SENSOR CAHAYA | 37

SENSOR CAHAYA

3.1 TUJUAN PEMBELAJARAN

Setelah membaca bab ini, anda diharapkan mampu untuk :
Menjelaskan frekuensi, panjang gelombang, kecepatan propagasi dan spektrum radiasi
elektromagnet.
Mendefinisikan daya, intensitas, dan efek divergensi radiasi elektromagnet.
Menjelaskan sensor- sensor cahaya : Fotokonduktif, Fotovoltaik, dan Fotoemisi.

3.2 DASAR-DASAR RADIASI ELEKTROMAGANET (EM)

3.2.1 Definisi-definisi dasar :

Frekuensi (f) :banyaknya osilasi per detik suatu radiasi panas melalui beberapa titik baku di ruang
angkasa. Satuan frekuensi hertz (H)
Panjang gelombang () : jarak antara 2 nilai maksimal atau 2 nilai minimal berturut-turut dari suatu
gelombang dalam suatu propagasi.
-10
Satuan panjang gelombang meter (m) atau angstrom (= 10 m).
Kecepatan propagasi (c). Propagasi radiasi EM pada ruang hampa udara dengan kecepatan tetap
tergantung pada panjang gelombang dan frekuensi, sehingga kecepatannya dapat dinyatakan :
c f , dimana c = 2, 3x108 m/det (kecepatan radiasi EM dalam ruang hampa udara).
Jika radiasi kemudian bergerak dari ruang hampa udara ke ruang tak hampa, maka kecepatnnya
akan berkurang , kecepatnnya akan diindikasikan oleh indeks bias.
c
n , (3.1)
v
dimana n = indeks bias dan v = kecepatan radiasi EM dalam material (m/det)

Spektrum radiasi EM. Katagori radiasi oleh panjang gelombang atau frekuensi disebut sebagai
spektrum radiasi. Spektrum radiasi diperlihatkan dalam gambar 3.1
Cahaya tampak. Cahaya tampak mempunyai lebar pita yang sempit mendekati 400 nm 760
nm). Pita spektrum ini mewakili semua panjang gelombang yang mampu ditangkap manusia.
Infra red IR. IR mempunyai spektrum yang lebar dan diluar kemampuan penerimaan mata
manusia, yaitu mendekati 0,76m - 100m.
 SENSOR CAHAYA | 38
Frekuens i Panjang Gel.
(f) (m )

Sinar X
1018 0,3n

UV
1015 0,3 Cahay a tampak

IR
1012 0,3m

Mikro
Gel.
109 0,3

TV/Radio
106 0,3k

VLF
103 0,3M

Gambar 3.1 Spektrum radiasi EM

3.2.2 Karakteristik cahaya

Foton. Radiasi EM pada frekuensi tertentu dapat menjalar dalam kuantitas energi tertentu. Jika
beberapa sumber radiasi EM memancarkan radiasi pada satu frekuensi yang sama, maka energi
yang dipancarkan sejumlah satuan quanta, yang disebut sebagai foton. Energi satu foton
dinyatakan :
hc
Wp hf (3.2)

dimana Wp = energi foton (J), h = 6,63x10-34 J.det (konstanta Planck). Energi foton jauh lebih kecil
dibandingkan dengan energi elektrik, sebagaimana contoh 3.1.

Contoh 3.1
Suatu gelombang mikro memancarkan radiasi pulsa pada 1 GHz dengan egergi total 1Joule. Carilah (a)
energi per foton, dan (b) jumlah foton dalam radiasi pulsa tersebut.
Penyelesaian :
9 -1
(a) Energi per foton dimana 1 GHz = 10 det
Wp hf
(6,63 1034 J. det) (109 det 1 )
6,63 10 25 J
(b) Jumlah foton
W 1J
N
Wp 6,63 10 25 J / foton
1,5 1024 foton
 SENSOR CAHAYA | 39
Intensitas. Intensitas merupakan daya radiasi EM (watt) per satuan luas.
P
I (3.3)
A
2 2
dimana I = intensitas (W/m ), P = daya (watt), A = luas daerah yang terkena radiasi (m )
Divergensi. Jika ada suatu sumber cahaya dengan intensitas cahaya tertentu dan luas A1, maka jika
terdapat jarak antara sumber cahaya dengan penerima cahaya dimana luas penerima A2 lebih besar
dari sumber, maka cahaya akan disebarkan, sebagaimana Gambar 3.2. Penyebaran ini disebut
divergensi yang dinyatakan sebagai sudut . Untuk memahami pengaruh divergensi pada intensitas
cahaya, diperlihatkan dalam contoh 3.2.
A2
A1

Sum ber cahaya

Gambar 3.2 divergensi sumber radiasi EM

Contoh 3.2
Carilah intensitas suatu sumber cahaya (a) pada sumber cahaya itu sendiri, (b) pada jarak 1 meter dari
o
sumber cahaya yang berjari-jari 0,05m dengan sudut divergensinya 2 .
Penyelesaian
(a). Intensitas pada sumber cahaya :

A1 R 12 (3,14) (0,05m) 2
7,85 103 m 2
P
I1
A1
10W
1273W / m 2
7,85 10 3 m 2
(b). Intensitas jika jauh dari sumber
R 2 R 1 L tan()
0,05m (1m) tan(2 o )
0,085m

A 2 R 22 (3,14) (0,085m) 2
0,0227m 2
P
I2
A2
10W
2
440,53W / m 2
0,0227m
 SENSOR CAHAYA | 40
3.3 FOTODETEKTOR

3.3.1 Detektor Fotokonduktif

Fotokonduktif bekerja berdasar daya hantar semikonduktor terhadap intensitas radiasi cahaya.
Perubahan daya hantar ini diubah menjadi resistansi, sehingga Detektor fotokonduktif seringkali
disebut sebagai sel fotoresistif.
Prinsip kerja :
Sebagaimana prinsip bahan semikonduktor, dalam fotodetektor, foton diserap sehingga elektron
dalam fotodetektor melompat dari pita valensi ke pita konduksi, semakin banyak elektron yang
melompat ke pita konduksi resistansi menjadi menurun, sehingga resistansi berkebalikan dengan
intensitas radiasi.
Agar foton dapat menyebabkan elektron melompat, maka harus memiliki energi minimal sebesar
energi celah. Energi foton ditunjukkan dalam Persamaan 3.4
hc
Ep Wg
maks
(3.4)
hc
maks
Wg

Struktur sel
Kebanyakan fotokonduktif menggunakan material cadmium sulfide (CdS) dengan energi celah
2,42 eV atau cadmium selenide (CdSe) dengan energi celah 1,74 eV.
Karena energi celah yang dimiliki kedua bahan di atas sangat besar, maka material tersebut
memiliki resistivitas yang tinggi pada temperatur ruangan. Untuk mengatasi, maka digunakan
struktur khusus sebagaimana Gambar 3.3
luas = panjang x ketebalan m edia fotokonduktif

m edia fotokonduktif

Konduktor

Gambar 3.3 Struktur sel fotokonduktif. (a) Tampak samping, (b) Tampak atas

Resistansi yang dihasilkan sel fotokonduktor dinyatakan dalam persamaan 3.5.

l
R (3.5)
A
dimana R = resistansi (), = resistivitas (m), l = panjang, dan A = luas penampang (m ).
2
 SENSOR CAHAYA | 41
Karakteristik Sel
Karakteristik sel fotokonduktor diperlihatkan dalam Tabel 3.1.

Tabel 3.1 Karakteristik fotokonduktor

Fotokonduktor Konstanta waktu Lebar spektral
CdS ~100 mdet 0,47 s/d 0,71 m
CdSe ~10 mdet 0,6 s/d 0,77 m
PbS ~400 det 1 s/d 3 m
PbSe ~ 10 det 1,5 s/d 4 m

Resistansi nominal pada kondisi gelap bervariasi antara ratusan sampai beberapa M tergantung
tipe fotokonduktor.
Variasi resistansi terhadap intensitas radiasi adalah nonlinear, dengan resistansi menurun jika
intensitas meningkat. Grafik resistansi terhadap intensitas radiasi diperlihatkan dalam Gambar 3.4.
Kebanyakan sel mempunyai disipasi daya 50 sampai 500 mW tergantung ukuran dan konstruksinya.

5,0

4,5

4,0
Sel Fotokonduktif
3,5 = 0,5m
Resistansi (k)

3,0

2,5

2,0

1,5

1,0

0,5

0,0
0 20 40 60 80 100 120
Intensitas (mW/m2)
Gambar 3.4 Respon non linear resistansi terhadap intensitas radiasi sel fotokonduktif

Pengkondisi sinyal
untuk mengubah resistansi menjadi arus atau tegangan digunakan rangkaian op-amp. yang
menggunakan fotokonduktor sebagai elemen rangkaian digunakan.
Karena resistansi berubah terhadap cahaya, maka sel fotokonduktor bertindak sebagaimana resistor
variabel.

Contoh 3.3
Suatu sel CdS mempunyai resistansi pada kondisi gelap 100k dan resistansi jika terkena cahaya 30 k.
Konstanta waktusel tersebut 72 mdet. Rancang piranti yang digunakan untuk memicu komparator 3V
selama 10 mdet dari penyalaan cahaya.
Penyelesaian
Resistansi pada 10 mdet adalah :

R ( t ) Ri (Rf Ri )[1 e t / ]
R (10m det) 30k 70k (0,1296) 39,077k
Nilai R2 pada penguat membalik jika menggunkan tegangan masukan 1V adalah :
 SENSOR CAHAYA | 42
R R
Vout 2 (1V) 2 ,
R1 R1

karena Vout yang diinginkan 3 V dengan R = 39,077k, maka R2 13k.

R1 sel foto

-1V R2

- Komparator
-
+
+ Vout

+3V

Gambar 3.5 Rangkaian penyelesaian untuk contoh 3.3

3.3.2 Detector Fotovoltaik

Fotovoltaic merupakan piranti yang menghasilkan tegangan jika adaa intesitas radiasi EM mengenai
piranti tersebut.
Prinsip kerja
Prinsip operasi diperlihatkan dalam Gambar 3.6. Sel pada kenyataaannya dibentuk sebagaimana
diode yang besar dengan mengunakan sambungan PN.
Jika foton menimpa sell pada lapiasan P atas dan diserap oleh elektron pada lapisan Nyang
menyebabkan terjadinya elektron konduksi dan hole.
pengosongan pada sambungan PN kemudian membedakan elektron konduksi dan hole yang
menyebabkan terjadinya beda potensial. Terminal bagian atas positif, dan bagian bawah negatif.
Juga memungkinkan dibuat sel yang lapisan atasnya tipe N, maka polaritasnya akan berbeda.
radiasi

Kontak konduktor
bag. atas Semikonduktor tipe-P

Sambungan PN

Semikonduktor tipe-N

Vout

Dasar konduktor

Gambar 3.6 Struktur fotovoltaic (solar cell)

Karakteristik
Karakteristik fotovoltaic diperlihatkan dalam Tabel 3.2

Tabel 3.2 Karakteristik fotovoltaic

Material Sel Konstanta waktu Lebar spektral
Silicon (Si) ~20det 0,44 m - 1m
Selenium (Se) ~2mdet 0,3 m 0,62 m
Germanium (Ge) ~50det 0,79 m 1,8 m
Indium arsenide (InAs) ~1det 1,5 m 3,6 m
Indium antimonide (InSb) ~10det 2,3 m 7 m
 SENSOR CAHAYA | 43
Karakteristik fotovoltaik dapat dipahami dengan mengamati karakteristik IV diode. Gambar 3.7
memperlihatkan kurva karakteristik diode fotosensitif sebagai fungsi intensitas cahaya.
I maju

I
+ V -

V balik V maju

Gelap V fotovoltaik

1
I hubung singkat
2
3 I balik
Intensitas cahaya
(relatif)
Gambar 3.7 Kurva IV ( arus-tegangan) diode sambungan PN dengan variasi radiasi EM

Fotovoltaic dapat dimodelkan sebagai sumber tegangan ideal (Vc) yang seri dengan resistansii
internal Rc sebagaimana gambar 3.8.
Arus hubung singkat Isc tegangan sell secara sederhana dinyatakan sebagai Vc/Rc.

IR
Rc
Vc

Gambar 3.8 Rangkaian model fotovoltaic

Pengkondisi sinyal
Jika Isc linear dihubungkan dengan intensitas radiasi, maka memungkinkan untuk mengukur arus
dalam instrumentasi.
Pengkondisi sinyal yang sering digunakan adalah op.amp. penguatan arus, sebagaimana gambar 3.9.
tegangan keluaran dapat dihitung sebagaiaman persamaan 3.6
Vout R I sc (3.6)

-
IR
Rc
Vc + Vout

Gambar 3.9 Rangkaian pengkondisi sinyal dengan menggunakan op.amp.

Contoh 3.4
2
Sel fotovoltaic digunakan pada intensitas radiasi antara 5 sampai 12 mW/cm . Pengukuran
memperlihatkan jangkauan tegangan keluaran tanpa beban 0,22 sampai 0,41 V . Jika diberi beban 100
akan memberikan arus 0,5 sampai 1,7 mA.
 SENSOR CAHAYA | 44
a. cari jangkauan arus hubung singkat
b. rancang pengkondisi sinyal yang menyediskan tegangan keluaran linear dari 0,5 sampai 12 V
Penyelesaiaan
a. Untuk mencari Isc , maka Jika Gambar 3.8 dipasang beban 100, maka
Vc
IL
100 R c
R c (Vc 100I L ) / I L
2
maka pada 5 mW/cm Rc = (0,22-0,05)/0,0005 = 340
2
pada 12 mW/cm Rc = (0,42 0,17)/0,0017 = 147
2
sehingga Isc (5 mW/cm ) = 0,22/340 = 0,65 mA
2
Isc (12 mW/cm ) = 0,42/147 = 2,85 mA

b.
Vout m I sc Vo
1,2 0,00286m Vo
0,5 0,00065m Vo _
0,7 0,0021m
m 316,7
maka Vo = 1,2 0,00286(316,7) = 0,294
-12V

300

- 1k 31,67k
5,1V 5,4k
+
-
100
set 100 1k
-0,0928V + Vout

- 31,67k
IR
Vc +

Gambar 3.10 Rangkaian penyelesaian contoh 3.4 (b)

3.3.3 Detektor Fotodiode

Efek fotodiode mengacu pada pada fakta bahwa foton menimpa sambungan PN dengan karakteristik
IV arus balik, sehingga diode beroperasi pada daerah bias balik.
Gambar 3.11a memperlihatkan koneksi bias balik pada diode dan Gambar 3.11b memperlihatkan
kurva IV bias balik pada fotodiode. Garis beban digunakan untuk menentukan perubahan tegangan
pada diode sebagai fungsi intensitas cahaya dan garis beban digambar pada kurva IV bias balik.
Keunggulan fotodiode adalah respon waktunya cepat (orde nanodetik).
 SENSOR CAHAYA | 45
Konstruksi : pada umumnya foto diode sangat kecil sebagaimana diode pada umunya, sehingga
diperlukan lensa untuk memfokuskan cahaya pada sambungan PN. Seringkali lensa dibuat satu
kemasan pada wadah.
Respon spektral adalah pada range infra red, tetapi masih bisa dgunakan pada range cahaya tampak
(visibel).

R
Vout
IR

(a)

V -25 -20 -15 -10 -5

R
0
100 -200

200 -400

300 -600

400 -800

Intensitas cahaya -1000

(W/m 2)
-1200
(b)
I (A) -1400

Gambar 3.11 Fotodiode yang menggunakan sambungan PN dengan variasi arus bias balik terhadap
intensitas cahaya

Contoh 3.5
Fotodiode Gambar 3.13 digunakan pada rangkaian Gambar 3.14. berapa range tegangan keluaran jka
2
intensitas cahaya yang digunakan 100 s/d 400 W/m .

IR
1k
-20V
-
15k
Vout
+

Gambar 3.14 Rangkaian untuk contoh 3.5

Penyelesaian
Sebagaimana garis beban pada Gambar 6.16b dengan catu daya 20V, maka arus tanpa tegangan jatuh
diode dihitung sebagai berikut :
Vcc 20V
I 1,33mA
R 15k
2
dari garis beban menunjukkan untuk range intensitas cahaya 100 s/d 400 W/m adalah 200 s/d -800A,
sehingga tegangan keluaran dengan menggunakan op.amp pengubah arus-tegangan, maka dapat
dihitung
Vout 1000I
1000(200A) 0,2V
1000(800A) 0,8V
 SENSOR CAHAYA | 46
3.3.4 Detektor Fototransistor
Merupakan perluasan konsep fotodiode.
Jika radiasi EM menimpa sambungan kolektor-basis, maka akan terjadi arus basis dan memberikan
arus kolektor-emitor.
Gambar 3.15 memperlihatkan simbol simbol skematik dan kurva IV transistor. Garis beban
menggunakan resistor di kolektor dan tegangan catu sebagai fungsi intensitas cahaya.
Respon waktu fototransistor tidak secepat fotodiode, tetapi masih dalam orde mikrodetik.
Respon spektral , dimana respon maksimum berada dalam range infra red tetapi range visible masih
memungkinkan.

28

Vcc
24

Arus Kolektor
20
Rc Intensitas cahaya
(W/m 2)
16
40
Vce 12
30
8 20

4 10

2 4 6 8 10 12 14 16
Tegangan kolektor-emitor
(a)
(b)
Gambar 3.15 (a) Simbol skematik fototransistor
(b) Kurva IV fototransistor dengan arus kolektor-tegangan kolektor emitor dengan arus
basis berasala dari intensitas cahaya

Contoh 3.6
Karakteristik fototransistor diperlihatkan dalam Gambar 3.15(b) digunakan dalam rangkaian
sebagaiamana Gambar 3.16(a) dengan catu daya 14V dan resistansi kolektor 500. Berapa range Vce
2
dengan cahaya yang mempunyai intensitas 10 s/d 40 W/m .
Penyelesaian
Sumbu tegak (Ic)
Vcc 14V
Ic 28mA
Rc 500
sumbu datar (Vce) = 14 V,
maka dengan melihat perotongan garis beban dengan intesistas cahaya maka dpat dilihat, pada
intesistas 10 W/m = 12 V sedang pada intensistas 40 W/m = 5V.
2 2

jadi transistor mempunyai tegangan dengan range 12 sampai 5 V.

3.3.4 Detektor Fotoemisi

Prinsip detektor fotoemisi:
Katoda dipertahankan pada tegangan negatif dengan anoda ditanahkan dengan menggunakan
resistor (R).
 SENSOR CAHAYA | 47
Bagian dalam katoda dilapisi bahan photoemisi, yaitu logam yang elektronnya mudah terlepas
dari permukaan logam (atau dengan kata lain tidak memerlukan energi yang besar untuk
melepaskan elektron dari material).
Jika photon menimpa permukaan katoda dan memberikan energi yang cukup kepada elektron
untuk melepaskan diri dari lapisan photoemisi
Elektron yang terlepas ini akan digerakkan dari katoda ke anode dengan adanya tegangan pada
katoda, dan kemudian mengalir melalui R.
Jadi arus yang mengalir tergantung pada intensitas cahaya yang menimpa katoda.

Penutup
dari gelas

lapisan photoemisi

Anoda

Photocatoda
masukan cahaya
Photoelectron

Vout
R

-V

Gambar 3.17 Struktur dasar diode photoemisi

Catatan :
Detektor photoemisi telah ada sejak beberap tahun lalu, keunggulannya : detektor ini merupakan
salah satu detektor yang paling sensitif, jangkauan spektrum dan sensistivitasnya dapat dipilih dari
beberapa tip detektor photoemisi yang ada.
Kelemahannya photodetektor ini merupakan detektor yang cukup besar dibandingkan dengan
detektor lainnya, dan tidak fleksibel untuk detektor modern.

Prinsip Tabung Fotomultiplier:

Photomultiplier disusun dari beberapa elektroda yang disebut dynode, dan elektroda yang
terakhir adalah anode, yang ditanahkan melalui resistor R.
Photoelektron dari katoda akan menimpa dynode 1 dengan energi yang mencukupi untuk
mengeluarkan beberapa elektron.
Proses ini akan diulang pada tiap-tiap dynode, elektron yang mencapai anode akan mempunyai
jumlah yang semakin besar yang menyebabkan arus mengalir melalui R. 1 photon akan
menghasilkan 1 juta elektron pada anode. Proses ini memberikan efek sensitivitas yang baik
pada multiplier.
Oleh karena itu, berbeda dengan transduser yang lain, photomultiplier akan memberikan
penguatan.
Spesifikasi multiplier tergantung pada
1. Jumlah dynode dan bahan material, hal ini akan mempengaruhi penguatan arus. Penguatan
5 7
yang khas 10 sampai 10 .
 SENSOR CAHAYA | 48
2. Respon spektral akan dipengaruhi oleh bahan pelapis katoda dan transparansi gelas yang
dimana radiasi EM diloloskan. Jangka panjang gelombang 0,12 sampai 0,95m.
Pengkondisi sinyal : menggunakan catu daya tegangan tinggi dengan polaritas negatif. Katoda
secara khas membutuhkan 1000 sampai 2000 V, tegangan dynode merupakan pembagian
dari catu tersebut, misal ada 10 dynode dengan tegangan katoda 1000V, maka dynode 1=-
900V, dynode2=-800V dan seterusnya.

Radiasi
EM

-V1 -Vc
Dynode 1 Photocathode

-V2
Dynode 2
-V3
Dynode 3

-Vn-1
-Vn
Dynode n-1
Dynode n

Anode Vout
R

Gambar 3.18 Struktur photomultiplier

3.4 PHYROMETRY
Dalam sub-bab ini akan dibahas mekanisme relasi radiasi dan temperatur dan bagaimana
menggunakannya pada pengukuran temperatur.

3.4.1 Radiasi Termal

Semua benda mempunyai temperatur absolut terbatas yang memancarkan radiasi EM.
Karena benda memancarkan radiasi EM, dimana radiasi tersebut berupa energi, maka objek akan
kehilangan energi. Sebagai akibatnya terjadi penurunan temperatur sesuai energi yang dilepaskan.
Secara umum, kondisi seimbang dicapai jika objek memancarkan energi yang sama dengan energi
yang tersisa pada suhu tetap.
Penguatan energi dapat terjadi akibat kontak termal dengan objek lain atau menyerap radiasi EM dari
objek sekelilingnya.
Pengaruh antara pemancaran radiasi EM dan penyerapan panas oleh suatu objek diperlukan untuk
mencapai kondisi setimbang.

Radiasi Blackbody
Suatu objek ideal akan menyerap seluruh energi yang menimpanyatanpa memperhatikan panjang
gelombang (penyerap ideal), selain itu objek akan memancarkan radiasi tanpa memperhatikan sifat
panjang gelombang tertentu (pemancar ideal)
Suatu radiasi EM yang dipancarkan dari objek ideal diperlihatkan dalam gambar 3.19.
 SENSOR CAHAYA | 49

0,8
pita cahaya tampak

Kerapatan energi radiasi EM

0,6 2000K

(skala relatif)
0,4

0,2 500K

0 1 2 3 4 5 6
Panjang Gelombang (mikron)
Gambar 3.19 idealisasi radiasi EM yang dipancarkan oleh blackbody ideal sebagai fungsi temperatur

Keterangan Gambar 3.19:

Sumbu x menyatakan panjang gelombang radiasi
Sumbu y menyatakan energi yang dipancarkan tiap detik (disipasi daya) per unit area pada panjang gelombang tertentu.
Luasan dibawah kurva menyatakan total energi per detik.

Untuk radiasi blackbody temperatur dan radiasi yang dipancarkan berkorespondensi satu-satu
dengan respek sebagai berikut :
1. Radiasi Total. Radiasi blackbody memperlihatkan total energi radiasi yang dipancarkan per detik
untuk semua panjang gelombang meningkat terhadap pangkat empat dari temperatur,
4
E=T (3.7)
2
dimana E = radiasi yang dipancarkan dalam J/s per unit area atau W/m dan T = temperatur
objek (K)
2. Radiasi monokrom. Energi radiasi yang dipancarkan pada panjang gelombang tertentu
meningkat sebagai fungsi temperatur. Hal ini dimanesfetasikan dengan objek yang bersinar lebih
terang pada panjang gelombang yang sama sebagai fungsi meningkatnya temperatur.

3.4.2 Broadband Phyrometer (phyrometer pita lebar)

Salah satu jenis sistem pengukuran temperatur berdasar radiasi EM yang dipancarkan menggunakan
relasi antara total energi radiasi yang dipancarkan dan temperatur.
Secara praktis sangat sulit mewujutkan sistem pendeteksi yang dapat merespon seluruh panjang
gelombang, sebagaimana Gambar 3.19, tetapi sebagian besar energi dibawa oleh radiasi IR dan
cahanya tampak. Pengumpulan energi radiasi memberikan pendekatan yang baik untuk total energi
radiasi.
Salah satu jenis pyrometer dirancang untuk mengumpulkan semua radiasi gelombang cahaya
tampak sampai IR, yang disebut phyrometer radiasi total, sebagaimana diperlihatkan dalam
Gambar 3.20
 SENSOR CAHAYA | 50
reflektor

detektor
masukan radiasi
dari objek

output

Gambar 3.20 Phyrometer radiasi total menentukan temperatur objek

dengan masukan dari gelomabng radiasi jarak jauh

Detektor yang digunakan seringkali terdiri dari susunan mikrotermokopel dengan lempengan
platinum. Radiasi diserap oleh lempengan platinum yang akan memberikan panas dan oleh
termokopel akan diubah menjadi emf.
Phyrometer IR adalah versi broadband phyrometer yang pling sensitif. Piranti ini menggunakan lensa
yang terbuat dari silikon atau germanium untuk memfokuskan IR pada detektor yang sesuai.
Karakteristik :
mempunyai pembacaan langsung dalam suhu, baik analog maupun digital.
Mempunyai range pengukuran 0 sampai 1000C dengan ketelitian 5C sampai 0,5C tergantung
harga.
Pengukuran yang akurat memerlukan masukan emisi yang bervariasi dalam faktor skala
Aplikasi phyromter IR dalam industri : fasilitas produksi metal, intrustri kaca, proses semikonduktor.

3.4.3 Narrowband Phyrometer

Merupakan phyrometer yang tergantung pada variasi emisi energi radiasi monokrom terhadap
temperatur.
Disebut juga phyrometer optik, karena scara umum hanya mencakup panjang gelombang cahaya
tampak.
Intensitas pada panjang gelombang tertentu sebanding dengan temperatur, jika intensitas suatu
objek sesuai dengan objek yang lain, maka temperaturnya akan sama.
Intensitas filamen platinum yang panas akan bervariasi sampai sesuai dengan objek yang
temperaturnya telah ditetapkan, karena temperaturnya sekarang sama dan temperatur filamen
dikalibrasikan terhadap panas, maka temperatur objek dapat ditentukan.
Range pengukuran pada sisi rendah , dimana objek tampak dalam warna merah (~500K) dan
dibatasi pada titik leleh platinum (~3000K), secara khas akurasinya 5K sampai 10K
Piranti tidak dapat secara mudah digunakan untuk proses kontrol karena memerlukan pembanding
optik yang teliti.