0 penilaian0% menganggap dokumen ini bermanfaat (0 suara)
16 tayangan16 halaman
Dokumen tersebut membahas tentang bahan semikonduktor dan karakteristiknya. Bahan semikonduktor memiliki struktur kristal yang teratur dengan pita valensi dan konduksi. Semikonduktor dapat menjadi tipe-P atau tipe-N melalui proses doping yang melibatkan atom donor atau akseptor. Arus listrik dalam semikonduktor dihasilkan oleh pergerakan elektron bebas dan lubang yang disebabkan oleh drift dan difusi charge
Dokumen tersebut membahas tentang bahan semikonduktor dan karakteristiknya. Bahan semikonduktor memiliki struktur kristal yang teratur dengan pita valensi dan konduksi. Semikonduktor dapat menjadi tipe-P atau tipe-N melalui proses doping yang melibatkan atom donor atau akseptor. Arus listrik dalam semikonduktor dihasilkan oleh pergerakan elektron bebas dan lubang yang disebabkan oleh drift dan difusi charge
Dokumen tersebut membahas tentang bahan semikonduktor dan karakteristiknya. Bahan semikonduktor memiliki struktur kristal yang teratur dengan pita valensi dan konduksi. Semikonduktor dapat menjadi tipe-P atau tipe-N melalui proses doping yang melibatkan atom donor atau akseptor. Arus listrik dalam semikonduktor dihasilkan oleh pergerakan elektron bebas dan lubang yang disebabkan oleh drift dan difusi charge
dan keteraturan panjang Contoh : silikon dan germanium Elektron yang berada pada kulit terluar disebut dengan elektron valensi Ikatan kovalen adalah ikatan yang terjadi antara elektron valensi Kulit terluar pada pada sruktur atom memiliki tingkat energi paling tinggi Pita valensi adalah pita energi teratas atau terluar yang memiliki tingkat energi paling tinggi Pita konduksi adalah pita diatas pita valensi (terisi semua, sebagian atau tidak terisi elektron sama sekali) Elektron yang menyerap energi dapat berpindah ke kulit yang lebih tinggi tingkat energinya Energi yang dibutuhkan bagi elektron untuk berpindah dari pita valensi ke pita konduksi (tereksitasi) disebut dengan energi band gap (Eg) Bahan semikonduktor murni yang belum dikotori atom akseptor atau atom donor ( memiliki elektron valensi 4 ) Contoh : Silikon dan Germanium Atom donor adalah atom yang mengalami kelebihan elektron ( memiliki elektron valensi 5 ) Contoh : Antimon, Phosphor, and Arsenik Atom akseptor adalah atom yang mengalami kekurangan elektron ( memiliki elektron valensi 3 ) Contoh : Boron, Alumunium, Indium, Galium Semikonduktor murni yang telah mengalami pengotoran oleh atom donor maupun atom akseptor Dua macam semikonduktor ekstrinsik : Tipe P dan tipe N Semikonduktor Tipe N : semikonduktor intrinsik yang dikotori atom donor dengan elektron valensi 5 Semikonduktor Tipe P : semikonduktor intrinsik yang dikotori atom akseptor dengan elektron valensi 3 Proses pengotoran semikonduktor intrinsik dengan atom pengotor disebut dengan proses doping Atom arsenik yang disisipkan menyebabkan terbentuknya elektron bebas pada ikatan karena memiliki 5 elektron valensi Atom boron yang disisipkan menyebabkan terbentuknya sebuah lubang pada ikatan karena hanya memiliki 3 elektron valensi Arus yang terjadi oleh pergerakan elektron bebas dan hole pada saat semikonduktor diberikan tegangan Elektron bergerak menuju terminal positif sedangkan hole menuju terminal negatif Elektron cenderung bergerak dalam garis lurus namun demikian saat menumbuk atom maka elektron akan memantul ke arah yang tidak tentu Tegangan yang diberikan tidak menghentikan tumbukan atau pergerakan acak elektron, namun menyebabkan elektron tertarik (drifting) menuju kutub positif Proses pergerakan elektron dan hole (charge carrier) dari daerah berkonsentrasi tinggi ke konsentrasi rendah dalam sebuah semikonduktor Daerah yang memiliki banyak elektron disebut berkonsentrasi tinggi Terjadi tanpa adanya tegangan luar Kedua tipe arus yaitu arus drift dan difusi terjadi bersama-sama dalam sebuah perangkat semikonduktor