RINGKASAN TUGAS KE 3

Penguat Terbenam

OLEH

NAMA :MIFTAHURRAHMI

NIM :18033153

PRODI :PENDIDIKAN FISIKA D

DOSEN : Drs. HUFRI, M.Si

JURUSAN FISIKA
FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
 UNIVERSITAS NEGERI PADANG
2020

A. Penguat terbenam

Untuk memperoleh penguatan yang tidak terlalu besar maka dipasang tahanan RE1 antara
emitor dengan kapasitor pintas. Tujuan pemasangan RE1 adalah untuk mendapatkan
penguatan yang lebih stabil dan untuk mengurangi distorsi. Penguatan ini biasa disebut
penguat terbenam (swamped amplifier). Pada penguat terbenam emitor tidak lagi pada
tahanan AC sehingga efek temperatur terhadap penguatan dapat diperkecil. Dengan
menambahkan tahanan RE1 sinyal dari emitor melewati tahanan RE1 dan ke ground melalui
kapasitor pintas,sedangkan arus DC dari emitor mengalir melalui tahanan RE1 dan RE2. Bentuk
rangkaian penguat terbenam:

1. Analisis DC Dari Penguat Terbenam

Dengan penambahan tahanan RE1 antara emitor dengan kapasitor pintas menyebabkan arus
emitor akan berubah. Arus emitor akan mengalir melalui tahanan R E1 dan RE2,sedangkan arus
kolektor mengalir melalui tahanan Rc. Melalui loop keluaran dapat ditentukan persamaan
tegangan DC sesuai dengan hukum kirchoff :

Vcc= Ic Rc + VcE + IE (RE1 + RE2)...................................................................................(1)

Arus emitor mendekati arus kolektor karena faktor penguatan arus α bernilai sekitar satu.
Persamaan garis beban pada keluaran diberikan :

Vcc−VcE
Ic = ...............................................................................................................(2)
Rc + ℜ1+ ℜ2

Berdasarkan persamaan garis beban di atas,dengan penambahanan tahanan RE1 pada kaki
emitor meyebabkan arus kolektor berkurang. Tegangan antara kaki emitor denga ground atau
VE ditentukan oleh persamaan :

VE = IE (RE1 + RE2)..........................................................................................................(3)

Sedangkan pada loop masukan penguat juga berlaku hukum kirchoff tentang tegangan
sumber VB. Karena antara kaki basis dan emitor terdapat tegangan V BE dan antara kaki emitor
dengan ground terdapat tegangan VE sehingga pada loop masukan berlaku

VB = IB RB + IE (RE1 + RE2 ) + VBE .................................................................................(4)

Dalam kondisi tahanan RB tidak terlalu besar suku pertama pada persamaan (4) dapat
diabaikan terhadap suku yang lain karena kuat arus IB biasanya sangat kecil,sehingga secaa
pendekatan tegangan VB :

VB = IE (RE1 + RE2 ) + VBE..............................................................................................(5)

Disisi lain pemberian bias pada bagian masukan dilakukan sendiri oleh penguat melalui
rangkaian pembagi tegangan antara tahanan RB1 dan RB2 pada bagian masukan dengan
tegangan sumber Vcc :

RB 2
VB = Vcc..........................................................................................................(6)
RB 1+ RB 2

Sedangkan tahanan pengganti antara tahanan RB1 dan RB2 adalah :

RB = RB1// RB2..................................................................................................................(7)

Melalui pengaturan salah satu tahanan RB1 atau RB2 menggunakan potensiometer dapat
ditentukan titik kerja transistor berada ditengah-tengah garis beban.

2. Analisis AC dari Penguat Terbenam

Arus AC akan mudah mengalir pada kapasitor karena sifat kapasitor dapat melewatkan arus
AC dan akan menahan arus DC. Dengan penambahan tahanan RE1 antara kaki emitor dengan
kapasitor pintas menyebabkan sinyal terpaksa melewati tahanan RE1. Akibatnya sinyal akan
mengalir melewati tahanan RE1 dan kapasitor pintas CE ke ground.

Tahanan yang melintang antara kaki base dengan ground dapat ditentukan dari perbandingan
antara tegangan masukan dengan arus base. Karena itu tahanan Rit dapat ditulis :

Vi
Rit = = hie + (1+β) RE1..........................................................................................(8)
ib

Dalam bentuk lain tahanan Rit dapat ditulis :

Rit = (1+β) [re + RE1] .................................................................................................(9)

Tahanan RB pada masukan penguat tersusun secara paralel dengan tahanan Rit sehingga
impedansi masukan dari penguatan :

RB RIt
Ri = RB // Rit = ..............................................................................................(10)
RB + Rit

Penguaan dari penguat didapat dari perbandingan antara tegangan keluaran dengan tegangan
masukan :

VO β Ro
Kv = =- ............................................................................................................(11)
Vi Rit

Tegangan keluaran dalam keadaan terbuka diberikan oleh :

Vo = Kv Vi ....................................................................................................................(12)

Impedansi keluaran dari penguat terbenam dapt ditentukan melalui rangkaian pembagi arus
pada keluaran :

1
Rc
hoe
Ro = ..........................................................................................................(13)
1
+ ℜ 1+ RC
hoe

Dalam kenyataan tahapan 1/hoe jauh lebih besar dari penjumlahan Rc dengan R E sehingga
((Rc + RE ) dapat diabaikan terhadap 1/hoe. Dalam kondisi (Rc + RE) << 1/hoe maka
impedansi keluaran dari penguat mendekati tahanan Rc.
 B. Penguat dengan JFET

Field Effect Transistor atau disingkat dengan FET adalah komponen Elektronika aktif
yang menggunakan Medan Listrik untuk mengendalikan Konduktifitasnya. Field Effect
Transistor (FET) dalam bahasa Indonesia disebut dengan Transistor Efek Medan. Dikatakan
Field Effect atau Efek Medan karena pengoperasian Transistor jenis ini tergantung pada
tegangan (medan listrik) yang terdapat pada Input Gerbangnya. FET merupakan Komponen
Elektronika yang tergolong dalam keluarga Transistor yang memilki Tiga Terminal Kaki
yaitu Gate (G), Drain (D) dan Source (S).

Field Effect Transistor atau FET memiliki fungsi yang hampir sama dengan Transistor
bipolar pada umumnya.  Perbedaannya adalah pada pengendalian arus Outputnya. Arus
Output (IC) pada Transistor Bipolar dikendalikan oleh arus Input (IB) sedangkan Arus Output
(ID) pada FET dikendalikan oleh Tegangan Input (V G) FET. Jadi perlu diperhatikan bahwa
perbedaan yang paling utama antara Transistor Bipolar (NPN & PNP) dengan Field Effect
Transistor (FET) adalah terletak pada pengendalinya (Bipolar menggunakan Arus sedangkan
FET menggunakan Tegangan).

Dua konfigurasi dasar transistor efek medan junction

 ➤ N-channel JFET
Saluran N-channel JFET didoping dengan pengotor donor berarti aliran arus melalui Saluran
Negatif (N-channel) dalam bentuk Elektron.
  ➤  P-channel JFET
Saluran P-channel JFET didoping dengan Impurities Akseptor berarti aliran arus melalui
Saluran Positif (P-channel) dalam bentuk lubang.

N-channel JFET memiliki konduktivitas saluran yang lebih besar (Resistansi yang lebih
rendah) daripada jenis saluran P yang setara, karena elektron memiliki mobilitas yang lebih
tinggi melalui konduktor dibandingkan dengan lubang. Membuat N-channel JFET menjadi
konduktor yang lebih efisien dibandingkan dengan P-channel.

N-channel JFET Biasing

PN-Junction memiliki Bias Balik yang tinggi pada terminal Drain dan Reverse Bias yang
lebih rendah pada terminal Source. Menyebabkan "Lapisan Deplesi" dibentuk dalam
Saluran dan lebarnya bertambah dengan Bias.

Arus yang mengalir melalui saluran antara Drain dan Source dikendali kan oleh tegangan
yang diterapkan ke terminal Gate, yang merupakan Bias Balik. Dalam N-channel JFET,
tegangan Gate Negatif sedangkan untuk P-channel JFET, tegangan Gate Positif.
Diagram penampang menunjukkan Saluran Tipe-N dengan daerah Tipe-P yang disebut
Gerbang yang terdifusi ke dalam Saluran Tipe-N yang membentuk suatu Persimpangan-PN
Bias-Balik dan membentuk daerah Deplesi sekitar area Gerbang ketika tidak ada tegangan
eksternal yang diterapkan. JFET dikenal sebagai Perangkat Mode Penyusutan.

JFETChannelPinched-Off

Tanpa tegangan Gerbang eksternal (VG = 0), dan tegangan kecil (VDS) yang diterapkan
antara Drain dan Source, Arus saturasi maksimum (IDSS) akan mengalir melalui saluran
dari Saluran ke Sumber yang dibatasi hanya oleh daerah penipisan kecil di sekitar
persimpangan.
Jika tegangan Negatif kecil (-VGS) diterapkan ke Gerbang ukuran wilayah penipisan
mulai meningkat mengurangi keseluruhan area efektif saluran dan mengurangi arus yang
mengalir melaluinya, semacam efek “Peras” terjadi.

Karena Bias Terbalik, arus mengalir ke Gerbang. Ketika tegangan Gate (-VGS) lebih
Negatif, lebar saluran menurun sampai tidak ada arus mengalir antara Drain dan Sumber dan
FET dikatakan "Terjepit-Off" (wilayah Cut-Off untuk BJT). Tegangan di mana saluran
menutup disebut "Pinch-Off Voltage" (VP).

Pinch-Off, tegangan Gerbang, VGS mengontrol arus saluran dan VDS memiliki sedikit atau
tanpa efek. Hasilnya FET bertindak lebih seperti resistor yang dikontrol tegangan yang
memiliki Resistansi nol ketika VGS = 0 dan maksimum "ON" Resistance (RDS) ketika
tegangan Gate Negatif. Operasi normal, gerbang JFET selalu Bias Negatif Relatif terhadap
sumbernya

Jenis-jenis Field Effect Transistor (FET) dan Cara Kerjanya

1. Junction FET (JFET).

Cara Kerja JFET pada prinsipnya seperti kran air yang mengatur aliran air pada pipa.
Elektron atau Hole akan mengalir dari Terminal Source (S) ke Terminal Drain (D). Arus pada
Outputnya yaitu Arus Drain (ID)  akan sama dengan Arus Inputnya yaitu Arus Source (IS).
Prinsip kerja tersebut sama dengan prinsip kerja sebuah pipa air di rumah kita dengan asumsi
tidak ada kebocoran pada pipa air kita.

Besarnya arus listrik tergantung pada tinggi rendahnya Tegangan yang diberikan pada
Terminal Gerbangnya (GATE (G)). Fluktuasi Tegangan pada Terminal Gate (VG) akan
menyebabkan perubahan pada arus listrik yang melalui saluran I S atau ID. Fluktuasi yang
kecil dapat menyebabkan variasi yang cukup besar pada arus aliran pembawa muatan yang
melalui JFET tersebut. Dengan demikian terjadi penguatan Tegangan pada sebuah rangkaian
Elektronika.

Junction FET atau sering disingkat dengan JFET memiliki 2 tipe berdasarkan tipe bahan
semikonduktor yang digunakan pada saluran atau kanalnya. JFET tipe N-Channel (Kanal N)
terbuat dari bahan Semikonduktor tipe N dan P-Channel (Kanal P) yang terbuat dari
Semikonduktor tipe P.
1.1. JFET Kanal-N

Berikut dibawah ini adalah gambar struktur dasar JFET jenis Kanal-N.

Saluran atau Kanal pada jenis ini terbentuk dari bahan semikonduktor tipe N dengan satu
ujungnya adalah Source (S) dan satunya lagi adalah Drain (D). Mayoritas pembawa muatan
atau Carriers pada JFET jenis Kanal-N ini adalah Elektron.

Gate atau Gerbang pada JFET jenis Kanal-N ini terdiri dari bahan semikonduktor tipe P.
Bagian lain yang terbuat dari Semikonduktor tipe P pada JFET Kanal-N ini adalah bagian
yang disebut dengan Subtrate yaitu bagian yang membentuk batas di sisi saluran berlawanan
Gerbang (G).

Tegangan pada Terminal Gerbang (G) menghasilkan medan listrik yang mempengaruhi aliran
pada pembawa muatan yang melalui saluran tersebut. Semakin Negatifnya VG,  semakin
sempit pula salurannya yang akhirnya mengakibatkan semakin kecil arus pada outputnya (ID).

1.2. JFET Kanal-P

Berikut dibawah ini adalah gambar struktur dasar JFET jenis Kanal-P.

Saluran pada JFET jenis Kanal-P terbuat dari Semikonduktor tipe P. Mayoritas pembawa
muatannya adalah Hole. Bagian Gate atau Gerbang (G) dan Subtrate-nya terbuat dari bahan
Semikonduktor tipe N.
Di JFET Kanal-P, semakin Positifnya VG, semakin sempit pula salurannya yang akhirnya
mengakibatkan semakin kecilnya arus pada Output JFET (ID).

Dari Simbolnya, kita dapat mengetahui mana yang JFET Kanal-N dan JFET Kanal-P. Anak
Panah pada simbol JFET Kanal-N adalah menghadap ke dalam sedangkan anak panah pada
simbol JFET Kanal-P menghadap keluar.

Karakteristik JFET

P-channel Junction Field Effect Transistor beroperasi sama dengan N-channel, dengan
pengecualian
  ➽  Arus saluran positif karena lubang
  ➽  Polaritas tegangan bias harus dibalik
Karakteristik Output JFET N-channel (Gerbang hubungan singkat ke Sumber).

Menunjukkan empat wilayah operasi berbeda.

 ➽  Daerah Ohmic
      - Ketika VGS = 0 lapisan penipisan saluran sangat kecil dan JFET bertindak           seperti
Resistor yang dikontrol tegangan.

 ➽  Cut-Off Region
      - Daerah Pinch-Off adalah tegangan Gate, VGS cukup untuk menyebabkan 
        JFET bertindak rangkaian terbuka sebagai Hambatan Saluran Maksimal.

 ➽  Saturasi atau Wilayah Aktif

      - JFET menjadi konduktor yang baik dan dikendalikan oleh tegangan
        Gerbang-Sumber, (VGS) sementara tegangan Sumber Pembuangan,
        (VDS) memiliki sedikit atau tidak ada efek.

 ➽  Breakdown Region
      - Tegangan antara Drain dan Source, (VDS) cukup tinggi 
         untuk menyebabkan Saluran Resistivitas JFET memecah
         dan melewatkan arus maksimum.

Karakteristik Kurva P-channel sama, kecuali ID arus Pembuangan berkurang dengan

meningkatnya tegangan Gate-Source Positif, VGS.
Arus Drain adalah nol ketika VGS = VP. Untuk operasi normal, VGS Bias berada antara VP
dan 0. menghitung arus Drain, ID untuk setiap titik bias dalam kejenuhan atau wilayah aktif.

Drain Current pada Active Region

Nilai Arus Drain akan berada di antara Nol (Pinch-Off) dan IDSS (arus maksimum). 

Mengetahui Drain ID saat ini dan tegangan Drain-Source VDS resistensi saluran (ID).

Drain-Source Channel Resistance

gm - "Keuntungan Transkonduktansi" JFET - perangkat yang dikontrol tegangan dan

mewakili laju perubahan dari arus Drain sehubungan dengan perubahan tegangan Gerbang-
Sumber.
Amplifier Field Effect Transistor

Seperti Transistor Bipolar, JFET digunakan untuk rangkaian Penguat Kelas-A tunggal
dengan Penguat Sumber JFET dan Karakteristik sangat mirip dengan Rangkaian Emitor BJT.
Keuntungan Amplifier JFET memiliki lebih dari Amplifier BJT adalah Impedansi Input
Tinggi yang dikendalikan oleh jaringan Resistif Gerbang Biasing yang dibentuk oleh R1 dan
R2.

Rangkaian Penguat Sumber Umum (CS) Bias di Mode Kelas-"A" oleh jaringan pembagi
tegangan oleh R1 dan R2. Tegangan Sumber Resistor RS diatur menjadi sekitar seperempat
VDD, (VDD/4) berupa nilai yang masuk akal.

Tegangan Gerbang yang dibutuhkan dapat dihitung dari Nilai-RS ini. Karena Gerbang saat
ini Nol, (IG = 0), kita dapat mengatur tegangan DC yang diperlukan dengan pemilihan
Resistor R1 dan R2 yang tepat.

Kontrol Arus Drain oleh Potensial Gerbang Negatif membuat Junction Field Effect Transistor
berguna sebagai saklar dan penting tegangan Gerbang tidak pernah positif untuk JFET
Saluran-N karena arus saluran akan mengalir ke Gerbang dan bukan Drain yang
menyebabkan kerusakan pada JFET.
 Aplikasi 

Junction Field Effect Transistor

  •  Low Noise dan High Input Impedance Amplifier -

Kebisingan adalah gangguan yang tidak diinginkan yang mengganggu sinyal - semakin besar
noise mengurangi informasi. Perangkat elektronik energi menyebabkan sejumlah gangguan.
Jika FET digunakan di bagian depan, mendapatkan jumlah noise lebih sedikit pada output.

  •  Buffer Amplifier - Penguat Beredam Rendah -

Harus memiliki impedansi input yang sangat tinggi dan impedansi output yang rendah.
Karena impedansi I/P yang tinggi dan impedansi keluaran yang rendah, FET bertindak
sebagai penguat buffer yang besar.

  •  Sumber Arus Konstan - Current Source -

Tegangan suplai di seluruh beban. Untuk meningkatkan beban yang berlebihan mendorong
JFET ke wilayah aktif. bertindak sebagai sumber arus.

  •  Radio Frequency Amplifier -

JFET baik dalam operasi Sinyal Arus Rendah karena merupakan perangkat semikonduktor
yang dikendalikan tegangan. Memiliki tingkat kebisingan yang sangat rendah. Digunakan
sebagai Penguat RF bagian Penerima Komunikasi.

  •  Saklar Analog atau Gerbang - Switch-

JFET dapat digunakan sebagai saklar ON/OFF yang mengontrol daya listrik.

  •  Chopper - 
Ketika gelombang sumber diterapkan ke Gerbang JFET,
Operasi chopper dapat dilakukan menggunakan JFET.

  •  Multiplexer -
Rangkaian multiplekser analog dapat dibuat menggunakan JFET.

  •  Penguat Diferensial

  •  Voltage Controlled Resistor

 Referensi

Asrizal.2013.Elektronika dasar 2. Padang : UNP

https://teknikelektronika.com/pengertian-field-effect-transistor-fet-dan-jenis-jenisnya/ diakses
08 Februari 2020

http://myelectronicnote.blogspot.com/2018/06/junction-field-effect-transistor-jfet.html diakses
08 Februari 2020

Tim Pengajar Elektronika Dasar.2019. Modul Praktikum Elektronika Dasar . Padang : UNP