KELOMPOK 8.

1
Nama Anggota:

• Muhammad Septian Maulana G74190051

• Ayesya Nasta Listiyorini G7401201027
• M Syahrul Amin G7401201037
• Manarul Fahmi G7401201055
• David Graciano G7401201078

STUDY OF HALL EFFECT SENSOR AND VARIETY OF TEMPERETURE

RELATED SENSITIVITY
Ahmed et al. (2017)
Efek hall adalah femonema galvanomagnetik dan didefinisikan sebagai kejadian
apabila arus listrik mengalir melalui pelat logam atau semikonduktor Ketika medan magnet
diterapkan, gaya yang dialami dikenal sebagai gaya Lorentz. Gaya ini tegak lurus terhadap arah
arus dan arah medan magnet. Respon gaya inilah yang kemudian menghasilkan tegangan hall.
Pengujian hall mengandung plat tipis yang terbuat dari bahan semikonduktor. Pelat tersebut
memiliki empat kontak listrik dengan kontak ohmik. Dua dari kontak tersebut disebut kontak
bias, di mana arus bias (I) mengalir. Dua kontak lainnya disebut kontak indera yang fungsinya
adalah untuk mengukur tegangan Hall (VH). Konfigurasi sensor efek Hall digambarkan pada
gambar berikut

Karakteristik umum dari sensor efek hall adalah sebagai berikut:

1. Tegangan hall
2. Sensitivitas
3. Tegangan offset
4. Noise
5. Koefisien temperatur
6. Daya konsumsi
 Tabel 1. Parameter nilai dari Silikon dan Galium Arsenida pada temperatur 300K

Tabel 2. Nilai dari variable terkait dengan perangkat efek hall

Gambar 1. Variasi sensitivitas relatif arus untuk GaAs

 Gambar 2. Variasi sensitivitas relatif arus untuk Si

Gambar 3. Variasi konsentrasi carrier dengan temperatur pada GaAs

 Gambar 4. Variasi konsentrasi carrier dengan temperatur pada Si
Berdasarkan gambar 1 dan 2, konsentrasi carrier meningkat seiring dengan suhu. Maka dari
itu, sensitivitas relatif menurun seiring dengan suhu. Si memiliki konsentrasi carrier yang jauh
lebih tinggi daripada GaAs (2990 lebih tinggi pada suhu yang sama), sehingga sensitivitas yang
dicapai jauh lebih rendah daripada GaAs (2674 kali lebih rendah pada suhu yang sama).

Gambar 5. Variasi sensitivitas tegangan relatif untuk GaAs

 Gambar 6. Variasi sensitivitas tegangan relatif untuk Si

Sensitivitas tegangan relatif menurun seiring dengan meningkatnya suhu karena mobilitas
carrier menurun dengan suhu.

Gambar 7. Variasi mobilitas elektron dengan temperatur untuk GaAs

 Gambar 8. Variasi mobilitas elektron dengan temperatur untuk Si

Selanjutnya, GaAs mencapai sensitivitas tegangan relatif lebih tinggi daripada Si. Hal tersebut
dikarenakan GaAs memiliki mobilitas carrier yang lebih tinggi daripada Si. Pada suhu tinggi,
GaAs dan Si mencapai konsentrasi carrier yang tinggi dan mobilitas carrier yang rendah, serta
celah energi yang sempit.

Gambar 9. Variasi celah energi dengan temperatur untuk GaAs

 Gambar 10. Variasi celah energi dengan temperatur untuk Si
GaAs memiliki celah energi 1.3 kali lebih tinggi daripada celah energi pada Si. Si dapat
digunakan hingga 150℃ saja, sedangkan GaAs mampu digunakan melebih 250℃.

Efisiensi sensor efek hall sangat bergantung pada sensitivitas. Berdasarkan hasil
perhitungan teoritis, terbukti bahwa sensitivitas relatif arus dan tegangan berbanding terbalik
dengan suhu. Pada suhu yang sama, GaAs mencapai sensitivitas yang lebih tinggi daripada Si.
Hal ini karena konsentrasi pembawa GaAs lebih rendah dari pada Si dan mobilitas carrier
GaAs lebih tinggi dari pada Si Selain itu, GaAs memiliki tambahan keuntungan memiliki celah
pita energi yang besar dibandingkan dengan Si. Namun, GaAs memiliki kelemahan yaitu
resistivitas tinggi. Sensitivitas pada saat yang sama, bukanlah satu-satunya karakteristik yang
bervariasi dengan suhu. Atribut lain dari perangkat Hall seperti bidang offset setara dan
kebisingan juga dipengaruhi oleh suhu.

Sumber:
Ali AA, Yanling G, Zifan C. 2017. Study of hall effect sensor and variety of temperatur related
sensitivity. Journal Eng. Technol. Sci. 49(3): 308-321.