STUDY OF HALL

EFFECT SENSOR AND

VARIETY OF
TEMPERETURE
RELATED
SENSITIVITY
KELOMPOK 8.1
 Meet the Group

M SYAHRUL DAVID AYESYA NASTA MANARUL M SEPTIAN

AMIN
G7401201037 GRACIANO
G7401201078 L
G7401201027 FAHMI
G7401201055 M
G74190051
 Efek hall adalah femonema galvanomagnetik dan
didefinisikan sebagai kejadian apabila arus listrik
mengalir melalui pelat logam atau semikonduktor
Ketika medan magnet diterapkan, gaya yang dialami
dikenal sebagai gaya Lorentz. Gaya ini tegak lurus
terhadap arah arus dan arah medan magnet. Respon
gaya inilah yang kemudian menghasilkan tegangan
hall. Pengujian hall mengandung plat tipis yang
terbuat dari bahan semikonduktor. Pelat tersebut
memiliki empat kontak listrik dengan kontak ohmik.
Dua dari kontak tersebut disebut kontak bias, di
mana arus bias (I) mengalir. Dua kontak lainnya
disebut kontak indera yang fungsinya adalah untuk
mengukur tegangan Hall (VH).
KONFIGURASI SENSOR
EFEK HALL
DIGAMBARKAN PADA
GAMBAR BERIKUT
 KARAKTERISTIK UMUM
DARI SENSOR EFEK HALL
ADALAH SEBAGAI
BERIKUT
1. Tegangan hall
2. Sensitivitas
3. Tegangan offset

4. Noise
5. Koefisien temperature
6. Daya konsumsi
TABEL 1. PARAMETER NILAI DARI SILIKON
DAN GALIUM ARSENIDA PADA TEMPERATUR
300K
TABEL 2. NILAI DARI VARIABLE TERKAIT
DENGAN PERANGKAT EFEK HALL
Gambar 1. Variasi sensitivitas relatif arus untuk
GaAs
Gambar 2. Variasi sensitivitas relatif arus untuk Si
Gambar 3. Variasi konsentrasi carrier dengan
temperatur pada GaAs
Gambar 4. Variasi konsentrasi carrier dengan
temperatur pada Si
 Berdasarkan gambar 1 dan 2,
konsentrasi carrier meningkat seiring
dengan suhu. Maka dari itu,
sensitivitas relatif menurun seiring
dengan suhu. Si memiliki konsentrasi
carrier yang jauh lebih tinggi daripada
GaAs (2990 lebih tinggi pada suhu
yang sama), sehingga sensitivitas yang
dicapai jauh lebih rendah daripada
GaAs (2674 kali lebih rendah pada
suhu yang sama).
Gambar 5. Variasi sensitivitas tegangan relatif
untuk GaAs
Gambar 6. Variasi sensitivitas tegangan relatif
untuk Si
 SENSITIVITAS
TEGANGAN
RELATIF
MENURUN
SEIRING DENGAN
MENINGKATNYA
SUHU KARENA
MOBILITAS
Gambar 7. Variasi mobilitas elektron
dengan temperatur untuk GaAs
Gambar 8. Variasi mobilitas elektron
dengan temperatur untuk Si
 Selanjutnya, GaAs mencapai
sensitivitas tegangan relatif lebih
tinggi daripada Si. Hal tersebut
dikarenakan GaAs memiliki
mobilitas carrier yang lebih tinggi
daripada Si. Pada suhu tinggi, GaAs
dan Si mencapai konsentrasi carrier
yang tinggi dan mobilitas carrier
yang rendah, serta celah energi yang
Gambar 9. Variasi celah energi dengan
temperatur untuk GaAs
Gambar 10. Variasi celah energi dengan
temperatur untuk Si
GaAs memiliki celah energi 1.3
kali lebih tinggi daripada celah
energi pada Si. Si dapat
digunakan hingga 150 derajat
celcius saja, sedangkan GaAs
mampu digunakan melebih 250
derajat celcius.
 Efisiensi sensor efek hall sangat bergantung
pada sensitivitas. Berdasarkan hasil
perhitungan teoritis, terbukti bahwa
sensitivitas relatif arus dan tegangan
berbanding terbalik dengan suhu. Pada suhu
yang sama, GaAs mencapai sensitivitas yang
lebih tinggi daripada Si. Hal ini karena
konsentrasi pembawa GaAs lebih rendah dari
pada Si dan mobilitas carrier GaAs lebih tinggi
dari pada Si Selain itu, GaAs memiliki
tambahan keuntungan memiliki celah pita
energi yang besar dibandingkan dengan Si.
 Sensitivitas pada saat yang
sama, bukanlah satu-satunya
karakteristik yang bervariasi
dengan suhu. Atribut lain dari
perangkat Hall seperti bidang
offset setara dan kebisingan
juga dipengaruhi oleh suhu.
THANK
YOU!