MAKALAH STRUKTUR DAN TEKNOLOGI SEMIKONDUKTOR

‘’Fabrikasi Mosfet’’

Disusun Oleh : Kelompok 5

(3) Fitri Yanna

(09) Salsabila Dhiya P.S

DOSEN PENGAMPU :

Dra. Yenni Darvina,M.Si

DEPARTEMEN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

UNIVERSITAS NEGERI PADANG

2023
 KATA PENGANTAR

Puji syukur atas ke hadirat Allah SWT atas segala kebesaran dan limpahan nikmat yang
diberikan-Nya, sehingga kami dapat menyelesaikan makalah “Struktur dan Teknologi
Semikonduktor “ dengan judul “ Fabrikasi Mosfet”.

Dalam Penulisan makalah ini, berbagai hambatan telah saya alami. Oleh karena itu,
terselesaikannya makalah ini tentu saja bukan karena kemampuan saya semata-mata. Namun
karena adanya dukungan dan bantuan dari pihak-pihak yang terkait. Sehubung dengan hal
tersebut, perlu kiranya saya dengan ketulusan hati mengucapkan terima kasih kepada semua
pihak yang telah berpartisipasi membantu penyelesaian makalah ini.

Dalam penyusunan makalah ini, saya menyadari pengetahuan dan pengalaman kami
masih sangat terbatas. Oleh karena itu, saya mohon maaf jika ada kesalahan yang sengaja
maupun tidak sengaja yang telah saya lakukan. Dan saya juga sangat mengharapkan adanya
kritik dan saran.

Kayutanam,18 Mei 2023

ii
 DAFTAR ISI

KATA PENGANTAR………………………………………………………………………ii

DAFTAR ISI………………………………………………………………………………..iii

BAB I PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang………………………………………………………………………….1

1.2 Rumusan Masalah………………………………………………………………………2

1.3 Tujuan…………………………………………………………………………………..2

BAB II TEORI DASAR

2.1 Landasan Teori …...……………………………………………………………………3

BAB III PEMBAHASAN

3.1 Pengertian Mosfet……………..……………………………………………………….4

3.2 Jenis – Jenis Mosfet……………..……………………………………………………..5

3.3 Fabrikasi Mosfet…………….…………………………………………………………6

BAB IV PENUTUP

A. Kesimpulan…………………………………………………………………………….11

B. Saran……………………………………………………………………………………11

DAFTAR PUSTAKA……………………………………………………………………..12

iii
 BAB I

PENDAHULUAN

1.1 Latar Belakang

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET) adalah salah satu jenis

transistor efek medan. MOSFET mencakup kanal dari bahan semikonduktor tipe-N dan tipe-P,
dan disebut NMOSFET atau PMOSFET (juga biasa nMOS, pMOS). Ini adalah transistor yang
paling umum pada sirkuit digital maupun analog, tetapi transistor sambungan dwikutub pada satu
waktu lebih umum. Prinsip dasar dari transistor efek-medan (FET) pertama kali diusulkan oleh
fisikawan Austria-Hungaria Julius Edgar Lilienfeld pada tahun 1926, ketika dia mengisi paten
pertama untuk transistor efek-medan gerbang-terisolasi (IGFET). Selama dua tahun berikutnya
dia menjelaskan berbagai struktur FET. Dalam konfigurasi MOS-nya aluminum dilambangkan
oleh M, aluminum oksida dilambangkan oleh O, sedangkan tembaga sulfida digunakan sebagai
semikonduktor. Akan tetapi, dia tidak mampu membuat perangkat FET yang bekerja secara
praktis.Konsep FET kemudian juga dikembangkan teorinya oleh insinyur Jerman Oskar Heil
pada 1930-an dan fisikawan Amerika William Shockley pada 1940-an.Tidak ada FET yang
bekerja secara praktis yang dibuat pada saat itu, dan tidak ada usulan FET awal yang melibatkan
silikon yang dioksidasi termal.

Perusahaan semikonduktor awalnya berfokus kepada transistor sambungan dwikutub

(BJT) pada tahun-tahun awal industri semikonduktor. Akan tetapi, transistor sambungan
merupakan perangkat yang relatif tebal dan sulit diproduksi massal, sehingga BJT terbatas
penggunaannya. Dalam teorinya, FET bisa menjadi alternatif bagi transistor sambungan, tetapi
para peneliti tidak mampu membuat FET yang praktis, terutama dikarenakan sawar keadaan
permukaan yang menahan medan listrik dari luar untuk masuk ke dalam material.Pada 1950-an,
para peneliti kebanyakan telah berhenti mencoba konsep FET, dan berfokus kepada teknologi
BJT.

Pada tahun 1955, Carl Frosch dan Lincoln Derrick tidak sengaja melapisi permukaan
wafer silikon dengan selapis silikon dioksida. Mereka menunjukkan bahwa lapisan oksida
menahan pendadah-pendadah tertentu memasuki wafer silikon, sedangkan pendadah yang
lainnya dibiarkan masuk. Dengan begitu, mereka menemukan efek pasivasi dari oksidasi

1
permukaan semikonduktor. Pekerjaan mereka berikutnya adalah mendemonstrasikan bagaimana
cara mengetsa celah-celah kecil di lapisan oksida untuk menyebarkan pendadah ke bagian
tertentu dari wafer silikon. Pada tahun 1957, mereka menerbitkan sebuah makalah penelitian
yang merangkum hasil kerja mereka dan mematenkan teknik mereka. Teknik yang mereka
kembangkan dikenal sebagai oxide diffusion masking (penopangan difusi oksida), yang
kemudian digunakan dalam fabrikasi perangkat-perangkat MOSFET. Di Bell Labs, pentingnya
teknik Frosch segera disadari karena silikon oksida jauh lebih stabil daripada germanium oksida,
punya sifat dielektrik yang lebih baik dan pada saat yang sama bisa digunakan sebagai penopang
difusi. Hasil pekerjaan mereka beredar di Bell Labs dalam bentuk memo sebelum diterbitkan
pada tahun 1957. Di Shockley Semiconductor, Shockley telah mengedarkan pracetak dari artikel
mereka pada Desember 1956 ke semua staf seniornya, termasuk Jean Hoerni.

1.2 Rumusan Masalah

1. Apa yang dimaksud dengan MOSFET ?

2. Apa jenis – jenis mosfet ?

3. Bagaimana fabrikasi dari MOSFET tersebut ?

1.3 Tujuan

1. Untuk mengetahui apa yang dimaksud dengan mosfet

2. Untuk mengetahui jenis – jenis mosfet

3. Untuk mengetahui fabrikasi dari mosfet

2
 BAB II

KAJIAN TEORI

2.1 Landasan Teori

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah suatu transistor
dari bahan semikonduktor (silikon) dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu. Tingkat
dari ketidakmurnian ini akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET
tipe–N (NMOS) dan transistor MOSFET tipe–P (PMOS).Prinsip dasar perangkat ini pertama
kali diusulkan oleh Julius Edgar Lilienfeld pada tahun 1925 . Bahan silicon yang akan digunakan
sebagai landasan (substrat) penguras (drain), sumber (source), dan gerbang (gate). Selanjutnya
transistor ini dibuat sedemikian rupa agar antara substrat dan gerbangnya dibatasi oleh oksida
silicon yang sangat tipis. Oksida ini diendapkan di atas sisi kiri kanal, sehingga transistor
MOSFET akan mempunyai kelebihan dibanding dengan transistor BJT (Bipolar Junction
Transistor), yaitu menghasilkan disipasi daya yang rendah.

MOSFET bentuk fisiknya seperti transistor. Fungsinya adalah untuk menaikkan tegangan
atau menurunkan tegangan. FET memiliki tiga kaki juga yaitu :

 GATE (G) adalah kaki input

 DRAIN (D) adalah kaki output
 SOURCE (S) adalah kaki sumber

Fungsi dan Aplikasi MOSFET:

 Rangkaian radio kontrol pada mobil RC, drone atau mainan hobby RC lainnya karena
bentuknya yang kecil namun dengan kemampuan mengontrol arus daya yang besar.
 Rangkaian kontrol torsi dan kecepatan pada motor
 Rangkaian kontrol pada dunia industri
 Proyek arduino dan robotik
 BMS baterai untuk power sistem, BMS baterai kendaraan listrik.
 Sebagai driver pada inverter.
 Sebagai regulator dan konverter, serta masih banyak lagi

3
 BAB III

PEMBAHASAN

3.1 Pengertian

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) adalah suatu transistor
dari bahan semikonduktor (silikon) dengan tingkat konsentrasi ketidakmurnian tertentu. Tingkat
dari ketidakmurnian ini akan menentukan jenis transistor tersebut, yaitu transistor MOSFET tipe-
N (NMOS) dan transistor MOSFET tipe-P (PMOS). Bahan silicon digunakan sebagai landasan
(substrat) dari penguras (drain), sumber (source), dan gerbang (gate). Selanjutnya transistor
dibuat sedemikian rupa agar antara substrat dan gerbangnya dibatasi oleh oksida silikon yang
sangat tipis. Oksida ini diendapkan di atas sisi kiri dari kanal, sehingga transistor MOSFET akan
mempunyai kelebihan dibanding dengan transistor BJT (Bipolar Junction Transistor), yaitu
menghasilkan disipasi daya yang rendah.

3.3 Jenis – Jenis Mosfet

Berdasarkan cara kerjanya MOSFET dibedakan menjadi dua yaitu Mode Penipisan dan
Mode Peningkatan.

1. MODE PENIPISAN (DEPLETION MODE)

Pada mode penipisan, antara drain (D) dan source (S) terdapat saluran yang
menghubungkan kedua terminal tersebut, dimana saluran tersebut memiliki fungsi sebagai
saluran tempat mengalirnya elektron bebas. Lebar dari saluran tersebut dikendalikan oleh
tegangan pada gerbang (G) MOSFET. Mode penipisan MOSFET memerlukan tegangan
Gerbang-Source (VGS) untuk mengalihkan perangkat OFF. Mode penipisan MOSFET setara
dengan saklar NC (Normally Closed). MOSFET mode deplesi terdiri dari MOSFET p channel
(tipe-p) dan MOSFET n channel (tipe-n).

2. MODE PENINGKATAN (ENHANCEMENT MODE)

MOSFET mode peningkatan (Enhancement Mode) terdiri dari MOSFET p channel (tipe-
p) dan MOSFET n channel (tipe n). MOSFET mode peningkatan ini pada fisiknya tidak
memiliki saluran antara drain (D) dan source (S) nya karena lapisan bulk meluas dengan lapisan
silikon oksida (SiO2) pada terminal gate atau gerbang (G). Mode peningkatan MOSFET

4
memerlukan tegangan Gerbang-Source (VGS) untuk mengalihkan perangkat ON. Mode
pengingkatan MOSFET setara dengan saklar NO (Normally Open).

Gambar 1. Mosfet berdasarkan cara kerjanya

(Sumber : https://www.belajaronline.net/2020/10/jenis-mosfet-dan-cara-kerja-
mosfet.html)

Berdasarkan saluran yang digunakan, MOSFET dibedakan menjadi tiga yaitu NMOS,
PMOS dan CMOS.

Gambar 2 Mosfet berdasarkan saluran

(Sumber : https://www.belajaronline.net/2020/10/jenis-mosfet-dan-cara-kerja-mosfet.html)

1. NMOS

5
 NMOS terbuat dari substrat dasar tipe-p dengan daerah source (S) dan drain (D)
didifusikan tipe n+ dan daerah channel terbentuk pada permukaan tipe-n. NMOS yang umumnya
banyak digunakan adalah NMOS jenis enhancement, dimana pada jenis ini source NMOS
sebagian besar akan dihubungkan dengan –Vss mengingat struktur dari MOS itu sendiri hampir
tidak memungkinkan untuk dihubungkan dengan +Vdd. Dalam aplikasi gerbang NMOS dapat
dikombinasikan dengan resistor, PMOS, atau dengan NMOS lainnya sesuai dengan karakteristik
gerbang yang akan dibuat. Sebagai contoh sebuah NMOS dan resistor digabungkan menjadi
sebuah gerbang NOT.

2. PMOS

Transistor PMOS terbuat dari substrat dasar tipe-n dengan daerah source dan drain
didifusikan tipe p+ dan daerah channel terbentuk pada permukaan tipe-p. PMOS yang umumnya
banyak digunakan adalah PMOS jenis enhancement, dimana pada jenis ini source PMOS
sebagian besar akan dihubungkan dengan +Vdd mengingat struktur dari MOS itu sendiri hampir
tidak memungkinkan untuk dihubungkan dengan -Vss. Dalam aplikasi gerbang PMOS dapat
dikombinasikan dengan resistor, NMOS, atau dengan PMOS lainnya sesuai dengan karakteristik
gerbang yang akan dibuat. Sebagai contoh sebuah PMOS dan resistor digabungkan menjadi
sebuah gerbang NOT.

3. CMOS

MOSFET tipe complementary ini mengalirkan arus penguras sumber melalui saluran
tipe-n dan tipe-p secara bergantian sesuai dengan tegangan yang dimasukkan pada gerbangnya
(gate).

3.3 Fabrikasi MOSFET

Judul : High frequency single crystalline diamond MOSFET with high temperature (300 )
ALD grown Al2O3 dielectric (MOSFET berlian kristal tunggal frekuensi tinggi dengan suhu
tinggi (300 ) ALD menumbuhkan dielektrik Al2O3..

Penulis : Zeyang Ren , Yuanchen Ma , Shiqi Yang , Xinxin Yu , Jinfeng Zhang , Kai Su,
Jincheng Zhang a, Hanxue Wang , Yue Hao.

6
Jurnal Results in Physics 49 (2023) 106517,Elsevier 3 mei 2023.

Tujuan : untuk menyelidiki dan memperkenalkan MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-

Effect Transistor) berbahan dasar berlian yang dikristalkan tunggal dengan kemampuan operasi
pada suhu tinggi (300 °C) dan lapisan dielektrik Al2O3 yang tumbuh melalui metode ALD
(Atomic Layer Deposition).

Substrat : berlian kristal tunggal dengan permukaan berorientasi (1 0 0).

Detail eksperimen

1. Sebuah berlian Kristal tunggal ditumbuhkan melalui teknik CVD dengan permukaan
(100),yang memiliki ketebalan 0,3 mm dan luas 7x7 mm2. Suhu yang diperlukan untuk
pertumbuhan yaitu 750 ,daya microwave 2 KW,laju aliran H2 500 sccm,dan CH4 2 sccm dan
waktu 15 menit.ketebalan pertumbuhan yang didapat hampir 200 nm.

2. Setelah itu sampel diperlakukan dalam plasma hydrogen selama 15 menit untuk membentuk
permukaan H-Diamond.kemudian dibuat lah mosfet dengan menggunakan sampel ini.

3. Pada proses pembuatan mosfet dilakukan dengan bantuan institute perangkat elektronik
Nanjing. Tahap pertama yaitu lapisan Au (emas) di endapkan pada permukaan H-Diamond
menggunakan system penguapan berkas electron yaitu digunakan sebagai sumber (source) dan
melindungi berlian konduktivitas H- Diamond agar tidak hancur selama proses pembuatan.

4. Setelah itu dilakukan proses fotolitografi gate dan etsa Au.kemudian Al2O3 dengan tebal 7
nm ditumbuhkan menggunakan metode ALD pada suhu 300 sebagai dielektrik gerbang dan
lapisan pasivasi.selama pertumbuhan trimetilaluminium dan H2O digunakan sebagai prekursor.

5. Kemudian, litografi berkas elektron mengikuti dengan Deposisi Ti/Au dan proses lift-off
dilakukan untuk menyelesaikan proses tersebut fabrikasi perangkat. Kemudian gate/Gerbang
berbentuk T dibuat.Untuk Skema struktur penampang dan gambar mikroskop optik dari H-dia-
mond MOSFET ditunjukkan pada Gambar. 1(a) dan 1(b)

7
Gambar 1. (a) Tampilan bagian , (b) gambar mikroskop optik dan (c) gambar SEM

MOSFET H-berlian

6. Karakterisasi. Jarak source-gate dan gate-drain dari perangkat ditentukan menggunakan

mikroskop elektron pemindaian (SEM) adalah sekitar 447 nm dan 963 nm, masing-masing (Gbr.
1(c)). Panjang dan lebar gerbang adalah 112 nm dan 2 × 100 μm, masing-masing

Pembahasan dan hasil

Karakteristik keluaran ditunjukkan pada Gambar. 2. Perangkat mencapai kerapatan arus

saturasi saluran maksimum 942,8 mA/mm di gate tegangan dari -3 Volt, Ron yang dihitung
adalah 6,2 Ω⋅mm.

8
 .

Hubungan Ron vs. |1/(VGS-VTH)| ditunjukkan pada Gambar. 3. The Rs dapat diperoleh
dari perpotongan kurva pas. Cox adalah gerbangnya kapasitansi. Pada penelitian ini, Al2O3
ditumbuhkan pada suhu 300 ◦C. Berdasarkan hasil kami sebelumnya , nilai Cox 1.1μF/cm2
digunakan untuk menghitung memperlambat mobilitas. Mobilitas lubang pada VGS = -3V
dihitung menjadi sekitar 138 cm2/Vs, yang cukup tinggi. Kami menyarankan yang tinggi
mobilitas pembawa berkontribusi pada kerapatan arus keluaran yang tinggi.

Karakteristik transfer perangkat yang diukur untuk satu gate ditunjukkan pada Gambar. 4.
Perangkat memiliki transkonduktansi maksimum 284 mS/mm, yang merupakan nilai terbesar
kedua di antara H- berlian FET yang dilaporkan.

9
 Gambar 5.Karakteristik sinyal kecil dari H-diamond MOSFET

menunjukkan hasil frekuensi perangkat diekstrak dari diukur S-parameter bias pada VGS
= 0,8 V dan VDS =-10V.

Gambar 6 menunjukkan hubungan antara nilai fT dan fmax dengan panjang gate.

10
 BAB IV

PENUTUP

A. Kesimpulan

MOSFET berlian-H dengan panjang gate 112 nm dan 300 ◦C ALD menumbuhkan Al2O3
sebagai gate dielektrik dan lapisan pasivasi dibuat pada sampel berlian kristal tunggal. Perangkat
menunjukkan arus saturasi drain tinggi 942,8 mA/mm,yang artinya Penelitian ini berhasil
mengembangkan MOSFET berbasis berlian dengan frekuensi tinggi yang memiliki dielektrik
Al2O3 yang tumbuh melalui deposisi lapisan atom (ALD) pada suhu tinggi (300 ◦C).

B. Saran

Dalam penulisan makalah ini masih jauh dari kesempurnaan,untuk itu penulis mengharapkan
kritik dan saran yang sifatnya membangun demi kesempurnaan makalah ini agar dalam penulisan
makalah kedepannya bisa lebih baik.

11
 DAFTAR PUSTAKA

Yu X, Zhou J, Qi C, Cao Z, Kong Y, Chen T. IEEE Electron Device Lett 2018;39:

1373–6.

Zeyang,Ren dkk. 2023. High frequency single crystalline diamond MOSFET with high
temperature (300 ◦C) ALD grown Al2O3 dielectric. Result Results in Physics 49 (2023) 106517
in Physic

http://maulana.lecture.ub.ac.id/files/2014/03/Teori-Dasar-MOSFET-Metal-Oxide-
Semiconductor-Field-Effect-Transistor.pdf

12