OLEH
: SARAH FAJRIANTI
NIM
: 1320402014
KELAS
: D2
PRODI
: TELEKOMUNIKASI
Lembar Pengesahan
Judul
: Gelombang Mikro
Nama
: Sarah Fajrianti
Nim
: 1320402014
Kelas
: D2
Prodi
: Teknik Telekomunikasi
Jurusan
: Teknik Elektro
Tanggal Praktikum
: 09 April 2015
Tanggal Pengesahan
: 16 April 2015
Praktikum
Hanafi ST.MT,Eng
Sarah Fajrianti
NIP:196901172002121001
Nim:1320402014
DAFTAR ISI
Lembar Pengesahan...............................................................
Daftar isi................................................................................
Tujuan Praktikum..................................................................
Dasar Teori............................................................................
Alat dan Bahan....
Langkah Percobaan.
Data Hasil Percobaan..
Analisa.
Kesimpulan.
Daftar Pustaka..
gelombang elektromagnetik juga dapat merambat dalam ruang hampa. Ini terjadi pada kecepatan
cahaya. Jika gelombang melewati beberapa media lain melambat.
E = medan listrik
H = medan magnet
= panjang
gelombang
C = kece
atan cahaya
C.
Gunn dioda
Gelombang mikro dapat dihasilkan dengan menggunakan dioda Gunn. Dioda ini
didasarkan pada apa yang disebut efek Gunn. JBGunn ditemukan pada tahun 1963 ketika
seorang, tegangan listrik yang relatif tinggi konstan diterapkan pada tipe-n gallium arsenide
kristal (GaAs semikonduktor), bisa menyebabkan cepat, fluktuasi arus statis. Hal ini
menunjukkan bahwa dalam kristal panjang yang sangat singkat ini fluktuasi arus diterjemahkan
ke dalam osilasi terus menerus, frekuensi yang ditentukan oleh panjang kristal dan berbaring di
kisaran microwave.
D. Efek Gunn
Efek Gunn didasarkan pada kenyataan bahwa ketika energi yang disuplai ke n-jenis
semikonduktor dengan daerah tidak merata diolah elektron bisa melompat dari satu pita energi ke
dalam pita energi yang lebih tinggi. Dalam band energi yang lebih tinggi elektron yang kurang
bergerak, yang terlihat dalam kekuatan medan yang lebih besar muncul pada saat yang lebih
rendah. Ini berarti bahwa untuk efek Gunn membutuhkan tegangan yang lebih rendah pada saat
ini lebih tinggi dan arus yang lebih rendah pada tegangan yang lebih tinggi. Hambatan yang
dinamis demikian negatif dalam kisaran ini (negatif resistensi diferensial: NDW).
Arus-tegangan karakteristik Gunn Diode memiliki segmen dengan rentang dinamis
negatif (lihat animasi). Ini adalah dalam kisaran ini di mana generasi osilasi terjadi.
Untuk memulai klik animasi di bidang biru sumbu tegangan.
Dari segi desain, Gunn dioda terdiri dari n-doped bahan semikonduktor, dengan tiga
berbeda doped n-daerah: bagian atas, menengah dan daerah yang lebih rendah.Daerah atas relatif
berat n-doped, wilayah tengah adalah yang aktif. Ini memiliki lebar sekitar. 10 mm, yang secara
alami bervariasi dan merupakan salah satu frekuensi menentukan. Wilayah ini kurang kuat
doped.
Ilustrasi di bawah ini adalah gambaran skema struktur sederhana, mekanis disetel Gunn
osilator yang digunakan dalam teknologi Waveguide. Di bawah kereta tabung diblokir atau
korsleting off untuk membuat rongga resonan. Jarak ke ini harus dipilih sehingga beban pada
dioda Gunn membentuk rangkaian resonan paralel, yang terjadi pada jarak yang sesuai dengan
sekitar / 4. Dalam kombinasi dengan lubang masuk, dan kalibrasi sekrup frekuensi, output
dapat diubah untuk mencocokkan impedansi karakteristik Waveguide.
Aturlah mikrometer sekrup pada osilator Gunn sampai 10 mm. Pada keadaan ini
Gambar Rangkaian.
Tegangan Min
Rasio Gelombang
42.8
(mV)
22.4
Berdiri
1.91
()
9.78%
2.6 ANALISA
Pada praktikum Gelombang Mikro kali ini Pencocokan Antena Horn dapat dinalisakan
sebagai berikut:
Antena horn berfungsi sebagai untuk mengubah sinyal listrik menjadi sinyal elektromagnetik,
lalu meradiasikan nya (pelepasan energy elektromagnetik ke udara/ ruang bebas). Dan
sebaliknya antenna juga dapat berfungsi untuk menerima sinyal elektromagnetik.
Gelombang mikro dapat dihasilkan dengan menggunaka Dioda Gunn. Arus-Tegangan
karakteristik Gunn diode memilii segmen rentang dinamis negative, dan dapat diketahui juga
bahwa Gunn dioda digunakan pada rentang frekuensi antara 1 GHz sampai dengan 100 GHz
kekuatan yang dicapai oleh Gunn osilator berkisar dari 50 mW hingga 200 W.
Pada saat kami melakukan percobaan maka frekuensi 9KHz muncul pada saat tegangan
minimum 22.4 pada garis kurva, dan pada tegangan maksumum nya berninai 42.8.
Keuntungan utama dari antena horn adalah ia menyediakan tingkat signifikan directivity
dan keuntungan,untuk meningkat gain dan untuk kecepan rana.
2.7 KESIMPULAN
Dari praktikum ini Pencocokan Antena Horn dapat disimpulkan bahwa :
Antena horn adalah bentuk yang sangat berguna antena, untuk digunakan dengan
aplikasi microwave RF dan pengumpan waveguide
Antena horn mungkin sebuah bentuk yang sangat berguna dari desain antena RF
untuk digunakan pada frekuensi tinggi.