DASAR ELEKTRONIKA

SAMBUNGAN P-N

Emanuel Budi Raharjo

Bahan semikonduktor P dan N
Tanda Positif Tanda Negatif
( Hole ) ( Elektron )

Atom trivalent Atom pentavelent

Awalnya kedua bahan bersifat listrik NETRAL karena memiliki

jumlah elektron dan hole yang seimbang
Dua Bahan Semikonduktor Disambungkan

Awal penyambungan kondisi masing-masing bahan sama,

dan pada sisi / titik sambungan tidak terjadi reaksi apapun
Pembentukan Ion pada Sambungan
Dipole ( pasangan Ion + dan Ion - )

Sambungan
Pembentukan Ion pada Sambungan
 Apabila elektron berlebih dari sisi N berdifusi ke sisi P maka elektron akan
melakukan rekombinasi dengan hole atom trivalen pada sisi P dan membentuk
Ion Negatif
 Ketika elektron dari sisi N berdifusi ke sisi P maka mengakibatkan atom
pentavalen pada sisi N mengalami kekurangan elektron dan membentuk Ion
Positif
 Ion Positif dan Negatif yang terbentuk pada masing-masing sisi akan berada di
dekat daerah sambungan bahan P-N
 Ion tidak dapat bergerak bebas seperti elektron dan hole karena terikat dalam
ikatan kovalen
Depletion Layer
 Ketika jumlah Dipole bertambah pada sisi sambungan maka daerah ini akan
mengalami kekosongan pembawa muatan (charge carrier) positif (Hole) dan
pembawa muatan negatif (Elektron) sehingga terbentuklah area bebas
muatan yang disebut dengan DEPLETION LAYER
Depletion Layer
 Ketika terjadi sebuah keseimbangan dan tidak terjadi lagi proses difusi
elektron maka tidak akan ada lagi penambahan ion-ion baru pada sisi
sambungan
Potensial Barier ( Tegangan Buka )
 Ion Positif dan Ion Negatif yang saling berdekatan pada Depletion Layer
akan memiliki / membentuk medan listrik yang setara dengan beda
potensial tertentu dan disebut dengan POTENSIAL BARRIER

 Potensial Barrier untuk jenis sambungan P-N yang terbuat dari bahan
Germanium adalah 0,3 Volt, sedangkan bahan Silikon sebesar 0,7 Volt
Pengaruh Suhu pada Potensial Barrier
 Junction Temperature adalah suhu yang ada dalam sambungan P-N

 Ketika suhu Junction / sambungan meningkat maka akan terjadi

pembentukan ( generasi ) elektron dan hole pada area ini dan mendorong /
mendesak DEPLETION LAYER sehingga menjadi lebih sempit

 Semakin tinggi suhu pada Junction maka semakin rendah Potensial Barier

 Potensial Barier pada sambungan P-N berbahan Silikon akan turun 2mV
untuk setiap kenaikan 1°C