LAPORAN

PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR

Nama : Diajeng Ayu Berliana

NIM : 21502241009
Mata Kuliah : Praktik Elektronika Dasar
Dosen : Dr. Sri Waluyanti, M.Pd
Tanggal praktik : 12 Oktober 2021
Judul Job : Pemberian Bias Penguat Junction Field Effect Transistor (JFET)

A. Tujuan Praktikum
Setelah praktikum diharapkan mahasiswa mampu :
1. Merangkai rangkaian penguat JFET
2. Melakukan perhitungan titik kerja penguat JFET
3. Mengukur titik kerja penguat JFET dengan program simulator Falstad
4. Menganalisis ketelitian hasil pengukuran titik kerja penguat JFET

B. Alat dan Bahan

1. Laptop / PC
2. Internet
3. Browser (Firefox, Chrome, Opera)
4. Mouse
5. Falstad Circuits

C. Gambar Kerja

Gambar 1. Percobaan 1
 Gambar 2. Percobaan 2

D. Data Hasil Praktikum

Percobaan 1
Perhitungan dan Hasil Praktikum Percobaan 1
Hasil Pengukuran
Perhitungan teori
Praktikum
VGSQ IDSQ VDSQ VGSQ IDSQ VDSQ
𝑅2
VG = 𝑅1+𝑅2 𝑉𝐷𝐷 ID =
𝑉𝐺−𝑉𝐺𝑆 VDS = VDD –
𝑅𝑆
ID(RD+RS)
270𝑘 1,82−(−1,8)
VG = 2𝑀1+270𝑘 16 𝑉 ID = VDS = 16 –
1𝑘5
(2,41 mA)
VG =1,82 V ID = 2,41 mA (2k4+1k5)
𝐼𝐷𝑆𝑆 . 𝑅𝑆
VGSQ = 𝑉𝐺𝑆 2 + VDS = 6,6 V
𝑉𝑝2
2 . 𝐼𝐷𝑆 . 𝑅𝑆 -1,976 2,56 6,016
(1 − ( 𝑉𝑃 ) 𝑉𝐺𝑆) + V mA V
𝐼𝐷𝑆𝑆. 𝑅𝑆 − 𝑉𝐺 = 0

8𝑚𝐴 . 1𝑘5
VGSQ = 𝑉𝐺𝑆 2 +
(−4)2
(1 −
2 . 8𝑚𝐴 . 1𝑘5
( ) 𝑉𝐺𝑆) +
−4
8𝑚𝐴. 1𝑘5 − 1,82𝑉 = 0
 (12)
VGSQ = (16) 𝑉𝐺𝑆 2 +
24
(1 + 4 ) 𝑉𝐺𝑆 + 12 −
1,82 𝑉 = 0

VGSQ = (0,75)VGS2 +
(7)VGS + 10,18V = 0
VGSQ= -1,8V

Percobaan 2
Perhitungan dan Hasil Praktikum Percobaan 2
Perhitungan teori Hasil Pengukuran
Praktikum
VGSQ IDSQ VDSQ VGSQ IDSQ VDSQ
𝑅2
VG = 𝑅1+𝑅2 𝑉𝐷𝐷 ID =
𝑉𝐺−𝑉𝐺𝑆 VDS = VDD –
𝑅𝑆
ID(RD+RS)
330𝑘 ID =
VG = 2𝑀+330𝑘 20 𝑉 VDS = 20 –
2,83−(−1,99)
2𝑘4 (2,0083 mA)
VG =2,83 V (3k3+2k4)
ID = 2,008 mA
𝐼𝐷𝑆𝑆 . 𝑅𝑆 2
VGSQ = 𝑉𝐺𝑆 + VDS = 8,552 V
𝑉𝑝2
(1 −
2 . 𝐼𝐷𝑆 . 𝑅𝑆
( 𝑉𝑃 ) 𝑉𝐺𝑆) +
𝐼𝐷𝑆𝑆. 𝑅𝑆 − 𝑉𝐺 = 0
8𝑚𝐴 . 2𝑘4 -2,166 2,103 8,013
VGSQ = 𝑉𝐺𝑆 2 + V mA V
(−4)2
(1 −
2 . 8𝑚𝐴 . 2𝑘4
( ) 𝑉𝐺𝑆) +
−4
8𝑚𝐴. 2𝑘4 − 2,83𝑉 = 0

(19,2)
VGSQ = (16)
𝑉𝐺𝑆 2 +
38,4
(1 + 4 ) 𝑉𝐺𝑆 + 19,2 −
2,83 𝑉 = 0

VGSQ = (1,2)VGS2 +
(10,6)VGS + 16,37V = 0
VGSQ= -1,99V
E. Analisis Data
1. Perhitungan titik kerja penguat rangkaian percobaan 2
𝑅2 330𝑘
VG = 𝑅1+𝑅2 𝑉𝐷𝐷 = 2𝑀+330𝑘 20 𝑉 = 2,83 V

𝐼𝐷𝑆𝑆 . 𝑅𝑆 2 . 𝐼𝐷𝑆 . 𝑅𝑆
VGSQ = 𝑉𝐺𝑆 2 + (1 − ( ) 𝑉𝐺𝑆) + 𝐼𝐷𝑆𝑆. 𝑅𝑆 − 𝑉𝐺 = 0
𝑉𝑝2 𝑉𝑃

8𝑚𝐴 . 2𝑘4 2 . 8𝑚𝐴 . 2𝑘4

VGSQ = 𝑉𝐺𝑆 2 + (1 − ( ) 𝑉𝐺𝑆) + 8𝑚𝐴. 2𝑘4 −
(−4)2 −4
2,83𝑉 = 0

(19,2) 38,4
VGSQ = (16)
𝑉𝐺𝑆 2 + (1 + ) 𝑉𝐺𝑆 + 19,2 − 2,83 𝑉 = 0
4

VGSQ = (1,2)VGS2 + (10,6)VGS + 16,37V = 0

Persamaan di atas diselesaikan dengan menggunakan rumus
abc,diperoleh VGS1 = -1,99V dan VGS2 = -6,83V.
Nilai VGS yang memenuhi adalah nilai yang berada pada 0 sampai Vp
sebesar -4V.Jadi yang memenuhi adalah VGS1 sebesar -1,99 Volt.
VGSQ= -1,99V

𝑉𝐺−𝑉𝐺𝑆 2,83−(−1,99)
ID = = = 2,008 mA
𝑅𝑆 2𝑘4

VDS = VDD – ID(RD+RS) = 20 – (2,0083 mA) (3k3+2k4) = 8,552 V

2. Perbedaan perhitungan teori dan praktikum

Percobaan
teori praktik Selisih % perbedaan % beda
ke
%
VGSQ 1 -1,8V -1,976V 0,176 −1,8𝑉−(−1,976𝑉) 9,78%
= 𝑥100
−1,8𝑉

%
VGSQ 2 -1,99V -2,166V 0,176 −1,99𝑉−(−2,166𝑉) 8,84%
= 𝑥100
−1,99𝑉

Rata-rata 9,31%
 Percobaan
teori praktik Selisih % perbedaan % beda
ke
2,41−2,56
IDSQ 1 2,41mA 2,56mA 0,15 %= 𝑥100 6,22%
2,41
%
IDSQ 2 2,008mA 2,103mA 0,095 2,008−2,103 4,73%
= 𝑥100
2,008
Rata-rata 5,475%

Percobaan
teori praktik Selisih % perbedaan % beda
ke
6,6−6,016
VDSQ 1 6,6V 6,016V 0,584 %= 𝑥100 8,84%
6,6
%
VDSQ 2 8,552V 8,013V 0,539 8,552−8,013 6,3%
= 𝑥100
8,552
Rata-rata 7,57%

F. Kesimpulan
1. Merangkai penguat JFET dengan bias pembagi tegangan dilakukan
dengan langkah-langkah sebagai berikut :
𝑅2
a. Hitung VG dengan persamaan 𝑅1+𝑅2 𝑉𝐷𝐷
𝐼𝐷𝑆𝑆 . 𝑅𝑆
b. Hitung VGSQ menggunakan rumus 𝑉𝐺𝑆 2 + (1 −
𝑉𝑝2
2 . 𝐼𝐷𝑆 . 𝑅𝑆
( ) 𝑉𝐺𝑆) + 𝐼𝐷𝑆𝑆. 𝑅𝑆 − 𝑉𝐺 = 0 ,setelah diketahui
𝑉𝑃
−𝑏±√(𝑏2 −4𝑎𝑐)
persamaannya,gunakan rumus abc untuk memperoleh
2𝑎
nilai VGS yang nantinya hanya dipilih salah satu VGS saja karena
hanya ada 1 VGS yang memenuhi syarat.
𝑉𝐺−𝑉𝐺𝑆
c. Tentukan nilai ID dengan rumus 𝑅𝑆
d. Tentukan VDS dengan rumus VDD – ID(RD+RS)

2. Titik kerja analisis teori penguat JFET dengan bias pembagi tegangan
a. Gambar percobaan 1
VGSQ1 = -1,8V
IDSQ1 = 2,41mA
VDSQ1 = 6,6V
b. Gambar percobaan 2
VGSQ2 = -1,99V
IDSQ2 = 2,008mA
VDSQ2 = 8,552V
3. Hasil pengukuran titik kerja praktikum dengan simulator Falstad
diperoleh :
a. Gambar percobaan 1
VGSQ1 = -1,976V
IDSQ1 = 2,56mA
VDSQ1 = 6,016V
b. Gambar percobaan 2
VGSQ2 = -2,166V
IDSQ2 = 2,103mA
VDSQ2 = 8,013V

4. Ketelitian pengukuran titik kerja penguat JFET

Pada pengukuran VGSQ diperoleh ketelitian rerata 9,31%
Pada pengukuran IDSQ diperoleh ketelitian rerata 5,475%
Pada pengukuran VDSQ diperoleh ketelitian rerata 7,57%
Secara keseluruhan diperoleh ketelitian 7,45%