MAKALAH

Rangkaian MOSFET

Diajukan untuk memenuhi tugas akhir mata kuliah Elektronika I

Dosen Pengampu

Alfriska Oktarina Silalahi, S.Pd., M.Si.

Disusun Oleh:

1. Dimas Aji Pangestu 14S18022

2. Glesia Silalahi 14S18044
3. Kevin Siahaan 14S18051

FAKULTAS INFORMATIKA DAN TEKNIK ELEKTRO

INSTITUT TEKNOLOGI DEL

TAHUN AJARAN

2019/2020
 Kata Pengantar

Puji syukur kehadirat Tuhan Yang Mahakuasa kerena telah memberikan kesempatan pada
penulis untuk menyelesaikan makalah ini. Atas rahmat dan hidayah-Nya, penulis dapat menyelesaikan
makalah yang berjudul “Rangkaian MOSFET” tepat waktu. Makalah ini disusun untuk memenuhi
tugas akhir pada mata kuliah Elektronika I di Institut Teknologi Del. Selain itu, penulis juga
berharap agar makalah ini dapat menambah wawasan bagi para pembaca.Penulis mengucapkan
terima kasih sebesar-besarnya kepada Ibu Alfriska Oktarian Silalahi, S.Pd., M.Si. selaku dosen
mata kuliah Elektronika I. Tugas yang telah diberikan ini dapat menambah pengetahuan dan
wawasan terkait bidang yang ditekuni penulis. Penulis juga mengucapkan terima kasih pada semua
pihak yang telah membantu proses penyusunan makalah ini. Penulis menyadari makalah ini masih
jauh dari kata sempurna. Oleh karena itu, kritik dan saran yang membangun akan penulis terima
demi kesempurnaan makalah ini.

Balige, 25/05/2020
Daftar Isi
BAB I. PENDAHULUAN ................................................................................................................................ 4
1.1. Latar Belakang ................................................................................................................................. 4
1.2.Rumusan Masalah ............................................................................................................................. 4
1.3.Tujuan Penulisan Makalah ............................................................................................................ 4

BAB II. PEMBAHASAN ................................................................................................................................. 5

2.1. Transistor MOSFET .............................................................................................................................. 5
2.1.1 Struktur MOSFET ........................................................................................................................... 5
2.1.2 Jenis dan Tipe MOSFET ............................................................................................... 5
2.1.3 Cara Kerja MOSFET ................................................................................................ 12
2.1.4 Karakteristik dan Hubungan Arus dan Tegangan pada MOSFET ........................... 13

2.2 Penggunaan MOSFET dalam Perancangan Penguat ................................................................. 16

2.2.1. Prinsip Dasar Penggunaan MOSFET Menjadi Penguat ................................................ 16
2.2.2. Contoh Soal ................................................................................................................................. 18

2.3 Pemberian Bias MOSFET.................................................................................................................. 20

2.3.1. Rangkaian Bias Penguat MOSFET ................................................................................... 20
2.4 Respon Frekuensi Rendah .................................................................................................................... 21
2.4.1 Respon Frekuensi Umum dan Respon Frekuensi Rendah penguat Common Source dan
Emitter .................................................................................................................................................... 22
2.5 Respon Frekuensi Tinggi Common Source dan Common Emitter ................................................... 27
2.5.1 Analisis Respon Frekuensi Tinggi .............................................................................................. 27
2.6 Rangkaian Logika Digital CMOS ........................................................................................................ 37
2.6.1 Rangkaian Menggunakan CMOS .............................................................................................. 37
2.6.2 Karakteristik IC CMOS .............................................................................................................. 39

BAB III. PENUTUP ....................................................................................................................................... 40

3.1 Kesimpulan ............................................................................................................................... 40
3.2 Saran ......................................................................................................................................... 40
3.3 Daftar Pustaka.......................................................................................................................... 40
 BAB I. PENDAHULUAN
1.4. Latar Belakang

Makalah ini merupakan syarat untuk memenuhi tugas akhir pada mata kuliah Elektronika I yang di
ampu oleh Ibu Alfriska Oktrarina Silalahi, S.Pd., M.Si. Pada awalnya tugas akhir ini, mahasiswa diminta
untuk membuat power supply sederhana sebagai tugas akhir dari mata kuliah Elektronika I. Namun
karena saat ini telah muncul pandemic yang bernama COVID-19, mengharuskan para mahasiswa untuk
melakukan pembelajaran jarak jauh(PJJ) dari rumah masing masing untuk menghindari perkumpulan
dalam mengantisipasi penyebaran COVID-19. Sehingga tugas akhir yang semula membuat power
supply sederhana dialihkan menjadi membuat sebuah makalah yang mencakup seluruh materi
pembelajaran Elektronika I setelah UTS. Makalah ini diharapkan sebagai karya tulis yang baik dan
benar serta lengkap dan mudah dipahami sebagai salah satu syarat penilaian tugas akhir mata kuliah
elektronika 1. Dengan begitu makalah ini akan memperoleh hasil dan nilai yang baik pada saat penilaian.
Tugas akhir ini diberikan oleh Dosen pengampu mata kuliah elektronika 1 dan disetujui untuk
diselesaikan oleh mahasiswa sebagai salah satu syarat penilaian mata kuliah elektronika 1.

1.5. Rumusan Masalah

Isi dari makalah ini adalah ringkasan dari seluruh materi Elektronika I, sehingga rumusan masalah yang
penulis tetapkan adalah:

 Apa Pengertian MOSFET.

 Jenis-jenis MOSFET dan cara kerja MOSFET.
 Seperti apa saja implementasi penggunaan MOSFET.
 Apa yang dimaksud dengan respon Frekuensi.
 Seperti apa penggunaan MOSFET dalam perancangan penguat
 Apa yang dimaksud dengan pemberian Bias pada MOSFET
 Bagaimana rangkaian digital CMOS
 Seperti apa karakteristik inverter IC CMOS ?

1.6. Tujuan Penulisan Makalah

 Memenuhi tugas akhir dari mata kuliah Elektronika I.
 Membuat rangkuman seluruh materi Elektronika I setelah UTS.
 Mahasiswa dapat mengerti dan memahami rangkaian MOSFET dengan memperdalam
seluruh materi Elektronika I setelah UTS.
 BAB II. PEMBAHASAN
2.1 Transistor MOSFET

Ada dua jenis utama perangkat semikonduktor tiga terminal yaitu transistor efek medan efek logam
oksida (MOSFET) dan transistor BJT(Bijunction Transistor). MOSFET merupakan inti dari sebuah IC,
dan transistor ini banyak digunakan pada alat-alat elektronik, seperti pada desain rangkaian
integrasi(ICs), dimana semua rangkaian di fabrikasi dalam sebuah chip silikon.

Umumnya transistor yang paling banyak digunakan adalah jenis MOSFET kerena ukurannya yang lebih
kecil dibandingkan dengan transistor jenis yang lain, lebih mudah untuk dibuat, dan daya yang di
butuhkan relative lebih minim jika dibandingkan dengan transistor jenis yang lain.

MOSFET disusun dari beberapa terminal yaitu Source(S), Gate(G), Drain(D), dan Base(B). Gate dan
Base dipisahkan dari base dengan lapisan isolasi (warna putih).

Gambar 1. MOSFET

2.1.1. Struktur MOSFET

Gambar 2. (kiri)Irisan NMOS tanpa kanal yang terbentuk. (kanan)Irisan NMOS dengan kanal yang terbentuk
Sebuah transistor efek-medan semikonduktor–logam–oksida (MOSFET) adalah berdasarkan pada
modulasi konsentrasi muatan oleh kapasitansi MOS di antara elektrode badan dan elektrode gerbang
yang terletak di atas badan dan diisolasikan dari semua daerah peranti dengan sebuah lapisan dielektrik
gerbang yang dalam MOSFET adalah sebuah oksida, seperti silikon dioksida. Jika dielektriknya bukan
merupakan oksida, peranti mungkin disebut sebagai FET semikonduktor–logam–terisolasi (MISFET)
atau FET gerbang–terisolasi (IGFET). MOSFET menyertakan dua saluran tambahan yaitu sumber dan
cerat yang disambungkan ke daerah dikotori berat tersendiri yang dipisahkan dari daerah badan. Daerah
tersebut dapat berupa tipe-p ataupun tipe-n, tetapi keduanya harus dari tipe yang sama, dan berlawanan
tipe dengan daerah badan. Daerah sumber dan cerat yang dikotori berat biasanya ditandai dengan '+'
setelah tipe pengotor. Sedangkan daerah yang dikotori ringan tidak diberikan tanda.
Jika MOSFET adalah berupa salur-n atau NMOS FET, lalu sumber dan cerat adalah daerah 'n+' dan
badan adalah daerah 'p'. Maka seperti yang dijelaskan di atas, dengan tegangan gerbang yang cukup, di
atas harga tegangan ambang, elektron dari sumber memasuki lapisan inversi atau salur-n pada
antarmuka antara daerah-p dengan oksida. Kanal yang menghantar ini merentang di antara sumber dan
cerat, dan arus dialirkan melalui kanal ini jika ada tegangan yang dikenakan di antara sumber dan cerat.
Jika tegangan gerbang dibawah harga ambang, kanal kurang terpopulasi dan hanya sedikit arus bocoran
praambang yang dapat mengalir dari sumber ke cerat.

2.1.2. Jenis dan Tipe MOSFET

Berdasarkan mode operasinya, MOSFET dapat dibedakan menjadi 2, yaitu:
1. E-MOSFET(Peningkatan) yang hanya dapat bekerja pada mode operasi enhancement.
Transistor mode enhancement ini pada fisiknya tidak memiliki saluran antara drain dan sourcenya
karena lapisan bulk meluas dengan lapisan SiO pada terminal gate. Transistor MOSFET mode
enhancement(peningkatan) ini terdiri dari tipe –n(NMOS) dan tipe-p(PMOS).

Gambar 3. E-MOSFET

E-MOSFET ini juga dibuat di atas bahan dasar silikon tipe-P yang disebut dengan substrat. Pada
umumnya substrat P ini dihubungkan ke terminal SS melalui kontak metal. Terminal SS pada beberapa
MOSFET terhubung langsung di dalam komponen, sehingga yang keluar tinggal tiga terminal saja,
yakni Source (S), Drain (D) dan Gate (D).
Source (S) dan drain (D) masing-masing dibuat dengan menumbuhkan doping bahan-N dari substrat-P,
sehingga dapat dihubungkan keluar menjadi terminal S untuk Source dan D untuk drain melalui kontak
metal. Sedangkan terminal G (gate) dibuat melalui kontak metal yang diletakkan ditengah-tengah antara
Source dan Drain. Antara gate dan substrat P terdapat silikon dioksida (SiO2) yang berfungsi sebagai
isolasi (dielektrikum). Hal demikian ini sama seperti pada D-MOSFET. Impedansi input E-MOSFET
juga sangat tinggi.

Prinsip kerja E-MOSFET kanal-N dimulai dengan memberikan tegangan VGS = 0 Volt dan VDS
positip. Pemberian tegangan VGS = 0 adalah dengan cara menghubung-singkatkan terminal Gate (G)
dan Source (S).

Gambar 4. E-MOSFET kanal-N dengan VGS = 0 dan VDS positif

Oleh karena antara S dan D tidak ada kanal-N (yang mempunyai banyak elektron bebas), maka
meskipun VDS diberi tegangan positip yang cukup besar, arus ID tetap tidak mengalir atau ID = 0.
Antara source dan drain adalah bahan tipe-P dimana elektron adalah sebagai pembawa minoritas,
sehingga saat VGS = 0 dan VDS positip yang mengalir adalah arus bocor saja. Disinilah perbedaannya
dengan D-MOSFET yang mengalirkan arus ID pada saat VGS = 0 dan VDS positip.

Apabila VGS dinaikan kearah positip, maka muatan positip pada gate ini akan menolak hole dari
substrat-P menjauhi perbatasannya dengan SiO2. Dengan demikian daerah substrat-P yang berdekatan
dengan gate akan kekurangan pembawa mayoritas hole. Sebaliknya elektron dari substrat-P akan tertarik
oleh muatan positip gate dan mendekati perbatasan substrat dengan SiO2. Perlu diingat bahwa elektron
tidak bisa masuk ke gate karena substrat dan gate ada pembatas SiO2, sehingga IG tetap sama dengan
nol.

Bila tegangan VGS dinaikan terus hingga jumlah elektron yang berada di dekat perbatasan dengan SiO2
cukup banyak untuk menghasilkan arus ID saat VDS positip, maka VGS ini disebut dengan tegangan
threshold (VT). Pada beberapa buku data VT ini disebut juga VGS(th). Setelah mencapai tegangan VT
ini, maka dengan memperbesar harga VGS, arus ID semakin besar. Hal ini karena semakin besar VGS
berarti jumlah elektron yang tersedia antara source dan drain semakin banyak. Kurva tranfer
dan karakteristik E-MOSFET kanal-N.
 Gambar 5. Kurva karakteristik transfer dan output E-MOSFET kanal-N

Istilah peningkatan (enhancement) dalam E-MOSFET ini menunjuk pada fenomena bahwa saat VGS
masih nol, arus ID tidak ada karena tidak terdapat elektron antara source dan drain. Kemudian apabila
VGS dibuat positip hingga melebihi VT, maka terjadi peningkatan jumlah elektron antara source dan
drain yang berakibat meningkatnya arus ID bila tegangan VDS positip diperbesar.

Pada saat VGS > VT, apabila VDS masih kecil arus ID naik dengan cepat, namun bila VDS dinaikkan
terus hingga mencapai VDSsat, maka arus ID akan konstan. Hal ini karena dengan memperbesar VDS
sementara VGS tetap, maka tegangan relatif antara G dan D makin kecil sehingga mengurangi daya
tarik elektron pada sisi D-G. Akibatnya arus ID akan jenuh dan kenaikan VDS lebih jauh tidak akan
memperbesar arus ID. Harga VDS ini disebut dengan VDSsat (atau VDS saturasi).

Dengan melihat kurva karakteristik E-MOSFET ternyata terdapat hubungan antara VDSsat dengan
VGS. Hubungan tersebut adalah dengan semakin tingginya harga VGS, VDSsat makin tinggi juga. Pada
saat VGS = VT yang mana arus ID mulai mengalir dengan cukup berarti, maka VDS sat = 0. Hal ini
karena arus ID sudah mengalami kejenuhan sejak VDS dinaikkan.

Hubungan antara arus ID dengan VGS tidak lagi mengikuti persamaan Shockley sebagaimana pada
JFET dan D-MOSFET, akan tetapi mengikuti persamaan dibawah. Persamaan ini berlaku untuk VGS >
VT.

dimana: k adalah tetapan (konstanta) sebagai fungsi dari konstruksi komponen. Namun demikian
dengan menurunkannya dari persamaan dibawah tersebut bisa diperoleh harga k untuk suatu titik dalam
kurva harga ID(on) dan VGS(on) tertentu, yaitu :

Konstruksi dan prinsip kerja E-MOSFET kanal-P adalah kebalikan dari E-MOSFET kanal-N yang
sudah dijelaskan di depan. Demikian juga polaritas tegangan VGS, VDS, dan arus ID juga berlawanan
dengan yang ada pada E-MOSFET kanal-N.Konstruksi dan prinsip kerja E-MOSFET kanal-P adalah
kebalikan dari E-MOSFET kanal-N yang sudah dijelaskan di depan. Demikian juga polaritas tegangan
VGS, VDS, dan arus ID juga berlawanan dengan yang ada pada E-MOSFET kanal-N.
Adanya lapisan SiO2 antara gate dan kanal dalam MOSFET menyebabkan impendansi input sangat
tinggi. Akan tetapi karena lapisan SiO2 ini sangat tipis, maka perlu kehati-hatian dalam menangani
MOSFET ini. Muatan statis yang ada pada tangan manusia dikawatirkan bisa menyebabkan lapisan Si02
tembus, sehingga MOSFET akan rusak. Oleh karena itu biasanya pabrik sudah memberikan cincin
penghubung singkat ujung-ujung kaki MOSFET. Dengan demikian akan dapat menghindari terjadinya
beda potensial atau muatan yang tidak disengaja pada terminal MOSFET.

Beberapa keluarga FET yang belum dibahas pada bab ini adalah VMOS dan CMOS. VMOS merupakan
jenis MOSFET yang dirancang khusus untuk pemakaian pada daya tinggi. Sedangkan CMOS dibentuk
dengan menghubungkan secara complementer antara E-MOSFET kanal P dan E-MOSFET kanal-N.

2. D-MOSFET(Penipisan) yang dapat bekerja pada mode operasi depletion enchancement

Gambar 6. Simbol D-MOSFET

Gambar 7. Konstruksi D-MOSFET kanal-N

Simbol D-MOSFET kanal-N dan kanal-P adalah seperti ditunjukkan berturut-turut pada gambar diatas.
Bila terminal SS tidak terhubung di dalam, maka D-MOSFET menjadi komponen empat terminal.
Berbeda dengan simbol JFET yang tanda panahnya pada gate, untuk gate D-MOSFET tidak ada
panahnya karena gate dengan kanal bukanlah P-N junction.

D-MOSFET kanal-N dibuat di atas bahan dasar silikon tipe P yang biasanya disebut dengan substrat.
Pada kebanyakan komponen diskret, substrat ini dihubungkan ke terminal yang disebut SS (substrat)
sebagai terminal keempat. Terminal drain (D) dihubungkan ke bahan tipe N melalui kontak metal
demikian juga dengan terminal source (S). Antara bahan-N drain dan bahan-N source dihubungkan
kanal yang terbuat juga dari bahan-N. Terminal gate dihubungkan ke sisi kanal-N melalui kontak metal.
Tetapi yang paling penting disini adalah bahwa antara kontak metal gate dengan kanal-N ada lapisan
oksida silikon (SiO2) yang berfungsi sebagai isolasi (dielektrikum).

Jika dilihat dari jenis saluran yang digunakan, transistor MOSFET dapat dikelompokkan menjadi tiga
bagian, yaitu:

1. NMOS

Transistor NMOS terbuat dari substrat dasar tipe p dengan daerah source dan drain didifusikan tipe n+
dan daerah kanal terbentuk pada permukaan tipe n. NMOS yang umumnya banyak digunakan adalah
NMOS jenisenhancement, dimana pada jenis ini source NMOS sebagian besar akandihubungkan
dengan –Vss mengingat struktur dari MOS itu sendiri hampir tidak memungkinkan untuk dihubungkan
dengan +Vdd. Dalam aplikasi gerbang NMOSdapat dikombinasikan dengan resistor, PMOS, atau
dengan NMOS lainnya sesuaidengan karakteristik gerbang yang akan dibuat. Sebagai contoh sebuah
NMOS danresistor digabungkan menjadi sebuah gerbang NOT.Negatif MOS adalah MOSFET yang
mengalirkan arus penguras sumbermenggunakan saluran dari bahan electron, sehinga arus yang
mengalir jika tegangangerbang lebih positif dari substrat dan nilai mutlaknya lebih besar dari VT
(VoltageTreshold).

2. PMOS

Transistor PMOS terbuat dari substrat dasar tipe-n dengan daerahsource dan drain didifusikan tipe p+
dan deerah kanal terbentuk pada permukaantipe p. Positif MOS adalah MOSFET yang mengalirkan arus
penguras sumber melalui saluran positif berupa hole, dimana arus akan mengalir jika tegangan gerbang
lebih negative terhadap substrat dan nilai mutlaknya lebih besar dari VT.PMOS yang umumnya banyak
digunakan adalah PMOS jenis enhancement,dimana pada jenis ini source PMOS sebagian besar
akandihubungkan dengan +Vdd mengingat struktur dari MOS itu sendiri hampir tidak

memungkinkan untuk dihubungkan dengan -Vss. Dalam aplikasi gerbang PMOSdapat dikombinasikan
dengan resistor, NMOS, atau dengan PMOS lainnya sesuaidengan karakteristik gerbang yang akan
dibuat. Sebagai contoh sebuah PMOS danresistor digabungkan menjadi sebuah gerbang NOT.

3. CMOS(gabungan NMOS dan PMOS)

MOSFET tipe complementary ini mengalirkan arus penguras sumber melalui saluran tipe-n dan tipe-p
secara bergantian sesuai dengan tegangan yang dimasukkan pada gerbangnya (gate).

Secara kelistrikan antara terminal gate dengan kanal-N tidak ada hubungan. Hal ini membuat impedansi
dari D-MOSFET sangat tinggi, lebih tinggi dari impedansi input JFET. Dengan demikian dalam
pembiasan dc, arus gate IG dianggap sama dengan nol (IG = 0). Istilah MOSFET (metal-oxide
semiconductor FET) ini timbul karena dalam konstruksinya terdapat metal dan oksida silikon. Dalam
literatur lama MOSFET ini disebut dengan IGFET (insulated-gate FET) karena memang terminal
gatenya terisolasi dengan kanal-N. Penjelasan cara kerja dan karakteristik D-MOSFET kanal-N dimulai
dengan memberikan VGS = 0 dan VDS positip seperti pada gambar dibawah. Pemberian VGS = 0
dilakukan dengan cara menghubungkan terminal G dengan S. Biasanya terminal SS dihubungkan ke
terminal S. Tegangan positip VDS akan menarik elektron bebas pada kanal-N dari source menuju drain,
sehingga mengalir arus ID. Hal ini sama seperti pada JFET. Bila VDS diperbesar hingga mencapai Vp,
maka arus ID akan jenuh (tidak naik lagi) yang disebut dengan IDSS.

Apabila VGS dibuat negatip, maka muatan negatip pada terminal gate akan menolak elektron bebas
pada kanal-N menjauhi daerah kanal-N dan menuju daerah substrat-P. Hal ini akan mengosongkan
kanal-N dari elektron bebas, sehingga arus ID semakin kecil. Apabila tegangan negatip VGS dinaikkan
terus hingga kanal-N kosong dari semua elektron bebas, maka arus ID sudah tidak bisa dinaikkan lagi
meskipun dengan memperbesar VDS.

Gambar 8. D-MOSFET kanal-N dengan VGS = 0 dan VDS positif

D-MOSFET dengan tegangan VGS nol hingga VGS negatip ini disebut dengan mode pengosongan. Hal
ini karena dengan tegangan VGS ini kanal-N dikosongkan dari elektron bebas, atau dengan kata lain
pada kanal-N timbul daerah pengosongan. Seperti halnya pada JFET, saat VGS negatip tertentu, arus
ID tidak bisa mengalir lagi (mati) meskipun VDS diperbesar. VGS yang menyebabkan ID nol ini disebut
dengan VGS(off).

Selain dengan tegangan VGS negatip, D-MOSFET bisa juga bekerja dengan tegangan VGS positip.
Berbeda dengan JFET yang hanya bisa bekerja dengan VGS negatip saja. Bila VGS pada D-MOSFET
dibuat positip, maka muatan positip pada terminal gate ini akan menarik elektron bebas dari substrat ke
daerah kanal-N, sehingga elektron bebasnya lebih banyak. Dengan demikian arus ID mengalir lebih
besar dibanding saat VGS = 0.

Jika semakin diperbesar harga VGS ke arah positip, semakin banyak jumlah pembawa muatan elektron
bebas pada kanal N, sehingga semakin besar arus ID. D-MOSFET yang bekerja dengan VGS positip ini
disebut dengan mode peningkatan, karena jumlah pembawa muatan elektron bebas pada daerah kanal-
N ditingkatkan dibanding saat VGS = 0. Pada saat memperbesar VGS positip ini perlu diperhatikan
kemampuan arus ID maksimum agar tidak terlampaui. Besarnya arus maksimum dari setiap D-
MOSFET dapat dilihat pada buku data.

Kurva karakteristik output dan kurva transfer D-MOSFET kanal-N dapat dilihat pada gambar berikut.
 Gambar 9. Kurva Karakteristik D-MOSFET

Terlihat bahwa D-MOSFET ini dapat bekerja baik pada mode pengosongan (saat VGS negatip) maupun
pada mode peningkatan (VGS positip). Oleh karena itu DMOSFET ini sering juga disebut dengan DE-
MOSFET (depletion-enhancement MOSFET). Persamaan Shockley (persamaan dibawah) juga masih
berlaku pada D-MOSFET ini baik pada mode pengosongan maupun pada mode peningkatan.

Konstruksi dan prinsip kerja D-MOSFET kanal-P adalah kebalikan dari D-MOSFET kanal-N yang
sudah dijelaskan di depan. Demikian juga polaritas tegangan VGS, VDS, dan arus ID juga berlawanan
dengan yang ada pada D-MOSFET kanal-N.

2.1.3. Cara Kerja MOSFET

Tujuan dari MOSFET adalah mengontrol Tegangan dan Arus melalui antara Source dan Drain.
Komponen ini hampir seluruh nya sebagai switch. Kerja MOSFET bergantung pada kapasitas MOS.
Kapasitas MOS adalah bagian utama dari MOSFET. Permukaan semikonduktor pada lapisan oksida di
bawah yang terletak di antara terminal sumber dan saluran pembuangan. Hal ini dapat dibalik dari tipe-
p ke n-type dengan menerapkan tegangan gerbang positif atau negatif masing-masing. Ketika kita
menerapkan tegangan gerbang positif, lubang yang ada di bawah lapisan oksida dengan gaya dan beban
yang menjijikkan didorong ke bawah dengan substrat.

Daerah penipisan dihuni oleh muatan negatif terikat yang terkait dengan atom akseptor. Elektron
mencapai saluran terbentuk. Tegangan positif juga menarik elektron dari sumber n dan mengalirkan
daerah ke saluran. Sekarang, jika voltase diterapkan antara saluran pembuangan dan sumber, arus
mengalir bebas antara sumber dan saluran pembuangan dan tegangan gerbang mengendalikan elektron
di saluran. Alih-alih tegangan positif jika kita menerapkan tegangan negatif, saluran lubang akan
terbentuk di bawah lapisan oksida.
 Gambar 10. Transistor tanpa tegangan Gate

Dari gambar diatas Source dan drain dilakukan grounding dan gate diberi tegangan positif. Karena
source di grounding maka ada tegangan antara gate dan source, vGS. Tegangan positif pada gate akan
mendesak hole dari substrate di bawah gate (daerah kanal) ke arah substrate sehingga meninggalkan
daerah ‘carrier-depletion’. Daerah deplesi diisi oleh ‘bound negative charge’, hal ini disebabkan hole
yang dapat menetralkan didesak ke substrate.
Dan juga tegangan positif pada gate menarik elektron dari source dan drain ke kanal. Pada saat jumlah
elektron yang terkumpul dekat permukaan substrate di bawah gate telah mencukupi, maka terbentuklah
daerah n yang menghubungkan source dan drain. Jika tegangan dipasangkan antara drain dan source,
maka arus mengalir melalui daerah n ini, dibawa oleh elektron yang bergerak. Jadi daerah n induksi ini
membentuk kanal untuk arus mengalir dari drain ke source. Gambar di atas di sebut MOSFET kanal n
atau transistor NMOS.
Tegangan vGS minimum yang menyebabkan adanya kanal penghubung ini disebut tegangan ambang
(threshold voltage), Vt. Vt untuk FET kanal-n adalah positif. Harga Vt dikendalikan pada saat pembuatan,
biasanya antara 1 – 3 V.
Gate dan body membentuk kapasitor lempeng paralel dengan lapisan oxide sebagai dieletrika kapasitor.
Tegangan gate yang positif menyebabkan muatan positif tekumpul pada lempeng atas dan muatan
negatif pada lempeng bawah (pada kanal induksi). Jadi medan listrik terbentuk pada arah vertikal.
Medan inilah yang mengendalikan jumlah muatan pada kanal, jadi menentukan konduktivitas kanal atau
arus yang melalui kanal jika dipasang tegangan vDS.

2.1.4. Karakteristik dan Hubungan Arus dan Tegangan pada MOSFET

 Gambar 11. Kurva karakteristik Id-Vds
Berdasarkan gambar diatas dapat kita peroleh data bahwa:

• MOSFET bekerja seperti resistansi linier yang dikendalikan oleh vGS.

• Untuk vGS ≤ Vt, resistansinya tidak terhingga, dan harganya menurun jika vGS melebihi Vt.

• Jadi, agar MOSFET terkonduksi harus ada kanal induksi. Dengan bertambahnya vGS melebihi
Vt meningkatkan kemampuan kanal, oleh karena itu MOSFET jenis ini disebut MOSFET
‘enchancement-type’.

• Arus yang meninggalkan source (is) sama dengan arus yang memasuki drain (iD), jadi arus gate
iG = 0

2.1.5. Contoh Soal

1. Gambarkan symbol symbol MOSFET Chanal N dengan Depletion Mode dan Enhancement
MOSFET.
2. Gambarkan Kurva Karakteristik E MOSFET.
3. Gambarkan Kurva Karakteristik D MOSFET.

SOLUSI

1. A. Enhancement Mode
 B. Depletion Mode

2. Kurva Karakteristik E MOSFET.

3. Kurva Karakteristik D-MOSFET

 2.2. Penggunaan MOSFET dalam Perancangan Penguat

Untuk menggunakan transistor MOSFET sebagai penguat, maka transistor harus berada dalam daerah
saturasinya. Hal ini dapat dicapai dengan memberikan arus ID dan tegangan VDS tertentu. Cara yang
biasa digunakan dalam mendesain penguat adalah dengan menggambarkan garis beban pada kurva ID
vs VDS. Setelah itu ditentukan Q point-nya yang akan menentukan ID dan VGS yang harus dihasilkan
pada rangkaian. Setelah Q point dicapai, maka transistor telah dapat digunakan sebagai penguat, dalam
hal ini, sinyal yang diperkuat adalah sinyal kecil (sekitar 40-50 mVp-p dengan frekuensi 1-10 kHz).
Terdapat 4 konfigurasi penguat pada transistor MOSFET, yaitu Common Source, Common Source
dengan resistansi source, Common Gate, dan Common Drain.

2.2.1. Prinsip Dasar Penggunaan MOSFET Menjadi Penguat

Tujuan utama dari penguat MOSFET, atau penguat apa pun dalam hal ini, adalah untuk menghasilkan
sinyal output yang merupakan reproduksi sinyal input-nya yang setia tetapi diperkuat dalam besarnya.
Sinyal input ini bisa berupa arus atau tegangan, tetapi agar perangkat MOSFET beroperasi sebagai
penguat, sinyal tersebut harus bias beroperasi dalam wilayah saturasinya.

Ada dua jenis dasar peningkatan/enhancement-mode MOSFET yaitu: n-channel dan p-channel dan
dalam tutorial penguat MOSFET ini kita telah melihat MOSFET peningkatan n-
channelaseringadisebutasebagaiaNMOS.

Karena dapat dioperasikan dengan gerbang positif dan mengalirkan tegangan relatif ke sumber yang
bertentangan dengan PMOS saluran-p yang dioperasikan dengan gerbang negatif dan mengalirkan
tegangan relatif ke sumber.

Daerah saturasi perangkat MOSFET adalah wilayah arus konstan di atas tegangan ambangnya, V TH.
Setelah dibiaskan dengan benar pada daerah saturasi, arus drain, ID bervariasi sebagai akibat dari
tegangan gerbang-ke-sumber, VGS dan bukan oleh tegangan drain-ke-sumber, VDS karena arus drain
disebut saturasi/jenuh.
Dalam MOSFET mode-peningkatan, medan elektrostatik yang dibuat oleh penerapan tegangan gerbang
meningkatkan konduktivitas saluran, daripada menghabiskan saluran seperti dalam kasus MOSFET
mode-deplesi.

Tegangan ambang adalah bias gerbang minimum yang diperlukan untuk memungkinkan pembentukan
saluran antara sumber dan saluran. di atas nilai ini, arus drain meningkat secara proporsional ke (V GS -
VTH )2 di wilayah saturasi yang memungkinkannya beroperasi sebagai penguat atau amplifier.

Dalam MOSFET, ada yang dikenal dengan istilah DC MOSFET. Rangkaian bias pembagi tegangan
universal adalah teknik bias populer yang digunakan untuk menetapkan kondisi operasi DC yang
diinginkan dari penguat transistor bipolar serta penguat MOSFET.

Kelebihan dari jaringan biasing pembagi tegangan adalah bahwa MOSFET, atau memang transistor
bipolar, dapat dibiaskan dari supply DC tunggal. Tapi pertama-tama kita perlu tahu di mana gerbang
bias untuk penguat MOSFET kita.

Perangkat MOSFET memiliki tiga wilayah operasi yang berbeda. Wilayah-wilayah ini disebut: Wilayah
Ohmic/Triode, Wilayah Saturation/Linear dan Pinch-off point.

Agar MOSFET beroperasi sebagai penguat linier, kita perlu menetapkan titik operasi diam yang
terdefinisi dengan baik, atau titik-Q, sehingga ia harus bias beroperasi di wilayah saturasinya. Titik-Q
untuk MOSFET diwakili oleh nilai-nilai DC, ID dan VGS yang memposisikan titik operasi secara terpusat
pada kurva karakteristik output MOSFET.

Seperti yang telah kita lihat di atas, wilayah saturasi dimulai ketika VGS berada di atas level ambang
VTH. Oleh karena itu jika kita menerapkan sinyal AC kecil yang ditumpangkan ke bias DC ini pada input
gerbang, maka MOSFET akan bertindak sebagai penguat linier seperti yang ditunjukkan.

Gambar 12. Titik Bias DC pada E-MOSFET

 Gambar 13. Kurva Karakteristik E-MOSFET tipe N

2.2.2. Contoh Soal

Penguat MOSFET common source akan dibangun menggunakan eMOSFET n-channel yang memiliki
parameter konduksi 50mA/V 2 dan tegangan ambang 2.0 volt.

Jika tegangan supply +15 volt dan resistor beban adalah 470 Ohm, hitung nilai-nilai resistor yang
diperlukan untuk bias penguat MOSFET pada 1/3 (V DD). Gambarkan diagram rangkaian.

Nilai yang diberikan: VDD = + 15v, VTH = + 2.0v, k = 50mA/V2 dan RD = 470Ω.

SOLUSI

1. Arus Drain, Id

2. Tegangan VGS

3. Tegangan Gerbang(Gate), VG
Jadi menerapkan KVL di MOSFET, tegangan Drain-source, VDS diberikan sebagai:

VDD = VD + VDS + VS = 15v

VDS = VDD - VD - VS = 15 - 7.5 - 2.4 = 5.1v

4. Resistansi Sumber, Rs

Rasio resistor pembagi tegangan, R1 dan R2 yang diperlukan untuk memberikan 1/3VDD dihitung
sebagai:

Jika kita memilih: R1 = 200kΩ dan R2 = 100kΩ ini akan memenuhi kondisi: V G = 1/3VDD. Juga
kombinasi Resistor bias ini akan memberikan resistansi input ke penguat MOSFET sekitar 67kΩ. Kita
dapat mengambil desain ini selangkah lebih maju dengan menghitung nilai input dan output kapasitor
kopling.

Jika kita mengasumsikan frekuensi cut-off yang lebih rendah untuk penguat MOSFET kami katakanlah,
20Hz, maka nilai-nilai dari dua Kapasitor dengan mempertimbangkan impedansi input dari jaringan
biasing gerbang dihitung sebagai:

Kemudian rangkaian terakhir untuk rangkaian penguat MOSFET satu tahap diberikan sebagai:
 Gambar 14. Rangkaian Penguat MOSFET Single-Stage

2.3. Pemberian Bias MOSFET

2.3.1. Rangkaian Bias Penguat MOSFET

Gambar 15. Rangkaian bias penguat MOSFET

Menggunakan RD untuk mengubah arus menjadi tegangan

𝑉𝑜 = 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝑖𝐷𝑅𝐷

Model penguat untuk mosfet bisa dibuat dalam bermacam-macam bentuk seperti halnya pada transistor
bipolar, demikian juga sistem pemberian bias biasanya dapat dilakukan dengan 3 cara:

1. Fixed Bias (Bias Tetap)

2. Self Bias (Bias Sendiri)

3. Devider Bias (Bias Pembagi Tegangan)

 Gambar 16. (Kiri)Self Bias, (Tengah)Fixed Bias, (Kanan)Devider Bias

2.4. Respon Frekuensi Rendah

2.4.1 Respon Frekuensi Umum dan Respon Frekuensi Rendah penguat Common Source dan Emitter

Untuk sebuah penguat satu tingkat biasanya terdapat tiga kemungkinan jaringan RC
yaitu: Cs dan Zi; Ce dan Re; serta Cc dan Zo + beban. Masing-masing jaringan RC
tersebut tentunya mempunyai karakteristik tersendiri terhadap frekuensi (respon
frekuensi) rendah. Oleh karena itu masing-masing akan mempunyai frekuensi cutoff
(fL) yang berbeda. Sebe- narnya unjuk kerja respon frekuensi secara keseluruhan (fL)
dari penguat tersebut ditentu- kan oleh ketiga fL tersebut secara bersama-sama. Akan
tetapi dengan asumsi bahwa jarak masing-masing fL cukup jauh, maka untuk
memudahkan analisis disepakati bahwa fL dari penguat ditentukan oleh nilai fL tertinggi
diantara ketiga fL tersebut. Dengan demikian pen- garuh masing-masing kapasitor
akan dianalisis secara terpisah, sehingga diperoleh fLs, fLc, dan fLe. Perhatikan
rangkaian penguat CE pada gambar dibawah ini.
 Gambar 1. Penguat CE dengan kapasitor penentu respon frekuensi rendah

Pengaruh Cs:
Cs adalah kapasitor kopling yang menghubungkan sumber sinyal dengan rangkaian
penguat. Jaringan R-C yang dibentuk oleh Cs dan komponen R pada bagian masukan pen-
guat adalah seperti gambar dibawah ini.

Penguat

Gambar 2. Jaringan R-C pada masukan penguat

Rangkaian ekivalen ac dengan menggunakan parameter-h selanjutnya dapat dibuat seperti

pada gambar 16. Oleh karena analisis masing-masing jaringan R-C dibuat secara terpisah,
maka pada saat menganalisis pengaruh Cs, pengaruh Cc dan Ce ditiadakan yang berarti reak-
tansi kapasitipnya adalah nol. Dengan demikian hanya pengaruh Cs saja yang diamati. De-
mikian juga nanti sebaliknya untuk Cc dan Ce.
 Gambar 3. Rangkaian ekivalen ac dengan pengaruh Cs (Ce dan Cc diabaikan)

Dari rangkaian ekivalen ac gambar 16, maka besarnya frekuensi cutoff rendah karena penga-
ruh Cs (fLs) dapat ditentukan sebagai berikut:
fLs = 1/{2 (RB//hie)Cs}
Apabila sumber sinyal mempunyai tahanan dalam atau Rs, maka R total pada jaringan R-C
tersebut menjadi:
Rt = (RB//hie) + Rs
dan fLs menjadi: fLs = 1/{2 (Rt)Cs}
Pengaruh Cc:

Cc adalah kapasitor kopling yang menghubungkan rangkaian penguat dengan beban

(RL). Jaringan R-C yang dibentuk oleh Cc dan komponen R pada bagian keluaran penguat
adalah seperti gambar dibawah ini.

Penguat

Gambar 4. Jaringan R-C pada keluaran penguat

Rangkaian ekivalen ac dengan parameter-h untuk menganalisis pengaruh Cc dari penguat

tersebut adalah seperti pada gambar 18. Pada rangkaian ekivalen ac tersebut pengaruh Cs
dan Ce ditiadakan atau dianggap hubung singkat (reaktansi kapasitip = 0). Dengan demikian
pada tahap ini hanya pengaruh Cc saja yang dianalisis.

Gambar 5. Rangkaian ekivalen ac dengan pengaruh Cc (Cs dan Ce diabaikan)

Berdasarkan rangkaian ekivalen ac gambar 5 tersebut, maka besarnya frekuensi cutoff ren-
dah karena pengaruh Cc (fLc) dapat ditentukan sebagai berikut:
fLc = 1/{2 (Rc + RL)Cs}
Apabila pada rangkaian tersebut tidak dipasang RL (RL tidak ada), maka jaringan R-C menjadi
terbuka, sehingga frekuensi cutoff rendah tidak bisa ditentukan. Hal ini karena komponen R
dari jaringan R-C tersebut adalah tak terhingga, sehingga fLc-nya adalah nol. Dengan kata
lain fLc untuk kasus ini tidak mempengaruhi fL penguat secara keseluruhan.
Pengaruh Ce:
Ce adalah kapasitor yang dipasang paralel dengan Re (R emitor) yang biasanya dis-
ebut dengan C by-pass. Fungsinya adalah melewatkan sinyal ac ke ground, agar tidak terjadi
rugi sinyal pada Re. Dengan adanya C by-pass maka faktor penguatan menjadi besar dengan
tetap diperoleh stabilitas bias yang baik karena adanya Re. Tidak semua rangkaian penguat
mempunyai C by-pass. Apabila C by-pass tidak ada maka tidak perlu dilakukan analisis atas
pengaruh Ce. Rangkaian ekivalen ac yang menunjukkan pengaruh Ce pada rangkaian pen-
guat adalah seperti gambar 6.
 Gambar 6. Rangkaian ekivalen ac dengan pengaruh Ce (Cs dan Cc diabaikan)

Berdasarkan rangkaian ekivalen ac gambar 6 tersebut, maka besarnya frekuensi cutoff ren-
dah karena pengaruh Ce (fLe) dapat ditentukan sebagai berikut:
fLc = 1/{2 (Re')Cs}
dimana:
Re' = (hie/(hfe+1))//Re

Persamaan ini diperoleh dengan asumsi bahwa penguat sumber sinyal ideal dengan tahanan
dalam = 0. Apabila tidak ideal (mempunyai nilai Rs tertentu), maka nilai Rs tersebut perlu
dimasukkan dalam analisis. Dengan demikian RB juga mempengaruhi analisis.
Setelah diperoleh ketiga nilai frekuensi cutoff, fLs, fLc, dan fLe, maka fL secara keselu-
ruhan dari penguat ditentukan oleh frekuensi tertinggi di antara ketiga , fLs, fLc, dan fLe ter-
sebut. Hal ini berlaku dengan asumsi bahwa jarak antara ketiga fL tersebut cukup jauh. Bila
jarak frekuensi-frekuensi tersebut dekat, maka akan terjadi saling interaksi, sehingga fL-nya
sedikit bergeser lebih tinggi.

Contoh:
Diketahui rangkaian penguat CE seperti pada gambar 14 dengan data rangkaian sebagai
be- rikut:
Cs = 10 F, Ce = 20 F, Cc = 1 F, Rs = 1 K, R1 = 40 K, R2 = 10 K, Re = 2 K, Rc = 4 K,
RL
= 2,2 K, hfe = 100, Vcc = 20 V, hie = 1576 
Tentukan frekuensi cutoff rendah (fL) dari penguat tersebut.
Tentukan faktor penguatan pada fL tersebut.
Penyelesaian:
Pengaruh Cs:
fLs = 1/{2 (Ri)Cs}
dimana: Ri = (R1//R2//hie) + Rs

Ri = (40K//10K//1,576K) + 1K
Ri = 2,32 K
Sehingga:
fLs = 1/{2 (2320)(10. 10-
6
)} fLs = 6,86 Hz
Pengaruh Cc:
fLc = 1/{2 (Rc + RL)Cs}
fLc = 1/{2 (4K + 2,2K) (1. 10-6)}
fLc = 25,68 Hz

Pengaruh Ce:
fLc = 1/{2 (Re')Cs}
dimana: Re' = {(hie/(hfe+1)) + (Rs//R1//R2)/(hfe+1)}//Re
Re' = {(1576/(100+1)) + (1K//40K//10K)/(100+1)}//2K
Re' = {(15,76) + (8,89)}//2K
Re' = 24,35 

sehingga:
fLc = 1/{2 (24,35) (20. 10-6)}
fLc = 327 Hz

Dari ketiga harga fLc, fLc, dan fLe tersebut, ternyata nilai fLe = 327 Hz jauh lebih besar dari
dua frekuensi yang lain. Dengan demikian fL dari penguat adalah sebesar 327 Hz.

Menentukan Av:
Avmid = Vo/Vi
Avmid = - (hfe)(Rc//RL)/hie
Avmid = - 90
 Bila dihitung sejak Vs, maka:
Avmidtot = Avmid. Zi/(Zi + Rs)

Avmidtot = (-90). (1,32K)/(1,32K +

1K)

Avmidtot = - 51,21

Pada frekuensi cutoff, faktor penguatannya menjadi:

AvLtot = (- 51,21)(0,707)

AvLtot = - 36,2

2.5 Respon Frekuensi Tinggi Common Source dan Common Emitter

2.5.1 Analisis Respon Frekuensi Tinggi

Ada dua faktor yang mempengaruhi tanggapan penguat pada frekuensi tinggi
(respon frekuensi tinggi), yaitu: (a) kapasitor liar, dan (b) Beta () yang tergantung frekuensi.
Kapasi- tor liar merupakan efek kapasitansi yang muncul dari ujung-ujung terminal suatu
komponen atau pengawatan lainnya. Reaktansi kapasitor liar ini menjadi berarti bila dikerjakan
pada frekuensi tinggi. Sedangkan dari Beta () suatu transistor juga sangat dipengaruhi oleh
fre- kuensi. Artinya, beta () suatu transistor akan menurun bila dikerjakan pada daerah fre-
kuensi tinggi.
Sebelum masuk pada pembahasan respon frekuensi tinggi, pembahasan tentang teo-
ri Miller perlu dijelaskan terlebih dahulu. Hal ini sangat erat kaitannya dengan pengaruh ka-
pasitor liar pada kaki-kaki transistor. Oleh karena itu pembahasaan teori Miller di sini ber-
kenaan dengan adanya suatu kapasitor (liar) yang terhubung antara masukan dan keluaran
suatu sistem penguat. Tujuan pembahasan teori Miller ini adalah apabila terdapat suatu sis-
tem penguat dimana antara masukan dan keluarannya terhubung suatu komponen (dalam hal
ini adalah kapasitor), maka kapasitansinya akan terasa pada bagian masukan saja dan pada
bagian keluaran saja, sehingga akan memudahkan dalam analisis selanjutnya. Dengan kata
lain, dengan teori Miller, Cf (pada gambar 20) dapat diganti dengan ekivalen CMi (C pengaruh
Miller pada input) dan CMo (C pengaruh Miller pada output).
 I2

I I1
i

Z R
i i Av = Vo/Vi

Gambar 20. Jaringan untuk penurunan kapasitansi Miller input

Dari gambar 20 dapat diturunkan persamaan dengan menggunakan hukum Krichhoff:

Ii = I1 + I2
Dengan hukum Ohm:
Ii = Vi/Zi
I1 = Vi/Ri
I2 = (Vi-Vo)/XCf
I2 = (Vi -
AvVi)/XCf I2 = (1 -
Av)Vi/XCf
Sehingga diperoleh:
Ii = I1 + I2
Vi/Zi = Vi/Ri + (1 -
Av)Vi/XCf 1/Zi = 1/Ri +
1/(XCf/(1 - Av))
1/Zi = 1/Ri + 1/XCM
dimana:
XCM = XCf/(1 -
Av) CM = (1 -
Av)Cf
CM adalah kapasitor pengaruh Miller yang terdapat pada masukan penguat,
 Gambar 21. Ekivalen
masukan pen- guat dengan
Z pengaruh CMi
i

Nilai CMi merupakan efek kapasitansi yang dirasakan pada input penguat karena
adanya Cf. Pada persamaan di atas, nilai CMi berlaku untuk penguat inverting (fasa keluaran
dan fasa masukan berbeda 180o). Hal ini karena apabila Av bernilai positip (bukan inverting),
maka nilai CMi menjadi negatip. Bila penguat bukan inverting, maka persamaan untuk CMi
perlu diturunkan kembali. Perlu diingat pula bahwa nilai Av dalam persamaan tersebut ada-
lah faktor penguatan tegangan penguat utama (Vo/Vi) pada frekuensi menengah. Dengan
asumsi bahwa pada frekuensi menengah, faktor penguatan tegangan tidak dipengaruhi oleh
kapasitor liar (misalnya: Cf) maupun kapasitor kopling dan by pass.
Kapasitor Cf juga dirasakan pengaruhnya pada bagian keluaran penguat. Analisis un-
tuk menentukan besarnya pengaruh Miller pada keluaran penguat (CMo) dibuat seperti ana-
lisis menentukan CMi. Lihat gambar 22.

I2

I1 Io

R
Av = Vo/Vi o

Gambar 22. Jaringan untuk penurunan kapasitansi Miller input

Dari gambar 22 dapat diturunkan persamaan dengan menggunakan hukum Krichhoff:

Io = I1 + I2
Dengan hukum Ohm:
I1 = Vo/Ro
I2 = (Vo-Vi)/XCf
Oleh karena Ro besar sekali, maka I1 dapat diabaikan bila dibanding dengan
I2. Sehingga:
Io  I2
Io  (Vo-Vi)/XCf
Io  (Vo - Vo/Av)/XCf
Io  Vo(1 - (1/Av))/XCf
Io/Vo  (1 - (1/Av))/XCf
Vo/Io  XCf/(1 - (1/Av))
Dengan demikian diperoleh:
XCMo = XCf/(1 -
(1/Av)) CMo = Cf(1 -
(1/Av))
Sebagaimana pada CMi, nilai CMo ini juga berlaku untuk penguat inverting, karena bila pen-
guatan bernilai positip maka kapasitor menjadi negatip. Pada umumnya faktor penguatan Av
berharga jauh lebih besar dari 1. Oleh karena itu secara pendekatan:
CMo  Cf

Setelah memahami pengaruh suatu kapasitor yang terhubung antara masukan dan
keluaran penguat, maka sekarang pembahasan tentang respon frekuensi tinggi bisa dimulai.
Rangkaian penguat dengan kapasitor liar yang dominan mempengaruhi respon frekuensi
tinggi dapat dilihat pada gambar 23. Pada gambar tersebut terdapat tiga macam kapasitor liar
yang muncul diantara kaki transistor, yakni: Cbe, Cbc, dan Cce. Nama-nama ketiga tran- sistor
tersebut disesuaikan dengan kaki-kaki transistor yang bersangkutan. Disamping itu terdapat
pula kapasitor liar yang muncul karena pengawatan (atau PCB) pada bagian masu- kan dan
keluaran, yakni: Cwi dan Cwo. Harga tipikal dari kapasitor liar ini adalah sebagai be- rikut:
Cbe = 100 pF
Cbc = (atau sering disebut CoB) = 5 pF
 Cce = umumnya tidak disebutkan dalam buku data (dianggap tidak ada karena terlalu
kecil.
Cwi dan Cwo = tergantung pada pengawatan rangkaian

Gambar 23. Penguat CE dengan kapasitor liar penentu respon frekuensi tinggi

Rangkaian ekivalen dari penguat tersebut terlihat pada gambar 24. Dalam rangkaian
ekivalen ini kapasitor kopling dan by-pass tidak digambarkan, karena pada daerah frekuensi
tinggi kapasitor tersebut dianggap hubung singkat. Adapun Ci merupakan gabungan semua
kapasitor liar yang muncul pada bagian masukan penguat. Sedangkan Co adalah gabungan
semua kapasitor liar yang muncul pada bagian keluaran penguat.

Gambar 24. Rangkaian ekivalen untuk analisis respon frekuensi tinggi

dimana:
Ci = Cbe + Cwi + CMi
Co = Cce + Cwo +
CMo RB = R1//R2
Rs = Tahanan dalam sumber sinyal

Pada rangkaian ekivalen tersebut terdapat dua buah jaringan R-C yang tentunya mas-
ing-masing mempunyai frekuensi cut-off tinggi. Sebagaimana pada analisis frekuensi ren- dah,
kedua jaringan tersebut akan dianalisis secara terpisah. Jaringan R-C pertama terdapat pada
bagian masukan penguat yang terdiri atas Ci dan resistor-resistor pada masukan pen- guat
dan sumber sinyal. Perhatikan ekivalen Thevenin dari bagian masukan penguat terse- but.

Gambar 25. Ekivalen Thevenin untuk kutup masukan dan keluaran

Jaringan R-C pada kutup masukan ini mempunyai frekuensi cut-off tinggi (fHi) sebagai beri-
kut:
fHi = 1/{2 (Rth1)(Ci)}
dimana:
Rth1 = Rs//RB
Ci = Cbe + Cwi +
CMi CMi = (1 -
Av)Cbc
Jaringan R-C kedua terdapat pada bagian keluaran penguat yang terdiri atas kapasitor
Co dan resistor-resistor pada keluaran transistor dan beban. Jaringan pada kutup keluaran ini
mempunyai frekuensi cut-off tinggi (fHo) sebagi berikut:
fHo = 1/{2 (Rth2)(Co)}
dimana:
Rth2 = RC//RL
Co = Cce + Cwo +
CMo CMo = (1 -
(1/Av))Cbc

Frekuensi cut-off tinggi (fH) suatu penguat disamping ditentukan oleh fH1 dan fH2
tersebut, juga dipengaruhi oleh variasi beta (). Sebagimana dijelaskan di depan bahwa beta
() suatu transistor akan menurun bila transistor tersebut digunakan pada frekuensi tinggi.
Semakin tinggi frekuensi semakin kecil beta ()nya. Perhatikan kurva berikut:

hfe

hfe pada frek menengah

3dB

hfe = 1

f FT Frek

Gambar 26. Hubungan antara beta () transistor dengan frekuensi

Pada kurva tersebut terlihat bahwa nilai hfe (atau beta, ) suatu transistor akan ber-
kurang 3 dB (atau menjadi 0,707 nya) pada frekuensi f. Dengan demikian definisi f adalah
suatu frekuensi dimana hfe (atau beta, ) suatu transistor menjadi 0,707nya dari harga pada
frekuensi menengah. Harga hfe (atau beta, ) yang diperoleh dari buku data transistor me-
rupakan kondisi pada frekuensi menengah. Apabila frekuensi dinaikkan terus hingga suatu
frekuensi yang disebut fT maka hfe (atau beta, ) akan turun menjadi satu (atau 0 dB). Har-
ga fT ini sering terdapat dalam buku data transistor, karena fT ini sering dipandang sebagai
batas frekuensi kerja transistor.
 Nilai frekuensi f ini dapat ditentukan melalui rangkaian ekivalen hibrid-, yakni
model transistor yang bekerja pada frekuensi tinggi. Lihat gambar 27.

Gambar 27. Model hibrid-, ekivalen transistor pada frekuensi tinggi

dimana : rb'e = 1/gb'e

rce = 1/hoe
gm.Vb'e = gm.rb'e.I'b  hfemid.I'b
I'b = arus yang mengalir pada rb'e

Pada rangkaian ekivalen dengan hibrid- tersebut terdapat resistansi rbb' (resistansi antara
titik B dan b') yang merupakan resistansi dari kontak basis sampai daerah aktif dalam basis.
Harga f dapat ditentukan dengan persamaan sebagai berikut:
f = (gb'e)/2(Cb'e + Cb'c)
karena :
gb'e = gm/hfemid
maka
: f = (gm)/(hfemid2(Cb'e + Cb'c))

karena :
gm = (hfemid)(gb'e)
= (hfemid)(1/rb'e)
 (hfemid)(1/hie)
dan
 Cb'e  Cbe dan Cb'c = Cbc
akhirnya maka diperoleh:
f 1 / (2)(hie)(Cbe + Cbc)
Kaitan antara fT dengan f adalah:
fT = (hfemid)(f)
dengan demikian:
fT  (hfemid) / (2)(hie)(Cbe + Cbc)

Ketiga frekuensi cut-off yang diperoleh di atas, yakni: fHi, fHo, dan f, mempengaruhi
respon frekuensi tinggi suatu penguat. Frekuensi cut-off tinggi (fH) dari penguat secara ke-
seluruhan ditentukan oleh harga terendah (terkecil) dari ketiga frekuensi tersebut. Hal ini
akan tepat apabila jarak diantara ketiga frekuensi tersebut cukup jauh. Apabila ada frekuen- si
yang berdekatan, maka fH merupakan interaksi dari frekuensi-frekuensi tersebut.
Apabila pada suatu penguat sudah ditentukan frekuensi cut-off bawah (fL) dan fre-
kuensi cut-off atas (fH), maka selanjutnya bisa dihitung lebar bandnya. Lebar band (band-
width) suatu respon frekuensi adalah:
BW = fH - fL

Contoh:
Suatu rangkaian penguat seperti gambar 23 mempunyai data sebagai
berikut: Rs = 1K, R1 = 40K, R2 = 10K, RE = 2K, Rc = 4K, Rs =
2,2K
Cs = 10F, Cc= 1F, Ce = 20F
hfe = 100, hie = 1576, Vcc = 20 V
Cbe = 36pF, Cbc = 4pF, Cce = 1pF, Cwi = 6pF, Cwo =
8pF Tentukan:
Frekuensi cut-off atas (fH) dari penguta tersebut
Penyelesaian:
Menentukan Av:
Avmid = Vo/Vi
Avmid = - (hfe)(Rc//RL)/hie Avmid
= -90
Menentukan fHi:
Rth1 = Rs//R1//R2//hie
Rth1 = 1K//40K//10K//1,576K
Rth1 = 568 
Ci = Cwi + Cbe + (1 -
Av)Cbe Ci = 6p + 36p + (1 -
(-90))4p Ci = 406 pF
sehingga:
fHi = 1/{2 (Rth1)(Ci)}
fHi = 1/{2 (568)(406. 10-12)
fHi = 690,15 KHz
Menentukan fHo:
Rth2 = Rc//RL
Rth2 = 4K//2,2K
Rth2 = 1419 
Co = Cwo + Cce + (1 -
Av)Cbe Co = 8p + 1p + (1 -
(1/-90))4p Co = 13,04 pF
sehingga:
fHo = 1/{2 (Rth2)(Co)}
fHo = 1/{2 (1419)(13,04. 10-12)
fHo = 8,6 MHz
Menentukan f:
f 1 / (2)(hie)(Cbe + Cbc)
f 1 / (2)(1576)( 36. 10-12+ 4. 10-12)
f 2,52 MHz
Menentukan fH penguat:

Ketiga frekuensi cut-off atas, yakni fHi, fHo, dan f ternyata berjarak cukup jauh, yakni
msing-masing: 690,15 KHz; 8,6 MHz; dan 2,52 MHz Dengan demikian fH dari penguat
merupakan harga terendah dari ketiga harga tersebut yai- tu:

fH = 690,15 KHz
2.6 Rangkaian Logika Digital CMOS

2.6.1 Rangkaian Menggunakan CMOS

Rangkaian sekarang menggunakan CMOS (Complementary MOS) yang tersusun atas NMOS
dan PMOS
Transistor NMOS Simbol NMOS

Operasi NMOS sebagai Saklar

Transistor beroperasi dengan mengontrol tegangan VG di terminal
Gate (G)
Jika VG low, tidak ada koneksi antara terminal Source (S) dan
Drain (D). Transistor mati (off)
Jika VG high, transistor hidup (on). Seolah seperti saklar tertutup
antara terminal Source (S) dan Drain (D)

Transistor PMOS sebagai Switch

Transistor PMOS Simbol PMOS

Operasi PMOS sebagai Saklar

Transistor beroperasi dengan mengontrol tegangan VG di terminal
Gate (G)
Jika VG low, tidak ada koneksi antara terminal Source (S) dan
Drain (D). Transistor mati (off)
Jika VG high, transistor hidup (on). Seolah seperti saklar tertutup
antara terminal Source (S) dan Drain (D)
NMOS dan PMOS dalam Rangkaian Logika

Saat transistor NMOS on, maka terminal drainnya

pulled-down ke Gnd
Saat transistor PMOS on, maka terminal drainnya
pulled-up ke VDD
Disebabkan cara operasi transistor:
Transistor NMOS tidak dapat digunakan untuk mendorong terminal drainnya secara penuh ke
VDD
Transistor PMOS tidak dapat digunakan untuk mendorong terminal drainnya secara penuh ke
GND
Sehingga Dibentuk CMOS, transistor NMOS dan PMOS dipasangkan

Gerbang Logika CMOS

Gerbang CMOS: pasangan NMOS dan PMOS
transistor NMOS membentuk pull-down network (PDN)
transistor PMOS membentuk pull-up network (PUN)
Fungsi yang direalisasikan dengan PDN dan PUN adalah saling berkomplemen satu dengan yang lain
PDN dan PUN mempunyai jumlah transistor yang sama
Disusun sehingga kedua jaringan adalah dual satu sama lain
Dimana PDN mempunyai transistor NMOS secara seri, maka PUN mempunyai PMOS secara paralel
dan sebaliknya

Untuk semua valuasi sinyal masukan:

) PDN menarik Vf ke Gnd (pull-

down); atau
) PUN menarik Vf ke
VDD (pull-up)

IC 7404 (6 buah gerbang logika NOT)

2.6.2 Karakteristik IC CMOS

Tahap awal dalam perancangan IC CMOS schmitt trigger meliputi penentuan spesifikasi rangkaian IC
yang akan dirancang, perancangan rangkaian logika Schmitt Trigger Langkah selanjutnya merancang
ukuran komponen W/L berdasarkan parameter proses transistor NMOS dan PMOS yang akan
digunakan dalam perhitungan. Dari hasil perbandingan nilai W/L yang
digunakan, selanjutnya menentukan nilai VTC, propagation delay dan penggambaran layout pada
microwind
Spesifikasi Teknis rangkaian schmitt trigger ditentukan sebagai berikut:
1. High Speed Operation : tpd = 13 ns.
2. Wide Supply Voltage : VDD = 2V to 6 V
3. Power Disipation : Dual-In-Line = 700 mw, Small
4. Hysterisis : V T+ = 0.9V dan VDD = 4.5V

Schmitt trigger merupakan rangkaian yang memiliki karakteristik alih tegangan VTC histerisis,
dimana karakteristik alih tegangan maju (V+) dan karakteristik alih tegangan balik (V-). Bila tegangan
input dinaikan dari 0V ke VDD, transisi swicthing tegangan alih majuIC Inverter CMOS (V+). Jika
tegangan input diawali pada tegangan VDD ke 0V maka transisi switching tegangan alih balik
(V-). Tegangan histerisis memberikan pemisahan antara 2 (dua) titik switching. dimana
tegangan histerisis (V+) dapat diketahui dengan menggunakan Persamaan
 BAB III. PENUTUP
3.1 Kesimpulan
Pertumbuhan teknologi digital seperti mikroprosesor telah memberikan motivasi untuk
memajukan teknologi MOSFET lebih cepat daripada jenis lain dari transistor berbasis
silikon. Sebuah keuntungan besar dari MOSFET untukberalih digital adalah bahwa
lapisan oksida antara gerbang dan mencegah saluran arus DC mengalir melalui pintu
gerbang, lebih lanjut mengurangi konsumsi daya dan memberikan impedansi masukan
yang sangat besar. The isolasi oksida antarapintu gerbang dan saluran efektif isolat
MOSFET dalam satu panggung logika dari awal dan tahap akhir, yang memungkinkan
output MOSFET tunggal untuk mendorong sejumlah besar input MOSFET. Bipolar
transistor berbasis logika (seperti TTL) tidak memiliki seperti kapasitas fanout tinggi.
Isolasi ini juga membuat lebih mudah bagi para desainer untuk mengabaikan untuk
beberapa efek batas memuat antara logika tahapan secara mandiri. Sejauh didefinisikan
oleh frekuensi operasi: sebagai frekuensi meningkat, impedansi masukan dari MOSFET
berkurang.Keuntungan MOSFET di sirkuit digital tidak diterjemahkan ke dalam
supremasi di semua sirkuit analog. Kedua jenis sirkuit memanfaatkan fitur yangberbeda
dari perilaku transistor.Prinsip dasar jenis transistor pertama kali dipatenkan oleh Julius
EdgarLilienfeld pada tahun 1925. Dua puluh lima tahun kemudian, ketika BellTelephone
berusaha untuk paten persimpangan transistor, mereka menemukanLilienfeld sudah
memegang paten, worded dengan cara yang akan mencakup semua jenis transistor. Bell
Labs mampu bekerja kesepakatan dengan Lilienfeld,yang masih hidup pada waktu itu
(tidak diketahui jika mereka membayar uangkepadanya atau tidak). Hal ini pada waktu
itu versi Bell Labs diberi nama bipolarjunction transistor, dan desain Lilienfeld yang
mengambil efek medan namatransistor.
3.2 Saran
Semoga dengan dibuatnya makalah ini, akan dapat meningkatkan wawasan penulis
maupun pembaca, sehingga menghadapi perkembangan zaman yang semakin pesat ini,
kita sebagai bangsa Indonesia bukanlah orang-orang yangawam akan teknologi. Penulis
juga memohon maaf, apabila dalam penulisanjurnal ini ada kekurangan dan kesalahan.

3.3 Daftar Pustaka

[1] https://www.academia.edu/6823926/ELEKTRONIKA_ANALOG
[2] https://mikroavr.com/pengertian-mosfet-dan-manfaat-nya/
[3] https://id.wikipedia.org/wiki/MOSFET
[4] https://docplayer.info/34082509-Perancangan-inverter-sebagai-switch-mos-pada-ic-dac.html
[5] file:///C:/Users/Kevin/Downloads/Documents/Topik1.pdf