Distribusi Statistik Fermi-Dirac Pada Se
Distribusi Statistik Fermi-Dirac Pada Se
Fisika Statistik
DISTRIBUSI STATISTIK FERMI-DIRAC PADA
SEMIKONDUKTOR
OLEH:
NYOMAN ARI CAHYANI DAMAWATI
(0813021024)
BAB I
PENDAHULUAN
BAB II
KAJIAN TEORI
sehingga d ( ln W ) =0
n!
W =Π
Berdasarkan persamaan Ni ! ( n−Ni ) ! , akan diperoleh persamaan baru
seperti berikut.
n!
W =Π
Ni ! ( n−Ni ) !
n!
ln W =Σ ln
(
Ni ! ( n−Ni ) ! )
ln W =Σ( ln n ! − ln ( Ni ! [ n − Ni ] ! ) )
ln W = Σ(ln n ! − ln Ni ! − ln [ n − Ni ] )
ln W = Σ(n ln n − ln Ni ! − ln [ n − Ni ] ) ....................................................(1)
Karena jumlah cell sangat besar, dengan demikian n dan Ni merupakan
bilangan yang sangat besar, maka dapat digunakan Pendekatan Stirling, sehingga
d ln W = d [ n ln n + Σ− Ni ln Ni − n ln [ n − Ni ] + Ni ln [ n − Ni ] ] …………(2)
Jika jumlah partikel dan energi total adalah konstan, akan terdapat persamaan
kondisi seperti berikut.
dN = Σ dNi = 0
dU = Σ wi dNi = 0
Distribusi Fermi-Dirac pada Semikonduktor
n − Ni
d ln W = Σ ln( Ni )
dNi = 0
, maka akan terbentuk persamaan baru seperti
berikut.
n − Ni
−ln B Σ dNi + (−β Σ wi dNi) + Σ ln
Ni
dNi = 0 ( )
n − Ni
Σ−ln B dNi + Σ−β wi dNi + Σ ln
Ni (
dNi = 0 )
n − Ni
(
Σ ln
Ni
−ln B −β wi dNi = 0 )
........................................................(5)
n − Ni
Oleh karena suku
Σ ln ( Ni
−ln B −β wi ) dan dNi saling bebas, dalam
n − Ni
artian jika dNi = 0, maka
Σ ln ( Ni
−ln B −β wi ≠ 0)dan sebaliknya jika
n − Ni Ni
(
Σ ln
Ni
−ln B −β wi = 0 )
, maka dNi ≠ 0. Namun agar n terdefinisi, maka
n − Ni
(
Σ ln
Ni
−ln B −β wi ) harus sama dengan nol. Oleh karena itu, akan didapat
persamaan baru seperti berikut.
Distribusi Fermi-Dirac pada Semikonduktor
n − Ni
(
Σ ln
Ni )
−ln B −β wi = 0
n − Ni
ln −ln B −β wi = 0
Ni
n − Ni
Ni
ln = β wi
B
n − Ni
ln = β wi
B Ni
n − Ni
exp β wi =
B Ni
n − Ni
B exp βwi =
Ni
n
B exp βwi = − 1
Ni
n
B exp ( β wi) + 1 =
Ni
n
= B exp ( β wi) + 1
Jadi didapat Ni , sehingga
Ni 1
=
n B exp ( βwi) + 1 …………………………………………….(6)
Persamaan (6) dikenal dengan fungsi distribusi Fermi-Dirac untuk keadaan
probabilitas termodinamika maksimum.
Distribusi Fermi-Dirac pada Semikonduktor
BAB III
PEMBAHASAN
3.1 Semikonduktor
Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti
dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah
konduktor, karena bahan ini memang bukan konduktor murni. Bahan-bahan logam
seperti tembaga, besi, timah disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam
memiliki susunan atom yang sedemikian rupa, sehingga elektronnya dapat bergerak
bebas.
Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah Silicon (Si),
Germanium (Ge) dan Gallium Arsenida (GaAs). Germanium dahulu adalah bahan
satu-satunya yang dikenal untuk membuat komponen semikonduktor. Namun
belakangan, silikon menjadi populer setelah ditemukan cara mengekstrak bahan ini
dari alam. Silikon merupakan bahan terbanyak ke dua yang ada di bumi setelah
oksigen (O2). Pasir, kaca dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak
mengandung unsur silikon.
Struktur atom kristal silikon, satu inti atom (nucleus) masing-masing memiliki
4 elektron valensi. Ikatan inti atom yang stabil adalah jika dikelilingi oleh 8
elektron, sehingga 4 buah elektron atom kristal tersebut akan membentuk ikatan
kovalen dengan ion-ion atom tetangganya. Pada suhu yang sangat rendah (0 oK),
struktur atom silikon divisualisasikan seperti pada gambar berikut.
Distribusi Fermi-Dirac pada Semikonduktor
bertindihan. Pita energi adalah kumpulan garis pada tingkat energi yang sama
akan saling berhimpit.
Gambar 2. pita
Penentuan Tingkat energi
energi padarinci
secara atomdibicarakan
tunggal dandipita energi
fisika pada kristal
kuantum, namun
secara sederhana, akan ditunjukan sebagai contoh penentuan struktur pita energi
pada bahan padat kristal. Pada gambar 3 dapat dilihat ilustrasi struktur pita energi
untuk kristal isolator, kristal semikonduktor, dan kristal isolator. Dimana pada
keadaan kesetimbangan (equilibrium), pita energi tersplit menjadi dua bagian dan
dipisahkan oleh daerah dimana elektron tidak bisa bergerak atau beroperasi,
daerah ini disebut daerah terlarang (= forbidden gap atau band gap). Pita atas
dinamakan pita konduksi, dan pita bagian bawah dinamakan pita valensi.
Isolator memiliki struktur pita energi seperti pada gambar 3(a), dimana pita
konduksinya tidak terisi oleh elektron (kosong), sedang pada pita valensinya
terisi penuh oleh elektron, dan celah energinya cukup besar ~ 9 eV, sehingga
bahan isolator tidak bisa menghantarkan listrik. Dan agar elektron dari pita valensi
untuk bisa pindah ke pita konduksi dibutuhkan energi eksternal > 9 eV.
Distribusi Fermi-Dirac pada Semikonduktor
elektron yang telah berada di pita konduksi maupun hole di pita valensi akan
bertindak sebagai pembawa muatan untuk terjadinya arus listrik. Konduktivitas
listrik naik dengan cepat dengan naiknya temperatur. Pada temperatur kamar,
sejumlah electron terstimulasi thermis dan mampu naik ke pita konduksi dan
meninggalkan hole (tempat lowong) di pita valensi. Konduktivitas listrik tersebut
di atas disebut konduktivitas intrinksik.
Distribusi Fermi-Dirac
Kita anggap bahwa distribusi elektron mengikuti distribusi Fermi-Dirac.
.....................................................(7)
Dimana F disebut dengan Energi Fermi atau lever Fermi. Sebuah sistem non-
interacting dengan kuantum state diskrit. Sistem tersebut dikontakkan dengan
reservoir pada temperatur T. Dengan i dan j sebgai energi total dari partikel pada
state i dan j berturut-turut. Dimana Wij merupakan probabilitas dari elekton dari
state i berpindah ke state j dalam satuan waktu. Rata-rata jumlah partikel yang
membentuk transisi dari state i ke state j adalah.
Temperatur (T) dimasukkan karena dalam transisi akan terjadi penyerapan atau
pemancaran energi dari atao oleh reservoir. Berturut-turut, jumlah rata-rata
partikel yang bergerak dari state j ke state i adalah.
Kita gunakan prinsip ‘detailed balance’ yang menyebutkan bahwa dalam keadaan
kesetimbanagan termal (thermal equilibrium) kedua jumlah state tersebut harus
bersamaan, sehingga.
.............................................................(8)
Bila fi merupakan jumlah rata-rata dari elektron pada state i, berdasarkan
prinsip larangan Pauli (Pauli exclusion) dimana setiap state hanya boleh diisi oleh
0-1 elektron pada waktu tertentu. Karenanya 0 fi 1, dan fi juga merupakan
fraksi konfigurasi yang ditempati state i. Dengan cara yangsama, 1-fi merupakan
Distribusi Fermi-Dirac pada Semikonduktor
fraksi konfigurasi yang dimana state i kosong (tidak ada elektron). Jumlah transisi
dari state i ke state j dengan besar M konfigurasi adalah
Karena transisi hanya terjadi bila state i penuh sedangkan state j kosong, maka.
Persamaan ini berlaku pada state i tertentu dan state j tertentu. Oleh karena itu, kedua
ruas adalah tidak terikat pada i dan j ;
Berdasarkan persamaan (7), pada suhu 0 K semua state yang berada di bawah energi
tertentuakan terisi dengan elektron sedangkan semua state yang berada di atas energi
akan kosong. Dimana T0, yang diperoleh dari persamaan (7) dan f(F) = ½.
Hal ini berarti bahwa; untuk energi dibawah energi Fermi (level Fermi), state
akan terpenuhi oleh elektron (f() > ½ for < F) dan untuk energi dibawah level
Fermi, state akan kosong (f() < ½ for > F).
Untuk energi yang jauh lebih besar dari energi Fermi (-F >> kBT) dapat kita
selesaikan dengan distribusi Fermi-Dirac menggunakan pendekatan distribusi
Maxwell-Boltzmann.
Distribusi Fermi-Dirac pada Semikonduktor
Karena 1+ exp (-F)/ kBT) ~ exp ((-F)/ kBT) untuk -F >> kBT hal ini disebut
dengan kasus non-degenerate. Sebuah semikonduktor yang menggunakan
penerapan statistik Fermi-Dirac disebut degenerated.
Persamaan Kerapatan
Kita menggunakan distribusi Fermi-Dirac (7) pada persamaan berikut.
Persamaan yang sama juga berlaku pada hole dengan kerapatan p untuk energi
dibawah valensi band minimum v.
Kerapatan elekton dan hole dapat dihitung lebih jelas dengan menggunakan
pendekatan parabolic band dengan massa efektif isotropic.
Pada kasus non-degenerate c - F >> kBT dan F - v >> kBT, integral Fermi di
atas dapat diganti dengan fungsi yang lebih sederhana, yaitu.
Distribusi Fermi-Dirac pada Semikonduktor
..(9)
Semikonduktor Intrinsik
Kristal semikonduktor murni yang belum terkontaminasi/ditambahkan oleh
atom-atom lain disebut dengan semikonduktor intrinsik. Dalam hal ini, pita
konduksi elektron hanya dapat terpenuhi oleh valensi sebelumnya dan elektron
tersebut akan meninggalkan lubang (hole) pada pita valensi. Jumlah elektron pita
konduksi adalah sama dengan jumlah hole pada pita valensi.
...(10)
Karena energi gap g = c - F. Berdasarkan persamaan (9) dan (10) maka energi
Fermi untuk semikonduktor intrinsik dapat dihitung dengan menggunakan
persamaan berikut.
Hal ini menyatakan bahwa T0, energi Fermi terletak tepat di tengah-tengah
energi gap. Atau dengan kata lain pada semikonduktor intrinsik energi Fermi
berkedudukan tepat di tengah-tengah kedua pita energi karena mempunyai jumlah
elektron yang sama dengan jumlah hole. Pada kebanyakan semikonduktor pada
suhu kamar, energi gap g lebih besar dari pada kBT (Si ; 1,12 eV, kBT = 0,0259
eV pada suhu kamar). Hal ini menunjukkan asumsi dari non-degeneracy dengan
hasil yang sesuai dengan asumsi.
Distribusi Fermi-Dirac pada Semikonduktor
Doping
Kerapatan intrinsik terlalu kecil untuk menghasilkan konduktivitas yang
memadai (Si: ni = 6,93 x 109 cm-3). Walau demikian, untuk menghasilkan
kerapatan yang lebih besar dapat dilakukan dengan memindahkan beberapa
elektron ke dalam kristal semikonduktor, dimana atom tersebut memiliki lektron
bebas pada pita konduksi atau hole bebas pada pita valensi. Peristiwa ini disebut
dengan doping. Ketidakmurnian ini berkontribusi pada kerapatan dari carrier
(pembawa) yang disebut dengan donor untuk atom yang menyumbangkan
elektronnya ke pita konduksi dan acceptor untuk atom yang menyumbangkan
hole (menangkap elektron) pada pita valensi.
Gambar 5. Ilustrasi energi gap g dan hubungannya dengan c, v, F.
kecil dari kBT. Hal ini berarti penambahan partikel berkontribusi pada kerapatan
elektron dan kerapat hole pada suhu kamar.
PENUTUP
4.1 Simpulan
Berdasarkan uraian yang telah dipaparkan sebelumnya, maka diperoleh
kesimpulan sebagai berikut.
1. Semikonduktor adalah suatu material yang memiliki karakteristik diantara
konduktor dan isolator. Semikonduktor sangat bergantung dari temperatur.
Pada temperatur terntentu semikonduktor dapat menghantarkan listrik atau
bertindak sebagai konduktor, namun daya hantar atau konduktivitasnya lebih
rendah dibandingkan dengan konduktor. Pada temperatur yang sangat rendah,
material semikonduktor akan memiliki karakter seperti isolator. Penambahan
jumlah impuritas pada material semikonduktor juga dapat menambah sifat
konduktivitas listriknya.
2. Penerapan fungsi distribusi statistik Fermi-Dirac pada semikonduktor
terdapat pada pengisian pita energi. Energi Fermi dalam suatu semikonduktor
merupakan suatu “titik berat” energi dari elektron dan hole, atau bisa juga
dikatakan sebagai tingkat energi rata-rata dari elektron dan hole. Dimana
tingkat energi pada bahan semikonduktor tersebut akan mengikuti fungsi
distribusi Fermi-Dirac berikut.
Distribusi Fermi-Dirac pada Semikonduktor
DAFTAR PUSTAKA