Rl&RE 2 Praktikum 1 [KARAKTERISTIK TRANSISTOR]

PRAKTIKUM 1
KARAKTERISTIK TRANSISTOR
I.

Tujuan
1. Mahasiswa mengerti struktur dan simbol pada transistor
2. Mahasiswa mampu memahami karakteristik dari transistor
3. Mahasiswa mempelajari untuk menentukan kualitas dari transistor dengan
menggunakan instrument

II.
Dasar Teori
A. Struktur Transistor

Transistor dibedakan dalam 2 tipe utama tipe PNP dan NPN. Struktur diagramnya
ditunjukkan pada gambar 5.1(a)(b). E(Emittor), B(Basis) dan C(Colector) berturut turut di
gambarkan dalam tiga sambungan transistor.

Gambar 5.1 (a) (b) Struktur Diagram Transistor

Gambar 5.2 (c) (d) Metode Bias Transistor NPN

Gambar 5.3 (a) (b) Metode Bias Transistor PNP

B. Karakteristik Transistor
Sesuai gambar 5.2(a), Jika forward bias (P dan N terhubung pada muatan kutub positif
dan negatif) diaplikasikan pada jarak lintas sambungan dari E B maka Vbe akan mencapai
tegangan cut in (0.6 v untuk silikon, dan 0.2v untuk germanium), dan arus forward Ib akan
dibangkitkan diantara E-B. Sesuai gambar 5.2(b), jika reverse bias (P dan N terhubung pada
muatan kutub negatif dan positif ) diaplikasikan pada sambungan E-B, maka tidak ada arus
yang akan mengalir melewati B C (kebocoran arus reverse sangat kecil jadi dapat
diabaikan), dan arus Ic yang mengalir melewati C tidak memiliki nilai. Jika 5.2(a)( b)
Politeknik Elektronika Negeri Surabaya [Teknik Komputer]

Rl&RE 2 Praktikum 1 [KARAKTERISTIK TRANSISTOR]

digabungkan seperti gambar 5.2(c) atau (d) , meskipun keaslian reverse bias antara B C
(seperti ditunjukkan pada gambar 5.2(d), Vcb = Vcc Vbe , Vcc >> Vbe, Vcb juga
merupakan bias pembalikan), sebuah arus Ic yang signifikan akan dibangkitkan yang
disebabkan oleh konduksi forward dari Vbe. Persamaan Ic = . Ib ( adalah faktor penguatan
arus) menggambarkan hubungan antar Ic dan Ib . Mengapa Ib memiliki nilai yang jauh lebih
kecil dari Ic? Karena basis dari transistor sangat sempit dan sangat rendah dari pembersihan
muatan kotor . Vbe akan membawa elektron pada E (tipe NPN) untuk memasuki B,
sedangkan B sangat sempit dan hanya sebagian kecil dari elektron yang berkombinasi dengan
lubang dan akan menuju ke arah B , sedangkan sebagian besar elektron akan menuju kearah
persilangan B-C. Ini merupakan fenomena pada dengan tegangan yang lebih tinggi (Vbc atau
Vcc) yang diaplikasikan dalam C yang akan membangkitkan kwantitas yang signifikan dari
Ic. Seperti pada gambar 5.2 (c) (d) , diketahui bahwa Ie = Ib+Ic . Dengan cara sama , jika
bias pada gambar 5.3 yang diaplikasikan pada PNP transistor, transistor ini akan berfungsi
seperti transistor NPN.
Hubungan antar Ie , Ib dan Ic :
1. Ic = . Ib ,
2. Ie = Ib +Ic
Persimpangan

Persimpangan

Emittor

Kolektor

C
P

Emittor

Kolektor

B : Basis
(a)
E

C
N

C. Simbol dan Rangkaian Dasar Transistor

1) Simbol :

Politeknik Elektronika Negeri Surabaya [Teknik Komputer]

Rl&RE 2 Praktikum 1 [KARAKTERISTIK TRANSISTOR]

Gambar 5.4 Simbol dari Transistor

Gambar 5.4 menunjukkan simbol dari transistor yang memiliki beberapa arti :
1) Digunakan untuk membedakan antara NPN dan PNP , dimana anak panah yang
menunjukkan arah keluar menunjukkan bahwa transistor tipe NPN , dan anak
panah yang menuju kedalam menunjukkan bahwa transistor tipe PNP.
2) E memiliki panah , tetapi C tidak memiliki panah.
3) Panah digunakan untuk menunujukkan arah arus.
2) Rangkaian Dasar
Bias dasar dan arah arus dari tipe NPN dan PNP ditunjukkan pada gambar 5.5 (a) dan
(b).

Gambar 5.5
D. Kurva Karakteristik V-I Transistor
Transistor memiliki dua V I kurva karakteristik:
1) Input kurva karakteristik : untuk mendeskripsikan hubungan antara Vbe dan Ib
2) Output kurva karakteristik : untuk mendeskripsikan hubungan antara Ib, Vce dan
-

Ic.
Seperti yang ditunjukkan pada gambar 5.6 , ketika Vbe melebihi 0.6v , Ib akan
menunjukkan kenaikan arus .
Seperti yang ditunjukkan pada gambar 5.7,
1. Ib = 0A , Ic = 0
2. Ib = 10A ,Ic = mA(Vce = 15v)

(a) Karakteristik Kurva input

Gambar 5.6
III.

(b) Karakteristik Kurva Output

Gambar 5.7

Peralatan
1. KL 200 Linear Circuit Lab.
2. Module Percobaan: KL 23002.
3. Instrumen Percobaan :
a) Multimeter atau digital multimeter.
b) Oscilloscope.
c) Signal Generator.

Politeknik Elektronika Negeri Surabaya [Teknik Komputer]

Rl&RE 2 Praktikum 1 [KARAKTERISTIK TRANSISTOR]

4. Alat : Basic hand tolls.
5. Materi : KL 23002.
IV.
Prosedur Percobaan
Percobaan Pertama (5-1)
Percobaan untuk karakteristik dari transistor pengukuran Ie,Ib dan Ic.

Gambar 5 -1 (a)

Gambar 23002-

block a.1

5-1-1 Prosedur Percobaan :

(1) Pertama siapkan module KL 23002 pada KL 200 Linear Circuit Lab , kemudian
letakkan pada blok bertanda 23001 block a.
(2)
a. Masukkan rangkaian pendek jepitan seperti pada gambar 5-1(a) dan rangkaian
pendek jepitan atur seperti diagram 23002 block a.1.
b. Hubungkan ammeter untuk mengukur Ib , Ic dan Ie . Jika ammeter tidak cukup tersedia ,
maka ammeter yang belum mengukur dapat dihubungkan pada rangkaian pendek jepitan.
c. Atur VR3 (VR 10K) sampai Ic = 3mA dan Ic bernilai maksimum (Ic(sat)).
d. Lihat Ib , Ic dan Ie , kemudian catat hasilnya
5-1-2 Hasil Percobaan : Catat Pada Tabel 5 -1.
Ic
3mA
Ic(sat)

Ib

Ie

= Ic/Ib

Tabel 5 -1
Percobaan kedua (5-2) :
Percobaan untuk karakteristik dari transistor NPN.
5-2-1 Pengukuran untuk Ie , Ib dan Ic

Politeknik Elektronika Negeri Surabaya [Teknik Komputer]

Rl&RE 2 Praktikum 1 [KARAKTERISTIK TRANSISTOR]

Gambar 5 2(a)

Gambar 23002 blok a.2.

5-2-1-1 Prosedur Percobaan :

(1) Masukkan rangkaian pendek jepitan seperti pada gambar 5-2 (a) dan diagram
rangkaian pendek jepitan 23002 blok a.2.
(2) Ulangi percobaan pertama , langkah (2) b,c dan d.
5-2-1-2 Hasil Percobaan : Catat Pada Tabel 5 -2.
Ic
3mA
Ic(sat)

Ib

Ie

=Ic/Ib

Tabel 5-2
5-2-2 Pengukuran dan pembuatan kurva karakteristik transistor

Gambar 23002 block a.3

Gambar 5-2(b)

5-2-2-1 Prosedur Percobaan :

(1) Masukkan rangkaian pendek jepitan seperti pada gambar 5-2 (b) dan diagram rangkaian
pendek jepitan 23002 blok a.3
(2) Atur VR2 (VR10K) hingga Ib = 0A
(3) Atur VR1(VR1K) hingga Vce bernilai 0.1 v -> 0.3 v -> 0.5v->0.7v->1.0v->2.0v

----

------->3.0>4.0->5.0 , dan akan secepatnya bernilai sama dengan Vcc. Catat setiap nilai
dari IC pada tabel 5-3 (b) (g) .
(4) Atur VR2 untuk hingga Ib memiliki nilai seperti pada Tabel 5-3(b) (g), kemudian ulangi
langkah (3) untuk mengukur Vce dan Ic . Catat hasil dari Tabel 5 3 (b) (g).
5-2-2-2 Hasil Percobaan : Catat Pada Tabel 5-3
Politeknik Elektronika Negeri Surabaya [Teknik Komputer]

Rl&RE 2 Praktikum 1 [KARAKTERISTIK TRANSISTOR]

a) Ib = 0A
Vce(v)
Ic(mA)

0.1v

0.2v

0.3v

0.5v

0.7v

1.0v

3v

5v

----

1.0v

3v

5v

----

1.0v

3v

5v

----

1.0v

3v

5v

----

1.0v

3v

5v

----

1.0v

3v

5v

----

b) Ib=10A
Vce(v)
Ic(mA)

0.1v

0.2v

0.3v

0.5v

0.7v

c) Ib = 20A
Vce(v)
Ic(mA)

0.1v

0.2v

0.3v

0.5v

0.7v

d) Ib = 30A
Vce(v)
Ic(mA)

0.1v

0.2v

0.3v

0.5v

0.7v

e) Ib = 40A
Vce(v)
Ic(mA)

0.1v

0.2v

0.3v

0.5v

0.7v

f) Ib = 50A
Vce(v)
Ic(mA)

0.1v

0.2v

0.3v

0.5v

0.7v

g) Ib = 60A
Vce(v) 0.1v
0.2v
0.3v
0.5v
0.7v
1.0v
3v
5v
---Ic(mA)
Seperti kurva karakteristik output , menggunakan data yang ditunjukkan pada Tabel 5-3
buatlah kurva karakteristik pada gambar 5 -3.

Tabel 5 -3
Gambar 5-3 Pembuatan Vce Kurva Ic

Politeknik Elektronika Negeri Surabaya [Teknik Komputer]