NOTA KULIAH 6
2020/202
SEMESTER SEMESTER 1 DIPLOMA SESI
1
DUTY06/TASK6.01
Elektronik (Electronics)
Elektronik merujuk kepada cabang sains fizik yang berkaitan dengan kelakuan
pengaliran elektron--elektron dan pembawa--pembawa elektrik yang lain di dalam
hampagas,, gas dan separa pengalir (Bishop dan Owen,1983).
Pengaliran cas--cas elektronik dikenali sebagai arus elektrik; manakala laluan tertutup
bagi pengaliran cas--cas elektrik dipanggil sebagai litar elektrik.
Mikroelektronik (Microelectronics)
Merujuk kepada semua teknik-teknik yang digunakan dalam pembikinan litar-litar dan
system elektronik yang sangat kecil termasuk semua jenis litar bersepadu silicon,
litar-litar saput tipis dan tebal.
2
DEB1133 / K 06 / NK 06 - 06
dalam satu set operasi pada satu chip silicon seperti mana yang digunakan untuk
membuat satu transistor.. Lihat gambarajah 1--1 dan 1--2 untuk membandingkan
perbezaan di antara litar OP--AMP pada litar bersepadu dengan litar sebenar yang
menggunakan komponen diskret.
3
DEB1133 / K 06 / NK 06 - 06
2. Ringan
3. Kos Rendah
pengurangan kos disebabkan oleh penggunaan wafer (kira-kira 400 serpihan) dan
pengeluaran besar-besaran (mess production).
5. Kebolehpercayaan Tinggi
kurang masalah kenaikan suhu disebabkan penggunaan kuasa yang rendah; tahan
lama.
7. Mudah ditukarganti
Iebih murah dan mudah ditukarganti jika mengalami kerosakan.
Terdapat 2 jenis komponen yang biasa digunakan dalam litar elektronik iaitu :-
A) Komponen Pasif
Perintang, pemuat, pengaruh dan pengubah
Boleh digunakan untuk menghantar isyarat dari satu bahagian ke satu bahagian
B) Komponen Aktif
4
DEB1133 / K 06 / NK 06 - 06
5
DEB1133 / K 06 / NK 06 - 06
Rajah 3: Kedudukan pin dan symbol-simbol litar bersepadu yang biasa digunakan
Rajah 4: Keratan rentas Litar bersepadu jenis bungkusan SOP dan QFJ
6
DEB1133 / K 06 / NK 06 - 06
Tujuan
Untuk menutup keseluruhan binaan dalaman IC dengan bekas plastic, seramik dan
logam.
Fungsi-fungsi
Membolehkan IC disambung dan digunaakan dengan mudah pada papan elektronik
Memberikan perlindungan fizikal kepada binaan dalaman IC seperti wayar emas,
serpihan silicon dan litar daripada kerosakkan atau calar
Memberikan perlindungan terhadap kelembapan, gas dan bahan kimia yang wujud
pada persekitaran
Memastikan IC berada dalam bentuk yang dapat dipasarkan
Memastikan IC dalam bentuk yang mudah digunakan.
7
DEB1133 / K 06 / NK 06 - 06
8
DEB1133 / K 06 / NK 06 - 06
F. HUKUM MOORE
Hukum Moore adalah diilhamkan oleh Gordon Moore (pengasas syarikat INTEL)
pada 1964.
BeIiau menyatakan bahawa "Jumlah transistor pada serpih akan bertambah dua kali
ganda dalam setiap tempoh 18 hingga 24 butan.
Kelajuan kendalian mikropemproses juga akan bertambah dua kali ganda pada
tempoh yang sama. jika kos pengeluaran adalah tetap."
Ini dapat ditunjukkan pada gambarajah graf 1.6 di mana jumlah transistor sepatutnya
bertambah secara linear tetapi mula berkurangan setepas tahun 1970.
Faktor yang menyumbang kepada kesahihan Hukum Moore adalah kerana masalah
kepadatan litar semakin meningkat sehingga ruang pada serpih menjadi semakin
terhad. Di samping itu, litar bersepadu juga menjadi semakin sukar untuk diuji dan
proses penghasilan litar bersepadu turut menjadi semakin rumit serta memertukan
kelengkapan kilang yang lebih mahal.
9
DEB1133 / K 06 / NK 06 - 06
Kesahihan Hukum Moore boleh dibuktikan melalui gambarajah graf 1-7 yang
menunjukkan pengurangan saiz transistor (feature size) melawan masa.
Saiz transistor atau komponen telah dikurangkan dari ukuran lebih dan 1m (mikron)
ke ukuran submikron. Kini saiz transistor yang paling kecil adalah pada 0.18m.
Keadaan menjadi semakin runcing apabila saiz transistor didapati semakin Iama
semakin sukar untuk dikecilkan Iagi. Keadaan ni memaksa kepada penggunaan saiz
serpih yang Iebih besar (wafer sebesar l inci, 3 inci, 8 inci atau l2inci).
10
DEB1133 / K 06 / NK 06 - 06
EVOLUSI MIKROELEKTRONIK
11
DEB1133 / K 06 / NK 06 - 06
LITAR BERSEPADU
1. MONOLITIK
Semua komponen (aktif dan pasif) dihasilkan pada satu serpih silicon (wafer).
Paling popular digunakan kerana kosnya rendah
Kebolehpercayaan tinggi
Kelemahan
Kelemahan pemencilan
Julat komponen pasif terhad
Rekabentuk litar tidak anjal
HIBRID
Pergabungan dua atau lebih serpih
Percantuman kaedah fabrikasi monolik dan filem
Komponen aktif dibentuk secara kaedah monolitik
Komponen pasif dibentuk secara kaedah filem
Rekabentuk yang paling anjal
Biasanya digunakan sebagai prototaip litar bersepadu monolik
Kelemahan
Kos terlalu tinggi
Kurang kebolehpercayaan
12
DEB1133 / K 06 / NK 06 - 06
2. FILEM
Komponen dihasilkan di atas serpih penebat seperti seramik atau kaca
Komponen pasif sahaja
Julat komponen lebih luas
Kurang masalah pemencilan
Komponen aktif boleh ditambahkan secara luaran- rekabentuk yang lebih anjal
Kelemahan
Kos lebih tinggi
Tidak sesuai untuk komponen aktif
PMOS
13
DEB1133 / K 06 / NK 06 - 06
Kelebihan :
Kelemahan :
NMOS
Kelebihan:
CMOS
Kelebihan :
Pelepasan kuasa rendah.
14
DEB1133 / K 06 / NK 06 - 06
Kebolehpercayaan tinggi.
Prestasi lebih baik.
Kelemahan :
Struktur Binaan
Kelebihan :
Teknologi Mos yang dicipta bagi mengatasi ketidakupayaan FET yang menggunakan
kuasa yang rendah.
Kelemahan :
15
DEB1133 / K 06 / NK 06 - 06
2. Transistor Bi-CMOS
Struktur Binaan
Kelebihan :
Kelemahan :
16
DEB1133 / K 06 / NK 06 - 06
Kelebihan :
Kelajuan pensuisan yang tinggi.
Masukan menawarkan lebih banyak fungsi.
Kelemahan :
IIL(Integrated-Injection Logic)
Struktur Binaan
Kelebihan :
17
DEB1133 / K 06 / NK 06 - 06
Kelemahan :
(a) (b)
Saiz biasa SMT
Litar bersepadu biasa berpin panjang yang akan dimasukkan ke dalam lubang pada
papan bercetak, manakala litar bersepadu SMT mempunyai pin pendek yang akan
dicagak atas papan litar menggunakan mesin pencagak automatik.
Litar bersepadu terbahagi kepada dua jenis iaitu TTL(transistor-transistor Logic) dan
CMOS (complimentary metal okside semiconductor).
Jadual 4 menunjukkan perbezaan antara litar bersepadu TTL dan CMOS.
18
DEB1133 / K 06 / NK 06 - 06
19
DEB1133 / K 06 / NK 06 - 06
Gambarajah
Pin
Core part
number
(a) Marking on
IC
(b) Decoding
The part
number
20