Pertemuan 4 BJT

hendroagungs.blogspot.
com
ELEKTRONIKA DASAR
Pertemuan Ke-4
Bipolar Junction Transistor (BJT)
1
hendroagungs.blogspot.com
Stuktur divais dan cara kerja fisik
Struktur yang Disederhanakan dan Mode Operasi
Gambar 1. Struktur sederhana transistor npn
Gambar 2. Struktur sederhana transistor pnp 2

Mode kerja BJT

Mode EBJ CBJ
Cutoff Reverse Reverse
Active Forward Reverse
Reverse Active Reverse Forward
Saturation Forward Forward
Cara Kerja Transistor npn Pada Mode Aktif
Gambar 3: Aliran arus pada transistor npn pada mode aktif

3
Gambar 4: Profil pembawa muatan minioritas pada base dan emitter pada
transistor npn yang bekerja pada mode aktif.
n p 0   n p 0 e v BE / V T
np(0) = konsentrasi pembawa muatan minoritas (elektron) pada base

vBE = tegangan forward bias base-emitter
VT = tegangan termal → 25 mV pada suhu ruangan.
4
Pengurangan pembawa muatan minoritas menyebabkan elektron yang

disuntikkan ke base akan merembas melalui base ke collector. Arus elektron
ini sebanding dengan koefisien arah dari profil konsentrasi
dn ( x )
I n  A E qD n
p
dx
 n ( 0 ) 
 A E qD n   p

 W 
AE = luas penampang base-emitter junction

q = muatan elektron
Dn = kemampuan difusi elektron pada base
W = lebar efektif base
Tanda (-) menunjukkan bahwa arah arus In adalah dari kanan ke kiri (arah x
negatif).
iC  I S e v BE / V T
IS 
Arus Collector A E qD n n p 0 W
n p 0  n i
2
N A
2
A qD n
I S  E n i
N A W
ni = kerapatan pembawa instrinsik

NA = konsentrasi doping pada base 5
Perhatikan: arus iC tidak tergantung dari vCB.
Arus jenuh IS berbanding terbalik dengan lebar base W. IS sebanding dengan luas
penampang EBJ → scale current.
IS mempunyai harga antara 10-18 A sampai 10-12 A.
IS sebanding dengan ni2 yang merupakan fungsi suhu, kira-kira menjadi dua kali
setiap kenaikan suhu 5°C
Arus Base
Terdiri dari iB1 yang disebabkan oleh holes yang disuntikkan dari base ke emitter
dan iB2 yang disebabkan oleh holes yang dicatu dari rangkaian luar untuk
menggantikan holes yang hilang akibat proses rekombinasi
2
A qD n
i B 1  E p i
e v BE / V T
N D L p
Dp = kemampuan difusi holes di emitter

Lp = panjang difusi holes di emitter
ND = konsentrasi doping di emitter
6
Q
i  n
B 2
 b
τb = waktu rata-rata bagi sebuah elektron (minoritas) ber-rekombinasi

dengan sebuah holes (mayoritas) di base. (disebut minority-carrier lifetime)
Qn = muatan pembawa minoritas yang ber-rekombinasi dengan holes pada
waktu τb
Pada gambar (4) Qn digambarkan dengan luas segitiga di bawah distribusi

garis lurus
Q
pada base.n  0  W
 A q  1
n E 2 p
2
A qWn
Q n  E i
e v BE / V T
2 N A
2
1 A qWn
i  E i
e v BE / V T
B 2
2  b N A
 D N W 1 W 2 
i  I  p A
  e v BE / V T
B S  D N L 2 D n 
 n D p b 
iC
i 
B

 IS 
i    e v BE / V T
 
B

 D N W 1 W 2 
  1  p A
 
 D N L 2 D n 
 n D p b 
7
β adalah suatu konstanta untuk transistor tertentu.

Untuk transistor npn, harga β berkisar antara 50 – 200. Untuk divais khusus
β bisa mencapai 1000.
β disebut penguatan arus common-emitter.
β dipengaruhi oleh: lebar dari daerah base, W, dan perbandingan doping

daerah base dan daerah emitter (NA/ND).
iE  iC  iB
Arus Emitter
  1
i  iC
E

  1
i  I e v BE / V T
E
 S
iC   i E

 
  1
i E  IS  e v BE / V T

 
1  
8
α≈1
Perubahan yang kecil pada α menyebabkan perubahan yang besar pada β.
α disebut penguatan arus common-base.
Karena α dan β menunjukkan karakteristik transistor yang bekerja pada

mode ‘forward active’, kadang dituliskan sebagai αF dan βF.
Rekapitulasi dan Model Rangkaian Pengganti
•Tegangan forward bias vBE menyebabkan arus iC mengalir ke collector

mempunyai hubungan eksponensial.
•Arus iC tidak tergantung dari tegangan vCB selama CBJ reverse bias, vCB ≥
0
•Pada mode aktif, collector berkelakuan seperti sebuah sumber arus ideal
yang konstan di mana harga arus ditentukan oleh vBE.
•iB = 1/βF x iC
•iE = iB + iC
•Karena iB << iC → iE ≈ iC
•iE = αF x iC
•αF ≈ 1
9
Gambar 5: Model rangkaian pengganti sinyal besar untuk BJT npn yang bekerja
pada mode forward active.
10
Struktur Transistor
Gambar 6. Tampak melintang sebuah BJT jenis npn
Collector mengelilingi emitter sehingga sulit untuk elektron yang disuntikkan

ke base yang tipis untuk tidak terkumpul pada collector → αF ≈ 1 dan βF
besar.
Divais tidak simetris berarti jika collector dan emitter ditukar dan transistor
bekerja pada mode reverse active, α = αR dan β = βR yang mempunyai
harga yang berbeda dengan αF dan βF.
Karena divais dirancang untuk bekerja optimum pada mode forward active,
αR << αF dan βR << βF.
αR berkisar antara 0,01 – 0, 5 dan βR berkisar antara 0,01 – 1.
11
Gambar 7: Model transistor npn yang bekerja pada mode reverse active.
Struktur pada gambar (6) terlihat bahwa CBJ mempunyai luas yang lebih
besar dari EBJ.
Pada gambar 7 dioda DC menunjukkan CBJ yang mempunyai arus skala ISC
>> arus skala ISE dari dioda DE. Kedua arus ini berbanding lurus dengan luas
junction
.
αFISE = αRISC = IS
ISC yang besar mempunyai dampak bahwa untuk arus yang sama, CBJ
mempunyai penurunan tegangan yang lebih kecil jika di-bias maju daripada12
penurunan tegangan maju pada EBJ, VBE.
Model Ebers-Moll
Gambar 8: Model Ebers – Moll dari transistor npn
iE = iDE – αRiDC
IC = - IDC + αFiDE
IB =(1 – αF) iDE + (1 – αR) iDC
13
i DE  I SE e v BE V T
 1 
i DC  I SC e v BC V T
 1 
i 
 I
 S

 e  v BE V T
 1   I e v BC V T
 1 
 
E S
F 
iC  I e v BE V T
 1   I
  S


 e v BC V T
 1 
 
S
R 
i 
 I
 S

 1   I
  S

 e  v BC V T
 1 
   
B
F  R 

  F
1  
F
F

  R
1  
R
R
Penggunaan pertama dari model EM adalah untuk memperkirakan arus

pada terminal dari transistor yang bekerja pada mode forward active.
vBE positif antara 0,6 – 0,8 V dan vBC negatif.
v V
e BC T
kecil dan dapat diabaikan
14
 I   1 
i   S
 e v BE V T
 I  1  
  
E S
F   F 
 1 
iC  I e v BE V T
 I   1 
  R
S S

 I   1 1 
i   S
 e v BE V T
 I   
    F 
B S
F  R 
Dari ketiga persamaan di atas, suku kedua dapat diabaikan.
Selama ini, kondisi untuk cara kerja mode forward active adalah vCB ≥ 0
agar CBJ dalam keadaan reverse bias. Pada kenyataannya, sebuah pn
junction tidak dalam keadaan forward bias jika tegangannya tidak
melebihi kira-kira 0,5 V.
Jadi cara kerja transistor npn pada mode forward active masih tetap bisa
dicapai bila vCB turun sampai mencapai – 0.4 V.
15
Gambar 9: Karakteristik iC – vCB dari transistor npn yang dicatu dengan arus
IE yang tetap.
Pada gambar 9 terlihat, arus iC tetap konstan pada αFiE untuk vCB sampai –
0,4 V
Di bawah harga ini,CBJ akan ‘on’ dan meninggalkan mode forward active
memasuki daerah kerja mode jenuh, di mana iC menurun.
16
Cara Kerja pada Mode Jenuh
Pada gambar 9 terlihat jika vCB berkurang sampai di bawah –0,4 V, BJT memasuki
cara kerja mode jenuh.
Pada keadaan ideal, dalam mode forward active, vCB tidak mempengaruhi iC, tetapi
pada mode jenuh, dengan meningkatnya vCB ke arah negatif, iC berkurang.
 I 
iC  I e v BE V T
  S
 e v BC V T
 
S
R 
Suku pertama adalah hasil dari forward-biased EBJ, dan suku kedua
adalah hasil dari forward-biased CBJ.
Jika vBC melebihi 0,4 V, iC akan berkurang dan akhirnya mencapai nol.
17
Gambar 10: Profil konsentrasi pembawa muatan minoritas (elektron) pada

base dari sebuah transistor npn
vBE VT
e
Karena CBJ forward biased, konsentrasi elektron pada sisi collector tidak nol,
tapi sebanding dengan
Koefisien arah dari profil konsentrasi sebanding dengan pengurangan iC
18
Transistor pnp
Gambar 11: Aliran arus pada transistor pnp untuk bekeja pada mode forward
active.
19
Gambar 12: Model sinyal besar untuk transistor pnp yang bekerja pada
mode aktif.
Hubungan arus – tegangan pada transistor pnp sama dengan pada

transistor npn hanya vBE diganti dengan vEB.
Gambar 12 menunjukkan rmodel angkaian pengganti sinyal besar, yang

juga mungkin digantikan dengan sumber arus yang dikendalikan sumber
arus, CCCS, αFiE.
Transistor pnp dapat bekerja pada mode jenuh seperti pada transistor npn
20
Karakteristik Arus – Tegangan
Gambar 13: Simbol rangkaian BJT
Gambar 14: Polaritas tegangan dan aliran arus dalam transistor yang di bias
dalam mode aktif
21
Ringkasan hubungan arus – tegangan dari BJT pada mode aktif
iC  I S e v BE V T
 I S  v BE V T
iC
i    e
B
   
iC  I 
iE    S  e v BE V T
   
Catatan: untuk transistor pnp, gantilah vBE dengan vEB
iC   i i  1   iE 
i E
E B
  1
iC   iB i E    1 i B
 
   
  1   1
VT = tegangan termal = kT/q ≈ 25 mV pada suhu kamar
22
Konstanta n
Untuk BJT, konstanta n mendekati satu kecuali pada kasus tertentu:

• pada arus yang tinggi, hubungan iC – vBE menunjukkan harga n mendekati
2
• pada arus yang rendah, hubungan iB – vBE menunjukkan harga n
mendekati 2
Jika tidak disebutkan n=1
Arus balik collector – base (ICBO)

Adalah arus balik dari collector menuju base dengan emitter hubung
terbuka. Arus ini mempunyai harga dalam orde nanoamper. ICBO
mempunyai komponen arus bocor, dan harganya tergantung dari vCB. ICBO
sangat tergantung pada suhu, rata-rata harganya menjadi dua kali lipat
dengan kenaikan 10°C.
23
Contoh soal 1:
Gambar 15: Rangkaian untuk contoh soal 1
Transistor pada gambar (15.a) mempunyai β = 100 dan vBE = 0,7 V pada iC
=1mA.
Rancanglah rangkaian sehingga arus 2 mA mengalir melalui collector dan
tegangan pada collector = +5 V
24
Jawab:
VC = 5 V → CBJ reverse bias → BJT pada mode aktif
VC = 5 V → VRC = 15 – 5 = 10 V
IC = 2 mA → RC = 5 kΩ
vBE = 0,7 V pada iC = 1 mA → harga vBE pada iC = 2 mA:

 2 
V BE  0 ,7  ln    0 , 717 V
 1 
VB = 0 V → VE = -0,717 V
β = 100 → α = 100/101 =0,99

I 2
I  C
  2 , 02 mA
E
 0 , 99
Harga RE diperoleh dari:

V E    15 
R E
I E
 0 , 717  15
  7 , 07 k 
2 , 02
25
Penampilan Grafis dari Karakteristik Transistor
Gambar 16: Karakteristik iC – vBE dari sebuah transistor npn

Karakteristik iC – vBE identik dengan karakteristik i – v pada dioda.
Karakteristik iE – vBE dan iB – vBE juga exponensial dengan IS yang berbeda:

IS/α untuk iE dan IS/β untuk iB.
Karena konstanta dari karakteristik ekponensial, 1/VT, cukup tinggi (≈ 40),
kurva meningkat sangat tajam.
Untuk vBE < 0,5 V, arus sangat kecil dan dapat diabaikan. Untuk harga arus
normal, vBE berkisar antara 0,6 V – 0,8 V. Untuk perhitungan awal, vBE = 0,7
V.
Untuk transistor pnp, karakteristik iC- vBE tampak identik, hanya vBE diganti
dengan vEB. 26
Gambar 17: Pengaruh suhu pada karakteristik iC – vBE
Seperti pada dioda silikon, tegangan pada junction base - emitter

menurun 2 mV untuk setiap kenaikan suhu 1°C pada arus yang tetap.
Karakteristik Common – Base
Gambar (18.a) menunjukkan cara kerja BJT dengan membuat kurva iC –

vCB dengan iE yang berbeda.
Pada pengukuran ini tegangan base tetap dan base berperan sebagai
terminal bersama (common) masukan dan keluaran.
Jadi kurva ini disebut juga kurva karakteristik common – base
27
Gambar 18: karakteristik iC – vCB dari sebuah transistor npn
28
Dalam daerah aktif, vCB ≥ –0,4 V, kurva iC – vCB berbeda dengan yang diharapkan karena:
– Kurva tidak tidak datar tapi menunjukkan koefisien arah yang positif. Hal ini
disebabkan adanya ketergantungan iC terhadap vCB
– Pada harga vCB yang relatif besar, iC meningkat dengan cepat, karena terjadinya
‘breakdown’
Pada gambar (18.b), setiap kurva karakteristik memotong sumbu vertikal pada harga
arus = αIE (IE konstan untuk setiap kurva).
α untuk sinyal besar = iC/iE yang merupakan penguatan arus common-base.
α untuk sinyal kecil ≡ ∆iC/∆iE.
Dengan menggunakan persamaan Ebers-Moll, untuk daerah jenuh: iE = IE:
 1 
iC   I  I     e v BC V T
  R
E E S F

CBJ lebih besar dari EBJ, penurunan tegangan vBC akan lebih kecil dari
vBE, sehingga menghasilkan tegangan vCE jenuh pada vCE = 0,1 V – 0,3 V.
29
Ketergantungan iC pada tegangan collector –

The Early effect
Gambar 19.(a): Rangkaian konseptual untuk mengukur karakteristik iC –

vCE dari sebuah BJT
(b): Karakteristik iC – vCE dari sebuah BJT
30
Ketergantungan linier iC terhadap vCE:

 v CE 
iC  I S e v BE V T  1  
 V A 
Koefiisien arah dari kurva iC – vCE yang tidak nol menunjukkan bahwa
resistansi keluaran dilihat ke arah collector mempunyai harga tertentu (≠∞)
 1
  i 
r   C

  v CE
o
v BE  kons tan 
V A  V
r o  CE
IC
IC dan vCE adalah koordinat titik kerja BJT pada kurva iC – vCE .
V
r o  '
A
I C
I C
'
 I S e v BE V T
31
Gambar 20: Model rangkaian pengganti sinyal besar dari BJT npn yang
bekerja di daerah aktif dalam konfigurasi common-emitter.
32
Karakteristik Common-Emitter
Gambar 21: Karakteristik common-emitter
33
Penguatan arus common-emitter β.
β didefinisikan sebagai perbandingan antara total arus pada collector dan

total arus pada base.
β mempunyai harga yang konstan untuk sebuah transistor, tidak tergantung
dari kondisi kerja.
Pada gambar 21, sebuah transistor bekerja pada daerah aktif di titik Q yang
mempunyai arus collector ICQ, arus base IBQ dan tegangan collector –
emitter VCEQ. Perbandingan
I CQ
arus collector dan arus base adalah β sinyal
 dc 
besar atau dc. I BQ
βdc juga dikenal sebagai hFE.
Pada gambar 21 terlihat, dengan tegangan vCE tetap perubahan iB dari IBQ
menjadi (IBQ + ∆iB) menghasilkan kenaikan pada iC dari ICQ menjadi (ICQ +
∆iC)
 iC
 
 iB
ac
v CE  kons tan
βac disebut β ‘incremental’.

34
βac dan βdc biasanya berbeda kira-kira 10% – 20%.

βac disebut juga β sinyal kecil yang dikenal juga dengan hfe.
β sinyal kecil didefinisikan dan diukur pada vCE konstan, artinya tidak ada
komponen sinyal antara collector dan emitter, sehingga dikenal juga
sebagai penguatan arus hubung singkat common-emitter.
Gambar 22: Ketergantungan β pada IC dan suhu
35
Tegangan jenuh VCEsat dan Resistansi jenuh RCEsat
Gambar 23: Karakteristik common-emitter pada daerah jenuh
Pada daerah jenuh kenaikan β lebih kecil dibandingkan dengan di daerah

aktif.
Perhatikan titik kerja X di daerah jenuh → arus base IB, arus collector ICsat
dan tegangan collector – emitter VCEsat.
ICsat < βFIB
36
Karena harga ICsat ditentukan oleh perancang rangkaian, sebuah transistor

jenuh dikatakan bekerja pada ‘forced β’
I
 forced  Csat
I B
 forced   F
Perbandingan antara βF dan βforced disebut ‘overdrive factor’. Makin besar

‘overdrive factor’, makin dalam transistor dipaksa ke daerah jenuh dan
makin kecil VCEsat.
Kurva iC – vCE pada daerah jenuh cukup tajam menunjukkan bahwa

transistor jenuh mempunyai resistansi collector – emitter,RCEsat yang
rendah:  v
R  CE
 iC
CEsat
i B  I B
i C  I Csat
RCEsat mempunyai harga berkisar beberapa ohm sampai beberapa puluh

ohm.
37
Gambar 24. (a) transistor npn beroperasi pada mode jenuh dengan arus
base yang tetap IB.
(b) Kurva karakteristik iC – vCE pada iB = IB dengan koefisien arah 1/RCEsat.
(c) Rangkaian ekivalen transistor jenuh
(d) Model rangkaian ekivalen yang disederhanakan dari transistor jenuh
38
Perhatikan pada gambar (24.b):

• kurva memotong sumbu vCE pada VTln (1/αR). Harga ini sama untuk
semua kurva iC – vCE
• tangent pada titik kerja X sama dengan 1/RCEsat. Jika diekstrapolasikan,
tangent ini akan memotong sumbu vCE pada tegangan VCEsat yang
mempunyai harga kira-kira 0,1V.
Pada gambar (24.c) pada sisi collector, transistor direpresentasikan dengan

RCEsat diserikan dengan sebuah batere VCEsat. Jadi:
VCEsat = VCEoff + ICsatRCEsat
Harga VCEsat berkisar antara 0,1V – 0,3V.

Tegangan offset pada transistor jenuh menyebabkan BJT kurang menarik
untuk dijadikan saklar jika dibandingkan dengan MOSFET.
Gunakan modelv Ebers-Moll untuk

 I S menurunkan ekspresi analisis untuk
  e v  1 

iC  I S e V
 1   BE T V BC T
karakteristik sebuah transistor  jenuh.

R 
i 
 I
 S

 1   I
  S

 e  v BC V T
 1 
   
B
F  R 
39
Gantikan iB = IB dan abaikan suku yang tidak mempunyai fungsi

eksponensial
I I
I  S
e v BE V T
 S
e v BC V T
B
 F  R
I
iC  I e v BE V T
 S
e v BC V T
S
 R
Bagilah persamaan IB dengan persamaan iC dan tulis vBE =vBC+vCE ,

sehingga diperoleh:
 1 
 e
v CE V T
 

iC   F I B   
R 

 e
v CE V T
 F

  R 
Ini adalah persamaan kurva karakteristik iC – vCE yang diperoleh jika base
dipaksa dengan arus tetap IB.
40
Gambar 25: Plot iC (normalisasi) terhadap vCE untuk transistor npn dengan
βF = 100 dan αR = 0,1
41
Kurva dapat didekati dengan garis lurus pada titik βforced/βF = 0,5. Koefisien
arah pada titik ini kira-kira
10 V-1, tidak tergantung dari parameter transistor.
RCEsat = 1/10βFIB
Ganti iC = ICsat = βforced 1    1   R

V CEsat  IVB Tdan
ln vCE = Vforced
Csat, diperoleh:
1    forced  F 
Transistor breakdown
Tegangan maksimum yang dapat dipasangkan pada sebuah BJT dibatasi

oleh efek breakdown pada EBJ dan CBJ.
Pada konfigurasi common-base, karakteristik iC –vCB menunjukkan bahwa

untuk iE = 0 (emitter hubung terbuka), CBJ breakdown pada tegangan
BVCBO. Untuk iE > 0, breakdown terjadi pada tegangan lebih kecil dari
BVCBO. Biasanya BVCBO > 50 V
42
Untuk konfigurasi common-emitter, breakdown terjadi pada tegangan

BVCEO. Harga BVCEO kira-kira setengah harga BVCBO. Pada lembaran data
transistor, BVCBO disebut ‘sustaining voltage’, LVCEO
Breakdown pada CBJ baik pada konfigurasi common-emitter atau

common-base tidak merusak selama daya disipasi pada divais masih
dalam batas normal.
Breakdown pada EBJ yang disebabkan fenomena avalanche terjadi pada

tegangan BVEBO yang jauh lebih kecil dari BVCBO. Biasanya BVEBO berkisar
antara 6 V – 8 V, dan breakdown ini merusak dalam arti β dari transistor
berkurang secara permanen. Cara ini tidak mencegah pemakaian EBJ
sebagai sebuah dioda zener untuk menghasilkan tegangan rujukan dalam
perancangan IC. Dalam aplikasi ini tidak dilihat sebagai efek β-
degeneration.
43
Ringkasan Karakteristik arus – tegangan dari BJT
Simbol rangkaian dan arah aliran arus
Transistor npn Transistor pnp
Cara kerja pada mode aktif (untuk pemakaian sebagai penguat)
Kondisi:
1. EBJ forward biased:
npn: vBE > VBEon; VBEon ≈ 0,5 V
biasanya vBE = 0,7 V
pnp: vEB > VEBon; VEBon ≈ 0,5 V
biasanya vEB = 0,7 V
44
2. CBJ reverse biased

npn: vBC ≤ VBCon : VBCon ≈ 0,4 V → vCE ≥ 0,3 V
pnp: vCB ≤ VCBon : VCBon : ≈ 0,4 V → vEC ≥ 0,3 V
 v V
npn: i C arus
I S e –v tegangan:
V
Hubungan BE T
pnp: iC I S e EB T
i B  iC   iC   iB
i E  iC   iC   iC
 
    
1     1
Model rangkaian ekivalen sinyal besar
npn:
 IS 
i    e v BE V T
 
B

 v 
 1  CE

 V A 
r o  V A I S e v BE V T

45
pnp
 IS 
i    e v EB V T
 
B

 v 
iC  I S e v EB V T
 1  EC

 V A 
r o  V A I S e v EB V T

Model Ebers-Moll
npn pnp
i DE  I SE e v BE V T
 1  i DE  I SE e v EB V T
 1 
i DC  I SC e v BC V T
 1  i DC  I SC e v CB V T
 1 
 F I SE   R I SC  I S
I  luas CBJ
SC
 F
 46
I SE  R luas EBJ
Cara kerja pada mode jenuh

Kondisi:
1. EBJ forward biased:
npn: vBE > VBEon; VBEon ≈ 0,5 V
biasanya vBE = 0,7 – 0,8 V
pnp: vEB > VEBon; VEBon ≈ 0,5 V
biasanya vEB = 0,7 – 0,8 V
2. CBJ forward biased
npn: vBC ≥ VBCon : VBCon ≈ 0,4 V
biasanya: vBC = 0,5 – 0,6 V
→ vCE = VCEsat = 0,1 – 0,2 V
pnp: vCB ≥ VCBon : VCBon ≈ 0,4 V
biasanya: vCB = 0,5 – 0,6 V
→ vEC = VECsat = 0,1 – 0,2 V
Arus: ICsat = βforcedIB
βforced ≤ βF
F
 Overdrive factor
 forced 47
Rangkaian ekivalen
npn pnp
 1    forced  1   
V  V ln  F

1   forced 
CEsat T
 F 
Untuk: βforced = βF/2; RCEsat = 1/10βFIB
48

Pertemuan 4 BJT

Diunggah oleh

Informasi Dokumen

Deskripsi Asli:

Judul Asli

Hak Cipta

Format Tersedia

Bagikan dokumen Ini

Bagikan atau Tanam Dokumen

Opsi Berbagi

Apakah menurut Anda dokumen ini bermanfaat?

Apakah konten ini tidak pantas?

Hak Cipta:

Format Tersedia

Pertemuan 4 BJT

Diunggah oleh

Hak Cipta:

Format Tersedia

hendroagungs.blogspot.

Stuktur divais dan cara kerja fisik

Struktur yang Disederhanakan dan Mode Operasi

Gambar 1. Struktur sederhana transistor npn

Gambar 2. Struktur sederhana transistor pnp 2

Mode kerja BJT

Cara Kerja Transistor npn Pada Mode Aktif

Gambar 3: Aliran arus pada transistor npn pada mode aktif

np(0) = konsentrasi pembawa muatan minoritas (elektron) pada base

Pengurangan pembawa muatan minoritas menyebabkan elektron yang

AE = luas penampang base-emitter junction

ni = kerapatan pembawa instrinsik

Perhatikan: arus iC tidak tergantung dari vCB.

Dp = kemampuan difusi holes di emitter

τb = waktu rata-rata bagi sebuah elektron (minoritas) ber-rekombinasi

Pada gambar (4) Qn digambarkan dengan luas segitiga di bawah distribusi

β adalah suatu konstanta untuk transistor tertentu.

β dipengaruhi oleh: lebar dari daerah base, W, dan perbandingan doping

Karena α dan β menunjukkan karakteristik transistor yang bekerja pada

Rekapitulasi dan Model Rangkaian Pengganti

•Tegangan forward bias vBE menyebabkan arus iC mengalir ke collector

Gambar 6. Tampak melintang sebuah BJT jenis npn

Collector mengelilingi emitter sehingga sulit untuk elektron yang disuntikkan

Gambar 8: Model Ebers – Moll dari transistor npn

Penggunaan pertama dari model EM adalah untuk memperkirakan arus

Dari ketiga persamaan di atas, suku kedua dapat diabaikan.

Cara Kerja pada Mode Jenuh

Gambar 10: Profil konsentrasi pembawa muatan minoritas (elektron) pada

Koefisien arah dari profil konsentrasi sebanding dengan pengurangan iC

Hubungan arus – tegangan pada transistor pnp sama dengan pada

Gambar 12 menunjukkan rmodel angkaian pengganti sinyal besar, yang

Karakteristik Arus – Tegangan

Gambar 13: Simbol rangkaian BJT

Ringkasan hubungan arus – tegangan dari BJT pada mode aktif

VT = tegangan termal = kT/q ≈ 25 mV pada suhu kamar

Untuk BJT, konstanta n mendekati satu kecuali pada kasus tertentu:

Jika tidak disebutkan n=1

Arus balik collector – base (ICBO)

Gambar 15: Rangkaian untuk contoh soal 1

vBE = 0,7 V pada iC = 1 mA → harga vBE pada iC = 2 mA:

β = 100 → α = 100/101 =0,99

Harga RE diperoleh dari:

Penampilan Grafis dari Karakteristik Transistor

Gambar 16: Karakteristik iC – vBE dari sebuah transistor npn

Karakteristik iC – vBE identik dengan karakteristik i – v pada dioda.

Karakteristik iE – vBE dan iB – vBE juga exponensial dengan IS yang berbeda:

Gambar 17: Pengaruh suhu pada karakteristik iC – vBE

Seperti pada dioda silikon, tegangan pada junction base - emitter

Karakteristik Common – Base

Gambar (18.a) menunjukkan cara kerja BJT dengan membuat kurva iC –

Gambar 18: karakteristik iC – vCB dari sebuah transistor npn

Dengan menggunakan persamaan Ebers-Moll, untuk daerah jenuh: iE = IE:

Ketergantungan iC pada tegangan collector –

Gambar 19.(a): Rangkaian konseptual untuk mengukur karakteristik iC –

Ketergantungan linier iC terhadap vCE:

Gambar 21: Karakteristik common-emitter

Penguatan arus common-emitter β.

β didefinisikan sebagai perbandingan antara total arus pada collector dan

βdc juga dikenal sebagai hFE.

βac disebut β ‘incremental’.

βac dan βdc biasanya berbeda kira-kira 10% – 20%.

Gambar 22: Ketergantungan β pada IC dan suhu