LAPORAN PRAKTIKUM ELKA ANALOG

NOMOR PERCOBAAN

:1

JUDUL PERCOBAAN

: Pendekatan Karakteristik Dioda

KELAS / GROUP

: Telkom 3-A / 6

NAMA PRAKTIKAN

: 1. Ismail Fauzi
2. M.Hafidz Bishri
3. Nur Aminah

PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI

POLITEKNIK NEGERI JAKARTA
DEPOK
2012

PERCOBAAN 1
PENDEKATAN KARAKTERISTIK DIODA

1.1 TUJUAN :
Menunjukkan keadaan dimana karakteristik diode sesungguhnya dapat didekati oleh

garis lurus.
Mengetahui tegangan knee pada diode silicon dan diode germanium.

1.2 DASAR TEORI

Diode terbuat dari 2 lapis bahan semikonduktor type P dan type N dengan junction
(pertemuan) antara 2 lapisan tsb, dan terminal hubungan keluar di buat pada sisi P dan pada
sisi N, dimana pada sisi P dari dioda disebut Anoda dan sisi N dari dioda disebut Katoda.
Simbolnya:

D1
A

Karakteristik statis dioda ideal :

Jika anoda lebih positif dari pada katoda, maka dioda akan berfungsi seperti Saklar
yang tertutup, pada keadaaan ini tegangan jatuh pada dioda = OV untuk setiap harga
arus yang mengalir. Keadaan ini disebut Mode bias maju ( forward bias mode ).
Dan sebaliknya jika Anoda lebih negatif dari pada Katoda, maka dioda akan
berfungsi seperti saklar yang terbuka, dan tidak ada arus yang mengalir melalui dioda
untuk setiap harga tegangan. Keadaan ini disebut Mode bias mundur ( reverse bias
mode ).
Pada prakteknya pada keadaan bias maju, untuk membuat dioda berfungsi seperti
saklar yang tertutup, terdapat tegangan penghalang ( barrier potensial ) sebesar 0,3 V
untuk dioda germanium dan 0,7V untuk dioda silicon. Jadi agar dioda dapat
mengalirkan arus, tegangan Anoda Katoda harus terlampaui sebesar 0,3 V untuk Ge
dan 0,7 V untuk Si.

Karakteristik Dioda :

IF (mA) Ge

Si
Bias Maju
(Forward Bias)

VBR

VAK

VR
VF
Bias Mundur
(Reverse Bias)
IR (nA)

Ge = 0.3 V
Si = 0.7 V

Dari grafik terlihat bahwa :

Pada keadaan bias maju, arus forward If yang mengalir sangat kecil sekali secara
eksponensial sampai tegangan Vf sebesar 0,3 V untuk germanium dan 0,7 V untuk
Silikon. Setelah melewati tegangan tsb. arus If naik sangat besar sekali hampir linier.
Pada keadaan bias mundur, arus mundur IR mengalir sangat kecil sekali dan akan
tetap konstan meskipun teg. VR di naikan sampai teg. VR mencapai teg. VBR, dan
setelah melewati teg. tsb ( VBR ) arus akan mengalir sangat besar sekali. Hal ini tidak di
perbolehkan dalam pemakaian diode.
Bentuk kurva karakteristik diode ( bukan linier ) didapat dari persamaan diode yaitu
:

If = Is (
Dimana

-1)

If = arus maju dioda

Is = arus saturasi dioda ( arus bocor )
q = muatan ( 1,6 x 10-19 coulomb )
V = tegangan dioda
K = konstanta Boltzman ( 1,38 x 10-23 J / 0K )
T = ambient Temperature ( 0 K )

Dari persamaan dioda diatas dpt di terangkan mengenai arus forward dioda yaitu :
1. Makin besar arus forward yang mengalir di dapat dengan makin besar tegangan
yang di berikan. Ini terlihat pada kurva karakteristik diatas.
2. Bila dioda memanas ( menghangat ) baik disebabkan oleh aliran arus maupun
pengaruh luar, arus If akan mengecil. Untuk Vf yang konstan, If naik jika temptnya naik. Dan jika If konstan, maka Vf akan naik jika temp-nya turun.

Perbandingan antara dioda silicon dan germanium antara lain :

Dioda Germanium
Dioda Silkon
1. Teg. Operasi hingga 200 V
1. Teg. Operasi tersedia hingga1000V

2. Arus forward dalam mA

3. Aplikasi sinyal kecil
4. Respon cepat
5. Reverse resistansi yang kecil
6. Arus bocor yang besar
7. dependent thdp temp

2. Arus forward hingga 1000 A

3. Aplikasi sinyal kecil dan besar
4. Respon sedikit lambat
5. reverse resistansi yg besar
6. Arus bocor yang kecil
7.Independent thdp temp. hingga
1500C

Parameter diode yang perlu diketahui :

1. Tegangan jatuh forward ( VF )
2. Tegangan jatuh mundur ( teg.reverse breakdown=VBR)
3. Arus reverse saturasi ( arus bocor = IS )
4. Arus forward maksimum ( IF max )
5. Tahanan dinamis, rd
rd di hitung pada kemiringan kurva diatas knee
rd =

Dari percobaan yang dilakukan,

dihitung dengan :

(Arus Forward) dalam hal ini

1.3 ALAT-ALAT YANG DIGUNAKAN

1. Sumber daya searah ( 1-15 ) V
2. Mumtimeter analog
3. Dioda Silikon

: 1 Buah
: 2 Buah
: 1 Buah

(Arus Dioda) dapat

4. Dioda germanium
5. Resistor
6. Kabel- kabel penghubung

: 1 Buah
: 470 ; 1 K , ; 4.7 K

1.4 CARA MELAKUKAN PERCOBAAN

A. Percobaan dengan diode silicon ( tipe 1N400..)
1. Buatlah rangkaian seperti gambar 1, dengan menggunakan diode silicon (Si) dan R =
470

Gambar 1.

Rangkaian dioda dibias maju

2. Aturlah tegangan power supply sedemikian hingga Vf = 0.35 V

3. Ukurlah arus maju (forward) pada diode dan catatlah pada Tabel 1.
4. Ulangi langkah 2 dan 3 untuk harga Vf yang berlainan
B. Percobaan dengan diode Germanium ( Tipe........)
5. Gantilah diode silicon dengan diode germanium serta ubahlah R menjadi 1 K.
6. Aturlah tegangan power supply sedemikian hingga Vf = 0.1 V. Ukurlah arus maju If
pada diode dan catatlah pada Tabel 2.
7. Ulangi langkah 6 untuk harga Vf yang berlainan
C. Percobaan tegangan jatuh diode
8. Buat rangkaian seperti gambar 2 dengan menggunakan diode silicon, R = 4.7 K dan
tegangan supply = 14 V.

Gambar 2. Pengukuran tegangan jatuh diode dan tegangan beban

9. Ukurlah Vf dan Vo.

10. Selanjutnya turunkan tegangan power supply menjadi 3V. Ulangi langkah 9.
11. Gantilah tahanan R menjadi 470 dan jagalah tegangan power supply tetap 3V.
Ulangi langkah 9 dan masukkan hasil percobaan pada Tabel 3.

DATA HASIL PERCOBAAN

No. Percobaan

: 01

Pelaksanaan

: 31 Agustus 2012

Praktikum
Judul

: Pendekatan Karakteristik Penyerahan Laporan

: 07 September 2012

Dioda

Mata Kuliah

: Laboratorium Digital

Kelas/Kelompok

: TT-3A/06

: M.Hafidz Bishri

Tahun Akademik

: 2012

: Ismail Fauzi

Tabel 1

Nama Kelompok

: Nur Aminah

R = 470

DIODA SILIKON
Jenis
Vf ( V )
0.35

If ( mA )
Pengukuran
0,0038

Perhitungan
0

0.40
0.45
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0,82

Tabel 2

0,06
0,12
0,64
1,125
3,1
8,6
20,6
48
85
106

0,0085
0,191
0,72
1,14
3,40
8,61
20,63
45,2
83,4
111,02

R = 1 K

DIODA SILIKON
Jenis
Vf ( V )
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55

If ( mA )
Pengukuran
0,089
0,244
0,23
0,61
1,1
1,37
2,04
2,75
3,2
3,9

Perhitungan
0,05
0,06
0,21
0,51
0,85
1,45
2,1
2,75
3,4
4,05

Tabel 3
Vs
(volt)
14V
3V
3V

R
(Ohm)
4.7K
4.7K
470

Vf (volt)
Ukur
Hitung
0,61
0,7
0,58
0,7
0,62
0,7

Vo (Volt)
Ukur
Hitung
13,5
13,3
2,45
2,3
2,31
2,3

If (mA)
3,3
0,55
5

TUGAS
1. Apa perbedaan dioda silikon dengan dioda germanium?
2. Apa yang dimaksud dengan dioda ideal?
3. Carilah karakteristik dioda yang dipakai di data sheet dan jelaskan!
Jawab :
1.

1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.

Dioda Germanium
Teg. Operasi hingga 200 V
Arus forward dalam mA
Aplikasi sinyal kecil
Respon cepat
Reverse resistansi yang kecil
Arus bocor yang besar
dependent thdp temp

Dioda Silkon
1. Teg. Operasi tersedia hingga1000V
2. Arus forward hingga 1000 A
3. Aplikasi sinyal kecil dan besar
4. Respon sedikit lambat
5. reverse resistansi yg besar
6. Arus bocor yang kecil
7.Independent thdp temp. hingga
1500C

2. Dalam pendekatan dioda ideal, dioda dianggap sebagai sebuah saklar tertutup jika
diberi bias forward dan terbuka jika di beri bias reverse. Artinya secara ideal, dioda
berlaku seperti konduktor sempurna (tegangan nol) jika bias forward dan seperti
isolator sempurna (arus nol ) saat dibias reverse.
3. Karakteristik Dioda :

IF (mA) Ge

VBR
VR
VF
Bias Mundur
(Reverse Bias)
IR (nA)

Si
Bias Maju
(Forward Bias)
VAK
Ge = 0.3 V
Si = 0.7 V

Dari grafik terlihat bahwa :

Pada keadaan bias maju, arus forward If yang mengalir sangat kecil
sekali secara eksponensial sampai tegangan Vf sebesar 0,3 V untuk
germanium dan 0,7 V untuk Silikon. Setelah melewati tegangan tsb. arus I f
naik sangat besar sekali hampir linier.
Pada keadaan bias mundur, arus mundur I R mengalir sangat kecil
sekali dan akan tetap konstan meskipun teg. VR di naikan sampai teg. VR
mencapai teg. VBR, dan setelah melewati teg. tsb ( VBR ) arus akan mengalir
sangat besar sekali. Hal ini tidak di perbolehkan dalam pemakaian diode.

Bentuk kurva karakteristik diode ( bukan linier ) didapat dari

persamaan diode yaitu :

If = Is (

-1)

Dimana
If = arus maju dioda
Is = arus saturasi dioda ( arus bocor )
q = muatan ( 1,6 x 10-19 coulomb )
V = tegangan dioda
K = konstanta Boltzman ( 1,38 x 10-23 J / 0K )
T = ambient Temperature ( 0 K )
Dari persamaan dioda diatas dpt di terangkan mengenai arus forward
dioda yaitu :
a. Makin besar arus forward yang mengalir di dapat dengan makin
besar tegangan yang di berikan. Ini terlihat pada kurva
karakteristik diatas.
b. Bila dioda memanas ( menghangat ) baik disebabkan oleh aliran
arus maupun pengaruh luar, arus If akan mengecil. Untuk V f
yang konstan, If naik jika tempt-nya naik. Dan jika I f konstan,
maka Vf akan naik jika temp-nya turun.

ANALISA DATA & PERHITUNGAN

1. Grafik tertera pada scannan (di Lampiran)
2. Grafik tertera pada scannan (di Lampiran)
3. a. Vo = Vs Vo
= 14 0,7
= 13,3 V
b. Vo = Vs Vo
= 3 0,7

= 2,3 V
c. Vo = Vs Vo
= 3 0,7
= 2,3 V
Perbandingan antara perhitungan dan pengukuran Vf dan Vo pada tabel 3 adalah
Vo
Pengukuran : Perhitungan

Vf
Pengukuran : Perhitungan

13,5 : 13,3

0,61 : 0,7

2,45 : 2,3

0,58 : 0,7

2,31 : 2,3

0,62 :0,7

Pebandingan antara pengukuran dan perhitungan tidak terlalu jauh dan masih
dalam batas toleransi, kesalahan tersebut bisa saja disebabkan karena alat ukurnya yang
sudah tidak presisi lagi atau kesalahan dalam membaca alat ukur.
4. Jika tegangan kita atur mendekati 0,7 maka elektron akan bergerak bebas mulai
mendekati junction dalam jumlah besar. Jika tegangan dioda kita masukan lebih dari 0,7
maka penambahan tegangan dioda menghasilkan penambahan arus yang besar sedangkan
resistor berbanding terbalik dengan arus dan tegangan. Tegangan dimana arus bertambah
cepat dinamakan tegangan lutut dioda. Untuk tegangan lutut dioda silikon mendekati 0,7
sedangkan dioda germanium mendekati 0,3. Dioda merupakan komponen non linier.
Diatas tegangan lutut dioda semakin meningkat maka arus pun akan semakin bertambah.
Jika arus dalam dioda terlalu besar akan menyebabkan panas yang berlebihan dan ini
akan merusak dioda. Selain itu juga disebabkan karena sebuah dioda memiliki nilai
tegangan saturasi ( Vsaturasi ), yaitu titik dimana tegangan dioda sudah mencapai batas
maksimalnya/tidak dapat bertambah lagi.
ANALISA DATA TAMBAHAN........
Tabel 1.Percobaan dengan dioda silikon
Dari percobaan yang dilakukan didapatkan data tegangan dioda maksimum yang dapat
diukur pada 0,82 Volt dengan If = 106 mA dengan rentang pada data yang tersedia dari 0,35
0,85 ,seharusnya pada dioda silikon tegangan dioda maksimum yang dapat dibaca adalah 0,7
Volt .Ini dikarenakan dioda yang dipakai pada percobaan yang dilakukan sudah bocor atau
melebihi ambang batas kapasitas, hal ini juga disebabkan karena di sebuah dioda memiliki nilai

tegangan saturasi ( Vsaturasi ), yaitu titik dimana tegangan dioda sudah mencapai batas
maksimalnya / tidak dapat bertambah lagi. Dan dari percobaan yang dilakukan didapat Vf
maksimum atau lebih tepatnya Vsaturasi adalah 0,82 volt dengan If = 106 mA.
Dari kurva karakteristik dioda silikon bahwa arus mulai terbaca saat Vf sebesar 0.5 Volt
atau disebut Vcut off karena dari 0.35 - 0.45 Volt nilai arus masih berkisar 0,.. mA dengan Vsaturasi
adalah 0,82 Volt.
Tabel 2.Percobaan dengan dioda germanium
Dari percobaan yang dilakukan didapatkan data tegangan dioda maksimum yang dapat
diukur pada 0,55 Volt dengan If = 3,9 mA dengan rentang percobaan pada data yang tersedia
yaitu 0,10 0,55 Volt ,seharusnya pada dioda germanium tegangan dioda maksimum yang dapat
dibaca adalah 0,3 - 0,5 Volt dan untuk memunculkan arus dioda I f, hal itu dikarenakan dioda
yang dipakai pada percobaan yang dilakukan sudah bocor atau melebihi ambang batas kapasitas,
hal ini juga disebabkan karena di sebuah dioda memiliki nilai tegangan saturasi ( Vsaturasi ),
yaitu titik dimana tegangan dioda sudah mencapai batas maksimalnya / tidak dapat bertambah
lagi. Dan dari percobaan yang dilakukan didapat Vf maksimum atau lebih tepatnya Vsaturasi adalah
0,55 volt dengan If = 3,9 mA.
Dari kurva karakteristik dioda germanium bahwa arus mulai terbaca saat Vf sebesar 0.15
Volt atau disebut Vcut off karena dari 0.10 arus masih belum terbaca atau masih 0,0... dengan
Vsaturasi adalah 0,55 Volt.
Tabel 3.Percobaan tegangan jatuh dioda
Pada percobaan ini Vo atau Voutput dihasilkan dari Vs Vf,

dari hasil percobaan

didapatkan hasil yang tidak terlalu signifikan atau masih dalam batas toleransi, dalam hal ini
Vf / tegangan dioda adalah 0,7 karena dioda yang dipakai adalah dioda silikon, arus dioda
dipengaruhi oleh resistansi dan didapat dari Vo / R.
KESIMPULAN
Dari percobaan yang dilakukan dapat disimpulkan bahwa nilai tegangan untuk silikon 0,7
dan 0,3 untuk germanium.
Jika anoda lebih positif dari pada katoda, maka dioda akan berfungsi seperti Saklar yang
tertutup, pada keadaaan ini tegangan jatuh pada dioda = OV untuk setiap harga arus yang
mengalir. Keadaan ini disebut Mode bias maju ( forward bias mode ).Dan sebaliknya jika Anoda
lebih negatif dari pada Katoda, maka dioda akan berfungsi seperti saklar yang terbuka, dan tidak
ada arus yang mengalir melalui dioda untuk setiap harga tegangan. Keadaan ini disebut Mode
bias mundur ( reverse bias mode ).

Pada prakteknya pada keadaan bias maju, untuk membuat dioda berfungsi seperti saklar
yang tertutup, terdapat tegangan penghalang ( barrier potensial ) sebesar 0,3 V untuk dioda
germanium dan 0,7V untuk dioda silicon. Jadi agar dioda dapat mengalirkan arus, tegangan
Anoda Katoda harus terlampaui sebesar 0,3 V untuk Ge dan 0,7 V untuk Si.

LAMPIRAN

Grafik If fungsi Vf dioda silikon

Grafik If fungsi Vf dioda germanium