MAKALAH

ELEKTRONIKA ANALOG 2
PRATEGANGAN PEMBAGI TEGANGAN

DISUSUN OLEH:

NAMA : Agim Saputra

KELAS : 3EA
NPM : 062230320553
DOSEN PENGAMPU : SABILAL RASYAD, S.T., M. Kom

JURUSAN TEKNIK ELEKTRO

PROGRAM STUDI D3 TEKNIK ELEKTRONIKA
POLITEKNIK NEGERI SRIWIJAYA
2023
 Kata Pengantar
Puji syukur kehadirat Tuhan Yang Maha Esa atas segala rahmatNYA sehingga makalah ini dapat
tersusun hingga selesai . Tidak lupa kami juga mengucapkan banyak terimakasih atas bantuan dari pihak
yang telah berkontribusi dengan memberikan sumbangan baik materi maupunpikirannya.

Dan harapan kami semoga makalah ini dapat menambah pengetahuan dan pengalaman bagi para
pembaca, Untuk ke depannya dapat memperbaiki bentuk maupun menambah isi makalah agar menjadi
lebih baik lagi.

Karena keterbatasan pengetahuan maupun pengalaman kami, Kami yakin masih banyak
kekurangan dalam makalah ini, Oleh karena itu kami sangat mengharapkan saran dan kritik yang
membangun dari pembaca demi kesempurnaan makalah ini.
 DAFTAR ISI
Contents
MAKALAH .................................................................................................................................................. 1
Kata Pengantar .............................................................................................................................................. 2
DAFTAR ISI................................................................................................................................................. 3
BAB I PENDAHULUAN ............................................................................................................................. 4
BAB II........................................................................................................................................................... 5
PEMBAHASAN ........................................................................................................................................... 5
1. Transistor- transistor Dwikutub........................................................................................................ 5
1.1. Struktur ............................................................................................................................................ 5
1.1.1 Dioda Emiter dan Dioda Kolektor............................................................................................ 5
2.1.2. Transistor Tanpa Prategangan ................................................................................................ 6
2.1.3. Lambang Lambang Rangkaian ............................................................................................... 7
2.1.4. Pemberian Tegangan kepada transistor ................................................................................. 7
2.2. Prategangan Maju Balik ................................................................................................................. 8
2.2.1. Penjelasan Pendahuluan........................................................................................................... 8
2.2.2 Segi Pandang Energi ................................................................................................................ 10
2.2.3. Alfa Dc...................................................................................................................................... 10
2.2.4. Hambatan Penyebaran Basis ................................................................................................. 11
2.3. Hubungan CE ................................................................................................................................. 12
2.3.1.Operasi CE ............................................................................................................................... 12
2.3.2. Beta DC .................................................................................................................................... 13
2.3.3. Hubungan Antara ................................................................................................................... 14
BAB III ....................................................................................................................................................... 16
PENUTUP .................................................................................................................................................. 16
3. KESIMPULAN ................................................................................................................................. 16
 BAB I
PENDAHULUAN

BJT tetap menjadi peranti pilihan untuk beberapa penggunaan, seperti sirkuit diskrit, karena
tersedia banyak jenis BJT, transkonduktansinya yang tinggi serta resistansi kekuasannya yang
tinggi dibandingkan dengan MOSFET. BJT juga dipilih untuk sirkuit analog khusus, terutama
penggunaan frekuensi sangat tinggi (VHF), seperti sirkuit frekuensi radio untuk sistem nirkabel.
Transistor dwikutub dapat dikombinasikan dengan MOSFET dalam sebuah sirkuit terpadu dengan
menggunakan proses BiCMOS untuk membuat sirkuit inovatif yang menggunakan kelebihan
kedua tipe transistor.
BJT tetap menjadi peranti pilihan untuk beberapa penggunaan, seperti sirkuit diskrit, karena
tersedia banyak jenis BJT, transkonduktansinya yang tinggi serta resistansi kekuasannya yang
tinggi dibandingkan dengan MOSFET. BJT juga dipilih untuk sirkuit analog khusus, terutama
penggunaan frekuensi sangat tinggi (VHF), seperti sirkuit frekuensi radio untuk sistem nirkabel.
Transistor dwikutub dapat dikombinasikan dengan MOSFET dalam sebuah sirkuit terpadu
dengan menggunakan proses BiCMOS untuk membuat sirkuit inovatif yang menggunakan
kelebihan kedua tipe transistor.
 BAB II
PEMBAHASAN

1. Transistor- transistor Dwikutub

1.1. Struktur
Suatu transistor adalah seserpih kristal yang terdiri dari tiga daerah dengan isi tak muatanian yang
berbeda seperti transistor npn dari Gambar 5-1a. Bagian yang disebut emiter

mengandung tak-murnian Yang berkadar tinggi; tugasnya adalah menyalurkan atau menyuntikkan
elektron ke dalam basisnya. Daerah yang disebut basis (alas) mengandung tak-murnian yang
berkadar rendah dan merupakan bagian yang sangat tipis. Tugasnya adalah meneruskan sebagian
terbesar dari elektron suntikan-emiter tersebut kepada kolekror. Tingkat kadar tak-murnian dalam
kolektor terletak di antara kadar-kadar takmurnian dari emiter dan basis. Kolektor merupakan
daerah Yang terbesar dari tiga daerah transistor tersebut, karena harus menangani disipasi energi
yang lebih besar dari dua daerah Iainnya. Untuk transist01 npn, elektron bebas merupakan
pembawa-pembawa mayoritas dalam emiter dan kolektor.

1.1.1 Dioda Emiter dan Dioda Kolektor

Transistor dalam Gambar 5-1a mempunyai dua persambungan, Diode Kolektor yang
satu antara emiter dan basis, yang Iain antara basis dan kolektor. Sehubungan dengan ini,
suatu transistor dapat dipandang ebagai dua diode yang dalam hubungan saling
membelakang. Dalam gambaran ini, diode di sebelah kiri disebut diode emiter-basis, atau
singkatnya diode emiter. Diode di sebelah kanan disebut diode kolektor-basis atau secara
singkat, diode kölektor.
Gambar 5-1b memperlihatkan kemungkinan susunan Yang Iain, yaitu transistor pnp.
Transistor pnp merupakan komplemen dari transistor npn, karena Iubang-lubang yang
berperan sebagai pembawa-pembawa mayoritas dalam emiter dan kolektor dari transistor
pnp. Ini berarti bahwa operasi transistor pnp menyangkut polaritas arus dan tegangan Yang
 berlawanan dengan operasi transistor npn. Untuk menghindari kekacauan kita akan
membatasi pembahasan awal pada transistor npn saja.

2.1.2. Transistor Tanpa Prategangan

Dalam transistor npn, elektron-elektron bebas dari emiter akan bebas dari emiter
akan berdifusi menyeberangi persambungan emiter dan masuk ke dalam sis. Sebagai
akibatnya, ini menimbulkan lapisan pengosongan (de. plesi) antara emitet dan baris
seperti terlihat pada Gambar 5-2a (lapisan pengosongan EB). Demikian pula elektron-
elektron bebas dalam kolektor akan berdifusi menyebera. ngi persambungan kolektor dan
menimbulkan lapisan pengosongan CB (atau KB). p tensial bariet untuk masing-masing
lapisan pengosongan ini kurang lebih sarna denun 0,7 V pada 25 oc untuk transistor
silikon (0,3 V untuk transistor germanium). Seperti yang dilakukan dalam pembahasan
tentang diode, kita akan menekankan di sini transis. tor silikon saja mengingat
penggunaannya yang lebih luas daripada transistor germanis um. Transistor silikon
mempunyai batas tegangan maupun batas arus yang lebih tinggi dan kepekaan yang lebih
rendah terhadap perubahan suhu. Dalam pembahasan berikut. nya, kita elalu
mengandaikan transistor yang disebut itu adalah transistor Silikon kecuali diberi
keterangan Iain.
Karena tiga daerah tersebut di atas mempunyai kadar tak-murnian yang berbeda
lapisan-lapisan pengosongan Yang dijelaskan di atas juga mempunyai lebar Yang
berbeda. Makin tinggi kadar tak-murniannya, makin besar pula kadar ion di sekitar
persambunyian Ini berarti bahwa lapisan pengosongan emiter hanya sedikit menembus
ke dalam daerah emiter (Yang banyak mengandung tak-murnian), tetapi meluas jauh ke
dalam daerah basis (yang berkadar rendah dalam tak-murnian). Begitu pula lapisan
pengosongan kolektor menembus jauh ke dalam daerah basis maupun daerah kolektor.
perbedaan lebar dari dua jenis lapisan pengosongan itu diperlihatkan Oleh Gambar 5-2b.
Jelas terlihat dalam gambar ini bahwa lapisan pengosongan emiter lebih tipis dan lapisan
pengosongan kolektor lebih tebal. Perhatikan bahwa lapisan-lapisan pengosongan
tersebut diberi warna kelabu untuk menunjukkan kekosongan dari pembawa-pembawa
mayoritas.
2.1.3. Lambang Lambang Rangkaian
Dalam Gambar 5-3a diberikan Iambang rangkaian (Iambang skematic ) dari transistor
npn. Kepala anak-panah terdapat pada Rangkaian emitor tetapi tidak pada kolektor. Anak-panah
ini menunjukkan arah mudah dari aliran konvensional. Jika Yang dipilih adalah bahasa dalam
aliran elektron,

maka marah-mudah dari arus bersangkutan menjadi berlawanan dengan arah panah.
Mungkin ada gunanya untuk diingat bahwa tanda panah iłu selalu menunjuk ke arah dari
mana datangnya elektron elektron. lambang rangkaian transistor. pnp diberikan dałam
Gambar 5-3b. Di sini tanda pamengarah ke dałam emiter, yang berarti bahwa arah-mudah
dari aliran konvensional adalah arah menuju ke dałam emiter. Jadi untuk aliran elektron,
arah.mudahnya adalah zah kelunr dari emiter.

2.1.4. Pemberian Tegangan kepada transistor

Gambar 54a menunjukkan transistor npn dengan basis yang Pemberbn
TransistorPrategangan diketanahkan. Karena basisnya bersekutu dengan simpal-simpal
emiter dan kolektor, rangkaian ini disebut hubungan (atau konfigurasi) basis-sekutu
(common-base, disingkat menjadi CB). Kadang-kadang disebut pula konfigurasi dengan
basis yang diketanahkan (grounded-base). Dałam Gambar 54a, catudaya dc di sebelah
kiri akan memberi prategangan-balik kepada diode emiter, dan catudaya dc di sebelah
kanan akan memberi prategangan balik kepada diode kolektor. Karena kedua diode
tersebut mendapat prategangan-balik, arus dałam masingmasing diode hampir sama
dengan nol.
Gambar 5-4b menunjukkan kemungkinan lain. Dałam kasus ini, catudaya dc
di sebelah kiri memberi prategangan maju kepada diode emiter dan catu-daya dc di
sebelah kanan juga memberi prategangan maju kepada diode kolektor. Karena iłu
masing-masing diode dilalui arus yang besar.
2.2. Prategangan Maju Balik
Jika diode emiter diberi prategangan maju dan diode kolektor diberi prategangan balik
eperti ditunjukkan oleh Gambar 54c, maka ini akan menimbulkan sesuatu yang luar biasa.
Reaksi awal kita akan mengatakan bahwa yang terjadi adalah arus emiter yang be. sar, dan
arus kolektor yang sangat kecil. Ternyata tidak demikian halnya Memang akan terjadi arus
emiter yang besar, namun arus kolektor yang terjadi pun juga besar. Hasil yang tak-terduga
inilah yang menjadikan transistor suatu piranti penting sebagaimana dikenal sekarang.

2.2.1. Penjelasan Pendahuluan

Pada saat diode emiter diberi prategangan maju, elektron-elektron bebas dalam
emiter belum tentu akan memasuki daerah basis (Gambar 5-5a). Namun jika tegangan
yang diberikan itu melebihi 0,7 V, maka sejumlah besar dari elektron-elektron bebas
tersebut akan memasuki daerah basis (Gambar 5-5b). Elektron-elektron bebas yang berada
dalam basis ini, sekarang dapat mengalir dalam salah satu dari dua arah yang mungkin
turun ke bawah sepanjang basis yang tipis itu terus masuk ke dalam penyalur keluar dari
basis, atau menyeberangi persambungan kolektor dan masuk ke dalam daerah kolektor.
Komponen arus basis yang mengalir ke bawah disebut arus rekombinasi karena elektron-
elektron bebas yang bersangkutan ha. rus bergabung kembali dengan lubang-lubang
sebelum dapat mengalir keluar dari penyalur basis. Ans rekombinasi adalah arus yang
kecil karena basis transistor mengandung lubang-lubang tak-murnian yang berjumlah
kecil.

Mengingat bahwa daerah basis sangat tipis dan mengandung tak-murnian yang berkadar
rendah, sebagian terbesar dari elektron-elektron bebas dalam daerah basis akan berdifusi
ke dalam kolektor seperti diperlihatkan oleh Gambar 5-5c. Segera setelah memasuki
kolektor, elektron-elektron bebas tersebut akan mengalir ke dalam penyalur keluar dari
kolektor dan meneruskan perjalanannya ke terminal positif dari baterai.

Gambaran terakhir dari proses yang terjadi adalah sebagai berikut. Dari Gambar
5-5c kita membayangkan adanya arus tunak elektron-elektron yang meninggalkan
terminal negatif dari sumber dan memasuki daerah emiter. Prategangan maju pada diode
emiter memang akan memaksa elektron-elektron bebas ini mengalir ke dalam daerah
basis. Namun daerah yang tipis dari basis serta kadar tak-murnian yang rendah dalam basis
akan memberi waktu yang cukup panjang kepada hampir semua elektron tersebut untuk
berdifusi ke dalam kolektor sebelum sempat bergabung kembali dengan lubang- lubang
dalam basis. Elektron-elektron bebas ini selanjutnya mengalir keluar dari kolektor dan
masuk ke dalam terminal positif dari catu-daya kolektor. Dalam kebanyakan transistor,
lebih dari 95 persen elektron-elektron suntikan-emiter akan mengalir kedalam kolektor
dan kurang dari 5 persen yang bergabung kembali dengan lubang-lubang basis dan
mengalir keluar melalui penyalur basis.

Berikut ini berupa pernyataan dari tiga hal pokok yang perlu diingat tentang operasi
transistor:
1. Untuk operasi normal, diode emiter diberi prategangan maju dan diode kolekor
diberi prategangan balik.

2. Arus kolektor hampir sama dengan arus emiter.

3. Arus basis kecil sekali.
Gambar 5-6 menunjukkan ukuran relatif dari arus emiter, arus kolektor dan arus basis.
Secara kebetulan, arus basis sama dengan selisih antara arus emiter dan arus kolektor.
Dalam lambang matematis, ini berarti berlakunya persamaan
2.2.2 Segi Pandang Energi
Langkah berikutnya untuk memahami operasi transistor secara leEnergi bih mendalam
adalah pengupasan atas dasar diagram energi. Pemberian prategangan maju kepada diode emiter
akan memberi energi cukup besar kepada elektron-elektron bebas dalam Gambar 5-7, untuk
bergerak dari emiter ke basis. Segera setelah memasuki basis, elektron-elektron bebas ini
menjadi pembawa-pembawa minoritas karena berada di dalam daerah p. Untuk hampir semua
jenis transistor, 95 persen lebih dari pembawa-pembawa minoritas ini mempunyai umur yang
cukup panjang untuk berdifusi ke dalam lapisan pengosongan kolektor dan meluncur ke dalam
kolektor yang menempati tingkat energi lebih rendah. Dalam proses meluncur ke tingkat energi
lebih rendah, elektron-elektron bebas itu akan melepaskan energinya, kebanyakan dalam bentuk
panas. Kolektor harus dapat menyalurkan (membuang) panas

ini, dan karena alasan itulah, kolektor merupakan daerah yang paling besar
Ukurannya di antara tiga daerah pengandung tak-murnian dari suatu transistor.
Hanya kurang dari 5 persen elektron-elektron suntikan-emiter yang mengikuti jejak
rekombinasi dalam Gambar 5-7. Elektron yang mengalami proses rekombinasi akan
menjadi elektron valen. si dan mengalir melalui lubang-lubang basis ke dalam
penyalur keluar dari basis.

2.2.3. Alfa Dc
Seperti disinggung dalam pembahasan terdahulu, arus kolektor tidak Alfa DC bisa
melebihi arus emiter. Parameter yang disebut alfa dc dari suatu transistor merupakan
ukuran keberdekatan antara kedua arus itu. Parameter tersebut didefinisikan sebagai nisbah
(atau perbandingan) ams kolektor terhadap arus emiter:
 sebagai contoh, misalkan hasil.hasil pengukutan IC adalah 9,8 mA dan IE
berharga 10mA, maka

Harga adc makin tinggi bila basis lcbih tipis dan mengandung tak-murnian
dengan kadar lebih rendah. Secara ideal, adc sama dengan satujika semua
elektron suntikan diteruskan ke kolektor. Banyak transistor yang mempunyai
lebih besar dari 0,99, dan hampir semuanya mempunyai yang berharga lebih
Sehubungan dengan mi. harga adc dapat diambil sama dengan satu sebagai
aproksimasi dalam bagian terbesar dari pembahasan kita.
Dalam Gambar 5-8 diberi penjelasan grafis tentang perbandingan antara
arus-arus emiter dan kolektor untuk berbagai harga adc. Dapat dibaca bahwa dalam
semua kasus, kedua macam arus itu hampir sama besarnya. Usahakan agar hal
pokok ini diingat dengan baik-baik karena pengertian ini akan banyak
mempermudah usaha pemecahan kesulitan dengan cepat serta usaha perancangan
sebagaimana akan dibahas kemudian.

2.2.4. Hambatan Penyebaran Basis

Akibat penembusan (penetrasi) dua lapisan-pengosongan ke dalam Hambatan
daerah basis, kehadiran lubang-lubang basis akan terbatas dalam saPenyebaran-Basis luran
yang tipis dalam semikonduktor jenis p. Hambatan dari saluran tipis ini disebut hambatan
penyebaran-basis rb`. Arus rekombinasi IB akan mengalir ke penyalur-keluar dari basis
melalui hambatan rb`, tersebut. Sebagai akibatnya pada saluran ini akan terjadi selisih
tegangan sebesar Ibr`b, . Pentingnya tegangan ini akan dibahas kemudian, dan untuk
 sementara cukup disadari saja adanya tegangan itu. Secara khas, rb` berharga antara 50
sampai 150 ohm. Hambatan r`b mempunyai pengaruh penting

dałam rangkaian frekuensi-tinggi. Pada frekuensi rendah biasanya r; tidak

banyak berpengaruh

2.3. Hubungan CE
Suatu transistor dwikutub (bipolar) dapat dirangkai dengan emiternya dan bukan nya
yang diketanahkan, sepcrti terlihat dałam Gambar 5-9a. Dałam rangkaian ini, emi. ter
bersekutu dengan simpal-simpal basis dan kolektor. Itulah sebabnya rangkaian ini di. sebut
hubungan atau konfigurasi emiter-sekutu (common-emitter, dan disingkat dengan CE).
Kadang-kadang rangkaian ini juga dikenal sebagai rangkaian dcngan emiter.yang.
diketanahkan (grounded-cmittcr).
2.3.1.Operasi CE
Perubahan dari hubungan CB (Gambar 5-5a) ke hubungan CE (Gam. bar 5-9a) belaka
tidak mengubah cara operasi transistor. Elektron. elektron bebas akan bergerak menułut pola
yang sama dałam dua kasus iłu. Emiter tetap berisi penuh dengan elektron-elektron bebas
(Gambar 5-9b). Bila vBE melebihi harga sekitar 0,7v
 maka emiter akan menyuntikkan elektron-elektron bebas itu ke dalam
basis (5.9c). Seperti dalam hubungan CB, basis yang tipis dan berkadar
rcndah dalam takmurnian itu akan mcmberi waktu yang cukup panjang
kepada hampir semua elektron untuk berdifusi ke dalam kolektor. Dengan
prategangan balik yang diberikan kepada diode kolektor, elektron-elektton
bebas ini akan mengalir keluar dari kolektor dan terus masuk ke dalam
sumber tegangannya di luar (Gambar 5-9d).

2.3.2. Beta DC
Dalam Gambar 5-9a ditunjukkan bahwa arus kolektor itu besar dan
Beta DC arus basis kecil. Besaran yang disebut beta dc dari suatu transistor,
atau bati arus dC untuk hubungan CE, didefinisikan sebagai nisbah arus
kolektor terhadap arus basis. Secara simbolis,
 Gambar 5-10 memperlihatkan perubahan tiga macam arus transistor tersebut,
terhadap harga-harga ßdc yang berbeda. Jelas terlihat bahwa bilamana harga ßdc
bertambah besar, maka arus kolektor makin mendekati arus emiter, sedangkan arus basis
makin mendekati harga nol. Untuk hampir semua transistor, kurang dari 5 persen elektron
suntikan-emiter yang menghasilkan IB melalui rekombinasi dengan lubang-lubang basis.
Karena itu, ßdc hampir selalu melebihi angka 20. Biasanya, harga ßdc terletak antara 50
dan 300. Beberapa transistor memiliki ßdc sebesar 1000. Dalam sistem analisis yang lain
, sebagai pengganti parameter ßdc digunakan parameter hibrida, bFE, untuk mengukur
bati arus dC. Jadi,

Ingatlah baik-baik hubungan ini, karena lembar-lembar data transistor menggunakan

larnbag bFE untuk bati arus dC dari rangkaian CE. Misalnya, lembar data dari transistor
2N3904 mencantumkan harga minimum bFE sebesar 100 dan harga maksimum sebesar
300. Ini berarti dari ribuan transistor tipe 2N3904 yang terdapat di pasaran, sebagian
mempunyai harga ßdc serendah 100, sedangkan bagian lainnya dapat mempunyai ßdc
setinggi 300. Jadi, untuk keperluan produksi massa, rangkaian yang menggunakan
transistor 2N3904 harus dirancang untuk beroperasi dengan harga ßdc yang terletak antara
100 sampai 300.

2.3.3. Hubungan Antara

Telah dijelaska sebelumnya bahwa arus emiter sama dengan jumlah arus kolektor
dan arus basis:
 Gambar 5-1 1 menunjukkan pola perubahan Qdc sebagai
fungsi dari Pdc. Bila gdc ber. tambah dari 20 sampai 300, maka
Qdc bertambah dari 0,95 menjadi 1 . Pengertian yang penting di
sini adalah kenyataan bahwa Qdc hampir sama dengan satu untuk
semua harga Bdc yang praktis. Dengan kata lain, dałam usaha
pemecahan kesulitan secara cepat maupun dałam merancang
rangakaian transistor, kita hampir selalu menganggap ma
dengan l

.
 BAB III
PENUTUP

3. KESIMPULAN
Untuk operasi transistor yang normal, diode emiternya diberi prategangan maju dandiode
kolektornya diberi prategangan balik. Dalam hal ini, elektron-elektron bebas dariemiter akan
disuntikkan ke dalam basis. Karena daerah basis itu tipis dan berkadar ren-dah dalam tak-
murnian, maka hampir semua elektron bebas tersebut berdifusi ke dalamkolektor. Sebagai
hasilnya, arus kolektor kurang lebih sama dengan arus emiter, sedang-kan arus basisnya jauh
lebih kecil dari arus emiter.
Parameter &dc merupakan nisbah arus kolektor terhadap arus emiter. Untuk keba-nyakan
transistor, Qdc berharga lebih besar dari 0,95. Atas dasar ini, sering diambil har-ga
aproksimasi sama dengan satu. Begitu pula, ßdc hampir selalu lebih besar dari 20, de-ngan
harga khas yang terletak antara 50 dan 300. Dalam lembar data, parameter Bac ada-lah
equivalen dengan parameter hFE.
suatu transistor mempunyai empat daerah operasi: daerah aktif, daerah jenuh, dae-rah putus
dan daerah dadal. Untuk rangkaian linear, transistor beroperasi dalam daerahakif, yang
berarti bahwa diode emiter diberi prategangan maju dan diode kolektor men,dapat
prategangan balik. Garis-beban dc merupakan tempat kedudukan dari semua titikQ untuk
operasi di antara daerah putus dan daerah jenuh. Untuk rangkaian dengan pra-tegangan basis,
letak titik Q tak dapat diramalkan dan tidak stabil akibat ketergantung-annya yang peka pada
harga βdb. Di pihak lain, prategangan pembagi-tegangan mengha-silkan titik Q yang hampir
tak bergantung pada ßdc. Bentuk-bentuk rangkaian prategang-an yang lain adalah
prategangan umpanbalik-emiter, prategangan umpanbalik-kolektordan prategangan emiter.
Transistor sinyal-kecil mempunyai batas daya sebesar setengah watt atau lebih
kecil.Transistor daya di pihak lain mempunyai batas daya di atas setengah watt. Batas-
batasmaksimum dari transistor mencakup besaran-besaran VcEo, VсBо, VEBO,Ic dan
PD.Pe-langgaran salah satu dari batas-batas ini akan merusak transistor. Salah satu cara
penge-tesan transistor adalah cara yang menggunakan ohmmeter. Hambatan antara
kolektordan emiter harus berharga tinggi dalam dua arah yang berlawanan. Selain iut, baik
emi-ter maupun kolektor harus mempunyai harga nisbah balik/maju yang sangat tinggi da-
lam hambatannya.