BAB I

PENDAHULUAN
1.1 Latar Be
Belakang

Dala
Dalam
m duni
duniaa kerj
kerja,
a, manu
manusi
siaa diaj
diajar
arii oleh
oleh tekn
teknol
olog
ogii untu
untuk 
k 
memecahk
memecahkan
an masalah-m
masalah-masal
asalah
ah kerja secara
secara efisien
efisien dan efektif.
efektif. Tidak 
Tidak 
heran kalau hal ini berpengaruh secara kuat terhadap pengelolaan serta
organisasi perusahaan-perusahaan dan industri , agar tak tertinggal dalam
 persaingan global.
global.

Kemampuan menguasai teknologi tinggi adalah merupakan syarat

mutlak bagi suatu negara untuk memasuki negara industri baru. Salah satu
 bidang teknologi tinggi yang sangat mempengaruhi peradaban manusia di
 bumi ini adalah teknologi
teknologi semikonduktor
semikonduktor dan mikroelektronika.
mikroelektronika.

Dewasa ini bahan semikonduktor organik mendapat perhatian baik 

dari kalangan peneliti maupun industri. Hal ini dikarenakan sifatnya yang
ramah
ramah lingku
lingkunga
ngan,
n, dalam
dalam arti
arti mudah
mudah hancu
hancurr dalam
dalam alam.
alam. Sehing
Sehingga
ga
sampahnya tidak merusak lingkungan.

Unsur golongan III A yaitu Boron, Aluminium, Galium, Indium dan

Talium. Yang mana unsur yang segolongan mempunyai sifat yaitu makin
ke bawah letak suatu unsure dalam sistem periodik maka, nomor atom dan
 jari-jari atomnya makin besar sedangkan keelektronegatifan dan energy
ionisasinya makin kecil dan begitu pula sebaliknya.

Unsur boron tidak ditemukan di alam, tetapi timbul sebagai asam

othorboric dan biasanya ditemukan dalam sumber mata air gunung berapi

1
 dan sebagai borates di dalam boron dan colemantie. Ulexite, mineral boron
yang lain dianggap sebagai serat optik alami.

Sumber-sumber penting boron adalah rasorite (kernite) dan tincal 

(bijih borax). Kedua bijih ini dapat ditemukan di gurun Mojave. Tincal 
merupakan sumber penting boron dari Mojave. Deposit borax yang banyak 
 juga ditemukan di Turkey.

10
Boron muncul secara alami sebagai campuran isotop B sebanyak 
19.78% dan isotop 11B 80.22%. Kristal boron murni dapat dipersiapkan
denga
dengann cara
cara reduks
reduksii fase
fase uap boron
boron triklo
triklorid
ridaa atau
atau tribomi
tribomida
da dengan
dengan
hidrogen pada filamen yang dipanaskan dengan listrik. Boron yang tidak 
murni (amorphous boron ) menyerupai bubuk hitam kecokletan dan dapat
dipersiap
dipersiapkan
kan dengna
dengna cara memanask
memanaskan
an boron trioksida dengan
dengan bubuk 
bubuk 
magnesium..
magnesium

Boron dengan kemurnian 99.9999% telah diproduksi dan tersedia

secara komersil. Boron bukan konduktor listrik yang bagus pada suhu
ruangan, tetapi pada suhu yang lebih tinggi.

1.2 Maksud dan Tujuan

Adapun maksud dan tujuan di buatnya makalah ini adalah:

a. Meng
Mengetah
etahui,m
ui,menge
engerti
rti dan memah
memahami
ami tentang
tentang fungsi
fungsi dan
dan kegunaa
kegunaann
dari material Boron.

 b. Mengetahui, mengerti

mengerti dan memahami
memahami tentang struktur material
material Boron

c. Meng
Mengetah
etahui,
ui, menger
mengerti
ti dan memah
memahami
ami tentang
tentang sifat
sifat-sifat
-sifat Boron
Boron..

d. Meng
Mengetah
etahui,
ui, mengerti
mengerti dan
dan memahami
memahami tentang
tentang stand
standarisa
arisasi
si Boron

e. Meng
Mengetah
etahui,
ui, menger
mengerti
ti dan memaha
memahami
mi tentang
tentang karakte
karakteristik
ristik Boron
Boron

2
1.3 Batasan Penulisan

Makalah ini hanya dibatasi pada Bahan Boron, sifat-sifatnya, serta

 peranannya.
 peranannya.

1.4 Metoda Penulisan

Makalah ini ditulis dengan metoda deskriptif, yaitu menggambarkan dan

menguraikan hal-hal yang berhubungan dengan Bahan Boron.

1.5 Sistematika Penulisan

Makalah ini ditulis dalam beberapa bab antara lain :

• BAB I PENDAHULUAN

Dala
Dalam
m bab
bab ini
ini diur
diurai
aika
kann hal-h
hal-hal
al umum
umum yang
yang berk
berkai
aita
tann deng
dengan
an
 penulisan makalah
makalah ini, yaitu :

• Latar Belakang

• Maksud dan Tujuan

• Batasan Penulisan

• Metoda Penulisan

• Sistematika Penulisan

• BAB II TEORI DASAR 

Dalam bab ini di bahas mengenai bahan semikonduktor secara umum,

yaitu:

• Semikonduktor 

3
 • Prinsip Dasar Semikonduktor 
Semikonduktor 

• Susunan Atom Semi Konduktor 

• BAB III PEMBAHASAN

Dalam bab ini diuraikan hal-hal yang berkaitan dengan Bahan Boron,
yaitu :

• Definisi Boron

• Fungsi dan Kegunaan Boron

• Stuktur Material Boron

• Sifat-sifat Boron

• Standarisasi Boron

• Cara Produsi Boron

• Senyawa-senyawa
Senyawa-senyawa Campuran Boron

• Karakteristik Boron

• BAB III PENUTUP

Kesimpulan

• DAFTAR PUSTAKA

4
 BAB II

TEORI DASAR 
2.1 Semikonduktor

Semikonduktor adalah suatu material yang memiliki karakteristik 

diantara konduktor dan insulator. Hal ini dapat dipahami dari karakter 
energi gap semikonduktor yang berada diantara konduktor dan isolator.
Tentunya untuk masing-masing atom atau senyawa memiliki besar energi
yang berbeda. Semikonduktor sangat bergantung dari temperatur. Pada
temperatur terntentu semikonduktor dapat menghantarkan listrik atau
 bertindak sebagai konduktor, namun daya hantar atau konduktivitasnya
lebih rendah dibandingkan dengan konduktor. Pada temperatur yang
sangat rendah, material semikonduktor akan memiliki karakter seperti
insulator. Penambahan jumlah impuritas pada material semikonduktor juga
dapat menambah sifat konduktivitas listriknya.

2.2 Prinsip Dasar Semikonduktor

Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen

elektronika seperti dioda, transistor dan sebuah IC ( integrated circuit ).
Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang bukan
konduktor murni. Bahan- bahan logam seperti tembaga, besi, timah
disebut sebagai konduktor yang baik sebab logam memiliki susunan atom
yang sedemikian rupa, sehingga elektronnya dapat bergerak bebas.

5
 Sebenarnya atom tembaga dengan lambang kimia Cu memiliki inti
29 ion (+) dikelilingi oleh 29 elektron (-). Sebanyak 28 elektron
menempati orbit-orbit bagian dalam membentuk inti yang disebut
nucleus. Dibutuhkan energi yang sangat besar untuk dapat melepaskan
ikatan elektron-elektron ini. Satu buah elektron lagi yaitu elektron yang
ke-29, berada pada orbit paling luar.

Orbit terluar ini disebut pita valensi dan elektron yang berada pada
 pita ini dinamakan elektron valensi. Karena hanya ada satu elektron dan
 jaraknya 'jauh' dari nucleus, ikatannya tidaklah terlalu kuat. Hanya dengan
energi yang sedikit saja elektron terluar ini mudah terlepas dari ikatannya.

Gambar 2-1 : ikatan atom tembaga

Pada suhu kamar, elektron tersebut dapat bebas bergerak atau

 berpindah-pindah dari satu nucleus ke nucleus lainnya. Jika diberi
tegangan potensial listrik, elektron-elektron tersebut dengan mudah
 berpindah ke arah potensial yang sama. Phenomena ini yang dinamakan
sebagai arus listrik.

Isolator adalah atom yang memiliki elektron valensi sebanyak 8

 buah, dan dibutuhkan energi yang besar untuk dapat melepaskan elektron-
elektron ini. Dapat ditebak, semikonduktor adalah unsur yang susunan
atomnya memiliki elektron valensi lebih dari 1 dan kurang dari 8. Tentu
saja yang paling "semikonduktor" adalah unsur yang atomnya memiliki 4
elektron valensi.

6
2.3 Susunan Atom Semikonduktor

Bahan semikonduktor yang banyak dikenal contohnya adalah

Silicon (Si), Germanium (Ge) dan Galium Arsenida (GaAs). Germanium
dahulu adalah bahan satu-satunya yang dikenal untuk membuat komponen
semikonduktor. Namun belakangan, silikon menjadi popular setelah
ditemukan cara mengekstrak bahan ini dari alam. Silikon merupakan
 bahan terbanyak ke dua yang ada dibumi setelah oksigen (O 2). Pasir, kaca
dan batu-batuan lain adalah bahan alam yang banyak mengandung unsur 
silikon. Dapatkah anda menghitung jumlah pasir dipantai.

Struktur atom kristal silikon, satu inti atom (nucleus) masing-

masing memiliki 4 elektron valensi. Ikatan inti atom yang stabil adalah
 jika dikelilingi oleh 8 elektron, sehingga 4 buah elektron atom kristal
tersebut membentuk ikatan kovalen dengan ion-ion atom tetangganya.
Pada suhu yang sangat rendah (0 oK), struktur atom silikon
divisualisasikan seperti pada gambar berikut.

Gambar 2-2 : Struktur dua dimensi kristal Silikon

Ikatan kovalen menyebabkan elektron tidak dapat berpindah dari

satu inti atom ke inti atom yang lain. Pada kondisi demikian, bahan
semikonduktor bersifat isolator karena tidak ada elektron yang dapat
 berpindah untuk menghantarkan listrik. Pada suhu kamar, ada beberapa
ikatan kovalen yang lepas karena energi panas, sehingga memungkinkan

7
elektron terlepas dari ikatannya. Namun hanya beberapa jumlah kecil yang
dapat terlepas, sehingga tidak memungkinkan untuk menjadi konduktor 
yang baik.

Ahli-ahli fisika terutama yang menguasai fisika quantum pada

masa itu mencoba memberikan doping pada bahan semikonduktor ini.
Pemberian doping dimaksudkan untuk mendapatkan elektron valensi
 bebas dalam jumlah lebih banyak dan permanen, yang diharapkan akan
dapat mengahantarkan listrik. Kenyataanya demikian, mereka memang
iseng sekali dan jenius.

Tipe-N

Misalnya pada bahan silikon diberi doping  phosphorus atau arsenic yang
 pentavalen yaitu bahan kristal dengan inti atom memiliki 5 elektron
valensi. Dengan doping, Silikon yang tidak lagi murni ini (impurity
 semiconductor ) akan memiliki kelebihan elektron. Kelebihan elektron
membentuk semikonduktor tipe-n. Semikonduktor tipe-n disebut juga
donor yang siap melepaskan elektron.

Gambar 2-3 : doping atom pentavalen

Tipe-P

Kalau silikon diberi doping  Boron, Gallium atau  Indium, maka akan
didapat semikonduktor tipe-p. Untuk mendapatkan silikon tipe-p, bahan

8
dopingnya adalah bahan trivalen yaitu unsur dengan ion yang memiliki 3
elektron pada pita valensi. Karena ion silikon memiliki 4 elektron, dengan
demikian ada ikatan kovalen yang bolong ( hole). Hole ini digambarkan
sebagai akseptor yang siap menerima elektron. Dengan demikian,
kekurangan elektron menyebabkan semikonduktor ini menjadi tipe-p.

Gambar 2-4 : doping atom trivalen

Resistansi

Semikonduktor tipe-p atau tipe-n jika berdiri sendiri tidak lain adalah
sebuah resistor. Sama seperti resistor karbon, semikonduktor memiliki
resistansi. Cara ini dipakai untuk membuat resistor di dalam sebuah
komponen semikonduktor. Namun besar resistansi yang bisa didapat kecil
karena terbatas pada volume semikonduktor itu sendiri.

Dioda PN

Jika dua tipe bahan semikonduktor ini dilekatkan--pakai lem barangkali ya

:), maka akan didapat sambungan P-N ( p-n junction ) yang dikenal sebagai
dioda. Pada pembuatannya memang material tipe P dan tipe N bukan
disambung secara harpiah, melainkan dari satu bahan ( monolitic) dengan
memberi doping (impurity material ) yang berbeda.

9
 Gambar 2-5 : sambungan p-n

Jika diberi tegangan maju ( forward bias), dimana tegangan sisi P lebih
 besar dari sisi N, elektron dengan mudah dapat mengalir dari sisi N
mengisi kekosongan elektron ( hole) di sisi P.

Gambar2- 6 :forward bias

Sebaliknya jika diberi tegangan balik ( reverse bias), dapat dipahami tidak 
ada elektron yang dapat mengalir dari sisi N mengisi hole di sisi P, karena
tegangan potensial di sisi N lebih tinggi.

Dioda akan hanya dapat mengalirkan arus satu arah saja, sehingga dipakai
untuk aplikasi rangkaian penyearah ( rectifier ) . Dioda, Zener, LED,
Varactor dan Varistor adalah beberapa komponen semikonduktor 
sambungan PN yang dibahas pada kolom khusus.

Transistor Bipolar

Transistor merupakan dioda dengan dua sambungan ( junction).

Sambungan itu membentuk transistor PNP maupun NPN. Ujung-ujung
terminalnya berturut-turut disebut emitor, base dan kolektor. Base selalu
 berada di tengah, di antara emitor dan kolektor. Transistor ini disebut
transistor bipolar, karena struktur dan prinsip kerjanya tergantung dari

10
 perpindahan elektron di kutup negatif mengisi kekurangan elektron (hole)
di kutup positif. bi = 2 dan polar = kutup. Adalah William Schockley pada
tahun 1951 yang pertama kali menemukan transistor bipolar.

Gambar 2-7 : Transistor npn dan pnp

Akan dijelaskan kemudian, transistor adalah komponen yang

 bekerja sebagai sakelar ( switch on/off ) dan juga sebagai penguat
(amplifier ). Transistor bipolar adalah inovasi yang mengantikan transistor 
tabung (vacum tube). Selain dimensi transistor bipolar yang relatif lebih
kecil, disipasi dayanya juga lebih kecil sehingga dapat bekerja pada suhu
yang lebih dingin. Dalam beberapa aplikasi, transistor tabung masih
digunakan terutama pada aplikasi audio, untuk mendapatkan kualitas suara
yang baik, namun konsumsi dayanya sangat besar. Sebab untuk dapat
melepaskan elektron, teknik yang digunakan adalah pemanasan filamen
seperti pada lampu pijar.

Bias DC

Transistor bipolar memiliki 2 junction yang dapat disamakan

dengan penggabungan 2 buah dioda. Emiter-Base adalah satu junction dan
Base-Kolektor junction lainnya. Seperti pada dioda, arus hanya akan
mengalir hanya jika diberi bias positif, yaitu hanya jika tegangan pada
material P lebih positif daripada material N ( forward bias). Pada gambar 
ilustrasi transistor NPN berikut ini, junction base-emiter diberi bias positif 
sedangkan base-colector mendapat bias negatif ( reverse bias).

11
 Gambar 2-8 : arus elektron transistor npn

Karena base-emiter mendapat bias positif maka seperti pada dioda,

elektron mengalir dari emiter menuju base. Kolektor pada rangkaian ini
lebih positif sebab mendapat tegangan positif. Karena kolektor ini lebih
 positif, aliran elektron bergerak menuju kutup ini. Misalnya tidak ada
kolektor, aliran elektron seluruhnya akan menuju base seperti pada dioda.
Tetapi karena lebar base yang sangat tipis, hanya sebagian elektron yang
dapat bergabung dengan hole yang ada pada base. Sebagian besar akan
menembus lapisan base menuju kolektor. Inilah alasannya mengapa jika
dua dioda digabungkan tidak dapat menjadi sebuah transistor, karena
 persyaratannya adalah lebar base harus sangat tipis sehingga dapat
diterjang oleh elektron.

Jika misalnya tegangan base-emitor dibalik ( reverse bias), maka

tidak akan terjadi aliran elektron dari emitor menuju kolektor. Jika pelan-
 pelan 'keran' base diberi bias maju ( forward bias), elektron mengalir 
menuju kolektor dan besarnya sebanding dengan besar arus bias base yang
diberikan. Dengan kata lain, arus base mengatur banyaknya elektron yang
mengalir dari emiter menuju kolektor. Ini yang dinamakan efek 
 penguatan transistor, karena arus base yang kecil menghasilkan arus
emiter-colector yang lebih besar. Istilah amplifier  (penguatan) menjadi
salah kaprah, karena dengan penjelasan di atas sebenarnya yang terjadi

12
 bukan penguatan, melainkan arus yang lebih kecil mengontrol aliran arus
yang lebih besar. Juga dapat dijelaskan bahwa base mengatur membuka
dan menutup aliran arus emiter-kolektor ( switch on/off ).

Pada transistor PNP, fenomena yang sama dapat dijelaskan dengan

memberikan bias seperti pada gambar berikut. Dalam hal ini yang disebut
 perpindahan arus adalah arus hole.

Gambar2- 9 : arus hole transistor pnp

Untuk memudahkan pembahasan prinsip bias transistor lebih

lanjut, berikut adalah terminologi parameter transistor. Dalam hal ini arah
arus adalah dari potensial yang lebih besar ke potensial yang lebih kecil.

13
 Gambar 2-10 : arus potensial 

IC : arus kolektor 

IB : arus base

IE : arus emitor 

VC : tegangan kolektor 

VB : tegangan base

VE : tegangan emitor 

VCC : tegangan pada kolektor 

VCE : tegangan jepit kolektor-emitor 

VEE : tegangan pada emitor 

VBE : tegangan jepit base-emitor 

ICBO : arus base-kolektor 

VCB : tegangan jepit kolektor-base

14
Perlu diingat, walaupun tidak perbedaan pada doping bahan pembuat
emitor dan kolektor, namun pada prakteknya emitor dan kolektor tidak 
dapat dibalik.

Gambar 2-11 : penampang transistor bipolar 

Dari satu bahan silikon ( monolitic), emitor dibuat terlebih dahulu,

kemudian base dengan doping yang berbeda dan terakhir adalah kolektor.
Terkadang dibuat juga efek dioda pada terminal-terminalnya sehingga arus
hanya akan terjadi pada arah yang dikehendaki.

Berikut sejarah dari tahun-ketahun penemua penting di dalam bidang semi

konduktor.

1. 1821, Thomas Seebeck menemukan sifat-sifat semikonduktor PbS

2. 1833, Michael F araday menemukan kebergantungan konduktivitas

terhadap temperatur untuk sebuah kelas material baru semikonduktor 

3. 1873, W. Smith menemukan sensitivitas Se terhadap cahaya

4. 1875, Werner von Siemens menemukan fotometer Selenium

5. 1878, Alexander G raham Bell menggunakan devais ini untuk wireless

telecomunication system

6. 1947, Bardeen, Brattain, Schockley (Nobel Prize in Physcis)

menemukan Bipolar Junction Transistor 

7. 1954, Ch apin, Fueller, Pearson mengembangkan solar sel

8. 1958, John Kilby menemukan i ntegrated circuit (IC)

15
 9. 1958, Leo Esaki (Nobel Prize in Physics) menemukan dioda
terowongan ( tunnel diode)

10. 1960,K ahn dan At tal a mendemontrasikan MOS- FET pertama

BAB III

PEMBAHASAN
3.1 Definisi Boron

Boron merupakan salah satu unsur yang termasuk golongan IIIA

dengan nomor atom lima. Warna dari unsur boron adalah hitam. Boron

16
memiliki sifat diantara logam dan nonlogam (semimetalik). Boron lebih
 bersifat semikonduktor daripada sebuah konduktor logam lainnya.

Secara kimia boron berbeda dengan unsur- unsur satu golongannya.

Boron juga merupakan unsur metaloid dan banyak ditemukan dalam bijih
 borax. Ada dua alotrop boron; boron amorfus adalah serbuk coklat, tetapi
 boron metalik berwarna hitam. Bentuk metaliknya keras (9,3 dalam skala
Moh) dan konduktor yang buruk dalam suhu kamar. Tidak pernah
ditemukan bebas dalam alam.

Ciri-ciri optik unsur ini termasuklah penghantaran cahaya inframerah.

Pada suhu piawai boron adalah pengalir elektrik yang kurang baik, tetapi
merupakan pengalir yang baik pada suhu yang tinggi. Boron merupakan
unsur yang kurang elektron dan mempunyai p-orbital yang kosong. Ia
 bersifat elektrofilik. Sebagian boron sering berkelakuan seperti asam
Lewis yaitu siap untuk terikat dengan bahan kaya elektron untuk 
memenuhi kecenderungan boron untuk mendapatkan elektron.

Dalam tabel periodik boron berlambang B dan nomor atom 5. Bentuk 

metaliknya keras (9,3 dalam skala Moh) dan konduktor yang buruk dalam
suhu ruang. Tidak pernah ditemukan bebas dalam alam.

17
 Boron adalah satu-satunya unsur dalam golongan 13 yang tidak 
digolongkan sebagai logam. Boron merupakan unsur yang jarang
ditemukan dilapisan kulit bumi tapi dapat ditemukan dalm jumlah yang
 besar dalam bentuk endapan garamnya. Endapannya ini ditemukan disalah
satu lokasinya memiliki aktifitas vulkanik yang kuat, yang terdiri dari
garam-garam; borak dan kernik, secara berturut-turut dituliskan sebagai
 Na2B4O7.10H2O dan Na2B4O7.4H2O. total produksi senyawa Boron setiap
tahunnya diseluruh dunia berjumlah lebih dari 1 juta ton.

3.2 Fungsi dan Kegunaan Boron

a. Boron yang tidak murni digunakan pada pertunjukan kembang api
untuk memberikan warna hijau dan dalam roket sebagai pemicu.

 b. Boron merupakan componen utama dalam pembangkit tenaga nuklir 

karena kemampuannya berfungsi sebagai penyerap (absorber) netron ;
tongkat pengaduk yang berisi boron diturunkan ke dalam ruang reaktor 
untuk menjaga reaksi nuklir berlangsung pada kecepatan sedang yang
diinginkan.

c. Sebagai bahan pengisi kayu, pemadam api, dan sebagai fluks dalam
 proses pemarian (solder).

18
 d. Senyawa boron yang paling komersial adalah Na 2B4O75H2O.
Pentrahidra ini digunakan dalam jumlah yang banyak dalam
 pembuatan serat gelas yang dijadikan insulasi ( insulation fiberglass)
dan pemutih sodium perborat ( sodium perborate bleach).

e. Asam borik juga merupakan senyawa boron yang penting dan

digunakan dalam produk tekstil.

f. Senyawa-senyawa boron lainnya digunakan dalam pembuatan kaca

 borosilica dan dalam penyembuhan arthritis.

g. Isotop boron-10 digunakan sebagai kontrol pada reaktor nuklir,

sebagai tameng pada radiasi nuklir dan dalam instrumen-instrumen
yang digunakan untuk mendeteksi netron.

h. Boron nitrida memiliki sifat-sifat yang cemerlang karena ia sekeras

 berlian, dapat digunakan sebagai insulator listrik walau dapat
menghantar panas seperti logam.

i. Senyawa ini juga memiliki sifat lubrikasi seperti grafit.

 j. Boron hidrida dapat dengan mudah dioksidasi dan melepaskan banyak 
energi dan pernah digunakan sebagai bahan bakar roket.

k. Penawaran terhadap filamen boron juga meningkat karena bahan ini

kuat dan ringan dan digunakan sebagai struktur pesawat antariksa.

l. Boron mirip dengan karbon dalam memiliki kapasitas membentuk 

 jaringan molekul dengan ikatan kovalen. Karbonat, metalloboran,
fosfakaboran dan semacamnya terdiri dari ribuan senyawa.

3.3 Struktur Material Boron

Boron yang telah dimurnikan adalah padatan hitam dengan kilap

logam. Sel satuan kristal boron mengandung 12, 50, atau 105 atom boron,
dan satuan struktural ikosahedral B 12 terikat satu sama lain dengan ikatan 2

19
 pusat 2 elektron (2c-2e) dan 3 pusat 2 elektron (3c-2e) (ikatan tuna
elektron) antar atom boron (Gambar 4.1). Boron bersifat sangat keras dan
menunjukkan sifat semikonduktor.

Gambar 3.1 Struktur kristal boron dengan sel satuan ikosahedral.

Kimia boran (boron hidrida) dimulai dengan riset oleh A. Stock yang
dilaporkan pada periode 1912-1936. Walaupun boron terletak sebelum
karbon dalam sistem periodik, hidrida boron sangat berbeda dari
hidrokarbon. Struktur boron hidrida khususnya sangat tidak sesuai dengan
harapan dan hanya dapat dijelaskan dengan konsep baru dalam ikatan
kimia. Untuk kontribusinya dalam kimia anorganik boron hidrida, W. N.
Lipscomb mendapatkan hadiah Nobel Kimia tahun 1976. Hadiah Nobel
lain (1979) dianugerahkan ke H. C. Brown untuk penemuan dan
 pengembangan reaksi dalam sintesis yang disebut hidroborasi.

Karena berbagai kesukaran sehubungan dengan titik didih boran yang

rendah, dan juga karena aktivitas, toksisitas, dan kesensitifannya pada

20
udara, Stock mengembangkan metoda eksperimen baru untuk menangani
senyawa ini dalam vakum. Dengan menggunakan teknik ini, ia
mempreparasi enam boran B 2H6, B4H10, B5H9, B5H11, B6H10, dan B10H14
dengan reaksi magnesium borida, MgB 2, dengan asam anorganik, dan
menentukan komposisinya. Namun, riset lanjutan ternyata diperlukan
untuk menentukan strukturnya. Kini, metoda sintesis yang awalnya
digunakan Stock menggunakan MgB 2 sebagai pereaksi hanya digunakan
untuk mempreparasi B6H10. Karena reagen seperti litium tetrahidroborat,
LiBH4, dan natrium tetrahidroborat, NaBH4, kini mudah didapat, dan
diboran, B2H6, yang dipreparasi dengan reaksi 3 LiBH 4 + 4 BF3.OEt2 → 2
B2H6 + 3 LiBF4 + 4 Et2O, juga mudah didapat, boran yang lebih tinggi
disintesis dengan pirolisis diboran.

Teori baru diusulkan untuk menjelaskan ikatan dalam diboran, B 2H6.

Walaupun struktur yang hampir benar, yakni yang mengandung jembatan
hidrogen, telah diusulkan tahun 1912, banyak kimiawan lebih suka
struktur mirip etana, H3B-BH3, dengan mengambil analoginya dengan
hidrokarbon. Namun, H. C. Longuet-Higgins mengusulkan konsep ikatan
tuna elektron 3-pusat 2-elektron 3-center 2-bond  (ikatan 3c-2e bond) dan
 bahwa strukturnya memang benar seperti dibuktikan dengan difraksi
elektron tahun 1951 (Gambar 4.2).

Gambar 3.2 Struktur diboran

21
 Struktur ini juga telah dielusidasi dengan difraksi elektron, analisis
struktur kristal tunggal sinar-X, spektroskopi inframerah, dsb, dan
memang boran terbukti mengandung ikatan 3c-2e B-H-B dan B-B-B
 berikut:

Selain ikatan kovalen biasa 2c-2e B-H dan B-B. Struktur semacam
ini dapat ditangani dengan sangat memuaskan dengan teori orbital
molekul. Boran diklasifikasikan menjadi closo, nido, arachno , dsb. sesuai
dengan struktur kerangka atom boron.

selain ikatan kovalen biasa 2c-2e B-H dan B-B. Struktur semacam ini
dapat ditangani dengan sangat memuaskan dengan teori orbital molekul.
Boran diklasifikasikan menjadi closo, nido, arachno , dsb. sesuai dengan
struktur kerangka atom boron.

22
 Tidak hanya diboran, boran yang lebih tinggi juga merupakan
senyawa yang tuna elektron yang sukar dijelaskan dengan struktur Lewis
yang berbasiskan ikatan kovalen 2c -2e.

K. Wade merangkumkan hubungan jumlah elektron yang digunakan

untuk ikatan kerangka dan struktur boran dan mengusulkan aturan empiris

23
 yang disebut aturan Wade. Menurut aturan ini, bila jumlah atom boron n,
 jumlah elektron valensi kerangkanya 2(n+1) didapatkan jenis closo,
2(n+2) untuk jenis nido, dan 2(n+3) untuk jenis arachno. Hubungan antara
struktur kerangka dan jumlah elektron valensi adalah masalah penting
dalam senyawa kluster logam transisi, dan aturan Wade telah memainkan
 peranan yang signifikan dalam memajukan pengetahuan di bidang struktur 
senyawa kluster ini.

3.1 Sifat-sifat Boron

Boron yang telah dimurnikan adalah padatan hitam dengan kilap

logam. Sel satuan kristal boron mengandung 12, 50, atau 105 atom boron,
dan satuan struktural ikosahedral B12 terikat satu sama lain dengan ikatan
2 pusat 2 elektron (2c-2e) dan 3 pusat 2 elektron (3c-2e) (ikatan tuna
elektron) antar atom boron (Gambar 4.1). Boron bersifat sangat keras dan
menunjukkan sifat semikonduktor.
Bahan semikonduktor memiliki sifat hantaran listrik yang khusus,
sangat berlainan dengan bahan konduktor. Apabila logam-logam
konduktor dipanaskan, maka hambatan jenisnya bertambah secara linier 
dengan koefisien suhunya sangat kecil.Untuk menaikkan hambatan jenis
 bahan konduktor menjadi dua kali lipat dari semula diperlukan kenaikan
suhu lebih dari 200°C. Sebaliknya, jika bahan semikonduktor dipanaskan,
hambatan jenisnya akan berkurang. Hal ini disebabkan elektron-elektron
 pada pita valensi mendapatkan energi termik yang cukup untuk meloncat
ke pita konduksi. Semakin tinggi temperatur akan semakin banyak 
elektron yang mendapatkan energi termik sehingga semakin banyak pula
elektron-elektron yang loncat ke pita konduksi. Dalam pita konduksi ini
elektron bergerak lincah sehingga dapat bertindak sebagai penghantar 
listrik yang baik. Oleh sebab itu, hambatan jenis bahan semikonduktor 
turun dengan cepat apabila terjadi kenaikan suhu. Pada daerah suhu

24
tertentu, hanya diperlukan suhu beberapa derajad saja untuk menurunkan
hambatan jenisnya menjadi setengah dari semula.
Dalam pita valensi, elektron sebetulnya berpasangan dengan lubang ( hole).
Karena electron bermuatan negatif dan lubang bermuatan positif, maka
secara keseluruhan pasangan elektron-lubang adalah netral. Jika elektron
loncat dari pita valensi menuju pita konduksi, maka akan terbentuk lubang
 pada pita valensi yang ditinggalkan oleh elektron. Lubang itu bermuatan
 positif dan dapat bergerak lincah di dalam pita valensi. Hasil percobaan
menunjukkan bahwa penghantar arus listrik pada bahan semikonduktor 
 bukan hanya dilakukan oleh elektron pada pita konduksi saja, tetapi juga
oleh lubang yang bergerak di dalam pita valensi. Bahan semikonduktor 
yang masih murni atau belum disisipi atom-atom lain seperti ini disebut
semikonduktor intrinsik.
Boron wujudnya berupa serbuk berwarna coklat abu-abu hingga
cokelat kuning, dengan NA=5 BA= 10.88 mempunyai tl 2030oC, td
2550oC. menyala diudara pada 7000C dan dengan HNO3 bereaksi cepat.
Boron merupakan unsur metalloid yang amat reaktif, keras tapi agak 
rapuh, keberadaannya di alam rendah (0,0003%) dan mineral-mineralnya
yang terdapat di alam sebagai uleksit (NaCaB509.8H2O),
 boraks( Na2B4O7.10H2O), dan lainnya.

Boron lebih banyak menampakkan sifat sebagai nonlogam dan

digolongkan sebagai semilogam, sedangkan unsur lainnya dalam
golongan 13 adalah logam. Titik didihnya menunjukkan kecenderungan
 berkurang dengan bertambahnya massa unsur penyebabnya adalah tiap
unsur dalam golongan ini memiliki susunan yang berbeda pada fase
 padatnya sebagai contoh salah satu dari 4 allotropi boron, berbentuk 
kelompok dari 12 atom. Tiap kelompok memiliki bentuk geometri yang
disebut ikosahedron. Aluminium mengikuti struktur sebuah pusat
 permukaan kubik, tetapi gallium memiliki struktur yang unik yang bersisi
 pasangan atom-atom indium dan talium, masing-masing memiliki

25
struktur yang berbeda. Hanya saja, ketika unsurnya melebur dan bentuk 
kristalnya hancur, dapat kita lihat dari penurunan titik didih dalam satu
golongan, bahwa ikatan logamnya semakin lemah.

Sebagai pengecualian boron dikelompokkan sebagai semilogam,

dengan ikatan kovalen. Akibat dari tingginya kerapatan ion-ion golongan
13, semakin memudahkan untuk terjadinya polarisasi pada kebanykan
anion yang cukup berdekatan untuk membentuk suatu ikatan kovalen
(tabel 12.2)

Tabel 3.1 Titik Lebur dan Titik Didih Unsur-unsur Golongan 13

Titik Lebur Titik Didih

Unsur
(oC) (oC)

B 2180 3650

Al 660 2467

Ga 30 2403

In 157 2080

Ti 303 1457

Tabel 3.2 Rapatan Muatan Ion-ion Logam Periode 3 (tiga)

Rapatan muatan
Golongan ion
(Cmm-3)

26
 1  Na+ 24

2 Mg2+ 120

13 Al3+ 364

Pada golongan 13 kita menentukan unsutr-unsur yang memiliki

 bilangan oksidasi lebih dari satu. Aluminium memiliki bilangan oksidasi
+3, dengan iktan kovelen atau ionik. Gallium, Hidium, dan Talium
memiliki bilangan oksidasi keduanya +1. untuk gallium dan idium
 bilangan oksidasinya +3 yang mendominasi, sedangkan bilangan +1 lebih
mendominasi pada Talium.

Boron bukan konduktor listrik yang bagus pada suhu ruangan,

tetapi pada suhu yang lebih tinggi.

Beberapa Perbedaan Aluminium dengan Boron :

1. Keelektronegatifan Aluminium lebih besar daripada boron, sehingga

Boron tidak bisa membentuk Kation B 3+, sedangkan Aluminium bisa
dan ada Al3+.
2. Boron lebih bersifat ½ logam, sedangkan aluminium lenih bersifat
logam. Akibatnya boron bersifat senyawa kovalen sedangkan
aluminium lebih membentuk benyak senyawa ionik.

3. Boron memenuhi hukum oktet, maksimal kovalen 4. Sedangkan

Aluminium molekuler dan ionik dengan bilangan koordonasi 6
keatas.

4. Boron bersifat semi kondoktor, sedangkan Aluminium bersifat

konduktor.

5. Boron dapat membentuk senyawa polyhedral, contohnya Boran &

Borat. Sementara Aluminiu sangat terbatas.

27
 6. Boron hanya bisa membentuk 1 jenis oksida yaitu B 2O3 (bersifat
asam), sementara Aluminium dapat membentuk 2 jenis yaitu α-Al 2O3
dan γ-Al2O3 (hanya satu yang bersifat asam.

7. Boron membentuk 1 jenis hidroksida yaitu B(OH) 3 yang bersifat

asam, sedangkan Aluminium juga membentuk 1 jenis hidroksida
yaitu Al(OH)3 yang bisa bersifat asam maupun basa namun
umumnya bersifat basa.

8. Halida dari Boron adalah kovalen, contohnya BF3 , BCl3 . Tetapi

mudah terhidrolisis dalam air seperti :

BCl3 + H2O → B(OH)3 + Cl- (aq) + H+ (aq)

Yang justru sangat bersifat asam. Sedangkan Halida dari aluminium
terhidrolisa sebagian/parsial.
3.5 Standarisasi Boron

a. Standar Boron

Intensitas standar boron padaλ 2497,73Å

No. Standar Transmitasi (%) Intensitas (I) Konsentrasi (ppm)

1 28.2 0.54975 5.7

2 48.9 0.31069 2.8

3 66.9 0.17457 1.1

4 82.2 0.08513 0.7

5 86.5 0.06298 0.46

6 87.2 0.05948 0.21

7 88.9 0.05109 0.15

28
 Larutan Seri Standar
Absorbansi
Boron (ppm)

0 0

2 0.137

4 0.243

6 0.408

8 0.532

b. Kadar Boron dalam Tanah

Konsentrasi Boron
No. Lab Absorbansi
dalam Sampel

01/0109 0.228 7.244

02/0109 0.222 7.255

03/0109 0.223 7.144

3.6 Cara Produksi Boron

Golongan Boron terdiri atas unsur-unsur Boron -5B, Aluminium

Al, Galium
-13 Ga, Indium
-31 In, dan Talium
-49 Tl. Dalam golongan ini,
-81

 boron merupakan unsur yang unik dan menarik yaitu satu-satunya non-
logam dalam golongan III A pada tabel periodik unsur dan menunjukkan
kemiripan sifat dengan unsur-unsur tetangga, carbon (C) dan silikon (Si).

29
Kemiripan sifat ini adalah dalam hal pembentukan senyawa kovalen dan
senyawa rantai, namun berbeda dalam hal pembentukan senyawa
kekurangan electrón. Boron tidak pernah dijumpai sebagai senyawa
kationik serena tinginya entalpi ionisasi, tetapi membentuk senyawa
kovalen dengan pembentukan orbital hidrida  sp2 untuk menghasilkan
struktur segitiga sama sisi.

Boron merupakan nsur yang jarang terdapat dalam kerqak bumi

tetapi banyak dijumpai sebagai deposit dalam senyawa garamnya, borat
yaitu boraks-atau  sodium tetraborat - Na2B4O7. 10 H2O, kernit - Na2B4O7.
4 H2O dan kolemanit - Ca2B6O11. 5 H2O. Bijih yang utama adalah borat,
 Borax- NA2B4O7 . 10 H2O terdapat dalam kandungan besar di gurun pasir 
 Mojave, California dan merupakan sumber utama Boron.

Boron dibuat dengan mereduksi boron oksida B2O3, dengan

magnesium atau aluminium. Perhatikan reaksi berikut.

30
3.7 Senyawa-senyawa Campuran Boron

1. Asam Borat H3BO3

Asam orto-borat atau sering diringkas sebagai asam borat dapat
diperoleh menurut persamaan reaksi :
BX3 (s) + 3 H2O (l) → H3BO3 (s) + 3 HX (aq)
Asam borat merupakan padatan putih yang sebagian larut dalam air.
2. Asam tetrafluoroborat, HBF4
Larutan asam tetrafluoroborat diperoleh dengan melarutkan asam borat
ke dalam larutan asam hidrofluorida menurut persamaan reaksi :
H3BO3 (aq) + 4 HF (aq) → H3O+ (aq) + BF4- (aq) + 2 H2O (l)
Asam tetrafluorobarat merupakan asam kuat dan oleh karenanya tidak 
dapat diperoleh sebagai HBF 4. Dalam perdagangan biasanya dijumpai
sebagai larutan asam tetrafluoroborat dengan kadar sekitar 40%.

31
3. Boron trihalida
Boron mempunyai tiga elektron valensi, oleh karena itu setiap senyawa
kovalen sederhana yang terjadi tersusun oleh tiga pasang elektron
ikatan di seputar atom pusat boron sehingga dapat dikatakan sebagai
senyawa ”kekurangan elektron” relatif terhadap kaidah oktet (empat
 pasang).
4. Boranes (senyawa campuran boron dan hydrogen)

Boranes yang paling sederhana adalah diboran, B 2H6. seperti

kebanyakan borane lainnya diborane memiliki reaktifitas yang tinggi,
 beracun, berupa gas yang tidak berwarna, reaksi eksotermik yang kuat
menghasilkan diboron trioksida dan uap air;

B2H6 (g) + 3O2 (g) B2O3 (s) + 3H2O (g)

Hidrida juga bereaksi dengan sisa air untuk menghasilkan asam borie
dan gas hydrogen;

B2H6 (g) + 6H2O (l) 2H3BO3 (aq) + 3H2 (g)

Diboron adalah reagen yang penting dalam kimia organic. Reaksi gas
dengan hidrokarbon tak jenuh membentuk alkylboranes. Sebagai
contoh, reaksi diborone dengan propene ;

B2H6(g) + 6CH2 = CHCH3(g) 2B(CH2CH2CH3)3(l)

Produk dari reaksi hidroborasi ini dapat bereaksi dengan suatu asam
karboksilat untuk menghasilkan suatu hidrokasrbon jenuh ; dengan
hydrogen peroksida menghasilkan suatui alcohol ; atau dengan asam
kromia untuk menghasilkan suatu keton atau ssuatu asam karboksilat .

32
 Ada dua jenis utama dari korames, yang satu dengan rumus umum
BnHn +4, nido-boranes seperti, B 10H14 , yang lainnya dengan rumus
umum BnHn+6, archno-boranes, seperti B 4H10.

Untuk penamaan borane, nomor atom boron ditunjukan denhgan

awalam normal (n) sedangkan nomor dari atom hydrogen ditunjukan
dengan angka arab dalam tanda kurung B 4H10 disebut tetraborane (10)
dan B10H14 adalah dekaborane(14).

Boranes dapat dipertimbangkan untuk kemungkinan sebagai bahan

 baker roket, karena pembakarannya sangan bersifat eksotermik. Ada
kenyataannya dengan masa yang sama , hanya dihidrogen yang
menghasilkan panas diatas pembakaran . tetapi sintesis dalam sekala
 besar dilarang dari boron oksida edapat menyebabkan penyumbatan
dalam mesin roket.

Senyawa borane dengan nomor yang sangat besar berisi unsur-unsur 

lain yang telah disintesis. Termasuk karboranew, boranes tersebut
memasukan atom-atom karbon pada rangka/ struktur borane, dan
logam karboranes, senyawa boron-karbon-hidrogen tersebut
mengandung suatu logam sebagai contoh ion [Fe(C 2B9H11)2]-2.

5. Sodium Tetrahidridoborat

Satu-satunyan jenis boron digunakan dalam skala besar adalah ion

tetrahidridoborat, BH4-. Kebanyakan hidrida, kecuali karbon sangat
mudah terbakar dan merupakan senyawa yang tidak stabil. Anion ini
dapat mengalami rekristalisasi dari air dingin sebagai garam sodium.
Struktur dari kristal senyawa ini sangat menarik karena garam, dari
 bentuk anion ini mengikuti struktur sodium klorida.

Sodium tetrahidridoborat sangat penting digunakan sebgai pereduksi,

terutama pada kimia organic dimana ia digunakan untuk mereduksi

33
 aldehid menjai alcohol primer dan keton menjadi alcohol sekunder.
Reaksi antara diborone dengan sodium hidrida digunakan untuk 
menghasilkan sodium tetrahidridoborat ;

2NaH(s) + B2H6(g) 2NaBH4(s)

6. Boron Triflourida

Boron hanya memiliki dua electron valensi , sehingga ada senyawa

 boron yang memiliki ikatan kovalen sederhana, dimana kekurangan
elektronnya akan mengikuti atauran octet . seperti kita lihat, dimerisasi
 boron hidrida triflourida , tidak mengalami dimerisasi . energi ikatan
 boron-flourin sangat tinggi ( 613 kJ/mol). Energi ikatan ini jauh lebih
tinggi dibandingkan dengan ikatan tunggal konvensional, sebagai
contoh, energi ikatan karbon-flourin adalah 485 kJ/mol. Untuk 
menjeaskan stabilitas electron-berkurangnya molekul da kekuatan
ikatan kovalen, itu menjelaskan bahwa terdapat ikatan π sebaik ikatan
σ pada senyawa tersebut. Atom boron memiliki sebuah orbital 2p yang
kosong pada sudut kanan terhadap ikatan σ dengan atom flourin.
Masing-masing atom flourin memiliki sebuah orbital 2p yang penuh
yang parallel dengan orbital 2p z pada boron. Suatu delokalisasi system
π menyumbangkan orbital p yantg kosong pada boron dan suatu orbital
 p yang penuh pada masing-masing atom flourin yang dapat
mendukung penjelasan ini .

Dengan menggunakan orbital kosong 2p z , boron triflourida dapat

 bersifat sebagai asam Lewis yang kuat. Gambaran sederhana dari sifat
ini adalah reaksi antara boron triflourida dan ammonia, dimana pada
 pasangan electron dari nitrogen bersifata senbagai donor pasangan
electron;

BF3(g) + :NH3(g) F3B: NH3(s).

34
 Sekitar 4000 ton boron triflourida digunakan dalam industri diAmerika
Serikat setiap tahaunnya sebagai asam Lewis dan sebagai katalis pada
reaksi organic.

7. Boron Triklorida

Ion klorida berbentuk padat larutr dalam air membentuk nidrasi kation
dan anion. Bagaimanapun jenis molekul kovalen klorida adalamn gas
atau cair pada suhu kamar dan bereaksi sangat hebat dengan air.
Sebagai contoh gelembung-gelembung udara boron triklorida didalam
air menghasilkan asam boron dan asam.

3.8 Karakteristik Boron

5 Berilium ← Boron → Karbon

-
↑
B
↓ Tabel periodik 
Al

Keterangan Umum Unsur

Nama, Lambang, Nomor
Boron, B, 5
atom
Deret kimia Metaloid
Golongan, Periode, Blok  13, 2, p
hitam/coklat

Penampilan

Massa atom 10.811(7) g/mol

Konfigurasi elektron 1s2 2s2 2p1
Jumlah elektron tiap
2, 3
kulit
Ciri-ciri fisik 

35
 Fase  padat
Massa jenis (sekitar suhu
2.34 g/cm³
kamar)
Massa jenis cair pada
2.08 g/cm³
titik lebur
2349 K 
Titik lebur
(2076 °C, 3769 °F)
4200 K 
Titik didih
(3927 °C, 7101 °F)
Kalor peleburan 50.2 kJ/mol
Kalor penguapan 480 kJ/mol
(25 °C) 11.087 J/
Kapasitas kalor
(mol·K)
Tekanan uap
 P /Pa 1 10 100 1k 10 k 100 k  
 pada T /K 2348 2562 2822 3141 3545 4072

Ciri-ciri atom
Struktur kristal Rhombohedral
3
Bilangan oksidasi (asam beroksida
ringan)
Elektronegativitas 2.04 (skala Pauling)
Energi ionisasi ke-1: 800.6 kJ/mol
ke-2: 2427.1 kJ/mol
(detil) ke-3: 3659.7 kJ/mol
Jari-jari atom 85 pm
Jari-jari atom (terhitung) 87 pm
Jari-jari kovalen 82 pm
Lain-lain
Sifat magnetik   Nonmagnetic
Resistivitas listrik  (20 °C) 1.5×104 Ω·m
(300 K) 27.4 W/
Konduktivitas termal
(m·K)
(25 °C) 5–7 µm/
Ekspansi termal
(m·K)
Kecepatan suara (kawat
(20 °C) 16200 m/s
tipis)

36
 Modulus ruah (β form) 185 GPa
Skala kekerasan Mohs 9.3
Kekerasan Vickers 49000 MPa
Nomor CAS 7440-42-8
Isotop
iso NA waktu paruh DM DE (MeV) DP
10
B 19.9%* B stabil dengan 5 neutron
11
B 80.1%* B stabil dengan 6 neutron
*Dari cuplikan di alam,
daya tampung Boron-10 mungkin paling rendah
19.1%
 paling tinggi sekitar 20.3%.
Boron-11 in such cases.merupkan salah satu
sisanya.

Referensi

BAB IV

PENUTUP
Kesinpulan

Unsur Boron memiliki banyak kegunaan dalam membantu kegiatan

manusia sehari-hari. Pengembangannya sangat berguna dalam dunia

37
industry dan teknologi. Boron yang tidak murni digunakan pada
 pertunjukan kembang api untuk memberikan warna hijau dan dalam roket
sebagai pemicu.

Senyawa boron yang paling komersial adalah Pentrahidra ini

digunakan dalam jumlah yang banyak dalam pembuatan serat gelas yang
dijadikan insulasi ( insulation fiberglass) dan pemutih sodium perborat
( sodium perborate bleach).

Asam borik juga merupakan senyawa boron yang penting dan

digunakan dalam produk tekstil. Senyawa-senyawa boron lainnya
digunakan dalam pembuatan kaca borosilica dan dalam penyembuhan
arthritis.

Isotop boron-10 digunakan sebagai kontrol pada reaktor nuklir,

sebagai tameng pada radiasi nuklir dan dalam instrumen-instrumen yang
digunakan untuk mendeteksi netron. Boron nitrida memiliki sifat-sifat
yang cemerlang karena ia sekeras berlian, dapat digunakan sebagai
insulator listrik walau dapat menghantar panas seperti logam. Senyawa ini
 juga memiliki sifat lubrikasi seperti grafit. Boron hidrida dapat dengan
mudah dioksidasi dan melepaskan banyak energi dan pernah digunakan
sebagai bahan bakar roket. Penawaran terhadap filamen boron juga
meningkat karena bahan ini kuat dan ringan dan digunakan sebagai
struktur pesawat antariksa. Boron mirip dengan karbon dalam memiliki
kapasitas membentuk jaringan molekul dengan ikatan kovalen. Karbonat,
metalloboran, fosfakaboran dan semacamnya terdiri dari ribuan senyawa.

Unsur boron dan borat tidak dianggap berbahaya, dan perlu

 penanganan spesial. Walau begitu, beberapa senyawa boron hidrogen
sangat beracun dan memerlukan penanganan ekstra hati-hati.

38
 DAFTAR PUSTAKA

Budiman, Masgunarto Ir. M.Sc. Hand Out Bahan-Bahan Listrik, STT-PLN,

Jakarta.

http://google.co.id/kategori tabel periodik.htm

http://books.google.co.id/books/boron.htm

http://yahoo.com/boron.htm

http://id.wikipedia.org/wiki/Boron

39