CRITICAL BOOK RIVIEW (CBR)

MATA KULIAH ELEKTRONIKA DASAR

DOSEN PENGAMPU: Drs. KHAIRUL AMDANI, M.Si

CRITICAL BOOK RIVIEW

MK. ELEKDAS

PRODI S1 PEND.FISIKA

SKOR / Nilai :

“ELEKTRONIKA TEORI DAN PENERAPAN”

(Surjono, Hermawan D. 2007)

DISUSUN OLEH:
KELOMPOK 5

1. JANTRI SYAH PUTRA SEMBIRING : 4212321002

2. LORIANA R NABABAN : 4212421017
3. MARLINDA MANALU : 4212421006
4. NOVRY HISKIA H SIMANULLANG : 4213121034
5. PUTRI ROMA ULI NYATA SIHOMBING : 4213321001
6. RENI RIANI : 4212421004

PROGRAM STUDI S1 PENDIDIKAN FISIKA

FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
UNIVERSITAS NEGERI MEDAN
2023
 KATA PENGANTAR

Puji dan syukur kami panjatkan kehadirat Tuhan Yang Maha Esa, atas anugrah dan
berkat-nya sehingga kami mampu menyelesaikan laporan Critical Book Report ini dengan
sebaik-baiuknya dan dengan tepat waktu. Tujuan saya untuk membuat laporan Critical Book
Report ini ialah untuk memnuhi salah satu tugas matakuliah Elektronika Dasar. Adapun
materi isi buku yang akan penulis kritis ialah mengenai Dioda Semi Konduktor .

Kami sebagai penulis mengucapkan terimakasih kepada seluruh pihak yang

membantu dalam penyelesaian penyusunan Critical Book Report ini.Semoga kiranya
bermanfaat bagi banyak orang khususnya bagi kami dan umumnya bagi siapa saja yang
membacanya.

Dalam penulisan laporan Crital Book Report ini kami sebagai penulis menyadari
bahwa masih banyak kekurang kami dalam penulisan laporan Critical Book Report ini. Oleh
karna itu, kritik dan saran dari pembaca yang bersifat memperbaiki saangat diharapkan. Atas
perhatianya kami ucapkan terimakasih.

Medan, 21 Feberuari 2023

Kelompok 2
 DAFTAR ISI

KATA PENGANTAR...............................................................................................................2
DAFTAR ISI..............................................................................................................................3
BAB I.........................................................................................................................................4
PENDAHULUAN......................................................................................................................4
1.1 Latar Belakang..................................................................................................................4
1.2 Tujuan Penulisan CBR.....................................................................................................4
1.3 Manfaat Penulisan CBR...................................................................................................4
1.4 Identitas Isi Buku..............................................................................................................5
BAB II........................................................................................................................................6
RINGKASAN ISI BUKU..........................................................................................................6
2.1 DIODA SEMI KONDUKTOR........................................................................................6
BAB III.....................................................................................................................................15
PEMBAHASAN......................................................................................................................15
3.1 Pembahasan isi buku.................................................................................................15
3.2 Kelebihan dan Kekurangan Buku..................................................................................15
BAB IV....................................................................................................................................16
PENUTUP................................................................................................................................16
DAFTAR PUSTAKA..............................................................................................................19
 BAB I

PENDAHULUAN
1.1 Latar Belakang
Dioda merupakan komponen elektronika non-linier yang sederhana. Struktur dasar
dioda berupa bahan semikonduktor type P yang disambung dengan bahan type N. Pada ujung
bahan type P dijadikan terminal Anoda (A) dan ujung lainnya katoda (K), sehingga dua
terminal inilah yang menyiratkan nama dioda. Operasi dioda ditentukan oleh polaritas relatif
kaki Anoda terhadap kaki Katoda.

Pada bab ini akan dibahas prinsip kerja dan karakteristik dioda. Karakteristik dioda
terdiri atas kurva maju dan kurva mundur. Pada bias maju arus mengalir dengan besar
sedangkan pada bias mundur yang mengalir hanya arus bocor kecil.

1.2 Tujuan Penulisan CBR

Adapun tujuan CBR ini untuk mengetahui kelebihan dan kekurangan isi buku,
menguji kualitas buku dengan membandingkan karya dari penulis yang yang lainnya. Dan
dengan membaca isi buku kita dapat menambah wawasan kita tentang Dioda Semi
Konduktor , adapun tujuan lainnya yaitu untuk penyelesaian tugas CBR dari mata kuliah
Elektronika Dasar.

1.3 Manfaat Penulisan CBR

Manfaat yang dapat disimpulkan yaitu :

- Menambah wawasan pengetahuan tentang arti dari Semi konduktor, Tipe-tipe semi
konduktor dan bagaimana cara mengkritik buku dengan baik.
- Memudahkan pembaca mengambil dan membaca isi buku dengan singkat.
- Melatih mahasiswa untuk dapat merumuskan serta mengambil kesimpulan dari buku yang
dikritis atau dianalisis.
1.4 Identitas Isi Buku
Judul : Elektronika Teori dan Penerapan

Edisi : Cetakan ke 2

Penulis : Herman Dwi Surjono, Ph.D.

Penerbit : Cerdas Ulet Kreatif

Tahun Terbit : 2007

Kota Terbit : Jawa Timur

ISBN : 978-602-98174-7-8
 BAB II

RINGKASAN ISI BUKU

2.1 DIODA SEMI KONDUKTOR

A. Pendahuluan
Dioda merupakan komponen elektronika non-linier yang sederhana. Struktur dasar dioda
berupa bahan semikonduktor type P yang disambung dengan bahan type N. Pada ujung bahan
type P dijadikan terminal Anoda (A) dan ujung lainnya katoda (K), sehingga dua terminal
inilah yang menyiratkan nama dioda. Operasi dioda ditentukan oleh polaritas relatif kaki
Anoda terhadap kaki Katoda.

B. Teori Semi Konduktor

Secara umum semikonduktor adalah bahan yang sifat-sifat kelistrikannya terletak antara
sifat-sifat konduktor dan isolator. Sifat-sifat kelistrikan konduktor maupun isolator tidak
mudah berubah oleh pengaruh temperatur, cahaya atau medan magnit, tetapi pada
semikonduktor sifat-sifat tersebut sangat sensitif.
Elemen terkecil dari suatu bahan yang masih memiliki sifat-sifat kimia dan fisika yang
sama adalah atom. Suatu atom terdiri atas tiga partikel dasar, yaitu: neutron, proton, dan
elektron. Struktur atom dengan model Bohr dari bahan semikonduktor yang paling banyak
digunakan, silikon dan germanium, terlihat pada gambar berikut :
1. Atom silikon mempunyai elektron yang mengorbit (yang mengelilingi inti) sebanyak
14 dan atom germanium mempunyai 32 elektron.
2. Pada atom yang seimbang (netral)
jumlah elektron dalam orbit sama
dengan jumlah proton dalam inti.
Muatan listrik sebuah elektron adalah: -
1.602-19 C dan muatan sebuah proton
adalah: + 1.602-19 C.
3. Atom silikon dan germanium masing-
masing mempunyai empat elektron
valensi. Oleh karena itu baik atom
silikon maupun atom germanium
disebut juga dengan atom tetra-valent
(bervalensi empat).
Struktur kisi-kisi kristal silikon murni dapat digambarkan secara dua dimensi :

Meskipun terikat dengan kuat dalam struktur

kristal, namun bisa saja elektron valensi
tersebut keluar dari ikatan kovalen menuju
daerah konduksi apabila diberikan energi
panas. Bila energi panas tersebut cukup kuat
untuk memisahkan elektron dari ikatan
kovalen maka elektron tersebut menjadi
bebas atau disebut dengan elektron bebas.

1. Setiap elektron yang menempati suatu

orbit tertentu dalam struktur atom
tunggal (atau terisolasi) akan
mempunyai level energi tertentu.
Semakin jauh posisi orbit suatu elektron,
maka semakin besar level energinya.
2. Di antara level energi individual yang
dimiliki elektron pada orbit tertentu
terdapat celah energi yang mana tidak
dimungkinkan adanya elektron mengorbit. Oleh karena itu celah ini disebut juga
dengan daerah terlarang.
3. Suatu elektron tidak dapat mengorbit pada daerah terlarang, tetapi bisa melewatinya
dengan cepat.
4. Elektron yang berpindah ke orbit lebih luar akan membutuhkan energi, sedangkan bila
berpindah ke orbit lebih dalam akan mengeluarkan energi.
Besarnya energi dari suatu elektron dinyatakan dengan satuan elektron volt (eV).
Dirumuskan sebagai :

W=Q.V dimana:

W = energi [Joule (J)]

Q = muatan (Coulomb)

V = potensial listrik [Volt (V)]

Suatu energi bila diberikan kepada elektron valensi, maka elektron tersebut akan meloncat
keluar. Oleh karena elektron valensi terletak pada orbit terluar dari struktur atom, maka
elektron tersebut akan meloncat ke daerah pita konduksi. Pita konduksi merupakan level
energi dimana elektron terlepas dari ikatan inti atom atau menjadi elektron bebas. Jarak
energi antara pita valensi dan pita konduksi disebut dengan pita celah atau daerah terlarang.

Seberapa besar perbedaan energi, Eg, (jarak energi)

antara pita valensi dan pita konduksi pada suatu bahan
akan menentukan apakah bahan tersebut termasuk
isolator, semikonduktor atau konduktor. Eg adalah energi
yang diperlukan oleh elektron valensi untuk berpindah
dari pita valensi ke pita konduksi. Eg dinyatakan dalam
satuan eV (elektron volt). Semakin besar Eg, semakin
besar energi yang dibutuhkan elektron valensi untuk
berpindah ke pita konduksi.

Pada bahan semikonduktor lebar daerah terlarang relatif

kecil. Pada suhu mutlak 0o Kelvin, tidak ada elektron
valensi yang keluar ke pita konduksi, sehingga pada
suhu ini bahan semikonduktor merupakan isolator yang
baik. Namun pada suhu ruang, energi panas mampu
memindahkan sebagian elektron valensi ke pita konduksi
(menjadi elektron bebas). Pada bahan silikon dan
germanium masing-masing Eg-nya adalah 1.1 eV dan
0.67 eV.

C. Semi Konduktor type n

Apabila bahan semikonduktor intrinsik (murni) diberi (didoping) dengan bahan bervalensi
lain maka diperoleh semikonduktor ekstrinsik. Jika bahan silikon didoping dengan bahan
ketidak murnian (impuritas) bervalensi lima (penta-valens), maka diperoleh semikonduktor
tipe n. Bahan dopan yang bervalensi lima ini misalnya antimoni, arsenik, dan pospor. Karena
setiap atom dopan ini menyumbang sebuah elektron, maka atom yang bervalensi lima disebut
dengan atom donor. Dan elektron “bebas” sumbangan dari atom dopan inipun dapat dikontrol
jumlahnya atau konsentrasinya.
Pada bahan type n disamping jumlah elektron bebasnya (pembawa mayoritas) meningkat,
ternyata jumlah holenya (pembawa minoritas) menurun. Hal ini disebabkan karena dengan
 bertambahnya jumlah elektron bebas, maka
kecepatan hole dan elektron ber-rekombinasi
(bergabungnya kembali elektron dengan hole)
semakin meningkat. Sehingga jumlah holenya
menurun.

Jarak antara pita konduksi dengan level energi

donor sangat kecil yaitu 0.05 eV untuk silikon dan
0.01 eV untuk germanium. Oleh karena itu pada
suhu ruang saja, maka semua elektron donor sudah
bisa mencapai pita konduksi dan menjadi
elektron bebas.

Karena atomatom donor telah ditinggalkan oleh

elektron valensinya (yakni menjadi elektron
bebas), maka menjadi ion yang bermuatan
positip. Sehingga digambarkan dengan tanda positip.

Sedangkan elektron bebasnya menjadi pembawa

mayoritas. Dan pembawa minoritasnya berupa
hole.

D. Semi Konduktor type p

Apabila bahan semikonduktor murni (intrinsik) didoping dengan bahan impuritas (ketidak-
murnian) bervalensi tiga, maka akan diperoleh semikonduktor type p. Bahan dopan yang
bervalensi tiga tersebut misalnya boron, galium, dan indium.
1. Seperti halnya pada semikonduktor type n, secara keseluruhan kristal semikonduktor
type n ini adalah netral. Karena jumlah hole dan elektronnya sama.
2. Pada bahan type p, hole merupakan pembawa muatan mayoritas. Karena dengan
penambahan atom dopan akan meningkatkan jumlah hole sebagai pembawa muatan.
Sedangkan pembawa minoritasnya adalah elektron.

Jarak antara level energi akseptor dengan pita valensi sangat kecil yaitu sekitar 0.01
eV untuk germanium dan 0.05 eV untuk silikon. Dengan demikian hanya dibutuhkan
 energi yang sangat kecil bagi elektron
valensi untuk menempati hole di level
energi akseptor. Oleh karena itu pada
suhur ruang banyak sekali jumlah hole di
pita valensi yang merupakan pembawa
muatan.

Karena atom-atom akseptor telah menerima elektron, maka menjadi ion yang
bermuatan negatip. Sehingga digambarkan dengan tanda negatip. Pembawa mayoritas
berupa hole dan pembawa minoritasnya berupa elektron.

E. Dioda Semikonduktor
Dioda semikonduktor dibentuk dengan cara menyambungkan semikonduktor type p dan type
n. Pada saat terjadinya sambungan (junction) p dan n, hole-hole pada bahan p dan elektron-
elektron pada bahan n disekitar sambungan cenderung untuk berkombinasi. Hole dan elektron
yang berkombinasi ini saling meniadakan, sehingga pada daerah sekitar sambungan ini
kosong dari pembawa muatan dan terbentuk daerah pengosongan (depletion region).

F. Bias Mundur (Reverse Bias)

Bias mundur adalah pemberian tegangan negatip
baterai ke terminal anoda (A) dan tegangan positip ke terminal katoda (K) dari suatu dioda.
Dengan kata lain, tegangan anoda katoda VA-K adalah negatip (VA-K < 0).
1. Karena pada ujung anoda (A) yang berupa bahan tipe p diberi tegangan negatip, maka
hole-hole (pembawa mayoritas) akan tertarik ke kutup negatip baterai menjauhi
persambungan.
 2. pada ujung katoda (K) yang berupa bahan tipe n diberi tegangan positip, maka
elektron-elektron (pembawa mayoritas) akan tertarik ke kutup positip baterai
menjauhi persambungan. Sehingga daerah pengosongan semakin lebar, dan arus yang
disebabkan oleh pembawa mayoritas tidak ada yang mengalir.
3. Sedangkan pembawa minoritas yang berupa elektron (pada bahan tipe p) dan hole
(pada bahan tipe n) akan berkombinasi sehingga mengalir arus jenuh mundur (reverse
saturation current) atau Is.
G. Bias Maju (Foward Bias)
Apabila tegangan positip baterai dihubungkan ke terminal Anoda (A) dan negatipnya ke
terminal katoda (K), maka dioda disebut mendapatkan bias maju (foward bias). Dengan
demikian VA-K adalah positip atau VA-K > 0.
1. Dengan pemberian polaritas tegangan, yakni VA-K positip, maka pembawa
mayoritas dari bahan tipe p (hole) akan tertarik oleh kutup negatip baterai melewati
persambungan dan berkombinasi dengan elektron (pembawa mayoritas bahan tipe
n).
2. elektronnya akan tertarik oleh kutup positip baterai untuk melewati persambungan.
Oleh karena itu daerah pengosongan terlihat semakin menyempit pada saat dioda
diberi bias maju. Dan arus dioda yang disebabkan oleh pembawa mayoritas akan
mengalir, yaitu ID.
3. Sedangkan pembawa minoritas dari bahan tipe p (elektron) dan dari bahan tipe n
(hole) akan berkombinasi dan menghasilkan Is. Arah Is dan ID adalah berlawanan.
Namun karena Is jauh lebih kecil dari pada ID, maka secara praktis besarnya arus
yang mengalir pada dioda ditentukan oleh ID.

H. Kurva Karakteristik Dioda

Hubungan antara besarnya arus yang mengalir melalui dioda dengan tegangan VA-K dapat
dilihat pada kurva karakteristik dioda (gambar 1.14). Menunjukan dua macam kurva, yakni
dioda germanium (Ge) dan dioda silikon (Si).
1. Pada saat dioda diberi bias maju, yakni bila VA-K positip, maka arus ID akan naik
dengan cepat setelah VA-K mencapai tegangan cut-in (Vγ ). Tegangan cut-in (Vγ ) ini
kira-kira sebesar 0.2 Volt untuk dioda germanium dan 0.6 Volt untuk dioda silikon.
2. Bagian kiri bawah dari grafik pada gambar 1.14 merupakan kurva karakteristik dioda
saat mendapatkan bias mundur. Disini juga terdapat dua kurva, yaitu untuk dioda
germanium dan silikon. Besarnya arus jenuh mundur (reverse saturation current) Is
untuk dioda germanium adalah dalam orde mikro amper dalam contoh ini adalah 1
µA. Sedangkan untuk dioda silikon Is adalah dalam orde nano amper dalam hal ini
adalah 10 nA.
Hubungan arus dioda (ID) dengan tegangan dioda (VD) dapat dinyatakan dalam
persamaan matematis yang dikembangkan oleh W. Shockley, yaitu:

[ ]
VD
ID=IS e n .VT −1
dimana:

ID = arus dioda (amper)

Is = arus jenuh mundur (amper)

e = bilangan natural, 2.71828...

VD = beda tegangan pada dioda (volt)

n = konstanta, 1 untuk Ge; dan ≈ 2 untuk Si

VT = tegangan ekivalen temperatur (volt)

Harga Is suatu dioda dipengaruhi oleh temperatur, tingkat doping dan geometri dioda.
Dan konstanta n tergantung pada sifat konstruksi dan parameter fisik dioda. Sedangkan
harga VT ditentukan dengan persamaan:

kT
VT =
q

dimana:

k = konstanta Boltzmann, 1.381 x 10-23 J/K

(J/K artinya joule per derajat kelvin)

T = temperatur mutlak (kelvin)

q = muatan sebuah elektron, 1.602 x 10-19 C

Apabila temperatur
dioda dinaikkan, maka tegangan
cut-in (Vg) turun.
Sebaliknya bila temperatur
turun, maka Vg naik. Dengan
asumsi bahwa ID tetap, hubungan
antara temperatur
dengan tegangan cut-in (Vg)
dapat dinyatakan dengan persamaan:

Vγ ( T 1) −Vγ ( T 0 )=k (T 1 −T 0 )

dimana:
To = temperatur ruang, atau 25 OC
T1 = temperatur dioda yang baru (OC)
Vg(T1) = tegangan cut-in pada temperatur ruang (volt)
Vg(To) = tegangan cut-in yang baru (volt)
k = koefisien temperatur dalam V/OC
Harga k umumnya oleh para ahli dianggap tetap, yaitu:
k = -2.5 mV/OC untuk dioda germanium
k = -2.0 mV/OC untuk dioda silicon

Secara matematis pengaruh temperatur terhadap arus Is dapat dinyatakan:

T 2−T 1 /10
IS ( T 2 )=IS ( T 1 ) . 2

I. Resistansi Dioda
Perbandingan antara tegangan pada titik kerja dengan arus yang mengalir pada
dioda disebut dengan Resistansi DC atau Resistansi Statis.
VD
R D=
ID
Perbandingan antara perubahan tegangan dengan perubahan arus disekitar titik kerja disebut
dengan Resistansi AC atau Resistansi Dinamik.

∆ vd
rd=
∆ Id

a. Resistansi Dinamik

n . VT
rd=
(iD+ IS )

b. Karena iD >> Is, dan dianggap n = 1 dan VT = 26mV, maka:

26 mV
rd=
iD

J. Rangkaian Ekivalen Dioda

Rangkaian ekivalen adalah gabungan dari beberapa elemen yang dianggap paling
mewakili karakteristik suatu komponen atau sistem yang sesungguhnya. Rangkaian ekivalen
adalah gabungan dari beberapa elemen yang dianggap paling mewakili karakteristik suatu
komponen atau sistem yang sesungguhnya. Secara umum terdapat tiga macam pendekatan
yang digunakan untuk membuat rangkaian ekivalen suatu dioda semi konduktor.
1. Pendekatan yang paling sederhana adalah model dioda ideal. Dioda ideal menyerupai
suatu saklar, bila VD positip saklar akan menutup (dioda ON) sehingga arus ID besar
dan bila VD negatip saklar akan membuka (dioda OFF) sehingga arus ID = 0.
2. Pendekatan kedua adalah lebih lengkap dari model ideal yaitu model dioda sederhana.
Gambar 1.20 menunjukkan model dioda sederhana dan karakteristiknya. Rangkaian
ekivalennya terdiri atas dioda ideal yang diseri dengan tegangan baterai sebesar 0.7 V
(untuk dioda silikon).
3. Pendekatan ketiga adalah yang paling komplek yaitu rangkaian ekivalen
piecewiselinier. Meskipun rangkaian ekivalen ini dianggap paling akurat, namun
bagian nonlinier dari kurva bias maju tetap dianggap sebagai linier.
 BAB III

PEMBAHASAN

3.1 Pembahasan isi buku

Didalam buku ini membahas tentang Dioda Semi Konduktor dan juga type
– type dari dioda dan juga kurva karakterstik pada semi konduktor saat
diberikan bias yang berbeda.

3.2 Kelebihan dan Kekurangan Buku

a. Kelebihan buku
1. Dilihat dari aspek tulisan buku : tulisan bukunya sudah cukup baik dan
menggunakan tanda baca yang baik , serta menggunakan EYD .
2. Dilihat dari aspek tata letak dan tata tulis : tata letak dan tata tulis buku
sangat baikkarena disertai point –point penting dan menggunakan tata letak
yang rapi
3. Dari aspek isi buku : isi bukunya sangat baik dan kami hanya meriview satu
bab dari buku tersebut yang dapat membantu kami untuk memahami dioda
semi konduktor
4. Dari aspek tata bahasa : bahasa yang digunakan sangat mudah untuk
dipahami dan pembaca dan menggunakan unsur 5w+ 1H

b. Kekurangan isi buku

1. Cover bukunya kurang menarik dan bisa di tambahkan modif sedikit
2. Dari aspek penulisan : bukunya sudah cukup baik dan bagus namun ada
beberapa penulisan yang berulang – ulang .
 BAB IV

PENUTUP

4.1 Kesimpulan

Elektronika merupakan ilmu yang mempelajari alat listrik arus lemah

yang dioperasikan dengan cara mengontrol aliran elektron atau partikel
bermuatan listrik dalam suatu alat seperti komputer, peralatan elektronik,
termokopel, semikonduktor, dan lain sebagainya. Ilmu yang mempelajari
alat-alat seperti ini merupakan cabang dari ilmu fisika, sementara bentuk
desain dan pembuatan sirkuit elektroniknya adalah bagian dari teknik
elektro, teknik komputer, dan ilmu/teknik elektronika dan instrumentasi.
Penerapan Elektronika dan Instrumentasi di kehidupan sehari hari akan
coba kita bahas, ada banyak yang akan di bahas jika ingin di perluas
Elektronika seperti pengertian Elektronika berdasarkan definisi-definisi
Elektronika-nya dan fungsi-fungsi dasar yang dapat dilakukan oleh
perangkat-perangkat elektronika serta penerapan Elektronika dalam
kehidupan kita sehari-hari.Komponen elektronika berupa sebuah alat
berupa benda yang menjadi bagian pendukung suatu rangkaian elektronik
yang dapat bekerja sesuai dengan kegunaannya. Mulai dari yang
menempel langsung pada papan rangkaian baik berupa PCB, CCB,
Protoboard maupun Veroboard dengan cara disolder atau tidak menempel
langsung pada papan rangkaian (dengan alat penghubung lain, misalnya
kabel).
Penerapan Elektronika dalam kehidupan sehari-hari ini terdiri dari satu
atau lebih bahan elektronika, yang terdiri dari satu atau beberapa unsur
materi dan jika disatukan, untuk desain rangkaian yang diinginkan dapat
berfungsi sesuai dengan fungsi masing-masing komponen, ada yang
untuk mengatur arus dan tegangan, meratakan arus, menyekat arus,
memperkuat sinyal arus dan masih banyak fungsi lainnya. Di era
teknologi informasi ini, Teknologi yang menggunakan Elektronika dapat
ditemukan dimana-mana, hampir semua bidang menggunakannya.

1. Komunikasi dan Hiburan – Telepon kabel, Ponsel, Televisi, Radio,

Audio/Video Player, Konsol Game, Komputer.
2. Pengendalian dan Instrumen – Pengendalian Mesin produksi di
Industri-industri, Inverter, Multimeter, Pencacah Frekuensi
(Frequency Counter), Osiloskop, Spectrum Analyzer, signal
generator dan lain sebagainya.
3. Aplikasi Pertahanan dan Keamanan – Radar, Sistem Sonar dan
sistem Infra-merah yang digunakan untuk mendeteksi pesawat
tempur, kapal selam, kapal perang lawan. Sistem Peluruh Kendali
dan Sistem komunikasi militer juga menggunakan sistem
Elektronika.
4. Aplikasi di Industri – Otomasi mesin produksi dan pengendalian
pada ketebalan produk, kualitas produk, massa produk, suhu dan
kelembaban pada produk dan bahan produksi dapat dikendalikan
oleh perangkat-perangkat elektronika. Penggunakan komputer dan
Ponsel untuk membeli tiket kereta api dan pesawat, pengendalian
sistem pembangkitan listrik dan lain-lainnya.
5. Medis dan Ilmiah – Dokter dan para peneliti menggunakan alat-alat
eletronika untuk mendeteksi kesehatan pasien seperti EKG
(Electrocardiographs), X-ray, endoscopy, Ultrasound scanner,
mesin pendeteksi kadar gula, kolesterol, tekanan darah dan lain-
lainnya.
 6. Otomotif– Dalam menjalankan operasional manufakturing mobil
atau motor, perangkat elektronika digunakan untuk mengendalikan
mesin produksi dan mengawasi jalannya produksi. Sedangkan pada
mobil itu sendiri, perangkat-perangkat elektronika juga
dipasangkan pada kendaraan bermotor seperti sistem pengapian
(ignition system), multipoint fuel injection (MPFI) system,
pengisian ulang aki mobil dan lain sebagainya.

4.2 Saran
Berdasarkan kekurangan-kekurangan yang telah ditelaah, maka terdapat
saran yang yang disampaikan untuk penulis. Karena buku ini adalah
terbitan lama, seharusnya buku ini diterbitkan lagi namun dengan
perbaikan-perbaikan seperti menggunakan kata-kata dan istilah-istilah yang
mudah dimengerti oleh pembaca, memaparkan sejarah dengan alur yang
jelas dan tidak mengacak, desain cover dibuat dengan menarik agar
pembaca merasa terangsang untuk membacanya, serta memberikan
identitas buku yang lengkap. Selain itu, dengan menerbitkan kembali buku
yang lebih berwarna, maka akan lebih merangsang pembaca untuk
membaca dan menyimaknya.
 DAFTAR PUSTAKA

Surjono, H. D. (2007). Elektronika:Teori dan Penerapannya. Jawa Timur:

Cerdas Ulet Kreatif.