FOTO KONDUKTOR :

Detektor Cahaya-Perubahan Hambatan

(Kode B1-1, 3a)
1. Tujuan
1. Mahasiswa faham akan sifat-sifat optik material : mahasiswa dapat menjelaskan
bagaimana resistansi material dapat berubah jika diberikan cahaya
2. Mahasiswa dapat memahami bagaimana material digunakan sebagai detektor cahaya
3. Mahasiswa mendapatkan pengalaman analisis hasil eksperimen dalam bidang material
2. Teori
Dalam suatu semikonduktor, elektron mungkin berpindah dari pita konduksi (CB) ke pita
valensi (VB) dengan energi sebesar :
h  EG (1)
dimana EG adalah energi gap atau celah energi (gambar 1.a). Dalam bentuk panjang gelombang :

 (2)

Ga

CB CB

, 
EG
EG

VB VB
+
+
(a) (b)

mbar 1

Elektron yang berpindah meninggalkan sebuah hole yang bermuatan positif. Hole dan
elektron ini merupakan pembawa arus. Medan listrik berarah dari pita konduksi ke pita valensi
dan elektron akan bergerak menuju potensial yang lebih rendah (potensial yang lebih positif),
sedangkan hole akan bergerak menuju potensial yang lebih tinggi (potensial yang lebih negatif),
seperti yang ditunjukkan pada gambar 1.b. Gerakan muatan yang berlawanan ini memberikan
tambahan arus, dalam kasus ini arus mengalir dari kanan ke kiri.

1
 Medan listrik mungkin ditimbulkan oleh potensial yang diberikan pada celah suatu
semikonduktor. Dalam kasus ini Arus ekstra ditimbulkan oleh cahaya dan disebut dengan
“Photocurrent” dan sifat disebut “photoconductivity”
Medan listrik mungkin ditimbulkan oleh medan yang terbentuk pada sambungan p-n
(dengan atau tanpa pemberian potensial) dan “photocurrent” atau “photo voltage” yang timbul
dapat terukur pada kutub-kutubnya. Struktur ini disebut “photodiode” dan bersifat
“photoamperic” jika kita mengukur arus foto, bersifat “photovoltaic” jika kita mengukur
voltasenya.
Dalam percobaan ini kita akan mempelajari fotokonduktor, secara skema dalam gambar
2a dan 2b. Gambar 3 memperlihatkan respon relatif terhadap panjang gelombang yang berbeda
dari cahaya pada beberapa semikonduktor. Dalam percobaan ini kita akan menggunakan sampel
Cadmium Sulphade.

Radiasi datang Evaporated

metal electrodes

Cd
S
electrde electrde
s s

(a) (b)
Gambar (2a). Diagram skema sampel fotokonduktif. (2b) Bentuk geometri
elektroda pada suatu sel fotokonduktif Cds (cadmium sulphide)

2
 107
Koefisien
absorbsi,
m-1 GaS Ge
106

105
Si
CdS

104

103
0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6

Panjang gelombang, m

Gambar 3 Absorbsi optik pada beberapa semikonduktor terhadap panjang gelombang

suatu fotokonduktor memberi arus sebanding dengan jumlah cahaya yang diserap
3. Eksperimen
Susun peralatan seperti pada gambar di bawah ini

Fotokon
duktor

Amper
Voltmeter meter
30V/100V 300 mA

ke Lampu

Gambar 1; Skema rangkaian listrik eksperimen, Power Supply (yang mana juga dapat
memberikan tegangan 6,3 V pada lampu) dapat dioperasikan antara 0 - 15 V fotokonduktor.
Arus fotokonduktor dan Tegangan diukur dengan multimeter.

3
Tugas Penelusuran Referensi : Carilah hubungan antara arus dengan tegangan (kareakteristik
arus – tegangan (I – V ) dari semikonduktor
3. Prosedur Eksperimen
Tugas I.
i) Susun alat seperti pada gambar, tanpa pemberian tegangan terhadap fotokonduktor
ii) Tutup fotokonduktor dengan kain hitam.
Ukur arus IDark yang dihasilkan oleh fotokonduktor pada tegangan 0,.....15 V.
Catatan : Tiap perubahan tegangan, tunggu 10 detik sebelum pembacaan.
iii) Ulang langkah ii tetapi dengan fotokonduktor terbuka mengarah ke jendela, sert disinari
(radiasi)
Ukur arus IPhoto yang dihasilkan oleh fotokonduktor pada setiap tegangan 0,.....15 V.
Tabel. ....................
Tegangan Arus Terukur (mA)
(V) Tertutup, IDark Terbuka, IPhoto Disinari IPhoto-R

iv) Buat grafik arus ID, IPh dan IPh-R vs tegangan (V).
Tentukanlah hambatan dari fotokonduktor baik dalam keadaan tertutup maupun terbuka
v) Lakukan uji beda dengan uji t-student untuk menentukan apakah kedua perlakuan
(keadaan tertutup dan terbuka) memberikan hasil pengukuran arus yang berbeda secara
signifikan ?
vi) Lakukan analisis dan beri kesimpulan

CATATAN
Uji dua sampel berpasangan untuk sampel berukuran kecil
Untuk melakukan pengujian dua sampel berpasangan dilakukan dengan memperhatikan
perbedaan (selisih) untuk pasangan sampel D i = (xi – yi). Nilai t dihitung dengan
membandingkan selisih antara nilai rata-rata dari perbedaan pasangan sampel dengan nilai rata-
rata referensi (yang diharapkan) terhadap rata-rata standar deviasinya (standar kesalahan
(standard error), yaitu

Dimana:

4
 ;

dan

D =xi–yi (selisih antar dua sampel xi – yi)

n = Jumlah Sampel
= Rata-rata dari selisih antar dua sampel D
0 = nilai rata-rata referensi (yang diharapkan)
Sd = Standar deviasi dari selisih antar dua sampel D.