KELOMPOK 8.

1
 Meet the Group

M SYAHRUL AMIN DAVID GRACIANO AYESYA NASTA L MANARUL FAHMI M SEPTIAN M

G7401201037 G7401201078 G7401201027 G7401201055 G74190051
 Efek hall adalah femonema galvanomagnetik dan
didefinisikan sebagai kejadian apabila arus listrik
mengalir melalui pelat logam atau semikonduktor
Ketika medan magnet diterapkan, gaya yang dialami
dikenal sebagai gaya Lorentz. Gaya ini tegak lurus
terhadap arah arus dan arah medan magnet. Respon
gaya inilah yang kemudian menghasilkan tegangan
hall. Pengujian hall mengandung plat tipis yang
terbuat dari bahan semikonduktor. Pelat tersebut
memiliki empat kontak listrik dengan kontak ohmik.
Dua dari kontak tersebut disebut kontak bias, di mana
arus bias (I) mengalir. Dua kontak lainnya disebut
kontak indera yang fungsinya adalah untuk
mengukur tegangan Hall (VH).


1. Tegangan hall
2. Sensitivitas
3. Tegangan offset

4. Noise
5. Koefisien temperature
6. Daya konsumsi
Gambar 1. Variasi sensitivitas relatif arus untuk GaAs
Gambar 2. Variasi sensitivitas relatif arus untuk Si
Gambar 3. Variasi konsentrasi carrier dengan
temperatur pada GaAs
Gambar 4. Variasi konsentrasi carrier dengan
temperatur pada Si
 Berdasarkan gambar 1 dan 2,
konsentrasi carrier meningkat seiring
dengan suhu. Maka dari itu, sensitivitas
relatif menurun seiring dengan suhu. Si
memiliki konsentrasi carrier yang jauh
lebih tinggi daripada GaAs (2990 lebih
tinggi pada suhu yang sama), sehingga
sensitivitas yang dicapai jauh lebih
rendah daripada GaAs (2674 kali lebih
rendah pada suhu yang sama).
Gambar 5. Variasi sensitivitas tegangan relatif untuk GaAs
Gambar 6. Variasi sensitivitas tegangan relatif untuk Si

Gambar 7. Variasi mobilitas elektron dengan

temperatur untuk GaAs
Gambar 8. Variasi mobilitas elektron dengan
temperatur untuk Si
Selanjutnya, GaAs mencapai sensitivitas
tegangan relatif lebih tinggi daripada Si.
Hal tersebut dikarenakan GaAs memiliki
mobilitas carrier yang lebih tinggi
daripada Si. Pada suhu tinggi, GaAs dan
Si mencapai konsentrasi carrier yang
tinggi dan mobilitas carrier yang rendah,
serta celah energi yang sempit.
Gambar 9. Variasi celah energi dengan
temperatur untuk GaAs
Gambar 10. Variasi celah energi dengan
temperatur untuk Si
GaAs memiliki celah energi 1.3
kali lebih tinggi daripada celah
energi pada Si. Si dapat
digunakan hingga 150 derajat
celcius saja, sedangkan GaAs
mampu digunakan melebih 250
derajat celcius.
 Efisiensi sensor efek hall sangat bergantung pada
sensitivitas. Berdasarkan hasil perhitungan teoritis,
terbukti bahwa sensitivitas relatif arus dan tegangan
berbanding terbalik dengan suhu. Pada suhu yang
sama, GaAs mencapai sensitivitas yang lebih tinggi
daripada Si. Hal ini karena konsentrasi pembawa
GaAs lebih rendah dari pada Si dan mobilitas carrier
GaAs lebih tinggi dari pada Si Selain itu, GaAs
memiliki tambahan keuntungan memiliki celah pita
energi yang besar dibandingkan dengan Si. Namun,
GaAs memiliki kelemahan yaitu resistivitas tinggi.
 Sensitivitas pada saat yang
sama, bukanlah satu-satunya
karakteristik yang bervariasi
dengan suhu. Atribut lain dari
perangkat Hall seperti bidang
offset setara dan kebisingan
juga dipengaruhi oleh suhu.