekati konduktor yang mempunyai sifat resistif)
JFET memanfaatkan adanya efek medan yang muncul pada junction (sambungan) p-n. Sebagaimana
dijelaskan pada saat materi dioda, pemberian tegangan pada pn junction akan mengakibatkan
perubahan daerah deplesi (daerah yang mempunyai sedikit muatan bebas). Pada saat bias forward
(p lebih positif daripada n), arus dapat dengan mudah melewati junction. Akan tetapi pada saat bias
reverse(p lebih negatif dari n), hampir tidak ada arus yang dapat melewati junction, akibat semakin
lebarnya daerah deplesi. Pada saat reverse bias, semakin negatif tegangan yang diberikan antara p
dengan n, semakin lebar pula daerah deplesi. Perubahan daerah deplesi inilah yang dimanfaatkan
pada JFET. Perhatikan urutan gambar-gambar berikut:
IDS IDS
Drain (D) Drain (D)
n n
n n
VGS > 0 VGS = 0
n-JFET saat GS diberi tegangan forward n-JFET saat GS diberi tegangan 0 (VGS=0)
(VGS>0) Arus IDS mengalir maksimal
Arus IDS mengalir maksimal
IDS
Drain (D)
Gate (G)
pp pp
IG
n
VGS < 0
Source (S)
IDS IDS
Drain (D) IDS
Drain (D)
Drain (D)
n n
n
Gate (G) Gate (G)
pp pp Gate (G)
pp pp pp pp
IG IG IG
n n n
VGS1 < 0 VGS2 < 0 VGS3 < 0
IDSS
V GS VP
Hubungan antara arus IDS dan tegangan VGS memenuhi suatu persamaan
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 −
𝑉𝑃
IDS= arus dari Drain ke Sourve
VGS=tegangan antara Gate dan Source
IDSS= arus maksimum dari Drain ke Source (suatu konstanta)
VP= tegangan yang mengakibatkan arus IDS menjadi nol (suatu konstanta)
Bias tegangan apakah yang diberikan pada junction Gate-Source yang dapat mengatur arus IDS?
reverse bias.
Bagaimana arus yang lewat junction ketika kondisi reverse bias?
Arus pada saat reverse bias adalah nol.
IG=0
Struktur MOS (Metal Oxide
Semiconductor)
Struktur MOS membentuk suatu lapisan metal (konduktor), oksida (isolator), dan semikonduktor,
sebagaimana ditunjukkan gambar berikut:
METAL
OXIDE
SEMICONDUCTOR
Struktur MOS
M ++++++++++++
O
-----------------
S p
Suatu MOS ketika diberikan suatu tegangan antara metal dengan semikonduktornya. Perhatikan
adanya muatan yang mungkin terkumpul di bawah lapisan oksida ketika pada metal terdapat
muatan! Mengapa bisa terjadi?
Apa pembawa muatan mayoritas pada semikonduktor tipe p? hole
Apa yang terkumpul pada lapisan di bawah oksida pada gambar di atas? elektron
Apakah terjadi perubahan sifat semikonduktor di bawah lapisan oksida? Ya, ada. Lapisan dibawah oksida
menjadi semikonduktor tipe n, pembawa mayoritas sekarang adalah elektron.
MOSFET (Metal Oxide Semiconductor
Field Effect Transistor)
Struktur MOSFET
n+
n n
p
n-MOSFET Depletion
Pada n-MOSFET depletion, sudah dibuatkan suatu lapisan tipe n (berlawanan dengan tipe
semikonduktornya) dibawah lapisan oksida. Sehingga terdapat suatu jalur dengan type sama antara
Drain dan Source. Jalur ini selanjutnya disebut channel. Pemberian tegangan VGS nantinya akan dapat
mempengaruhi keberadaan channel ini, dari channel yang lebar menjadi channel yang sempit bahkan
hilang.
n n
p
n-MOSFET Enhancement
Pada n-MOSFET Enhancement, pembentukan channel akan terjadi saat VGS diberi tegangan (terjadi
penambahan chanel, to enhance)
Pengaruh Pemberian Tegangan pada
MOSFET
Arus yang pada MOSFET
IG=0
Prinsip kerja n-MOSFET Depletion sangat mirip dengan JFET, yaitu pemberian tegangan negatif
antara Gate dan source dapat mengurangi lebar channel. Persamaan arus yang berlaku adalah sama
yaitu
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 −
𝑉𝑃
IDS= arus dari Drain ke Source
VGS=tegangan antara Gate dan Source
IDSS= arus maksimum dari Drain ke Source (Konstanta)
VP= tegangan yang mengakibatkan arus IDS menjadi nol (konstanta)
n-MOSFET Enhancement
Prinsip kerja n-MOSFET Enhancement berbeda dengan kedua tipe FET sebelumnya. Pemberian
tegangan VGS dimaksudkan untuk menambahkan adanya suatu channel dibawah lapisan oksida
sehingga nantinya terdapat jalur arus dari Drain menuju Source.
𝐼𝐷𝑆 = 𝐾 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇 2
D
D
G
G
S
S
D-MOSFET
D-MOSFET kanal P
D-MOSFET kanal N
E-MOSFET
D D
S S
Perhatikan bahwa simbol-simbol FET sangat mirip dengan struktur-struktur FET! Setuju?
Pada simbol MOSFET, sering kali digambarkan tanpa menggunakan kaki Bulk. Jadi hanya terdapat D,
G, dan S. Umumnya Bulk pada n terhubung dengan tegangan terendah, sedangkan Bulk tipe p
terhubung dengan tegangan yang tertinggi.
Pemberian Tegangan Bias pada JFET
(Rangkaian dengan FET)
Pada JFET kanal n, untuk membuat JFET aktif (arus dapat dikontrol oleh VGS) tegangan pada Drain
lebih positif dibandingkan tegangan pada Source. Drain terhubung dengan VDD sedangkan Source
terhubung dengan VSS atau Ground.
1k
RD
D
G Vp= -4V
IDSS =12 mA
VGS=-2V S
(1) Diketahui suatu rangkaian yang menggunakan JFET n-channel dengan IDSS=12mA dan VP=-4V
seperti ditunjukkan gambar di atas. Antara VDD dengan Drain terdapat RD= 1k ohm
Berapakah arus IDS dan tegangan VDS yang terjadi?
Jawab:
Sesuai dengan persamaan arus pada JFET n-channel bahwa :
2
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 −
𝑉𝑃
Maka
−2𝑉 2
𝐼𝐷𝑆 = 12𝑚𝐴 1 −
−4
1 2 1
𝐼𝐷𝑆 = 12𝑚𝐴 1 − = 12𝑚𝐴 𝑥 = 3𝑚𝐴
2 4
Loop tegangan yang dibentuk oleh VDD, RD, FET, dan Ground mempunyai persamaan:
𝑉𝐷𝐷 = 𝐼𝐷 𝑅𝐷 + 𝑉𝐷𝑆
sehingga
10𝑉 = 3𝑚𝐴 𝑥 100𝑘Ω + 𝑉𝐷𝑆
Diperoleh
𝑉𝐷𝑆 = 10𝑉 − 3𝑚𝐴 𝑥 1𝑘Ω = 7𝑉
Self Bias Dengan RS
VDD = +10V
RD
1k IDS
D
IG
Vp= -4V
G IDSS = 8 mA
RG
S
1M RS IDS
1,5k
(2) Diketahui suatu rangkaian yang menggunakan JFET n-channel dengan IDSS=8mA VP=-4V
seperti ditunjukkan gambar di atas. Berapakah arus IDS dan tegangan VDS yang terjadi?
Jawab:
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 − …………………… (i)
𝑉𝑃
Arus IG pada JFET adalah 0 A (Mengapa? Jika tidak bisa menjawab berarti halaman
sebelumnya ada yang terlewat membacanya).
VG=-IG RG = 0V (Mengapa?)
-VGS=IDS RS
𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷𝑆 = − …………….. (iii)
𝑅𝑆
9
IDS
4
0
-5 -4 -3 -2 -1 0
VGS
Diperoleh dua persamaan IDS dari (i) dan (ii), kita dapat mencari
nilai VGS dari sini. Diperoleh:
𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 2
−
𝑅𝑆
= 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 − 𝑉𝑃
Karena rentang kerja arus IDS dapat mengalir jika VGS berada diantara
VP dan 0V maka VGS yang mungkin adalah
VGS=-2.26
Dengan demikian
𝑉 −2.26𝑉
𝐼𝐷𝑆 = − 𝐺𝑆 = − = 1.5𝑚𝐴
𝑅𝑆 1.5𝑘Ω
VDD = +10V VDS dapat dicari dengan menyelesaikan persamaan loop yang
terbentuk dari VDD, RD, DS, RS, dan Ground
RG
S
IDS
Mudah ya?
1M RS
1,5k
Bias Pembagi Tegangan
VDD = +15V
RD
1k IDS
RG1
D
200k
IG
Vp= -4V
IDSS =8 mA
G
RG2 RS S
100k 1,5k IDS
Jawab:
𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷𝑆 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 − …………………… (i)
𝑉𝑃
𝑉𝐷𝐷
VG= 𝑅𝐺2 (Mengapa? Karena IG=0 maka arus yang melewati RG1 dan
𝑅𝐺 1 +𝑅𝐺 2
RG2 adalah sama, sehingga …… silahkan dilanjutkan)
VG= 5V
5V-VGS=IDS RS
5𝑉−𝑉𝐺𝑆
𝐼𝐷𝑆 = …………….. (iii)
𝑅𝑆
9
IDS
4
0
-5 -4 -3 -2 -1 0
VGS
Diperoleh dua persamaan IDS dari (i) dan (ii), kita dapat mencari
nilai VGS dari sini. Diperoleh:
5−𝑉𝐺𝑆 𝑉𝐺𝑆 2
𝑅𝑆
= 𝐼𝐷𝑆𝑆 1 − 𝑉𝑃
Karena rentang kerja arus IDS dapat mengalir jika VGS berada diantara
VP dan 0V maka VGS yang mungkin adalah
VGS=-1.1V
Dengan demikian
5−𝑉𝐺𝑆 5−(−1.1𝑉)
𝐼𝐷𝑆 = = = 4.07𝑚𝐴
𝑅𝑆 1.5𝑘Ω
VDD = +15V VDS dapat dicari dengan menyelesaikan persamaan loop yang
terbentuk dari VDD, RD, DS, RS, dan Ground
Kumpulkan langsung tugas pada hari Senin, 13 Desember 2010, antara jam 10 s.d 14.00 (kecuali yang
sedang kuliah penuh pada jam tersebut silahkan konfirmasi langsung dengan saya). Saya tunggu di
ruangan saya di depan Lab. Infomatika dan Komputer. Tugas ini harus dikumpulkan sendiri, karena
sekaligus akan dilakukan evaluasi untuk masing-masing mahasiswa. Pertanyaan dapat dilakukan
lewat sms atau email.
Terima kasih.