Bab – 2

Konduksi Listrik Padatan

MT2106 Material Elektronik dan Magnetik

Program Studi Teknik Material
Fakultas Teknik Mesin dan Dirgantara
Institut Teknologi Bandung
Sem-1, 2023/3024
“Bahan tayangan ini hanya digunakan di lingkungan prodi Teknik Material FTMD-ITB”
Topik

2.1.
2.1. Konduksi
Konduksi listrik
listrik dalam
dalam logam
logam -- model
model klasik
klasik Drude
Drude
2.2. Aturan Matthiessen & Nordheim
2.3. Resistivitas material campuran & poros
 2.1. Konduksi listrik dalam logam - model klasik Drude

Arus listrik, I = 12,6 Ampere

Apa itu arus listrik ?
Drude memodelkan arus listrik dalam
kabel digambarkan sebagai berikut:

Asumsi:
• Hanya elektron berkontribusi terhadap
arus yang mengalir
• Elektron bergerak bebas & acak dengan
kecepatan drift vdx dibawah pengaruh Ex
• Tidak ada Ex = V/L, elektron tidak mengalir L
From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S. O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)
 2.1. Konduksi listrik dalam logam - model klasik Drude
Elektron dibawah pengaruh medan listrik Ex bergerak diantara atom-atom logam yang
bervibrasi, elektron menumbuk atom atau elektron lain dan menghambur secara acak.

Untuk satu elektron

Elektron 1
time
t2 t3 t

Untuk N elektron
1
v dx  [v x1  v x 2  vx 3    v xN ]
N

𝐽 𝑥 =𝑒𝑛𝜇 𝑑 𝐸𝑥
Elektron 3

From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S. O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)
 2.1. Konduksi listrik dalam logam - model klasik Drude

Bandingkan model Drude dengan Hukum Ohm V

- +
I Menurut Ohm
A A
R
V=I.R
l l R = r . l/A

𝑒𝜏
𝜇 𝑑𝑥 = 𝐼 𝑉 𝐴 𝑉 1 1
𝐽 𝑥 =𝑒𝑛𝑣 𝑑𝑥 =𝑒𝑛𝜇 𝑑𝑥 𝐸 𝑥 𝑚𝑒 𝐽 𝑥= = = = 𝐸 𝑥 & =𝜎
1 𝐴 𝑅𝐴 𝜌 𝐴 𝑙 𝜌 𝜌
𝑒𝑛 𝜇𝑑𝑥 =𝜎 =
𝜌
𝐽 𝑥 =𝜎 𝐸 𝑥 𝐽 𝑥 =𝜎 𝐸 𝑥
“mikroskopik” “makroskopik”
From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S. O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)
 2.1. Konduksi listrik dalam logam – contoh soal

Contoh: Tentukan mobilitas drift (md) dan waktu hamburan rata-rata (t) pada konduksi elektron
dalam logam tembaga (Cu) pada temperatur ruang. Diketahui konduktivitas tembaga = 5,9 
105 W-1cm-1; densitas/rapat massa Cu (rCu) = 8,96 g/cm3; massa atom Cu (MCu) = 63,5 g/mol;
Avogadro (NA) = 6,02  1023 atom.

Solusi: Asumsi – setiap atom Cu mendonasikan 1 elektron valensi. Jumlah atom Cu per satuan volume,
n = r.NA/MCu = (8,96 g/cm3)(6,02  1023atom/mol)(1 elektron/atom)/(63,5 g/mol)
= 8,5  1022 elektron/cm3.
𝜎 5,9  10 5 ( W −1 cm −1 ) 2 −1 −1
𝝁 =
Mobilitas drift: 𝒅
= =43 , 4 𝑐𝑚 𝑉 𝑑𝑒𝑡
𝑒𝑛 [ ( 1 , 6 ×10− 19 𝐶𝑜𝑢𝑙 ) ( 8,5  10 22 elektron . cm −3 ) ]

𝑒𝜏 𝜇 𝑒 𝑚𝑒 ( 43 , 4 ×10− 4 𝑚2 𝑉 − 1 𝑑𝑒𝑡 −1 ) ( 9 ,1 ×10− 31 𝑘𝑔 )

𝜇𝑑 =  𝝉= = =2 , 5 ×10
− 14
𝑑𝑒𝑡 .
𝑚𝑒 𝑒 ( 1 , 6 ×10 𝐶𝑜𝑢𝑙 )
−19

From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S. O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)
Topik

2.1.
2.2. Konduksi
Aturan Matthiessen
listrik dalam&logam
Nordheim
- model klasik Drude
2.2. Aturan Matthiessen & Nordheim
2.3. Resistivitas material campuran & poros
 2.2. Aturan Matthiessen – pengaruh temperatur

Jika:
Ns – konsentrasi pusat hamburan
S = pa2 – luar kros-seksi vibrasi atom
l – panjang lintasan antar tumbukan

1 1
 (Sut).Ns = 1 atau 𝜏= 𝑆𝑢 𝑁 ∝ 2
𝑠 𝜋𝑎

Osilator klasik – vibrasi atom massa M

1 2 2 1
𝐸 𝑘= 𝑀 𝑎 𝜔 ≅ 𝑘𝑇  𝑎∝ 𝑇 𝑒𝜏 𝑚𝑒 𝑇
4 2 𝐶 𝜇 𝑑𝑥 = 1
1 𝜏∝ 𝑚𝑒
𝜌= ∝ 2
𝜏∝ 2
𝑇 𝑒𝑛𝜇 𝑑𝑥 𝑒 𝑛
a 𝜋𝑎
M T , t  1 𝑚𝑒
a 𝜌= 𝜌 𝑇 = 𝐴𝑇 𝐴=
𝑒𝑛𝜇 𝑑𝑥 2
𝑒 𝑛
From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S. O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)
 2.2. Aturan Matthiessen – pengaruh temperatur

Inconel-825 Temperature Coefficient of

NiCr heating wire Resistivity (TCR)
Iron
Tungsten
Monel-400
Resistivitas (nWm)

rT

Untuk logam murni (empiris)

Tin n: indeks karakteristik fitting data
Pt
Copper Idealnya, n = 1
Nikel
Silver

Logam ro (nW.m) ao (1/K) n

Aluminium, Al 25,0 1/233 -
Tembaga, Cu 15,7 1/232 1,15
Perak, Ag 14,6 1/244 1,11
Temperatur (K) Nikel, Ni 59,0 1/125 1,72
From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S. O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)
 2.2. Aturan Matthiessen – pengaruh temperatur

Contoh: Sebuah lampu pijar 40 W, 120 V terbuat dari filamen tungsten (W), panjang 0,381 m
dan diameter 33 mm. Bila resistivitas tungsten pada suhu ruang = 5,51  10-8 m dan
resistivitas filament bervariasi terhadap temperature mengikuti persamaan T1,2,
tentukan temperatr filamen pada saat lampu pijar menyala. (Suhu ruang = 25oC = 298 K).
Solusi: Menurut Ohm besarnya arus I = P/V = 40 W/120 V = 0,333 Amp dan R = V/I = 120
V/0,333 Amp = 360 .
( ) = ( 360  ) (33  10
2
𝜋𝐷
𝑅 −6 2
 4 𝑚) −7
𝜌 ( 𝑇 )= =8 , 08  10 Ω𝑚
𝐿 4 ( 0,381 m)

[ ]
1 ,2
𝑇
( )
Menggunakan relasi 𝜌 𝑇 =𝜌 𝑜 𝑇
𝑜

( )
1, 2
8 , 08 10− 7 Ω 𝑚
𝑇 =𝑇 𝑜 =2746 𝐾 =2473 𝑜 𝐶
5,51  10 −8 m

From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S. O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)
 2.2. Aturan Matthiessen – pengaruh impuriti/pengotor
Mobilitas drift efektif

1 1 1 𝑒 𝜏𝑇 𝑒𝜏 𝐼
= + 𝜇𝐿= &𝜇𝐼 =
𝜇𝑑 𝜇 𝐿 𝜇 𝐼 𝑚𝑒 𝑚𝑒

dimana
: lattice-scattering-limited drift mobility
: impurity-scattering-limited drift mobility

Matthiessen rule
1 1 1
𝜌= = + 𝜌 =𝜌 𝑇 + 𝜌 𝐼
𝑒𝑛𝜇 𝑑 𝑒𝑛𝜇 𝐿 𝑒𝑛 𝜇 𝐼
Matthiessen rule

1 1 1 𝑒𝜏 : resistivitas akibat hamburan vibrasi termal dari atom

= + & 𝜇𝑑 = host
𝜏 𝜏𝑇 𝜏 𝐼 𝑚𝑒
: resistivitas akibat hamburan elektron dari pengotor
vibrasi impuriti
vibrasi kisi
From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S. O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)
 2.2. Aturan Matthiessen – pengaruh paduan

𝜌 = 𝜌𝑇 + 𝜌 𝑅+ 𝜌 𝐼

rT : resistivitas karena vibrasi termal

Resistivitas (nWm)

rR : resistivitas residu kristal Cu karena

hamburan dari cacat, dislokasi, pengotor
rI : resistivitas karena tambahan Ni (hamburan
oleh Ni sendiri)

Resistansi proporsional terhadap

konsentrasi Ni
Temperatur (K)

From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S. O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)
 2.2. Aturan Nordheim – larutan padat

: fraksi
Aturan Nordheim 𝜌 𝐼 =𝐶𝑋 ( 1 − 𝑋 ) % atom
Aturan Nordheim berguna untuk memprediksi resistivitas
paduan, khususnya pada konsentrasi rendah

Aturan Matthiessen-Nordheim

𝜌 = 𝜌 𝑚𝑎𝑡𝑟𝑖𝑘𝑠 + 𝐶𝑋 (1 − 𝑋 )

𝜌 𝑚𝑎𝑡𝑟𝑖𝑘𝑠 = 𝜌 𝑅 + 𝜌 𝐼
: koefisien Nordheim

From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S. O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)
 2.2. Aturan Nordheim – larutan padat

Koefisien Nordheim

From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S. O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)
 2.2. Aturan Nordheim – larutan padat

Contoh: Sebuah konduktor paduan material 90 wt.% Au - 10 wt.% Cu dibuat untuk meningkatkan
sifat mekanik (kekerasan) tanpa mengurbankan sifat ketahanan korosinya. Prediksi
besarnya resistivitas paduan?

Solusi: Gunakan persamaan Matthiessen-Nordheim ; matriks - Au

𝑤 . 𝑀 𝐴𝑢
dan 𝑋= , & (1 – w) = 90%
𝑤 . 𝑀 𝐴𝑢 + ( 1− 𝑤 ) 𝑀 𝐶𝑢

𝑀 𝐴𝑢 =197 ; 𝑀 𝐶𝑢 =63 ,55 ; 𝑤=0 ,1  𝑋 =0 , 256( 25 , 6 𝑎𝑡 . %)

𝐽𝑖𝑘𝑎 𝜌 𝐴𝑢 =22 , 8 𝑛 Ω . 𝑚; 𝐶=450 𝑛 Ω .𝑚

 ) + ().().(1 - ) 108,5

From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S. O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)
Topik

2.1.
2.3. Konduksi
Resistivitas
listrik
material
dalamcampuran
logam - model
& poros
klasik Drude
2.2. Aturan Matthiessen & Nordheim
2.3. Resistivitas material campuran & poros
 2.3. Resistivitas material campuran & poros

From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S. O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)
 2.3. Resistivitas material campuran & poros

a. Campuran heterogen (campuran seri)

LASER Quantum Dot

band diagram
Bavin Bijlani, https://slideplayer.com/slide/8460187/ From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S. O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)
 2.3. Resistivitas material campuran & poros

b. Campuran paralel

K. Dixit et al. Journal of Physics D Applied Physics 48:105102 (2015) From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S. O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)
 2.3. Resistivitas material campuran & poros
c. Dispersi
fasa continuous
fasa dispersed Resistivitas efektif:

rc : resisitivitas fasa continuous

rd : resisitivitas fasa dispersed

Contoh: perunggu mengandung 95% Cu - 5% Sn. Jika material paduan memiliki porositas 15% volume dan
resistivitas perunggu = 1 10-7 Wm, tentukan resistivitas efektifnya.

𝜌 𝑒𝑓𝑓 = 𝜌 𝑐
(1+ 12 𝜒 ) =( 1  10
𝑑
−7
Ω 𝑚)
1+ ½ ( 0 , 15 ) −7
= 1, 27  10 Ω 𝑚
Solusi: poros (lubang) terdispersi, rd =  > rc  (1 − 𝜒 𝑑 ) 1 − 0 ,15
From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S. O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)