Bab11 Tegangan Panjar Transistor PDF
Bab11 Tegangan Panjar Transistor PDF
11 TRANSISTOR
arus basis i B yang relatif kecil atau dengan mengubah sedikit tegangan basis-emitor
v BE . Karenanya, transistor mempunyai kemungkinan untuk digunakan sebagai
penguatan arus, tegangan atau daya dari suatu masukan. Namun perlu diperhatikan
bahwa bentuk keluaran harus sama dengan bentuk isyarat masukan. Syarat ini tidak
mudah untuk dipenuhi.
Kenyataan di atas adalah benar walaupun masukan hanya berupa isyarat yang
sangat sederhana misalnya berupa fungsi sinus yang berosilasi secara sama di atas dan
di bawah harga 0 volt. Sebagai ilustrasi diperlihatkan pada gambar 11.1-a, yaitu dengan
mengenakan isyarat tersebut pada masukan transistor. Sayangnya, sampai dengan
masukan berharga + 0,6 volt, arus kolektor masih relatif kecil. Saat masukan telah
melebihi harga tegangan ini, arus kolektor membesar dengan cepat, naik sebesar e =
2,718 kali setiap ada kenaikan 25 mV kenaikan masukan (ingant pers. eksponensial).
Besarnya arus agar masukan berada sedikit di atas tingkat kritis diperlihatkan
pada gambar 11.1-b. Besarnya tegangan keluaran diberikan oleh
v CE = VCC − iC R L (11.1)
Ini ditunjukkan pada gambar 11.1-c, bahwa keluaran identik dengan masukan.
Kita kembali pada tipe karakteristik keluaran transistor seperti terlihat pada
gambar 11.2, dimana kita telah mengikutkan nilai v BE untuk setiap kurva karakteristik.
Dari kurva-kurva yang didapat terlihat bahwa seharusnya transistor diberi panjar ( v BE )
sebesar 637 mV. Dengan demikian untuk masukan yang berosilasi ± 10 mV akan
memberikan perubahan arus kolektor yang cukup besar.
"
&
% %
'
+ , - . , / 2
3 3
) *
Karena biasanya
VCC > 3 V
v BE ≈ 0,6 V
IC = β IB (11.4)
dan dapat diatur sesuai yang dikehendaki. Sayangnya transistor yang digunakan dapat
memiliki β yang bervariasi.
v CE = VCC − iC R L
1 V
iC = − vCE + CC
RL RL
dimana ini akan berupa garis lurus jika diplot dengan v CE sebagai sumbu-x dan iC
sebagai sumbu-y. Garis lurus ini menghubungkan dua titik, yaitu di titik perpotongan
pada sumbu v CE (dimana iC = 0 ) di v CE = VCC , dan di titik perpotongan pada sumbu iC
(dimana v CE = 0 ) di iC = VCC / R L . Garus lurus ini biasa disebut sebagai “garis beban”.
Sebagai contoh pada gambar 11.2 telah disertakan garis beban dengan parameter
VCC = 10 volt R L = 10 k 6
iC = 0,45 mA v CE = 5,5 V
Hal yang sama untuk arus basis 5,6 µA akan memberikan titik seperti ditandai pada
gambar 11.2, yaitu
iC = 0,5 mA v CE = 5 V
Harga di atas merupakan harga DC yang cocok untuk pengoperasian transistor. Titik
ini biasa disebut sebagai titik tenang (quiescent point) Q.
Saat terjadi perubahan i B (atau v BE ), harga iC atau v CE akan naik ke atas atau
turun di bawah garis beban, memperlihatkan adanya perubahan keluaran. Nilai DC arus
dan tegangan yang ditunjukkan oleh titik Q mempunyai beberapa keterbatasan. Pada
gambar 11.5 diperlihatkan karakteristik keluaran beserta garis beban suatu transistor
daya-medium.
B C C
7 8 9
yang akan melawan kenaikan I C . Rangkaian ini tidak dapat menetapkan I C dengan
baik, tetapi paling tidak dapat menjamin bahwa VCE akan berada pada harga paling
tidak 1 volt- atau kemungkinan lain , arus basis akan sangat kecil dan VCE akan
berharga sangat tinggi, tentu ini suatu yang kontradiksi.
Q
W X
Y Z Z
G H I
F J K
L
S T U
v B = VCC × R2 / (R1 + R2 )
V E = V B − 0,6
I E ≈ VE / RE
V × R2 (11.6)
≈ CC − 0,6 / R E
R1 + R2
Jika masukan diharapkan mempunyai efek yang maksimum, maka pada emitor
hampir tidak ada tegangan AC- dan hanya ada di basis. Kapasitor C E memastikan
kondisi tersebut, namun kapasitor harus berharga sangat besar. Perhatikan rangkaian
tertutup v i , C , B − E , C E untuk melihat kenapa digunakan C E .
Agar kita dapat mengabaikan harga arus basis pada perhitungan di atas, arus
pada pembagi potensial harus relatif besar. Ini dimungkinkan karena arus emitor tidak
terlalu tergantung pada besarnya β dari transistor, tetapi kita mengharapkan arus AC
masukan terbuang karena harga R1 , R2 terlalu rendah.
R B = R1 × R2 / (R1 + R2 ) . (11.8)
I E R E = (β + 1)I B R E (11.9)
Dengan menggunakan hukum Kirchhoff tentang tegangan, pada rangkaian tertutup yang
melibatkan V BB , R B , V BE , dan R E , diperoleh
V BB = (β + 1) I B R E + V BE + I B R B
sehingga
V BB − V BE
IB = (11.10)
(β + 1)R E + RB
V B = V E + V BE
IC = β I B
VC = VCC − I C R L (11.11)
Perhatikan bahwa pada persamaan di atas terdapat VC bukan VCE . Jika pada emitor
terdapat resistor seperti rangkaian ini, maka kita harus memodifikasi garis bebannya.
VCE = VC − V E
I R 2 = VB / R2
I R1 = (VCC − V B ) / R1
V BB − V BE
IE = (11.12)
R E + R B / (β + 1)
Dua parameter pada persamaan 11.12 yang bervariasi antara transistor satu dengan
lainnya adalah V BE dan β . V BE biasanya berharga sekitar 0,2 V, sehingga pembilang
V BB − V BE sedikit tergantung pada jenis transistor jika
atau V BB ≥ 3 V (misalnya)
β biasanya berharga paling tidak = 25, sehingga penyebut pada persamaan 11.12 tidak
tergantung pada jenis transistor jika
R E >> R B / 26
Kita tidak perlu menginagt-ingat persamaan di atas, namun dua langkah yang perlu
diingat adalah:
i) Gantikan rangkaian pembagi potensial dengan rangkaian yang lebih
sederhana.
ii) Gunakan analisa rangkaian dengan hukum Kirchhoff tentang tegangan pada
loop basis-emitor.
Jika digunakan dua pencatu daya, rangkaian di atas dapat disederhanakan seperti terlihat
pada gambar 11.7. Di sini masukan tidak perlu dipasang kapasitor, dan masukan akan
berubah-ubah terhadap tanah (ground).
^ _
j j
f k l
b c
_ ` a
i i
Contoh 1
Pada gambar 11.4 misalnya rangkaian mempunyai
VCC = 10 V
RL = 5 k ]
R panjar = 1 M ]
I B = 9,4 V/1 M o
= 9,4 m n
i) IC = β I B
= 0,282 mA
VC = VCC − I C R L
= 10 – 0,282 × 5
= 8,59 V (nilai yang sedikit terlalu tinggi)
= 0,94 mA
VC = 10 − 0,94 × 5
= 5,3 V (panjar yang baik)
= 2,82 mA
VC = 10 − 2,82 × 5
= -4,1 V
tentu saja nilai ini jelas salah. Dengan menggunakan I C = β I B , kita secara
implisit berasumsi bahwa transistor berada dalam daerah aktif, asumsi ini salah.
Jelas transistor berada pada tegangan yang sangat rendah, atau berada pada “daerah
jenuh”. Kita dapat menduga
VC ≈ 0,2 V
= 1,96 mA
Keadaan panjar ini sangat tidak cocok untuk suatu penguat.
R panjar = 470 k s
Jawab
Perhatikan bahwa I C (= β I B ) dan I B keduanya mengalir melalui R L . Karenanya kita
mempunyai
I B = (VC − V BE ) / R panjar
VC = VCC − (β + 1) I B R L
VC = VCC − xVC + xV BE
VCC + xV BE
=
1+ x
i) Untuk β = 30
x = 31 × 5 / 470
= 0,333
10 + 0,33 × 0,6
VC =
1,33
= 7,67 V (harga panjar yang tidak terlalu bagus)
(β + 1) I B = (10 − 6,67 )V/5 k s
I C = 0,45 mA
= 9,36 µA
(β + 1)I B = (VCC − VC ) / R L
= 5 V/5 kΩ
= 1 mA
sehingga ini dapat dicapai jika
(β + 1) = 1 mA/9,36 µA
= 107
Untuk β = 30 kita harus mempunyai arus basis yang lebih, sehingga kita coba VC yang
lebih tinggi, katakan 7 V. Jadi
I B = (7 – 0,6) V/470 kΩ
= 13,6 µA
I C = 0,6 mA
(β + 1) = 44 ( β = 43)
Jelas kita tidak akan mencoba VC yang terlalu tinggi; kita coba 7,5 V.
I B = 14,7 µA
(β + 1)I B = 0,5 mA
(β + 1) = 34 ( β = 33)
Dengan ekstrapolasi dari kedua percobaan kita di atas, selanjutnya kita dapat menduga
33 − 30
V C = 7,5 + × (7,5 − 7,0)
43 − 33
= 7,65 V
Saat
I B = 15 µA
(β + 1)I B = 0,47 mA
(β + 1) = 31,3
= 0,964 mA.
Sebaiknya kita perlu curiga apakah kita tidak melakukan kesalahan perhitungan. Kita
dapat memeriksa dengan menghitung
I B = (5,13 – 0,6) V/470 kΩ
= 9,64 µA
β = 0,964 mA/9,64 u v
= 100
dan ternyata sudah benar.
= 1,43 mA.
R E = 1,8 k w
R1 = 470 k w
R2 = 120 k w
Jawab
Dengan menggunakan persamaan 11.7 dan 11.8 didapat
V BB = 12 × 120 / 590
= 2,44 V
R B = 120 k // 470 k
w w
= 95,6 kΩ
i) Untuk β = 30
V BB − V BE
IB =
(β + 1)R E + R B
(2,44 − 0,6) V
=
(31 × 1,8 + 95,6) k w
= 12,15 x y
IC = β IB
= 30 × 12,15
x y
= 0,36 mA
VC = VCC − I C R L
= 12 − 0,36 × 5
= 10,18 V (agak terlalu tinggi)
I E = 0,38 mA
Perhatikan bahwa V B berada di bawah V BB , keadaan panjar ini akan bekerja lebih baik
jika perbedaan keduanya semakin kecil.
= 6,63 z {
IC = β IB
= 100 × 6,63
z {
= 0,663 mA
VC = VCC − I C R L
= 12 − 0,663 × 5
= 8,68 V (masih agak terlalu tinggi)
I E = 0,670 mA
VE = I E RE
= 1,2 V
V B = V E + V BE
= 1,8 V
= 2,89 } ~
IC = β IB
= 300 × 2,89
} ~
= 0,866 mA
VC = VCC − I C R L
= 12 − 0,866 × 5
= 7,67 V (panjar ya ng cukup bagus)
I E = 0,869 mA
VE = I E RE
= 1,56 V
V B = V E + V BE
= 2,16 V
Harga ini sedikit di bawah V BB , dan rangkaian panjar cukup cocok untuk transistor
dengan β yang sedemikian tinggi.
Contoh 4
Ulangi contoh 3 untuk R1 , R2 yang diturunkan sepuluh kali lebih rendah, yaitu
R1 = 47 k
R2 = 12 k
Jawab
V BB tidak berubah
R B = 9,56 kΩ
= 28,2
IC = β IB
= 30 × 28,2
= 0,845 mA
VC = VCC − I C R L
= 12 − 0,845 × 5
= 7,78 V
I E = 0,873 mA
VE = I E RE
= 1,57 V
V B = V E + V BE
= 2,17 V
Harga ini tidak terlalu jauh dari harga V BB , sehingga kondisi panjar di atas cukup bagus.
Ini akibat kita menaikkan arus pada pembagi tegangan dan arus basis. Perhitungan
untuk kondisi ii) dan iii) dapat diteruskan, secara cepat ambil pendekatan dengan
mengabaikan arus basis.
Contoh 5
Pada gambar 11.8 misalnya rangkaian mempunyai
VCC = V EE = 15 V
R L = 100 k
R E = 220 k
Jawab
Secara sederhana kita mempunyai
V BB = 0 V
V E = −0,6 V
= 65,5
Karena secara efektif kita mempunyai R B = 0 , β tidak diperlukan lagi. Kita dapat
IC ≈ IE
= 65,5
VC = 15 V − 65,5 × 100 k
= 8,45 V