PENGUAT GANDENGAN DC
A. Tujuan
1. Merancang titik kerja dari transistor agar berada ditengah-tengah garis beaban.
2. Menyelidiki hubungan antara tegangan keluaran dengan tegangan masukan dari
penguat gandengan biasa dan penguat menggunakan hubungan Darlington.
3. Menentukan besar penguatan dari penguat gandengan biasa dan penguat
menggunakan hubungan Darlington.
4. Menyelidiki pengaruh pembebanan terhadap arus, tegangan keluaran dan jatuh
tegangan pada keluaran dari penguat gandengan biasa dan penguat menggunakan
hubungan Darlington.
5. Menentukan impedansi keluaran dari penguat gandengan DC
No Peralatan Komponen/Bahan
Kabel penghubung
C. Landasan Teori
VCC
RC
RB1
Rs
C1 T2
T1 C2
RB 2 RE1
Vs
Vo
RE 2
CE
Dari rangkaian 1 kuat arus DC yang mengalir pada emitor transistor kedua dan petama
masing-masing didapat :
VCC VCE 2
IE2
RE 3 (1a)
VCC VC1
I E1
RC1 (1b)
Dengan VC1 I E 2 RE 3 VBE
Impedansi masukan, penguatan dari penguat dan impedansi ke;uaran dapat ditentukan
pada rangkaian setara. Impedansi masukan pada penguat dapat ditulis dala bentuk :
Ri RB // Rit1 (3a)
Disini Rit1 merupakan hambatann yang melintang antara base dengan ground dari
transistor pertama yaitu :
1 (1 2 )( RC // Rit 2 ) RE 3
KV
Rit1.Rit 2 (4a)
Dengan Rit 2 adalah hambatan yang melintang secara base dengan groun untuk transistor
kedua dan dinyatakan dalam bentuk :
RC
Ro ( RE 3 // Roe) //( re2 )
(1 2 ) (5)
Penguat gandengan DC yang kedua adalah penguat menggunakan hubungan
Darlington. Rangkaian dari penguat diberikan pada gambar 2 berikut :
VCC
RB1 C2
RS C1
T1
T2
Vs Vo
RB 2
RE1
RE 2
Dari gambar 2 kuat arus DC yang mengalir pada emitor transistor kedua dapat ditulis
seperti :
VCC VCE 2
IE2
RC RE 2 (6)
VB 2 I E 2 R E 2 VBE (7)
Kuar arus DC yang mengalir pada emitor transistor pertama diberikan dalam bentuk :
VB 2
I E1 IB2
RE1 (8)
Untuk penguat ini Rit1 merupakan hambatan yang melintang antara base dengan ground
dari transistor pertama yaitu :
Dengan Rit 2 adalah hambatan yang melintang antara base deangan ground untuk
transistor kedua
RE1 RO
KV 2 (1 1 )
RE1 Rit 2 Rit1 (11)
Ro ( RC // Roe) RC (12)
D. Tugas Pendahuluan
2. Kemukakanlah perbedaan dari segi hubungan dua transistor dan kuat arus
antara penguat gandengan DC biasa dengan penguat gandengan DC
menggunakan hubungan Darlington.
5. Bagaiman cara merancang titik kerja dari transitor agar berada ditengah-
tengah garis beban untuk kedua penguat secara perhitungan dan pengukuran?
8. Besaran apakah yang dapat diukur pada kedua jenis penguat dan bagaimana
cara mengukurnya?
4. Buatlah titik kerja dari transistor kedua berada ditengah-tengah garis beban.
5. Carilah tegangan masukan pada penguat dalam orde mV dan dalam keadaan
stabil dan tidak cacat.
9. Masukkanlah data hasil pengukuran arus dan tegaangan keluaran pada tabel 2.
10. Melalui prosedur yang sama dengan penguat gandengan DC dengan dua
transistor dihubungkan langsung, lakukan pula pengamatan terhadap penguat
gandengan DC menggunakan hubungaan Darlington seperti yang
diperlihatkan pada gambar 2.
11. Masukkanlah data hasil pengukuran tegangan masukan dan tegangan
keluaran dari penguat menggunakan hubungan Darilington pada tabel 3.
12. Masukkanlah data hasil pengkuran kuat arus dan tegangan keluaran dalam
keadaan terbeban dari penguat menggunakan hubungan Darlington pada
tabel 4.
Tabel 1. Data hasil pengukuran tegangan masukan daan tegangan keluaran dari penguat
gandengan DC biasa
(%)
1 2 3 4 5 6
Tabel 2. Data hasil pengukuran kuat arus dengan tegangan dari penguat gandengan DC
biasa.
No RL IL VOB VO
1. 2. 3. 4. 5.
Tabel 3. Data hasil pengukuran tegangan sumer, tegangan masukan dan tegangan
keluaran dari penguat gandengan DC menggunakan hubungan Darlington.
(%)
1 2 3 4 5 6
Tabel 4. Data hasil pengukuran kuat arus dan tegangan dari penguat gandengan DC
menggunakan hubungan Darlington.
No RL IL VOB VO
1. 2. 3. 4. 5.
F. Tugas Akhir
6. Melalui pertanyaan yang indentik dari soal nomor 1 sampai 5 untuk penguat
gandengan DC biasa, kerjakan pula untuk penguat gandengan DC
menggunakan hubungan Darlington.
G. Daftar Pustaka
Sutrisno, (1986). Elektronika Teori Dasar dan Penerapannya Jilid 2. ITB Bandung.
Hal :32-42.
Rober Boylestad and Louis Nashelsky, (1989). Electronic Devices and Circuit Theory,
Prentice-Hall. Hal : 439-446.