CRITICAL BOOK RIVIEW

Dosen Pengumpu : Marwan Affandi,S.T., IPM.

Disusun Oleh:
Nama Mahasisa :Yunus H C Sihotang ( 5213530029 )

Mata Kuliah : Dasar Elektronika

FAKULTAS TEKNIK UNIMED

PROGRAM STUDI S-1 TEKNIK ELEKTRO
UNIVERSITAS NEGER MEDAN
 KATA PENGANTAR

Puji Syukur kami panjatkan bagi Tuhan Yang Maha Kuasa atas berkat dan karuniaNya,
kami dapat menyelesaikan tugas CBR (critical book report) ini hingga selesai dengan mata
kuliah “Dasar Elektronika”

Penulisan cbr ini saya sajikan secara ringkas dan sederhana sesuai dengan
kemampuan yang saya miliki, dan penyampaiannya penyampaiannya kami usahakan
dengan bahasa-bahasa yang singkat, dan sederhana agar mudah dimengerti/pahami
oleh para pembaca.

Dalam kesempatan ini saya mengucapkan terimakasih kepada bapak Marwan

Affandi,S.T., IPM. selaku Dosen pengampu karena telah banyak memberi arahan dan
bimbingan kepada kami.

Saya menyadari bahwa dalam penyusunan CBR ini masih sangat jauh dari
kesempurnaan, oleh karena itu kami sangat mengharapkan kritik dan saran serta bimbingan
dari para dosen demi penyempurnaan di masa-masa yang akan datang, semoga karya tulis
CBR ini bermanfaat bagi semuanya

Medan, 16 Oktober 2021

PENYUSUN

Yunus H C Sihotang
 DAFTAR ISI

KATA PENGANTAR..................................................................................................................

DAFTAR ISI................................................................................................................................

BAB I PENDAHULUAN............................................................................................................
I. LATAR BELAKANG......................................................................................................
II. TUJUAN..........................................................................................................................
III. MANFAAT......................................................................................................................
IV. IDENTITAS BUKU UTAMA.........................................................................................
V. IDENTITAS BUKU PEMBANGDING..........................................................................

BAB II RINGKASAN BUKU.....................................................................................................

A. Ringkasan Buku Utama....................................................................................................
B. Ringkasan Buku Pembanding..........................................................................................

BAB III PEMBAHASAN ...........................................................................................................

A. Perbandingan Isi Buku.....................................................................................................
B. Kelebihan dan Kekurangan Buku.....................................................................................

BAB IV PENUTUP.....................................................................................................................
A. KESIMPULAN................................................................................................................
B. SARAN............................................................................................................................

DAFTAR PUSTAKA…..............................................................................................................
 BAB I
PENDAHULUAN

I. Latar Belakang
Sebagai seorang Mahasiswa minat belajar dalam dirinya harus tinggi untuk bisa
mendapatkan wawasan yang luas, dan salah satu yang paling utama dalam memperoleh
wawasan yang luas adalah dengan cara banyak membaca. Dengan adanya tugas Critical Book
Review(CBR) ini adalah salah satu cara untuk melatih dan mendorong minat belajar terutama
dalam bidang membaca.

Tidak hanya sekedar membaca saja, dengan tugas CBR ini akan melatih kemampuan
menyimak dan memahami dalam membaca. Karena disini seorang mahasiswa akan dilatih
untuk mengkritik dan membandingkan sebuah buku dimana kelebihan dan kekurangannnya
antara buku yang satu dengan buku yang lainnya. Untuk bisa melakukan itu maka seorang
mahasiswa harus paham dan menyimak setiap kata yang tercantum dalam buku, oleh karena
itu dengan adanya tugas CBR ini maka aka melatih sekaligus membiasakan mahasiswa untuk
membaca buku dan menyimak setiap kata yang tercantum di dalamnya agar bisa di mengerti.

II. Tujuan
Adapun tujuan membuat tugas Critical Book Review(CBR) ini adalah sebagai berikut:
(1)Mendorong minat membaca
(2)Melatih kemampuan menyimak dan memahami
(3)Untuk mengetahui perbandingan buku yang satu dengan yang lainnya

III. Manfaat
Pembuatan Critcal Book Report (CBR) ini agar mahasiswa mampu terbiasa
mengkritik atau mengomentari sesuatu tanpa melakukan peniruan. Dan mampu menguasai
suatu buku dengan cara memahami isi buku.

IV. Identitas Buku Utama

Judul buku: Prinsip-prinsip Elektronika
ISBN :-
Pengarang: Albert Paul Malvino yang telah disadur oleh Hanapi Gunawan
Penerbit : Erlangga
Tahun Terbit: 1984
Tebal buku: xiv+664 halaman

V. Identitas Buku pembanding

Judul buku: Elektronika Dasar
ISBN :-
Pengarang: Jayadin Ahmad
Penerbit : jayadin.wordpress.com
Tahun Terbit: 2007
Tebal buku:68 halaman
 BAB II
RINGKASAN ISI BUKU

A. Ringkasan Buku Utama

Transistor Bipolar
Anda dapat men-dop semikonduktor untuk mendapatkan kristal npn atau kristal pnp.
Kristal seperti ini disebut transistor junction. Daerah n memiliki banyak sekali lubang dan
daerah p memiliki banyak sekali lubang. Oleh sebab itu, transistar junction sering disebut
transistor bipolar.
Pada tahun 1949, Shockley mencoba teori transistor junction dan hasil pertamanys yang
dihasilkan dalam tahun 1951 Dampak transistor dalam elektronik besar-besaran. Di
sampingnya industri semikonduktor multi-bilyun dolar, transistor pun telah membuka jalan
pada penemuan penemuan rangkaian-terintegrasi, perangkat opto-elektro nik dan prosesor-
mikro,

TRANSISTOR TANPA BIAS

Dominannya sebelum bergerak melewati persimpangan. Elektron bebas berdifusi
melewati persimpangan yang menghasilkan dua lapisan pengo songan (Gambar 6-26). Untuk
setiap lapisan pengosongan ini, transistor penghalang potensial silikon kira-kira 0,7 V pada
25°C (untuk transistor germanium 0,3 V). Sama halnya dengan dioda, kita adalah silikon
karena kepentingannya lebih besar. Dalam semua pembicaraan, jika tidak dinyatakan maka
transistor yang bukan adalah silikon.
Oleh karena tiga daerah memiliki level doping yang berbeda, lapisan pengosong dan
tidak memiliki lebar yang sama. Makin banyak suatu daerah di-dop, makin besar konsentrasi
lon dekat junction. Ini berarti lapisan pengosongan hanya sedikit menembus ke dalam daerah
emitter (yang di-dop sangat banyak) tetapi sangat dalam ke dalam basis yar di-dop sedikit.
Lapisan pengosongan lain juga menembus baik sekali ke dalam

BIAS ff DAN rr
Ada beberapa cara untuk mem-bias transistor. Bagian ini membahas tentang dua metode yang
kita perlukan untuk pembahasan berikutnya.

Bias Forward-Forward
Dinamakan demikian karena dioda emiter dan dioda pengumpul di-bias maju. Rangkaian
yang mengemudikan diode emitter dan kolektor boleh digumpalkan seperti yang ditunjukkan
atau boleh ditunjukkan Rangkaian ekivalen Thevenin.
Bias reverse-reverse (RR)
Mengarahkan lain adalah membias transistor reverse-reverse (RR). Sekarang kedua
dioda di-bias reverse, Untuk keadaan ini, hanya arua kecil yang mengalir yang terdiri dari
anus saturasi yang dihasilkan secara termal dan aras bocor permukaan Komponen yang
dihasilkan secara termal bergantung pada suhu dan kira-kira berlipat dua kali setiap kenaikan
10°. Komponen bocor-permukaan, sebaliknya, bertambah dengan bertambahnya tegangan.
Arus balik ini biasanya diabaikan
BIAS MAJU-Mundur
Dioda emiter dibias forward, dioda kolektor dibias reverse dan terjadi yang tak diharapkan .
Kita mengharapkan arus emitor yang besar karena dioda emitor dibias maju. Tetapi kita tidak
mengharapkan arus pengumpul yang besar karena dioda pengumpul dibías terbalik. Namun
inilah yang benar benar kita peroleh, inilah mengapa transistor merupakan penemuan yang
besar.
Pandangan Dari Sudut Energi
Diagram energi merupakan tahap berikutnya untuk mendalami transistor. Pembias maju
pada dioda emiter, merendahkan bukit energinya karena itu, elektron pita-konduksi dalam
emitor sekarang memiliki energi yang untuk bergerak ke dalam basis pita-konduksi. Dengan
kata-kata lain, orbit beb elektron emiter sekarang cocok dengan orbit basis yang tersedia.
Karenanya, electron emiter dapat berdifusi dari pita-konduksi emiter ke pita-konduks: basis.
Pada saat memasuki pita konduksi, elektron menjadi pembawa pesan karena mereka berada
di daerah p. Pada hampir semua transistor, lebih dari pembawaan ini memiliki waktu hidup
yang cukup lama untuk berdifuls dalam lapisan pengosongan kolektor dan menjatuhkan bukit
energi kolektor. Pada jatuh, mereka membuang energi dan umumnya dalam bentuk panas.
Resistansi Penyebaran Dasar
Dengan penembusan dua lapisan pengosongan pada basis, hole basis terbatas pada kanal
tipis dari semikonduktor tipe p. Dengan saya naikkan bias reverse pada dioda kolektor
(ekivalen dengan menaikkan Vcb), memperlebar lapisan pengosongan kolektor, hal ini
mengurangi lebar kanal yang berisi hale basis. Dengan kata-kata lain, hole basis yang tersedia
untuk arus rekombinasi menjadi lebih sedikit. Resistansi kanal p dalam basis disebut
resistansi penyebaran basta
Tegangan Breakdown
Karena dua dari setengah transistor adalah dioda, tegangan balik yang terlalu besar pada
kedua dioda dapat menyebabkan kerusakan. Dengan bias FR, kita hanya kuatir kan dioda
pengumpul. Jika Vcb terlalu besar, kerusakan dioda pengumpul dikarenakan longsor atau
karena efek reach-through (juga dikenal sebagai punch-through).
Reach-through berarti pengosongan kolektor sangat lebar sampai mencapai lapisan
pengosongan emiter. Jika ini terjadi, elektron emiter-diinjeksikan langsung ke dalam lapisan
pengosongan pengumpul. Bahkan dengan sedikit saja lapisan pengosongan yang tumpang
tindih, arus pengumpul dapat menjadi cukup besar untuk merusak transistor.
Alliran Elektron
Pembawa utama bergerak sama seperti pembahasan terdahulu Emiter dipenuhi dengan
elektron pita kon daksi Jika Fbe lebih besar dari atau sama dengan 0,7 V, emitor meng
injeksikan elektron-elektron ini ke dalam basis. Sama seperti sebelumnya, basi yang didop
sedikit dan tipis memberikan hampir semua elektron-elektron ini hidup yang cukup untuk
berdifusi ke dalam lapisan pengosongan pengumpul. Dengan diada kolektor yang dibias
reverse, medan lapisan pengosongan yang mendorong elektron ke dalam daerah kolektor di
mana mereka mengalirkan ke huat ke sumber tegangan lear

Rangkaian bias transistor

1. BIAS BASIS
Sebuah sumber tegangan Vвв membias forward dioda emiter melalui resistor yang
membatasi arus Rв. Hukum tegangan Kirchhoff
menyatakan tegangan pada Rp adalah VƏв- VвE. Hukum Ohm memberikan arus
basis.

di mana VBE = 0,7 V untuk transistor silikon (0,3 V untuk germanium).Garis Beban
de
Dalam rangkaian kolektor, suriber tegangan Vcc membias reverse dioda kolektor me-
lalui Rc. Dengan hukum tegangan Kirchhoff,
garis beban DC.
Dalam rangkaian yang diberikan, Vcc dan Rc adalah konstan, Vce dan Iç adalah
variabel.
Titik sumbat(cutoff)dan penjenuhan(saturation)
Titik di mana garis beban memotong kurva lg = 0 disebut titik sumbat (cutoff). Pada
titik ini arus basis adalah nol dan arus kolektor kecil sehingga dapat diabaikan (hanya
arus bocoran Iceo yang ada). Pada titik sumbat, dioda emiter kehilangan forward bias,
dan kerja transistor yang normal terhenti.
Daerah aktif(active region)
emua titik operasi antara titik sumbat dan penjenuhan adalah daerah aktif dari
transistor. Dalam daerah aktif, dioda emiter dibias forward dan dioda kolektor dibias
reverse.
Arus kolektor adalah:

2. Bias pembagi tegangan

Bias yang paling banyak dipakai dalam rangkaian-rangkaian diskrit linear, Nama
"pembagi tegangan" ("voltage divider") ber asal dari pembagi tegangan yang dibentuk
oleh R dan Ra. Tegangan pada R, membias forward dioda emiter. Seperti biasa, satu
Vc membias reverse dioda kolektor.
Arus eminer
menggunakan teorema pembagi tegangan untuk mendapatkan tegangan pada R
 Tegangan kollektor-emiter
Tegangan kollektor ke tanah Vc sama dengan tegangan catu dikurangi pada resistor
kollektor;

Tegangan emitter ke tanah adalah;

Tegangan kollektor ke tanah adalah;

3. Bias umpan balik kollektor

Bias ini memberikan kesederhanaan(hanya 2 resistor) dan respons prekuensi rendah
yang baik .inilah yang membedakan bias umpan balik-kollektor dari bias basis.
 4. Bias Emiter

Bias emiter, yang populer jika terdapat catu yang terbagi. (Split supply, berarti tegangan
positif dan negative.
Arus emiter

Besaran-besaran Lain

5. RANGKAIAN BIAS pnp

Rangkaian-rangkaian Pengimbang
Transistor pnp disebut pengimbang (complement) dari transistor npn. Perkataan peng
imbang menentukan bahwa semua tegangan dan arus berlawanan dengan pada transistor
npn.

Besaran-besaran pnp Negatif Dibanding Dengan npn

Kita dapat mendefinisikan arah positif dari tegangan dan arus sebagai transistor mps yang
dibias forward; karena itu, tegangan dan arus dalam sebuah transistor pnp yang di bias
forward adalah negatif terhadap aral npn. ini merupakan alasan beberapa lembar data
memberikan harga-harga negatif dari arus dan tegangan untuk transistor prp. Juga suatu
kurva transistor menggunakan konvensi ini karena hal ini menyederhanakan desain dari
penapak kurva (curve tracer).
6. ARUS TITIK SUMBAT (CUTOFF) KOLEKTOR

Hampir semua lembar data (data sheet) mendaftar harga dari Icao pada 25°C. Ini adalah
arus dari kolektor ke basis, dengan emiter terbuka (hat Gambar 7-21a). ICBO adalah arus
balik dalam dioda kolektor, sebagian disebabkan oleh pembawa (carriers) yang
ditimbulkan karena panas, dan whagan karena bocoran sepanjang permukaan Sering
lembar data memberi harga-harga dari lexo pada beberapa temperatur di samping 25°C.
Jika tidak anda dapat memperkirakanya Icao pada temperatur lain sebagai berikut; secara
kasar ICBO berlipat dua setiap kenaikan 10°C
TRANSISTOR EFEK MEDAN
Transistor bipolar merupakan tulang punggung dari elektronik linear. Tetapi dalam be berapa
penggunaan transistor efek-medan (FET, fieid-effect transistor) lebih disukai.
JFET.
FET pertemuan (JFET, junction FET), adalah sebuah transistor kutub tunggal; untuk
bekerjanya dia hanya memerlukan pembawa mayoritas (majority carrier). Transistor kutub
tunggal ini lebih mudah dipahami dari pada transistor bipolar.
Daerah JFET
Gambar 13-1a menunjukkan bagian dari suatu JFET. Ujung yang bawah disebut sumber
(source) dan ujung yang atas disebut cerat (drain); potongan semi konduktor antara sumber
dan cerat merupakan kanal (channel). Karena dalam Gambar 13-1a digunakan bahan-n
pembawa mayoritasnya adalah elektron pita konduksi. Tergantung pada besar nya tegangan
VDD dan resistansi kanal, kita dapatkan sejumlah arus tertentu.Dengan melekatkan dua
daerah-p pada sisi-sisi kanal, kita dapatkan JFET kanal-n seperti Gambar 13-1b. Tiap-tiap
daerah-p disebut sebuah gerbang (gate). Jika pembuat menghubungkan suatu kawat luar yang
terpisah ke tiap gerbang, kita sebut alat tersebut sebuah JFET gerbang-ganda. Pada seluruh
bagian dari bab ini kita mengkonsentrasikan diri pada JFET gerbang tunggal, suatu alat
(device) yang gerbang-gerbangnya dihubungkan di bagian dalam.Suatu JFET gerbang
tunggal hanya mempunyai satu kawat penghubung gerbang luar seperti ditunjukkan dalam
Gambar 13-1c. Jika menggunakan simbol ini, harus diingat bahwa kedua daerah-p
mempunyai potensial yang sama karena mereka dihubungkan di bagian dalam.

Pembiasan JFET
Gambar 13-2a menunjukkan polaritas normal untuk bias suatu JFET kanal-n. Caranya adalah
menggunakan tegangan negatif antara gerbang dan sumber; ini membias reverse gerbang
tersebut. Karena gerbang dibias reverse, arus yang mengalir dalam penghubung gerbang
hanyalah suatu arus yang kecil yang dapat diabaikan. Untuk pendekatan per tama, arus
gerbang adalah nol. Nama efek medan (field effect) dihubungkan dengan lapisan-lapisan
pengosongan (depletion layers) di sekitar tiap sambungan pn. Gambar 13-2b menunjukkan
lapisan lapisan pengosongan tersebut. Arus dari sumber ke cerat (drain) harus mengalir
melalui kanal sempit antara lapisan-lapisan pengosongan. Ukuran dari lapisan-lapisan
pengosong an tersebut menentukan lebar dari saluran konduksi. Makin negatif tegangan
gerbang. saluran konduksi menjadi makin sempit, karena lapisan-lapisan pengosongan satu
sama lain menjadi lebih dekat. Dengan perkataan lain, tegangan gerbang mengendalikan arus
antara sumber dan cerat. Makin negatif tegangan gerbang, arusnya makin kecil.Perbedaan
kunci antara suatu JFET dan suatu transistor bipolar adalah gerbang dibias reverse sedangkan
basis dibias forward. Perbedanan penting ini berarti JFET bekerja seperti suatu alat yang
tegangannya dikendalikan, secara ideal, tegangan input.
sendiri mengendalikan arus output. Hal ini berbeda dari suatu transistor bipolar di mana arus
input mengendalikan arus output.Kita dapat meringkas bahwa perbedaan besar yang pertama
antara JFET dan tran sistor bipolar dalam hal resistansinya. Resistansi input dari suatu JFET
secara ideal mendekati tak terhingga. Untuk aproksimasi kedua resistansi tersebut dalam orde
mega ohm, tergantung pada jenis JFET tertentu.

Karena itu, dalam penggunaan di mana di perlukan resistansi input yang tinggi, JFET lebih
disukai.Harga yang harus kita bayar untuk resistansi input yang lebih besar adalah kendali
yang lebih kecil terhadap arus output. Dengan perkataan lain, suatu JPET kurang peka
terhadap perubahan tegangan input daripada suatu transistor bipolar. Dalam kebanyak an
JFET suatu perubahan input sebesar 0,1 V menghasilkan perubahan arus output yang
besarnya kurang dari 10 mA. Tetapi dalam transistor bipolar, suatu perubahan se besar 0,1 V,
dengan mudah menghasilkan perubahan arus outpur yang lebih besar dari 10 mA. Seperti
yang akan dibahas nanti, hal ini berarti bahwa suatu JFET mempunyai penguatan (gain)
tegangan yang lebih kecil dari suatu transistor bipolar.
Simbol Skematis
Gambar 13-3a menunjukkan simbol skematis untuk suatu JFET. Sebagai pembantu ingatan,
bayangkan garis vertikal tipis (Gambar 13-3b) sebagai kanal; sumber dan cerat dihubungkan
ke garis ini. Juga pada gerbang diberi tanda panah; panah ini menunjukkan bahan-n. Dengan
cara ini anda dapat mengingat bahwa Gambar 13-3a menunjukkan suatu JFET kanal-n.Pada
banyak JFET, sumber dan cerat dapat dipertukarkan, anda dapat mengguna kan salah satu
ujung sebagai sumber dan ujung lainnya sebagai cerat. Karena alasan ini, simbol JFET pada
Gambar 13-3a adalah simetris, titik gerbang pada titik tengah kanal. Jika anda menggunakan
simbol JFET simetris, anda harus memberi nama pada terminal terminal seperti yang
dilakukan dalam Gambar 13-3a atau gunakan singkatan seperti di tunjukkan dalam Gambar
13-3c. Atau anda dapat menggunakan simbol yang tidak sime tir seperti pada Gambar 13-3d;
di sini gerbang digambar lebih dekat ke sumber.Gambar 13-4 menunjukkan JFET kanal-p
dan simbol skematisnya JFET kanal-p saling melengkapi dengan JFET kanal-n. Karena
alasan ini, kita dapat mengkonsentrasi

kan diri pada JFET kanal-t dan memperluas hasil ini untuk JFET kanal-p dengan teori
komplemen yang dibahas lebih dulu.
KURVA CERAT JFET
Gambar 13-5a menunjukkan suatu JFET dengan tegangan bias normal. Arus konven sional
akan mengalir melalui kanal dari cerat ke sumber.
Tegangan Pinchoff
Seperti telah dibahas, untuk operasi normal gerbang dibias reverse. Di sini termasuk kasus
khusus dari tegangan gerbang nol. Dengan perkataan lain, kita dapat mengurangi Vas
menjadi nol seperti dalam Gambar 13-56; kasus khusus ini disebut kondisi gerbang dihubung
singkat (shorted gate).Gambar 13-Se adalah grafik dari arus cerat terhadap tegangan cerat
untuk kondisi gerbang yang dihubung singkat. Perhatikan similaritas dengan kurva suatu
kolektor. Arus cerat mula-mula naik dengan cepat, tetapi kemudian mendatar. Dalam daerah

antara Vp dan VDS maka arus cerat hampir konstan. Jika tegangan cerat terlalu besar, JFET
breakdown seperti ditunjukkan. Karena dengan transistor bipolar, daerah aktif adalah
sepanjang bagian kurva yang hampir mendatar, dalam daerah ini JFET bekerja sebagai
sumber arus. Kita dapat memberi simbol untuk jangkauan (range) ini sebagai
Vp < VDS < VDSmax
Tegangan pinchoff Vp adalah tegangan cerat di mana di atas tegangan ini arus cerat men. jadi
konstan. Jika tegangan cerat sama dengan V, kanal telah menjadi sempit dan lapis an lapisan
pengosongan hampir menyentuh seperti ditunjukkan dalam Gambar 13-5d. Saluran kecil
antara lapisan-lapisan pengosongan cenderung untuk membatasi arus. Pe nambahan lebih
lanjut dalam tegangan cerat hanya mengakibatkan sedikit penambahan dalam arus cerat.
Inilah sebabnya arus cerat dalam daerah aktif hampir konstan (lihat Gambar 13-5c).

Arus cerat, gerbang dihubung singkat

Subskrip dari Idss berarti cerat ke sumber dengan gerbang dihubung singkat. Lembar data
yang menyatakan ldss pada beberapa tegangan cerat antara pinchoff dan break down;
tegangan cerat ini khususnya untuk tegangan cerat antara 10 dan 20 V. Hal yang penting
adalah, karena dalam daerah ini kurva hampir rata, Idss (tidak jadi soal di mana diukurnya)
adalah aproksimasi yang rapat untuk arus cerat di mana pun dalam daerah aktif. Dan, karena
Idss di ukur dalam kondisi gerbang dihubung singkat, arus tersebut merupakan arus cerat
maksimum yang dapat anda peroleh dengan operasi normal dari JFET; semua tegangan
gerbang lain adalah negatif dan mengakibatkan arus cerat yang lebih kecil.Lembar data JFET
memberikan harga dari fpss. Misalnya lembar data dari suatu 2N5457 mendaftar harga-harga
khusus berikut: Ipss - 3 mA pada Vps 15 V. V 2 V, dan VDS(max) 25 V. Ini berarti arus cepat
gerbang dihubung singkat mendekati 3 mA untuk setiap tegangan cerat antara pinchoff (2 V)
dan breakdown (25 V). Pada sebuah penapak-kurva, kurva cerat yang tertinggi akan
mempunyai arus mendekati 3 mA pada seluruh bagian kurva yang hampir rata.

Tegangan Titik Sumbat (Cutoff) Gerbang-Sumber

Kurva cerat tampak sangat mirip dengan kurva kolektor. Gambar 13-6 menunjukkan kurva
cerat untuk suatu JFET yang tipikal. Kurva yang paling atas adalah untuk VGS = 0
 kondisi gerbang yang dihuving singkat. Tangan pinchoff mendekati 4 V, dan tegangan
breakdown adalah 30 V. Jadi daerah aktif untuk JFET khusus ini adalah
4V< VDS <30V
Seperti kita lihat, Idss adalah 10 mA untuk VDs sebesar 15 V. Suatu tegangan gerbang negatif
menghasilkan kurva cerat yang lain. Suatu VGS sebesar -1 V menurunkan arus cerat menjadi
kira-kira 5,62 mA. Suatu Vag sebesar-2 V mengurangi arus cerat menjadi sekitar 2,5 mA, dan
seterusnya. Kurva dasar adalah yang terutama penting; suatu VGs sebesar 4V mengurangi
arus cerat menjadi mendekati nol. Tegangan ini kita sebut tegangan titik sumbat gerbang-
sumber (gate-source cutoff voltage) dan dinyatakan dengan simbol VGS (off). JFET
mempunyai jangkauan harga VGS (off) yang lebar. Lembar data menjelaskan VGS (off) pada
harga arus cerat kecil yang sembarang. Misalnya lembar data dari suatu MPF 102 mendaftar
suatu harga VGS (off) maksimum sebesar -8 V untuk arus cerat sebesar 2 nA.
Pada VGS = VGS (off) lapisan lapisan cerat menyentuh; hal ini menjelaskan mengapa arus cerat
mendekati nol. Seperti kita lihat sebelumnya, Vp adalah harga tegangan cerat yang
mengambil arus untuk kondisi gerbang dihubung singkat. Karena hal ini,
Vp = | VGS (off) |

Lembar data tidak mendaftar , Vp tetapi menyajikanVGS (off ) yang ekivalen. Contoh nya, jika
suatu lembar data memberikan suatuVGS (off ) sebesar -4 V, kita dapat menge tahui dengan
segera, bahwa Vp sama dengan 4 V.Persamaan (13-1) memberikan jangkauan normal dari
Vds. Sekarang kita dapat mengikat jangkauan normal dari VGs. Karena kondisi gerbang
dihubung singkat mem berikan kurva cerat yang paling tinggi dan VGS (off )menghasilkan
kurva cerat yang paling rendah, jangkauan normal dari VGs adalah
VGS (off ) < VGs< 0
Jika VGs dalam jangkauan ini, ID harus dalam interval
0 < ID < Idss
Sebagai contoh, dalam Gambar 13-6 jangkauan normal dari tegangan cerat adalah antara 4
dan 30 V, jangkauan normal dari gerbang tegangan adalah antara -4 dan 0 V, dan jangkauan
normal dari arus cerat adalah antara 0 dan 10 mA.
CONTOH
Lembar data dari suatu 2N5457 mendaftar suatu arus bocoran gerbang balik sebesar 1 nA
untuk suatu tegangan gerbang balik sebesar 15 V. Berapa besar resistansi antara gerbang dan
sumber?
Penyelesaian:
Gunakan Hukum Ohm : RGS = VGs / ID = 15 V/ 1nA = 15000 Mega ohm
Di sini anda lihat keuntungan utama dari JEET di atas transistor bipolar. Resistansi imput
adalah 15.000 Mega ohm dibanding dengan beberapa ribu ohm untuk penguat CE bipo far.
PARAMETER FET
Seperti telah kita lihat sebelumnya, kurva transkomduktansi menghubungkan arus out put
dengan tegangan input. Untuk transistor bipolar kurva transkonduktansi adalah grafik dari lc
terhadap VBE untuk JFET adalah grafik ID terhadap VGs. Misalnya dengan membaca harga-
harga dari ID dan VGs dalam Gambar 13-6, kita dapat memplot kurva transkonduktansi
seperti ditunjukkan dalam Gambar 13-7a. Umumnya kurva transkonduktansi dari suatu JFET
akan terlihat seperti Gambar 13-7b,
Kurva Parabola
Kurva transkonduktansi dalam Gambar 13-7b adalah bagian dari sebuah parabola. Dapat
ditunjukkan bahwa persamaan dari kurva transkonduktansi adalah
ID = Idss [I - VGs / VGS (off ) ]2

Sebagai contoh, misalkan suatu JFET mempunyai Idss sebesar 4 mA dan VGS (off ) sebesar
-2 V. Dengan substitusi ke dalam persamaan (13-4),
ID= 0,004 (1+VGS / 2)²
Dengan persamaan ini kita dapat menghitung arus cerat untuk setiap tegangan gerbang dalam
daerah aktif. Banyak lembar data tidak memberikan kurva cerat atau kurva
transkonduktansi.Tetapi anda memperoleh harga dari Idss dan VGs (off). Dengan substitusi
harga-hargatersebut ke dalam persamaan (13-4), anda dapat menghitung arus cerat untuk
setiaptegangan gerbang. Hukum kuadrat (square law) adalah nama lain dari parabolik. Inilah
sebabnya mengapa JFET sering disebut piranti hukum kuadrat (square law device).

Karena alasan yang akan dibahas kemudian, sifat hukum kuadrat memberikan keuntungan
lain bagi JFET di atas transistor bipolar dalam rangkaian yang disebut penyampur (mixer).
Kurva Transkonduktansi yang Dinormalisasi
Kita dapat mengatur kembali persamaan (13-4) untuk mendapatkan
Id / Idss = [ I - VGS / VGS (off )]2
Dengan substitusi 0,1,1/4, 1/2, 3/4, dan 1 untuk (VGS / VGS (off ), kita dapat menghitung harga
harga ID/lDSS yang bersangkutan yaitu 1, 9/16, 1/4,1/16, dan 0 untuk ID / IDSS. Gambar 13-7c
meringkas hasil-hasil tersebut, hal ini berlaku untuk semua JFET.Berikut ini adalah
penggunaan praktis dari kurva dalam Gambar 13-7c. Untuk mem bias JFET dekat titik tengah
dari jangkauan arusnya yang berguna kita perlu menimbul kan ID yang besarnya mendekati
setengah IDss. Rasio arus 9/ 16 dekat dengan titik tengah dalam arus cerat; karena itu kita
dapat menset bias titik tengah dengan VGs yang mendekati
VGs = VGs (off)/4 (bias titik tengah)
Diberikan sebuah MPF 102 dengan VGs (off) = -8 V, kita harus menggunakan VGs -2 V
untuk mendapatkan arus cerat yang mendekati setengah arus cerat maksimum yang
diperbolehkan.
Transkonduktansi
Besaran gm disebut transkonduktansi, didefinisikan sebagai
gm = delta ID / delta VGs untuk konstan
Ini mengatakan transkonduktansi sama dengan perubahan arus cerat dibagi dengan perubahan
tegangan gerbang yang bersangkutan. Jika perubahan tegangan gerbang se besar 0,1 V
menghasilkan perubahan arus cerat sebesar 0,2 mA,

Dengan kalkulus kita dapat menurunkan rumus yang berguna berikut

Ini berguna karena di samping idss dan gmo mudah diukur dengan ketelitian yang tinggi
vgs(off) sukar diukur persamaan(13-9) membrikan jalan untuk menghitung V gs (off) dengan
ketelitian yang tinggi.

Resistansi cerat-sumber dlam keadaan on

Dalam daerah aktoff,jpet bekerja sebagai sebuah sumber arus.tetpai dalam daerah jenuh
(tegangan cerat lebih kecil dari i/p dia bekerja sebagai sebuah resistor .karena dalam daerah
jenuh ,suatu perubahan dalam tegngan cerat menghasilkan perubahan yang sebanding dalam
ars cerat.ini merupakan lasan daerah jenuh dari jfet sring dipandang sebagai daerah phmik
(ohmic region).

Resistansi dari sebuah JEFT yang beoperasi dalam daerah untuk didefenisikan sebagai

Contohnya,jika suatu perubahan dsam tegangan cerat sebesar 100 mV menghasilkan suatu
perubahan sebesar 0,7mA dalam daerah ohmik

Mosfet peningkatan penggosokan

MOSFET (metal-oxide semiconduktor FET=FET semikonduktor oksida logam)
mempunyai sumber,gerbnag dan cerat (drain),tegangan gerbang mengendalikan arus cerat.
Perbedaan utama antara sebuah JFET daan sebuah MOSFET adalah bahwa kita dapat
menggunakan tegangan gerbang positif dan pada dasarnya masih mempunyai arus gerbng
nol.

Mode pengosongan
 Seperti sebelumnya tegangan gerbang dapat mengendalikan resistenasi kanal.tetapi karena
gerbang diisolasi dari kanal,kita dapat menggunakan baik tegangan positif maupun negatif ke
gerbang.
Cara yang paling sederhana untuk membayangkan konduksi dalam kanal adalah sebagai
berikut.pikirkan gerbang sebagai sebuah pelat kapasitor;dioksida logam bekerja logam
bekerja sebagai dielektrik dan kanal n sebagai pelat yang lain.

Mode peningkatan
Karena gerbang sebuah mosfet diisolasi dari kanal,kita dapat menggunakan tegangan positif
ke gerbang .
Tetapi kali ini muatan positif pada gerbang menghinduksi muatan negatif dalam kanal-n
muatan negatifb ini adalah elektron pita konduksi yang di tarik ke dalam kanal,jumlah
elektron pita konduksi ini ditambahkan kepada yang telah ada dalam kanal.jumlah elektron
pita konduksi dalam kanal bertambah.dengan perkataan lain makin positif tegangan
gerbang,makin besar konduksi dari sumber ke cerat.

Kurva MOSFET
Gambar 13-1 ia menunjukkan kurva cerat tipikal untuk suatu mosfet kanal-n Vgs(off)
menunjukkan tegangan gerbang negatif yang memutus arus cepat.karena Vgs lebih kecil dari
nol kita mendapatkan operasi mode pengosongan.dipihak lain,Vgs lebih besar dari nol
memberikan operasi mode-peningkatan.
Gambar 13-1 b adalah kurva transkonduktor dari MOSFET Idss menyataan arus cerat-
sumber dengan gerbang yang dihubung singkat.Tetapi sekarang kurva meluas ke kanan titik
asal seperti ditunjukkan .kurva masih berbentuk parabolik,dan kita dapat menggunakan
perasaman hukum kuadrat yang telah diterangkan lebih dulu.

Simbol skematis
Simbol skematis untuk mosfet normally on.gerbang muncul sebagai sebuah pelat
kapasitor.sedikit ke kanan dari gerbang adalah garis vertikal tipis yang menyatakan
kanal;penghubung cerat ke luar dari puncak kanal an penghubung sumber menyambung ke
bawah.panah pada substrat dan menunjukkan ke bawah n karena itu kita dapatkan MOSFET
kanal-n

MOSFET PENINGKATAN
 Ada satu jenis mosfet yaitu mosfet hanya untuk peningkatan .seperti namanya
menyatakan,MOSFET ijni hanya beroperasi dalam mode peningkatan .Mosfet jenis ini
penting dalam rangkain digital.

Menciptakan lapisan inversi

Gambar 13-14a menunjukkan bagian yang berbda dari sebuah mosfet untuk rangkain .ingat
bahwa substrat meluas ke semua jalan ke oksida logam;secara sruktural antara sumber dan
cerat tidak lagi merupakan kanal-n.

Tegangan Ambang
Tengan ambang –sumber minimum yang menimbulkan lapisan inversi jenis-n disebut
teganagn ambang Vgs(th).jika Vgs lebih kecil dari Vgs(th) ,arus nol mengalir dari sumber
cerat tetapi jika Vgs lebih kecil dari Vgs(tg) sebuah lapisan inversi jenis-n menghubungkan
sumber ke cerat dan kita dapatkan arus.tegangan ambang tergantung pada mosfet jenis
khusus.Vgs(th) dapat bervariasi dari kurang dari 1 volt ssampai dari 5 V.
Kurva-kurva hanya untuk peningkatan
Gambar 13-15 a menunjukkan satu set kurva untuk MOSFET hanya untuk peningkatan
.kurva yang paling bawah adalah kurva Vgs(th) untuk tegangan gerbang lebih besar dari
harga ambang,kita daptkan kurva yang lebih tinggi.
Gambar 13-15b adalah kurva transkonduktorsi.kurva tersebut berbentuk parabolik atau
menurut hukum kuadrat ;vertex dari parabola tersebut adalah Vgs(th).karena ini,persamaan
untuk parabola berbeda dari sebelumnnya;sekarang menjadi

Dimana K adalah sebuah konstanta menurut perbandingan yang tergantung pada MOSFET
khusus.

SIMBOL SKEMATIS
Jika Vgs=0,MOSFET untu peningkatan ,off karena tidak ada kanal konduksi antara sumber
dan cerat.lambang dala gambar 13-16 6a mempunyai garis kanal putus untuk menunjukkan
kondisi normally off.Seperti kita ketahui,suatu tegangan gerbang yang lebih besar daripada
tegangan ambang menimbulkan suatu lapisan inversi jenis-n yang menghitungkan sumber ke
cerat.panah yang menunjukkan ke lapisan inversi ini,yang bekerja sebagai kanal-n jika piranti
konduksi.karena alasan ini kita mempunyai MOSFET untuk peningkatan kanal-n
Gambar 13-15 b menunjukkan lambang untuk mosfet pengimbang .mosfet hanya untuk
peningkatan kanal-p

B. Ringkasan Buku Pembanding

BAB I
Konsep Dasar Elektronika

1. Resistor
Resistor adalah komponen dasar elektronika yang digunakan untuk membatasi jumlah arus
yang mengalir dalam satu rangkaian. Sesuai dengan namanya resistor bersifat resistif dan
umumnya terbuat dari bahan karbon. Dari hukum Ohms diketahui, resistansi berbanding
terbalik dengan jumlah arus yang mengalir melaluinya. Satuan resistansi dari suatu resistor
disebut Ohm atau dilambangkan dengan simbol W (Omega).

2. Kapasitor
Kapasitor ialah komponen elektronika yang mempunyai kemampuan menyimpan
electron-elektron selama waktu yang tidak tertentu. Kapasitor berbeda dengan akumulator
dalam menyimpan muatan listrik terutama tidak terjadi perubahan kimia pada bahan
kapasitor,besarnya kapasitansi dari sebuah kapasitor dinyatakan dalam farad. Pengertian lain
Kapasitor adalah komponen elektronika yang dapat menyimpan dan melepaskan muatan
listrik. Struktur sebuah kapasitor terbuat dari 2 buah plat metal yang dipisahkan oleh suatu
bahan dielektrik. Bahan-bahan dielektrik yang umum dikenal misalnya udara vakum,
keramik, gelas dan lain-lain.
 Jika kedua ujung plat metal diberi tegangan listrik, maka muatan-muatan positif akan
mengumpul pada salah satu kaki (elektroda) metalnya dan pada saat yang sama muatan-
muatan negatif terkumpul pada ujung metal yang satu lagi. Muatan positif tidak dapat
mengalir menuju ujung kutup negatif dan sebaliknya muatan negatif tidak bisa menuju ke
ujung kutup positif, karena terpisah oleh bahan dielektrik yang non-konduktif. Muatan
elektrik ini "tersimpan" selama tidak ada konduksi pada ujung-ujung kakinya. Di alam bebas,
phenomena kapasitor ini terjadi pada saat terkumpulnya muatan-muatan positif dan negatif di
awan. Kemampuan untuk menyimpan muatan listrik pada kapasitor disebuat dengan
kapasitansi atau kapasitas.
Kapasitor Tetap
Kapasitor yang mempunyai kapasitansi yang tetap. Jenis-jenis kapasitor tetap antara lain :
a. Kapasitor polar
Kelompok kapasitor electrolytic terdiri dari kapasitor-kapasitor yang bahan dielektriknya
adalah lapisan metal-oksida. Umumnya kapasitor yang termasuk kelompok ini adalah
kapasitor polar dengan tanda + dan – di badannya. Mengapa kapasitor ini dapat memiliki
polaritas, adalah karena proses pembuatannya menggunakan elektrolisa sehingga terbentuk
kutup positif anoda dan kutup negatif katoda.
b. Kapasitor non polar
Kapasitor non polar adalah kelompok kapasitor yang dibuat dengan bahan dielektrik dari
keramik, film dan mika. Keramik dan mika adalah bahan yang popular serta murah untuk
membuat kapasitor yang kapasitansinya kecil. Tersedia dari besaran pF sampai beberapa uF,
yang biasanya untuk aplikasi rangkaian yang berkenaan dengan frekuensi tinggi.
c. Kapasitor Tidak tetap (variable)
Kapasitor yang nilai kapasitansinya dapat berubah-ubah, nilai kapasitansi pada kapasitor
dapat dilihat dari kode yang terdapat pada fisik kapasitor. Sebagai contoh, jika tertera 105, itu
berarti 10 x 105 = 1.000.000 pF = 1000 nF = 1 niu F. Nilai yang dibaca pF (pico farad).
Kapasitor lain ada yang tertulis 0.1 atau 0.01, jika demikian, maka satuan yang dipakai μF.
Jadi 0.1 berarti 0.1 μF.
 Macam-macam Elemen Sumber Listrik Arus Searah
Yang dimaksud dengan sumber listrik arus searah ialah alat/benda yang menjadi sumber
listrik arus searah dan menghasilkan arus searah secara permanent. Sumber listrik arus searah
yang paling banyak dikenal adalah sumber listrik arus searah yang membangkitkan listrik
secara kimia dan secara mekanik. Elemen Elektro

 Komponen semi-konduktor
Didalam pengelompokan bahan-bahan listrik dikenal ada 3 macam, yaitu :
1. Konduktor
2. Isolator
3. Semi-konduktor
Suatu bahan dikatakan konduktor apabila memiliki hantaran listrik yang besar. Suatu bahan
dikatakan isolator apabila memiliki hantaran listrik (konduktance) yang kecil. Suatu bahan
dikatakan semi-konduktor apabila dapat memiliki hantaran listrik yang nilainya bervariasi
diantara konduktor dan isolator.

BAB II
Transistor

a. Transistor
Transistor adalah komponen elektronika multitermal, biasanya memiliki 3 terminal. Secara
harfiah, kata ‘Transistor’ berarti ‘ Transfer resistor’, yaitu suatu komponen yang nilai
resistansi antara terminalnya dapat diatur. Secara umum transistor terbagi dalam 3 jenis :
1. Transistor Bipolar
2. Transistor Unipolar
3. Transistor Unijunction
Transistor bipolar bekerja dengan 2 macam carrier, sedangkan unipolar satu macam saja, hole
atau electron.

Pada transistor bipolar, arus yang mengalir berupa arus lubang (hole) dan arus electron atau
berupa pembawa muatan mayoritas dan minoritas. Transistor dapat berfungsi sebagai penguat
tegangan, penguat arus, penguat daya atau sebagai saklar. Ada 2 jenis transistor yaitu PNP
dan NPN. Transistor di desain dari pemanfaatan sifat diode, arus menghantar dari diode dapat
dikontrol oleh electron yang ditambahkan pada pertemuan PN diode. Dengan penambahan
elekdiode pengontrol ini, maka diode semi-konduktor dapat dianggap dua buah diode yang
mempunyai electrode bersama pada pertemuan. Junction semacam ini disebut transistor
bipolar dan dapat digambarkan sebagai berikut :

b. Konfigurasi transistor
Sebagai komponen didalam rangkaian elektronika transistor dapat dimodelkan sebagai
komponen 4 terminal yang dikenal sebagai model common. 4 model terminal secara umum
dilukiskan sebagai berikut :

Dengan Vi dan Ii adalah besaran input dan Io dan Vo adalah besaran output.

Aplikasi Transistor
1) SCR LOGIC MODE
SCR adalah komponen elektronika yang termasuk thyristor, yaitu lapisan bentuk PN junction
khusus dimana terdiri dari 4 lapisan yang akan memberikan karakteristik tersendiri.
Karakteristik dari SCR secara umum dapat dikatakan sebagai berikut : arus yang melewati
anoda ke katoda relative kecil selama tegangan diantaranya belum melewati VBO (Voltage
Break Over). Setelah melewati maka tegangan antara anoda dan katoda akan turun hingga
mencapai harga Hold Voltage. Diode akan tetap menghantar selama arus yang melewatinya
tidak kurang dari nilai IH (hold current).
2) LIGHT SENSOR
Aplikasi sensor sederhana dengan menggunakan transistor sebagai driver relay.
Cara kerja rangkaian adalah dengan memanfaatkan cahaya sebagai pengaktifnya. Kita
ketahui bahwa LDR mempunyai karakteristik sebagai berikut apabila terkena
cahaya maka resistansinya kecil dan sebaliknya apabila tidak terkena cahaya maka
resistansinya besar

BAB II
MULTIVIBRATOR

Multivibrator adalah suatu rangkaian yang mengeluarkan tegangan bentuk blok. Sebenarnya
MVadalah merupakan penguat transistor dua tingkat yang dikopel dengan kondensator,
dimana output dari tingkat yang terakhir akan dikopelkan dengan pertama, sehingga kedua
transistor itu ak an saling menyumbat. MV ada yang berguncang bebas (free running) dan
tersulut (triggering) ada 3 jenis MV :
1. Astabil Multivibrator
2. Monostabil Multivibrator
3. Bistabil Multivibrator
Rangkaian lain yang mampu menghasilkan bentuk gelombang kotak yang berasal dari suatu
inputanialah SCHMITT TRIGGER. Pada dasarnya merupakan komparator yang memiliki
nilai hysterisis, dimana nilai ini dibatasi oleh UTP dan LTP. Rangkaian ini banyak dipakai
pada saklar elektronik, pembangkit gelombang asimetris.

A. Astabil Multivibrator
Tidak memiliki kondisi yang “mantap” jadi akan selalu berguling dari satu kondisi ke kondisi
yang lain. Disebut sebagai multivibrator astable apabila kedua tingkat tegangan keluaran
yang dihasilkan oleh rangkaian multivibrator tersebut adalah quasistable. Disebut
quasistable apabila rangkaian multivibrator membentuk suatu pulsa tegangan keluaran
sebelum terjadi peralihan ti

B. Monostabil Multivibrator
Memiliki satu kondisi yang stabil dan satu kondisi yang tidak stabil Pada operasi ini,
pengatur waktu berfungsi sebagai satu tingkat keluaran (one shot). Disebut sebagai
multivibrator monostable apabila satu tingkat tegangan keluarannya adalah stabil sedangkan
tingkat tegangan keluaran yang lain adalah quasistable. Rangkaian tersebut akan beristirahat
pada saat tingkat tegangan keluarannya dalam keadaan stabil sampai dipicu menjadi keadaan
quasistable.ngkat tegangan keluaran ke tingkat lainnya tanpa satupun pemicu dari luar.

C. Bistabil Multivibrator
Memiliki dua keadaan yang stabil. Disebut sebagai multivibrator bistable apabila kedua
tingkat tegangan keluaran yang dihasilkan oleh rangkaian multivibrator tersebut adalah stabil
dan rangkaian multivibrator hanya akan mengubah kondisi tingkat tegangan keluarannya
pada saat dipicu.

BAB IV
AMPLIFIER
Penguat adalah rangkaian yang berfungsi sebagai penguat arus dan tegangan.
Kelompok penguat :
1. Penguat depan (pre-amp mic, head, phonografh)
2. Penguat tengah (tone dan volume)
3. Penguat akhir (power-amp)

A. Penguat Depan
Rangkaian yang fungsinya sebagai penguat sinyal input yang disesuaikan dengan sifat
frekuensinya
atau karakter yang terdiri dari :
1. frekuensi konstan / linier
2. frekuensi dinamis / berubah-ubah

B. Penguat Tengah
Tone
Tone merupakan rangkaian pengatur nada (frekuensi) yang meliputi frekuensi rendah, tengah,
tinggi. Tone aktif terdapat penguatan dan umpan balik sedangkan tone pasif tidak ada
penguatan.
Av = Zout / Zin ………(kali)

C.Penguat Akhir (power-amp)

Rangkaian yang dapat menggetarkan speaker. Macam-macam power :
1. OCL
Output Capasitor Less. Memakai rangkaian filter RC atau langsung transistor komplemen dan
tegangan ganda, sering disebut SEPP.

2. OTL
Output Transformator Less. Menggunkan transistor komplemen, outputnya menggunakan
kapasitor sering disebut dengan nama SPP (single Push Pull)

3. DEPP
Dual Ended Push Pull. Penguat akhir ini menggunaka IT dan OT serta tegangan tunggal.

4. BTL
Balance To Transformer Less. Dengan menggabungkan 2 penguat (stereo) menjadi satu
penguat, menggunakan rangkaian umpan balik, pembalik fasa.

5. Penguat Linier (IC)

Penguat akhir terintegrasi yang mempunyai penguatan linier terhadap VCC.

BAB V
OPERATIONAL AMPLIFIER

A. KARAKTERISTIK OP-AMP
Operational Amplifier merupakan amplifier multiusage dangan dua masukan (inverting dan
noninverting) dan satu keluaran. Sebagai amplifier ideal op-amp mempunyai karakteristik
sbb: Ditentukan oleh umpan balik dan mempunyai sifat :
3.3 Penguatan tegangan besar (Av)
3.4 Penguatan arus besar (Ai)
3.5 Penguatan daya besar (Ap)
3.6 Impendansi input besar (Zin)
3.7 Impendansi output kecil (Zout)
3.8 Band Width besar (BW)
Cirinya mempunyai tegangan +, tegangan – dan ground. Mempunyai input inverting dan non
inverting

B. COMPARATOR
Cara kerja Open-Loop Gain dari suatu OP-AMP dimana dengan adanya perbedaan tegangan
inputinputnya akan menyebabkan tegangan output berada dalam keadaan saturasi yaitu ±
Vsat sama dengan ± 90% tegangan catu.

C. FILTER AKTIF
Fungsi rangkaian filter untuk menyaring, menahan atau melewatkan frekuensi tertentu.
RangkaianBfilter dapat dibuat dari komponen pasif maupun aktif

D. SIGNAL GENERATOR DAN DETECTOR

Rangkaian pembentuk gelombang adalah merubah bentuk signal secara keseluruhan.
Generator
siganla dikelompokan berdasarkan bentuk gelombang yang dibangkitkan sedangkan osilator
ditentukan berdasarkan kemampuannya dalam mempertahankan amplitude dan frekuensi
keluaran
tetap atau dekat pada nilai yang ditetapkan dalam perancangan. Generator gelombang persegi
A. termasuk osilator yang disebut sebagai multivibrator seperti Schmitt Triggered
BAB III
PEMBAHASAN

A. Perbandingan Isi Buku

Buku Utama
Didalam buku utama karya Albert Paul Malvino yang telah disadur oleh Hanapi
Gunawan yang membahas tentang prinsip elektronika didalam nya tercantum tentang
persoalan-persoalan tentang elektronika,didalamnya juga membahas mengenai
semikonduktor,transistor diode,junction pn, dll

Untuk men-dop semikonduktor untuk mendapatkan kristal npn atau kristal pnp. Kristal
seperti ini disebut transistor junction. Daerah n memiliki banyak sekali lubang dan daerah p
memiliki banyak sekali lubang. Oleh sebab itu, transistar junction sering disebut transistor
bipolar.

Transistor memiliki dua sambungan, yang satu adalah antara emitor dan basis, dan yang lain
antara basis dan pengumpul. Karenanya, transistor seperti dua dioda. Kita sebut dioda sebelah
kiri sebagai dioda basis-emiter atau singkatnya dioda emiter. Dioda sebelah kanan adalah
dioda is-kolektor atau dioda kolektor.

Transistok pnp adalah komplemen dari transistor mpn, berarti pada transistor pep diperlukan
arus dan tegangan yang berlawanan. Agar tidak mencengangkan, pada pembicaraan awal
akan konsentrasi pada transistor npn.

Buku Pembanding
Dalam buku pembanding ini dengan karya Jayadin Ahmad juga banyak membahas tentang
persoalan elektronika yaitu konsep dasar elektronika,resistor,transistor,dll.
Pada transistor bipolar, arus yang mengalir berupa arus lubang (hole) dan arus electron
atau berupa pembawa muatan mayoritas dan minoritas. Transistor dapat berfungsi sebagai
penguat tegangan, penguat arus, penguat daya atau sebagai saklar. Ada 2 jenis transistor yaitu
PNP dan NPN.
Transistor di desain dari pemanfaatan sifat diode, arus menghantar dari diode dapat
dikontrol oleh electron yang ditambahkan pada pertemuan PN diode. Dengan penambahan
elekdiode pengontrol ini, maka diode semi-konduktor dapat dianggap dua buah diode yang
mempunyai electrode bersama pada pertemuan.

B. KELEBIHAN DAN KELEMAHAN BUKU

 BUKU UTAMA
o Kelebihan
Menurut saya kelebihan buku ini memiliki cover yang bagus sehingga
berkesan lebih menarik dan didalam buku tersebut memaparkan
penjelasan,gambar rangkaian dan konsep yang baik. Sehingga pembaca
mudah untuk memahami materi tersebut. Dalam buku tersebut terdapat
beberapa Latihan soal.

o Kelemahan
Dalam buku tersebut banyak terdapat kata yang sulit dimengerti, dan juga
contoh soal yang di sajikan terlalu sedikit di banding rumus/ pembahasan
yang banyak.

 BUKU PEMBANDING
o KELEBIHAN
Yang menjadi kelebihan buku ini adalah keseluruhan sudah memaparkan
setiap judul dengan jelas dengan setiap bab. Sehingga membuat pembaca
tertarik untuk membaca dan memahami dengan lebih baik
o KELEMAHAN
Menurut saya yang menjadi kelemahan buku ini adalah tidak adanya
contoh soal yang diterapkan padahal banyak rumus/penjelasan yang
dipaparkan.
 BAB IV
KESIMPULAN DAN SARAN

A. KESIMPULAN
Buku ini memiliki beberapa kelemahan dan kelebihan sebagai buku teks bagi para
mahasiswa akan tetapi hal tersebut di anggap wajar karena memang sulit untuk
menemukan hal yang sempurna di muka bumi ini.
Pada buku tersebut keduanya sama-sama membahas mengenai elektronika yang
berasal dari 2 buku/sumber. Pada kedua buku tersebut dalam segi penjelasan hamper
sama isinya karena dalam penyusunan kedua buku tersebut sudah menggunakan
metode ataupun rumus atau ketetapan yang berlaku mengenai ilmu elektronika. Oleh
sebab itu buku tersebut baik dibaca oleh siapa saja yang ingin mendalami ilmu
elektronika.

B. SARAN
Saran terhadap buku ini yaitu semakin memperbanyak contoh soal karena dengan
contoh soal pembaca/peneliti akan semakin mudah untuk paham dan mengerti
dikarenakan kalua hanya teori saja yang banyak dan tidak terdapat contoh
pengaplikasian teori tersebut yang cukup banyak kemungkinan besar para pembaca
atau peneliti akan kesulitan untuk memahaminya.