PERCOBAAN 2

MEMBUAT DESAIN LAYOUT TRANSISTOR MOS

1.1. Tujuan
 Memberikan pengenalan terhadap VLSI Design CAD Tool: ElectricTM
 Membangun rangkaian skematik dan layout rangkaian pembagi tegangan
 Mensimulasikan dan menganalisa skematik dan layout rangkaian pembagi tegangan
menggunakan LTSpice simulator
1.2. Landasan Teori

Transistor bisa diilustrasikan sebagai sebuah saklar yang dikontrol dengan

menggunakan listrik (arus atau tegangan). Transistor memiliki tiga buah terminal. Keadaan
tersambung atau terputus pada dua terminal ditentukan oleh keadaan dari kontrol
terminalnya.
Terdapat dua tipe transistor CMOS [gambar-1] yaitu: n-type Metal-Oxide-
Semiconductor (NMOS) dan p-type MOS (PMOS). Rangkaian logika transistor yang
menggunakan kedua type transistor tersebut dikenal dengan Complementary-MOS
(CMOS). Transistor CMOS memiliki tiga terminal: gate, source, dan drain. Terminal
source dan drain dapat ditukar satu sama lain.

Gambar 1.

Ketika terminal gate dari transistor NMOS dalam kondisi high, maka bisa dikatakan
bahwa transistor ON sehingga terdapat jalur penghantar dari source ke drain. Ketika
terminal gate dalam kondisi low, maka bisa dikatakan bahwa transistor OFF maka tidak
terdapat jalur penghantar dari source ke drain. Operasi PMOS berlawanan terhadap NMOS
seperti diisyaratkan dengan tanda bubble pada terminal gate-nya. Ketika terminal gate dalam
keadaan low, maka transistor ON dan ketika terminal gate dalam keadaan high, maka
transistor OFF.
 Struktur Transistor MOS
Struktur dari transistor NMOS dapat ketahui dari potongan melintang dari transistor
NMOS tersebut, seperti tampak pada gambar-1. Dua bagian yang di-doping lebih berat
dengan silicon type-n (n+) akan membentuk source dan drain. Source dan drain dipisahkan
oleh sebuah substrat type-p. Hantaran dari terminal gate menuju subtract (body) dipisahkan
oleh sebuah lapisan isolasi tipis SiO2 (lebih sering dikenal sebagai lapisan kaca). Nama
transistor MOS diperoleh dari tumpukan struktur gate-isolator- substrat dari transistor itu
sendiri, yaitu Metal-Oxide-Semiconductor. Mula-mula gate dibuat dari bahan metal, akan tetapi
sejak tahun 70an gate dibuat dari Polysilicon.

Ketika tegangan gate pada kondisi low, substrat mengisolasi source dan drain, jadi
tidak ada arus yang mengalir diantara keduanya. Bisa dikatakan bahwa transistor dalam
kondisi OFF. Perlu diperhatikan bahwa gate dan substrat berperilaku seperti dua lempeng
kapasitor, sementara lapisan tipis oxide (SiO2) berfungsi seperti dielectric. Ketika tegangan
gate menjadi relatif lebih tinggi terhadap substrat dan source, maka pembawa positif akan
ditarik kearah terminal positif dari kapasitor (gate), dan pembawa negatif akan ditarik
kearah terminal negatif dari kapasitor (substrat). Ketika tegangan gate melampaui
threshold tertentu (typical 0.35-1 volt), maka pembawa negatif akan berakumulasi dibawah
lapisan oxide sehingga cukup untuk ”membalik” substrat dan membentuk kanal tipis
semikonduktor type-n. Sekarang terdapat jalur penghantar type-n diantara source dan drain,
sehingga arus bisa mengalir diantara dua terminal source dan drain tersebut. Bisa dikatakan
bahwa transistor dalam kondisi ON.

Gambar 1: Potongan melintang dari transistor NMOS

Perilaku transistor PMOS berkebalikan dari transistor NMOS. Terminal source dan
substrat normalnya diberi tegangan high. Ketiga gate juga berada pada tegangan high, maka
pada gate kapasitor tidak terdapat tegangan yang melintasinya dan transistor dalam kondisi
OFF. Ketika gate berada pada tegangan low, maka pembawa positif akan tertarik dari subtrat
menuju tepat dibawah lapisan oxide dan transistor akan ON.

Gambar 2: Potongan melintang dari transistor PMOS

Perlu diperhatikan bahwa dalam pembahasan sebelumnya belum pernah disinggung

tentang terminal ke-empat dari transistor (selain gate, drain, dan source). Sebenarnya
substrat bisa berfungsi sebagai terminal ke-empat dari transistor. Terminal ke-empat ini
kadang dikenal sebagai ”bulk”. Bulk harus dihubungkan ke GND pada transistor NMOS, dan
dihubungkan ke VDD untuk transistror PMOS agar bisa beroperasi dengan benar. Unjuk kerja
dari transistor ditentukan oleh length (L) dan width (W) dari transistor.
Length adalah jarak antara source dan drain. Sedangkan width adalah lebar dari
gate. Kanal (length) yang lebih pendek jaraknya akan memberikan operasi yang lebih
cepat dari transistor, karena arus akan mengalir dalam jarak yang lebih pendek. Transistor
yang lebih lebar menyediakan arus yang lebih besar, tapi juga memiliki nilai kapasitansi
yang lebih besar, oleh karena itu pilihan terbaik dari width ini tergantung aplikasinya.

Gambar 3: Length dan Width dari Transistor MOS

1.3. Alat dan bahan

 VLSI Design CAD Tool: ElectricTM
  LTSpice Simulator

1.4. Prosedur Percobaan

1) Simpanlah file C5_models.txt ke file directory File Electric disimpan.
2) Jika selesai, buatlah new cell, skematik yang diberi nama NMOS_IV
3) Kemudian lihat pada komponen dan pilih NMOS node, letakkan dan beri width 10 dan
length 2. Jika selesai akan terlihat seperti gambar dibawh ini
4) Kemudian pilih NMOS node dan klik Tools >> Simulation (spice)>> Set Spice Model.
Kemudian edit text dengan menekan Q dan ubah namanya menjadi NMOS, ini sesuai
dengan format di C5_models.txt. Jika selesai akan terlihat seperti gambar dibawh ini.

5) Ulangi langkah tersebut untuk PMOS. Nama cell haruslah PMOS_IV. Dan hasilnya
seperti gambar dibawah ini.
6) Symbol tersebut berguna untuk desain umum, akan tetapi pada percobaan ini kita ingin
mengakses ke semua terminal transistor termasuk ke body device. Pada PMOS_IV cell
pilih PMOS Node kemudian ke menu edit >> change, kemudian akan muncul kotak
dialog dan ubah Node ke 4-port- Transistor kemudian apply akan terlihat seperti gambar
dibawah ini.
7) Ingat bahwa body (n-well) adalah dekat dengan source dari PMOS/NMOS device. Maka
symbol diberi dekat dengan source dengan mengklik Edit>>Mirror>>Up<-->down. Maka
akan terlihar seperti pada gambar.

8) Kemudian buatlah layout untuk kedua cell. Buatlah cell (Cell>>New Cell) ke
NMOS_IV{lay}
9) Lihat pada menu komponen dan pilih/tempatkan nMos Node pada bagian bawah kanan
dari menu. Pada layout ini sebuah NMOS disusun dari sebuah p-well, active, n-select
(untuk men-‘dope’ active n-type), dan poly. Ingat bahwa highlight box mengindikasikan
node terpilih.